TWI539482B - 粒子光學系統及裝置與此系統及裝置用的粒子光學元件 - Google Patents

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Description

粒子光學系統及裝置與此系統及裝置用的粒子光學元件
本發明係關於帶電粒子系統，該帶電粒子系統產生和使用複數的帶電粒子小射束(beamlet)。本發明特別關於例如顯微術系統之帶電粒子檢測系統，以及帶電粒子修飾系統(modification system)，例如電子微影(electron lithography)或選擇性材料沉積/移除系統。
本發明可應用於任何形式之帶電粒子，例如電子、離子(帶電原子或分子)、正子(positron)、牟子(muon)等。
對於持續縮小化且複雜化之微結構裝置的日益增加的需求，以及對於在該微結構裝置的製造和檢測流程上總處理量(throughput)增加的持續的需求，形成開發粒子光學系統的誘因，該粒子光學系統利用複數帶電粒子小射束以取代單一帶電粒子射束，因此大幅增進該類系統的總處理量。該複數帶電粒子小射束的提供，可藉由例如利用多孔洞陣列的單一柱、或藉由複數的個別柱、或二者之結合，以下將做更詳細之描述。複數小射束的使用，伴隨對粒子光學元件的設計、裝置和系統(例如顯微鏡、微影系統、和光罩修復系統)整個領域的新挑戰。
美國專利6252412B1號揭露一習知的複數帶電粒子複數小射束系統。揭露於其中的電子顯微術設備用於檢測例如半導體晶圓的目標物。複數的初級電子射束相互平行聚焦於目標物，以在目標物上形成複數的初級電子斑點(electron spot)。由初級電子產生且由各別初級電子斑點發射之次級電子可加以偵測。對於各初級電子射束提供一獨立的電子射束柱。複數之獨立電子射束柱被密集聚集。形成於目標物上之初級電子射束斑點的密度受限於形成該電子顯微術設備的電子射束柱的剩餘涵蓋面。因此，初級電子射束斑點的數目，其可同時形成於目標物上，實際亦受到限制，導致以高解析度檢測半導體晶圓時該設備的總處理量有所限制。
由美國專利第5892224號、美國專利申請案第2002/0148961 A1號、美國專利申請案第2002/0142496 A1號、美國專利申請案第2002/0130262 A1號、美國專利申請案第2002/0109090 A1號、美國專利申請案第2002/0033449 A1號、美國專利申請案第2002/0028399 A1號可知電子顯微術設備，其使用聚焦於待檢測目標物之表面的複數的初級電子小射束。
由國際專利申請案第2005/024881號可知一粒子光學系統，其中複數小射束之產生，乃藉由以單一電子射束照射具有複數孔洞形成於其中之多孔洞板，而該單一電子射束之產生，則藉由設置於該多孔洞板上游的電子源。該電子小射束藉由穿過該等孔洞的電子射束的電子，形成於該多孔洞板的下游。該複數之初級電子小射束藉由一接物透鏡(objective lens)聚焦於目標物，該接物透鏡具有一內孔，而所有初級電子小射束皆穿過該內孔。一初級電子斑點的陣列接著形成於目標物上。由各初級電子斑點放射之次級電子形成各自之次級電子小射束，以產生對應於該複數初級電子射束斑點的複數的次級電子小射束。該複數的次級電子小射束亦穿過該接物透鏡，且該設備提供一次級電子射束通道以供給各次級電子小射束分別至複數的偵測器之一。使用維恩濾波器(Wien-filter)以由初級電子小射束的射束通道分離該次級電子射束通道。因為使用一共用的初級電子射束通道，該共用的初級電子射束通道包含複數初級電子小射束，以及一共用的次級電子射束通道，該共用的次級電子射束通道包含複數次級電子小射束，目標物之照射與成像可在視域(field of view)內部之複數子區域中同時加以執行，因此藉由減少檢測或處理時間而增進系統的總處理量。
增加所使用之初級小射束的數量可從而增加這類系統的總處理量。一可利用視域內最大可能小射束數量係藉由可達成之最小小射束節距而決定，該最小小射束節距直接相關於次級電子光學系統的解析度。後者主要為存在於試樣表面和粒子光學系統的接物透鏡之間的空間之內的電場強度的函數，其作為次級電子的萃取場(extraction field)。增加萃取場的強度一般增進次級電子光學系統的側向(橫越該系統之光學軸)解析度。
然而，試樣表面之上的電場強度無法任意加以調整，這是因為許多試樣僅容許有限的電場強度在其表面上。較高強度的電場可導致對於試樣表面組態的不期望的修改，甚至損傷該試樣。由於在試樣表面的萃取場強度某種程度決定於來自系統的帶電粒子光學柱之元件的場穿透(field penetration)，以一寬的幅度改變萃取場需要調適該柱的機械裝置以及施予其電子光學操作元件之電位。由於粒子光學柱內部的電位通常為預先決定的，帶電粒子光學柱分別的改變是不可能的。因此，由來自系統之帶電粒子光學柱的元件之穿透所形成之萃取場強度的部分形成一受限制的參數，以致萃取場強度一般僅能在有限之幅度內作改變。
因此，初級小射束的最大可能數量，以及系統的總處理量不能達到使用試樣於其中之帶電粒子光學系統的應用之最佳化，該系統容許較高的萃取場強度。
因此，吾人期望在帶電粒子光學系統中具有能夠有效且容易地管理該系統對特定應用的調適的特點。
考慮到以上的技術問題，本發明因而產生。
本發明的實施例提供用於形成複數帶電粒子小射束(beamlet)的帶電粒子複數小射束系統，其中可輕易地使該帶電粒子小射束的數量適用於系統的一特殊應用。
該帶電粒子複數小射束系統包含：一帶電粒子來源；一第一多孔洞板，其具有複數孔洞(aperture)，該等孔洞配置於位於該來源的下游的該系統的一帶電粒子射束通道中；一第一多孔洞選擇器板，其具有複數孔洞；一載具，其中該載具上裝有該第一多孔洞選擇器板；以及一致動器(actuator)，建構成移動該載具，以在該系統的一第一操作模式中，配置該第一多孔洞選擇器板於該來源之下游的該系統之帶電粒子射束通道中，以及在該系統的一第二操作模式中，配置該第一多孔洞選擇器板於該帶電粒子射束通道之外。以此方式配置該帶電粒子複數小射束系統的該來源、該第一多孔洞板、和該載具，以在該第一操作模式中，在位於該第一多孔洞板和該第一多孔洞選擇器板二者的一下游位置，產生帶電粒子小射束的一第一數量，以及在該第二模式中，在該位置產生帶電粒子小射束的一第二數量，其中小射束的該第一數量不同於小射束的該第二數量。
該帶電粒子複數小射束系統可更包含一聚焦透鏡，配置於一射束通道，該射束通道位於該第一多孔洞板和該第一多孔洞選擇器板二者的下游。此類聚焦透鏡，能夠聚焦該等小射束至配置於該聚焦透鏡下游的一目標物的表面上，以在該表面上形成複數的初級帶電粒子射束斑點。為了安置該目標物，該系統最好包含一平台，用於裝設一目標物於配置於該聚焦透鏡下游的一目標平面。
此外，該帶電粒子複數小射束系統可包含一第一電壓源，建構成供給一第一電壓至該第一多孔洞板，以使穿越該第一多孔洞板的孔洞的帶電粒子小射束，各自具有在該第一多孔洞板的下游一距離之一小射束焦點(beamlet focus)。藉由設定各別電位至該第一多孔洞板，該第一多孔洞板相當於一個別靜電透鏡陣列，其之後稱為微透鏡陣列(micro lens array)。
該帶電粒子複數小射束系統的該聚焦透鏡藉此較佳地建構成成像該等小射束焦點至目標平面。藉此最小化在聚焦透鏡的目標平面中的目標物或試樣上的初級帶電粒子射束斑點的尺寸。
帶電粒子複數小射束系統可更包含一場分離電極，其具有一孔洞，該孔洞配置於在聚焦透鏡的下游且目標平面的上游的該帶電粒子射束通道中。各別的場分離電極分別影響位在目標平面之中或接近目標平面的目標物的表面的場強度，且因此減少改變一代測裝置或試樣的表面組態(surface configuration)的風險。在關於此之另一實施例中，場分離電極的孔洞具有一直徑，以使在該第一操作模式的第一數量的小射束和在該第二操作模式中的第二數量小射束穿越該孔洞。藉由具有適用不同操作模式中的不同小射束組態的場分離電極的孔洞，使得不同操作模式間的切換變得容易。在較佳的實施例中，場分離電極的直徑至少小於2.0 mm、1.5 mm、1.0 mm、0.8 mm、0.6 mm和0.4 mm其中之一，以能夠使孔洞直徑適用於帶電粒子複數小射束系統的視域(field of view)。
根據該帶電粒子複數小射束系統的另一實施例，該聚焦透鏡具有一內孔直徑，其被複數小射束所穿越，以及其中至少滿足如下之關係之一：
Db/De>2，Db/De>5，Db/De>10，和Db/De>20
其中Db表示聚焦透鏡的內孔直徑，而De表示場分離電極的直徑。
根據另一較佳實施例，場分離電極與目標平面的距離小於2.0 mm，1.2 mm，0.8 mm，0.5 mm，0.3 mm，和0.2 mm。
另一實施例包含：一第二電壓源，建構成供給一第二電壓至場分離電極；以及一第三電壓源，建構成供給一第三電壓至目標物。該實施例能夠控制在目標物表面的電場強度。在此實施例中，施加於場分離電極的電壓電位，與對面對場分離電極的聚焦透鏡的下表面的所施加的電位匹配，因而該第二電壓源可根據一特殊實施例，被用以供給場分離電極和聚焦透鏡的下表面。在其另一實施例中，該帶電粒子光學系統更包含一控制器，建構成控制該致動器以及該第二和第三電壓源，藉此該控制器控制該致動器以使在第一操作模式中的小射束的第一數量，小於在第二操作模式中的小射束的第二數量。必須注意的是，控制器的實施，可以單一元件形式以及多元件形式為之。
該控制器在其另一實施例中，建構成控制第一和第二電壓源，以使一第一電壓差存在於在第一操作模式下的該第二電壓和該第三電壓之間，以及一第二電壓差存在於在第二操作模式中的該第二電壓和該第三電壓之間，且其中該第一電壓差不同於該第二電壓差。藉由依控制模式控制該第二電壓和該第三電壓之間的電壓差，可使在目標物表面的電場適合於在目標物表面的初級帶電粒子射束斑點的形態。在其一特殊之實施例中，該第一電壓差小於該第二電壓差，表現操作模式之間的初級帶電粒子射束斑點的數量差異。
根據帶電粒子光學系統的另一實施例，該控制器建構成控制該第二和第三電壓源，以使在第一操作模式中一第一電場強度存在於目標平面，以及使在第二操作模式中一第二電場強度存在於該目標平面，且其中該第一電場強度不同於該第二電場強度。根據其另一實施例，該第一電場強度小於該第二電場強度。
在該帶電粒子複數小射束系統的一較佳的實施例中，第一多孔洞板的孔洞以規則的圖案加以布置，藉此所照射的目標物表面能夠均勻分割成子區域，各子區域分別由小射束之一加以照射。該規則的圖案最好包含六角圖案和矩形圖案至少其中之一，前者能夠達到最高可能的小射束密度，後者則可直接細分該關注區域(area of interest)至子區域的矩形圖案。
根據另一實施例，聚焦透鏡包含：磁極部(pole piece)；以及至少一線圈，用於產生該等磁極部之間一聚焦磁場。該控制器藉此較佳地建構成控制該聚焦磁場，以使該聚焦磁場在第一操作模式和第二操作模式中實質上相同。
根據一有利的開發，帶電粒子光學系統的一實施例包含：一聚焦透鏡，其具有至少一對電極；以及一電壓源，用以產生在該對電極之間的一聚焦電場。藉此，該控制器有利地建構成控制該聚焦電場，以使該聚焦電場在第一和第二操作模式中實質上相同。
帶電粒子光學系統的另一實施例包含一偵測器，其配置用以偵測由目標平面所發射的帶電粒子。為了個別地偵測由各別的小射束所產生的不同的次級帶電粒子射束，該偵測器有效地包含複數個偵測器元件，其建構成以使該偵測元件分別接收由各自一小射束產生於目標物的帶電粒子。
本發明的另一實施例提供一方法，包含：將一第一數量的帶電粒子小射束導向目標物上，且施予該目標物的一表面的電場具有一第一電場強度；以及將一第二數目的帶電粒子小射束導向該 目標物上，且施予該目標物的該表面的電場具有一第二電場強度。該第一數目最好能小於該第二數目，且該第一電場強度小於該第二電場強度。利用根據本發明上述的實施例之一的一帶電粒子複數小射束系統，本方法可有效地加以實施。
在以下範例實施例中，具類似功能與結構的元件儘可能以類似之參考數字表示。
圖1之示意圖說明一複數小射束帶電粒子顯微術系統1的基本特徵和功能。必須注意的是圖中所用之象徵符號不代表該所說明之元件的物理結構，而僅用以象徵其各別功能。所展示之系統類型係一掃描式電子顯微鏡(SEM,scanning electron microscope)，其利用複數的初級電子小射束(初級帶電粒子小射束)3，該初級電子小射束3用於在位於接物透鏡102的目標平面101中的目標物7的表面上產生射束斑點5。然而，系統1的特徵和功能的實現，當然亦可利用非電子之其他型態的初級帶電粒子，例如離子(特別是氦離子)、正子(positron)、牟子(muon)等。
所示之顯微術系統1包含：一帶電粒子複數小射束產生器300，其用於產生複數的初級帶電粒子小射束3；一射束分離器單元400，其用於自初級帶電粒子射束通道13分離次級帶電粒子射束通道11；一目標物照射單元100，適用於將初級帶電粒子小射束3對焦至目標平面101上；以及一偵測單元200，其用於對各次級帶電粒子小射束9建立個別的強度訊號。
在所示之實施例中，作為初級小射束產生器之帶電粒子複數小射束產生器300包含一電子源(帶電粒子源)301、準直透鏡303、一初級小射束形成單元305、以及一場透鏡(field lens)307。
電子源301產生一發散之電子射束(帶電粒子射束)309，其藉由準直透鏡加以準直，以形成入射初級小射束形成單元305上之射束311。若不使用如圖1所示的僅產生一發散的電子射束309 的電子源，產生二或更多發散電子射束之電子源可被使用。接著，該二或更多發散電子射束的準直，可藉由僅使用一準直透鏡303，或一適當數量的準直透鏡303，其分別準直個別電子射束309的一子集合，或分別僅準直個別電子射束309其中之一。
小射束形成單元305基本上包含：一第一多孔洞板，其被一或多電子射束(帶電粒子射束)311所照射；以及一第二多孔洞板，其位於該第一多孔洞板之下游(相關於射束311中電子的移動方向)。該第二多孔洞板最好設定於一定義之電位，以賦予其孔洞聚焦品質且使第二多孔洞板具有一微透鏡陣列之功能。該小射束形成單元305的進一步細節，將參考帶電粒子複數小射束產生器的不同實施例在以下加以解釋。
在射束斑點5入射目標物7的初級電子，產生由目標物7的表面發射之次級電子。該等次級電子形成次級電子小射束(次級帶電粒子小射束)9，其沿著次級帶電粒子射束通道11穿越接物透鏡102和射束分離器單元400。射束分離器單元400通常藉由磁場自初級帶電粒子射束通道13分離次級帶電粒子射束通道11，並將次級帶電粒子射束通道11導向偵測單元200。
偵測單元200包含一投射透鏡205，其用於將次級電子小射束9投射至偵測器裝置209的電子敏感偵測器207的表面平面211。該電子敏感偵測器207可為一單一裝置，或包含複數的個別偵測器。無論如何，偵測器207具有一感測區域陣列，該感測區域陣列用與由投射物鏡205聚焦至偵測器表面211之次級帶電粒子小射束9的圖案相容之圖案加以布置。此布置能夠分別偵測個別之次級帶電粒子小射束9，該次級帶電粒子小射束9獨立於入射於偵測器表面211的其他次級帶電粒子小射束9。因此，建立複數個電子訊號，藉此使訊號之值各自僅對應於其中之一的次級帶電粒子小射束9之特性。
若初級小射束產生器300不僅容許改變初級電子小射束3的圖案以使各圖案形成一基本圖案的一子圖案，亦容許改變該基本圖案，偵測器裝置209最好進一步裝備偵測器207，其各自具備布 置以不同基本圖案的感測區域。由於次級帶電粒子小射束9的圖案對應於由初級小射束產生器300所產生的初級電子小射束3之圖案，各偵測器207的感測區域陣列圖案最好可對應於初級電子小射束3能夠提供之圖案其中之一。
目標物照射單元100包含一接物透鏡102，其將初級帶電粒子小射束3聚焦至目標平面101上，而在目標平面101中目標物7的待觀察表面藉由目標物底座(例如一試樣平台)加以安置。在圖中未展示該目標物底座。
圖2之示意圖展示用於小射束產生器300的一小射束產生裝置300’的第一實施例的基本元件。初級電子小射束3僅顯示至其第一聚焦平面，但可理解的是該小射束持續超越該平面且進入場透鏡307(僅展示於圖1)，且沿著初級帶電粒子射束通道13行進。
小射束產生裝置300’包含：一初級帶電粒子源301、一準直透鏡303、以及初級小射束形成單元305。
在所示範例中，初級帶電粒子源以電子源301之方式實施，電子源301以發射器尖端(emitter tip)310和萃取電極(extraction electrode)302為其特徵。當利用例如氦離子之非電子的初級帶電粒子時，初級帶電粒子源301之配置可能與圖中所示不同。
電子源301發射發散的一電子射束309，在展示之範例中，該電子射束309藉由準直透鏡303加以準直，以形成準直射束311。準直透鏡303之形成，通常乃藉由一或多個靜電透鏡或磁透鏡、或藉由靜電透鏡和磁透鏡之組合。準直透鏡之使用為非必要，但在使用於小射束形成單元305中的多孔洞板具有一平面形態時，即孔洞315配置於非彎曲平面的形態，則最好能使用該準直透鏡。若未使用準直透鏡303時，多孔洞選擇器板313和第二多孔洞陣列320的孔洞315最好能配置於一彎曲的平面，其曲度適用於初級射束309之發散度，如國際專利申請案第2007/028596 A1號所述，該文件整合於此以作參考。
準直射束311(或者，若未使用準直透鏡，則為非準直射束)入射於初級小射束形成單元305的多孔洞選擇器板313上。該多 孔洞選擇器板313具有二或更多孔洞陣列317形成於其中。各孔洞陣列包含一或多個孔洞315，其形成於多孔洞選擇器板313中。多孔洞陣列之孔洞可以一維或二維圖案配置，其中二維圖案對目標物之表面的快速檢測是較佳的。
圖2剖面圖展示三個不同多孔洞陣列的孔洞配置：即陣列317，其在圖2的圖式中被準直電子射束311所照射；以及陣列317i和317ii，二者皆置於電子射束311之外。不同之孔洞陣列相互間之不同處一般在於存在於各陣列中孔洞之數量、孔洞之幾何配置、孔洞的尺寸和/或形狀、或以上之組合。
在圖2所示之範例實施例中，所有的多孔洞陣列形成於一多孔洞選擇器板313之內。在選擇不同的多孔洞陣列其中之一時，利用致動器350移動支承多孔洞選擇器板313的載具340，以使所欲之多孔洞陣列置於電子射束311之中。在初級小射束形成單元305的另一實施例中，載具340建構成承載多於一個多孔洞選擇器板，其中多孔洞選擇器板各自僅具有一多孔洞陣列形成於其中。在初級小射束形成單元305的又另一實施例中，至少多孔洞選擇器板其中之一具有大於一個多孔洞陣列形成於其中，而藉此在該多孔洞選擇器板其中之一的一或多個多孔洞陣列的基本圖案可根據一有利的開發而與形成於其他多孔洞選擇器板的多孔洞陣列的基本圖案有所不同。載具340可進一步適用於以一可替換的方式承載一或多個多孔洞選擇器板313。舉例來說，載具340可具有類似旋轉料架(carousel-like)之結構，其具有一或多個夾具，用於以可分離的方式支承具有一或多個多孔洞陣列317形成於其中的多孔洞選擇器板313。不同的多孔洞板可存放於一停泊位置，可利用夾持機構從該位置拾起和放下該等多孔洞板。若不使用類似旋轉料架的結構，亦可使用其他的結構，舉例來說，例如類似XY平台(X-Y-table)之線性位移機構。
準直電子射束311(或者，位於多孔洞選擇器板313的非準直射束)的寬度最好適合於多孔洞陣列317的尺寸，亦即是該射束的橫剖面幾何形狀，建構成用以照射形成於多孔洞選擇器板313 的多孔同陣列317、317i、和317ii的所有孔洞。在圖2所示的實施例的一個修改中，將一光罩置於多孔洞選擇器板313的上游，以使帶電粒子射束311的橫剖面幾何形狀適用於多孔洞陣列317、317i、和317ii的周圍。該光罩較佳以類似板狀的結構加以形成，其具有孔洞，建構成用以遮蔽帶電粒子射束311的周圍部分。該孔洞的幾何形狀藉此較佳地適用於侷限帶電粒子射束311於對於一多孔洞陣列所容許之最大周長所定義之區域。
根據另一較佳的實施例，該光罩包含一多孔洞陣列，而非單一孔洞，藉此使多孔洞陣列的圖案為形成於多孔洞選擇器板中的所有多孔洞陣列的聯集。多孔洞陣列光罩330(僅顯示於圖7)阻擋帶電粒子射束311之照射該光罩無空隙之區域的所有部分。只有進入孔洞之帶電粒子可穿越該多孔洞光罩，藉此形成與光罩中孔洞數量相同的部分射束(partial beam)3a。接著利用置於多孔洞光罩的下游之多孔洞選擇器板313以選擇特定數目的由多孔洞光罩所形成之部分射束3a。放置一多孔洞光罩於多孔洞選擇器板313之上游增進初級小射束形成單元305的光學參數的穩定性，這是由於多孔洞選擇器板313的熱應力藉由多孔洞光罩吸收大部分未使用之帶電粒子射束311的能量而減少。
以多孔洞選擇器板313選擇的部分射束3a進入第二多孔洞陣列320之孔洞，而部分射束3a各自穿越形成於第二多孔洞陣列320之中的不同孔洞之一。必須注意的是，除了被部分射束3a所穿越的孔洞之外，第二多孔洞陣列320可包含另外的孔洞，亦即是降低可能的像差效應(aberration effect)。
一電性傳導板，其具有孔洞作為開口321形成於其中，典型地形成第二多孔洞陣列320。設定該板於一適當的電位。為了設定該電位，使用由一控制器500所控制的一電壓源501。相同的電位通常亦施加於該一或多之多孔洞選擇器板313。在一些實施例中，使用由控制器500所控制的一獨立的電壓源501’以控制多孔洞選擇器板313和第二多孔洞陣列320之間的電壓差。藉由施加適當的電位至多孔洞陣列320，使在該陣列開口的鄰近區域的電場彎 曲，藉此聚焦部分射束3a以形成小射束3。
在另一較佳實施例中(未顯示於圖中)，配置一或多個多孔洞選擇器板313和第二多孔洞陣列320於一無電場之空間，並藉由位於第二多孔洞陣列320的下游的一靜電透鏡將小射束加以聚焦。
各孔洞因此分別形成一微透鏡，且第二多孔洞陣列320如上所述構成一微透鏡陣列320。各微透鏡321的周圍幾何形狀，即各開口321的輪廓，至少等同於穿越該開口之各部分射束3a的橫剖面幾何形狀的輪廓，但最好是大於該輪廓以減少像差。換言之，在多孔洞陣列317中的孔洞315的輪廓小於或等於由相同的部分射束所穿越的對應之該微透鏡的輪廓，即在穿越二者的部分射束3a的方向來看，孔洞315的輪廓未延伸超越對應之微透鏡的輪廓。
微透鏡321的形狀和位置最好適合於在多孔洞選擇器板313中對應之孔洞315的形狀與位置。微透鏡陣列320可更包含額外的結構以增進小射束3的品質。關於此之細節描述於國際專利申請案第2005/024881號，其整合於此以做參考。
不同於多孔洞選擇器板313，根據圖2所示之實施例的微透鏡陣列320僅包含一個微透鏡321陣列。微透鏡321的數量和配置相當於由多孔洞選擇器板313所提供之個別多孔洞陣列317、317i、和317ii的聯集。微透鏡321位於安排於預先定義圖案的位置。微透鏡的位置因此藉由其某些幾何形狀特性加以定義，該幾何特性為例如圓形或橢圓形輪廓的中心或類似者。
陣列317、317i和317ii的孔洞315的位置亦以一圖案加以配置。該孔洞位置以與微透鏡的位置相同之方式加以決定。多孔洞陣列圖案317、317i、和317ii相當於微透鏡陣列的圖案(前者等同於後者，或形成後者的一子集合)。在使用發散的帶電粒子射束309而不是準直帶電粒子射束311的狀況下，多孔洞陣列317的圖案為典型之微透鏡陣列圖案的縮放版本，或微透鏡陣列圖案的的子集合。
圖3和圖4說明帶電粒子複數小射束產生器300的另外的實施例300”和300'''。該等實施例各自包含一初級小射束形成單元 305，其具有與根據圖2之複數小射束產生器300相同的配置，但對於產生入射小射束形成單元305的準直初級射束311則有不同配置。
所示之該等實施例具有二個初級帶電粒子源301和301’，但亦可包含更多的帶電粒子源，例如三或四個。在圖3所示之實施例中，自帶電粒子源301和301’發射的初級射束309和309’藉由靜電偏向單元301a加以對準，且接著藉由相同之準直透鏡303加以準直。在圖4所示之實施例中，自帶電粒子源301和301’發射的初級射束309和309’在各個別初級帶電粒子射束通道中僅使用準值透鏡303和303’其中之一分別地加以準直。個別之準直的帶電粒子射束311和311’以並列配置，以達成實質上對多孔洞陣列317連續的照射。必須理解的是，為達成準直初級射束311和311’的並列配置，可利用除了圖中所示之外的另外的帶電粒子光學元件，例如類似圖3的單元301a的偏向單元，或沿著準直射束通道配置的不同偏向單元。
圖5說明具有多孔洞選擇器板313的初級射束形成單元305的範例實施例的形態和功能，該多孔洞選擇器板313具有四個不同的多孔洞陣列317i、317ii、317iii、和317iv形成於其中。多孔洞陣列的孔洞被配置於一基本圖案的各個位置，其藉由陣列317i和317iv的位置圖案加以表示，即一矩形之5乘5圖案。為了變換插入帶電粒子射束311的多孔洞陣列，多孔洞選擇器板313可在平行於其主表面的一平面上加以位移。
在所說明的範例中所示的陣列的孔洞皆具有一圓形的輪廓，其中第四陣列317iv的孔洞的直徑大於其他三陣列的孔洞的直徑。第一陣列317i的孔洞和第四陣列317iv的孔洞以相當於一規則的矩形網格形態的圖案加以布置。第二多孔洞陣列317ii的孔洞和第三多孔洞陣列317iii的孔洞各以形成陣列317i和317iv的圖案之子圖案的圖案加以配置。在所述範例中，僅以一多孔洞選擇器板313形成該等多孔洞陣列。在不同的相關之實施例中，可利用如上所述二或更多的多孔洞選擇器板313，其中各多孔洞選擇器 板313具有一或多個多孔洞陣列。
藉由將多孔洞陣列317其中之一插入初級射束311之通道(未展示於此圖)，一陣列之初級部分射束3a被形成，並繼續前進至位於下游的多透鏡陣列320。具有孔洞形成於其中的傳導板形成該多透鏡陣列320。當施加一適當的電位至該板，孔洞作為微透鏡聚焦該部分射束3a以形成小射束3。該微透鏡陣列不需要皆以電性傳導材料構成。只要該透鏡陣列的表面為導電的，亦可使用其他材料。為較佳的辨識，部分射束3a和小射束3在圖5中以陰影圖示表示。多透鏡陣列320的矩形周圍為非必要的，且實際上可具有任何所欲或所需要(例如安裝於一帶電粒子複數小射束系統1的一光學柱上)的任何形狀。
可不使用圖5所示之僅使用一多透鏡陣列的方式，而使用不同的複數的微透鏡陣列，其容許改變小射束組態的基本圖案，舉例來說，由如圖5所示結構之矩形網格，改變為六角結構，其如圖6所示之多孔洞陣列317的剖面的結構。藉由改變小射束組態的基本圖案，舉例來說，能夠改變小射束的密度。在如上所述提供多個微透鏡陣列且利用多孔洞光罩330之時，該多孔洞光罩最好建構成具有不同的光罩孔洞陣列，其各自符合於不同的多透鏡陣列之一。基本圖案可為任何型態，且子圖案亦可依所欲設計，例如星狀或其他適合圖案，只要子圖案符合其對應之基本圖案即可。
在另一實施例中，安置多透鏡陣列320於多孔洞選擇器板313的上游，但在可選擇之多孔洞光罩330之下游。圖7說明一各別的組態，其中展示之小射束形成單元305包含三個多孔洞板：一第一多孔洞板330作為多孔洞光罩；第二多孔洞板320作為微透鏡陣列；且第三多孔洞板作為多孔洞選擇器板。圖7所示之多孔洞選擇器板313被安置於微透鏡陣列320的聚焦平面。然而需要理解的是亦可安置多孔洞選擇器板313於微透鏡陣列的聚焦平面之外，即更接近微透鏡陣列320或在微透鏡陣列320更下游之處。更需注意的是準直射束311和小射束3乃以被刪截形式表示，其 路徑範圍較所示為廣。
所述之小射束形成單元305的實施例能夠產生具有不同小射束數量、不同小射束陣列的圖案、以及不同個別小射束尺寸的初級小射束陣列。因此，所述之小射束形成單元使各別的帶電粒子複數小射束系統1的使用者能夠快速地使表面上射束斑點5的密度和注入待測目標物7之表面的電荷量適合於該目標物表面特性和觀測需求。
由圖中微透鏡或多孔洞陣列的數量所展示或指出之初級電子小射束3的數量僅依說明為目的而選擇。實際上，小射束形成單元305所產生的初級電子小射束3的數量可為一到數千之間任何數目。實際上可使用30x30、100x100、或其他的小射束陣列。微透鏡的節距可在5μm至200μm的範圍內。微透鏡的直徑可在0.2到0.9倍該微透鏡節距的範圍內，特別是在20%至50%該微透鏡節距的範圍內、30%至60%該微透鏡節距的範圍內、40%至70%該微透鏡節距的範圍內、50%至70%該微透鏡節距的範圍內、50%至60%該微透鏡節距的範圍內、60%至70%該微透鏡節距的範圍內、70%至80%該微透鏡節距的範圍內、和/或80%至90%該微透鏡節距的範圍內。
可容納於可利用視域內的小射束的數量主要地決定帶電粒子複數小射束光學系統可達成的總處理量。小射束3之間的節距由在目標物表面上的初級電子射束斑點5之間的最小距離加以決定，且小射束3之間的節距決定可容納於一給定視域中小射束3的數量。小射束3之間的最小可能節距決定於一解析度，以該解析度源自各別初級電子射束斑點5的次級電子能夠投射至偵測器陣列207上。次級電子小射束9成像的解析度主要取決於次級電子小射束9的間距，其受到在目標物表面次級電子小射束9的張角的強烈影響，且因此間距為目標物表面的鄰近區域中的電場強度的函數。較高的電場強度增加次級電子小射束9的間距，並導致較高的次級通道解析度。
在利用具有靜電元件之聚焦透鏡時(如圖8所示者)，二項來 源支配在試樣或目標物表面的電場：源自目標物表面和面向該目標物表面的聚焦透鏡的表面之間的電位差的電場；以及由位在目標物表面上游的光學柱中的靜電元件所傳播而來的電場。該光學柱元件的電位通常決定於柱光學特性，且不能更改以調適在試樣表面的電場強度。因此，由該光學柱傳播至目標物表面的場與其視作一參數倒不如視作一限制。
一最佳的總處理量需要一最小的小射束節距，而最小的小射束節距的達成，只有藉由足夠高的電場，其用以在足夠窄的一張角內自試樣表面拉動次級電子。為了保證在目標物表面附近的電場不會影響目標物表面的組態，一些應用需要低於其他應用所需之在目標物表面的電場強度。
為了控制位於聚焦透鏡102之下的目標物的表面的電場強度，提供一場分離電極(field-separating electrode)103，在一較佳的實施例中，該場分離電極103置於聚焦透鏡和聚焦透鏡102的目標平面101之間。該場分離電極將聚焦透鏡和目標物表面之間的空間分為二個區域，並減少源自由系統的光學柱的元件至試樣表面的場的傳播。
圖8的橫剖面圖展示一帶電粒子複數小射束系統1的光學柱的下部的範例實施例。所述之光學柱部分包含：一聚焦透鏡102；以及一場分離電極103，其位於該接物透鏡102和目標平面101之間，而目標物7的關注表面置於該目標平面101中。細節A的放大圖展示在圍繞光學軸1021的一小區域中的該接物透鏡102的下部、該場分離電極103、以及試樣7，並定義場分離電極103的參數特徵。必須注意的是圖8的圖式並未依比例繪製，且其尺寸僅以說明為目的。特別是，場分離電極103和聚焦透鏡裝置102的低端之間的距離通常要小得多，且聚焦透鏡102和場分離電極的開口直徑(opening diameter)亦在更大的程度上不同。
圖8所示的聚焦透鏡102為置於一試樣或目標物7上游的接物透鏡裝置，其安裝於一平台(未展示於該圖中)上。所述之接物透鏡裝置102包含一第一磁極部(magnetic pole piece)1022， 其與帶電粒子複數小射束系統1的光學柱的光學軸1021(或對稱軸)同中心。一第二磁極部1023設置於該第一磁極部1022之下(即下游)。與第一磁極部相同，第二磁極部1023亦具有旋轉對稱配置，且與光學軸1021同中心。形成於二極部中的腔容納激磁線圈，其用於產生實質上對稱於光學軸1021的磁場。
由第一激磁線圈1024產生的磁場，對在射束管1028的面對目標平面101的一端離開射束管1028的初級小射束的電子具有聚焦效果。第二激磁線圈1025產生一磁場，其用以對由第一激磁線圈1024所產生的聚焦磁場的強度和位置進行微調。對由位於第二極部之內的第三激磁線圈1026所產生的磁場加以調整，以補償在第一和第二極部之間的空隙所形成的區域中的聚焦磁場。以上接物透鏡102的技術功能和配置的細節描述於國際專利申請案第2007/060017號國際公報中，其整合於此以作參考。
配置射束管1028同心圍繞光學軸1021，該光學軸1021穿過被第一極部包圍之區域。一高電壓源(未展示於此圖)施加至射束管1028，以使初級帶電粒子減速且使源自試樣7表面的次級帶電粒子加速。由於該初級帶電粒子在射束管1028中被減速，初級帶電粒子需要以較高的能量自初級帶電粒子源301取得，以確保初級帶電粒子可到達試樣表面。在離開來源301時初級帶電粒子的能量一般在15keV和60keV之間，且射束管1028的抑止電位(retarding potential)在15kV和30kV之間，藉此在試樣方向離開射束管1028之時初級帶電粒子的能量一般設定在15keV和60keV之間。
磁極部可設定在不同的電位。舉例來說，第一極部可設定在接地電位，而第二極部可設定在不同於接地電位之一電位，以用於調整在目標物7的電場強度。初級帶電粒子的著陸能量(landing energy)藉此典型地設定在約50eV至約3keV。
必須注意的是不同於圖8所示之接物透鏡102之其他型態的接物透鏡亦可用於本發明，例如一單激磁線圈接物透鏡裝置。
以射束管1028所產生的電場延伸穿過聚焦鏡102的內孔至試 樣表面。該電場疊加至由下極部(第二磁極部)1023和試樣表面之間的電位差所產生的電場。在試樣關注表面所產生的總電場強度為該二電場的電場強度的加權和。
為了調整在試樣表面的場強度以適應特殊應用的需求，一個場分離電極置於聚焦透鏡102和試樣之間與試樣表面距離d的上游位置，如圖8所示。該場分離電極103具有一開口，該開口被置於與系統之光學柱的光學軸1021和接物透鏡裝置102的內孔同中心之位置。場分離電極孔洞的直徑De小於接物透鏡裝置102的內孔直徑Db。內孔直徑Db和在場分離電極103中的孔洞的直徑De二者之間的比例較佳條件為大於2，更好能大於10，且最好能大於20。該場分離電極孔洞的直徑最好能適合所使用之視域，因此期望有小於2.0mm的直徑，而較佳能小於1.5mm，更佳為小於1.0mm，又更佳為小於0.8mm，再更佳為小於0.6mm，且最好能小於0.4mm。
當場分離電極孔洞或開口的直徑足夠小之時，在試樣表面的電場由試樣和場分離電極之間的電位差主要地加以決定。直接位於試樣的關注表面(surface of interest)之上的電場強度可因此由場分離電極的電位有效地加以控制。電壓差可利用控制器500加以控制，該控制器可為亦使用於小射束產生裝置之控制器，或一獨立的控制器。該控制器適用於控制試樣表面和場分離電極103之間的電壓差。如圖8所示之範例實施例，該控制器500控制場分離電極103的電壓源502和試樣7的電壓源503。
藉由在場分離電極103和試樣表面之間施予不同的電壓差，帶電粒子光學系統1可操作於二或更多模式，該等模式各自適用於一特殊應用。由於對於較低的在試樣表面的電性萃取場(electrical extraction field)強度具有較低的次級電子小射束9成像的解析度，且對較高的在試樣表面的電性萃取場強度具有較高的次級電子小射束9成像的解析度，最理想的總處理量需要使初級小射束節距適合於場分離電極103和試樣7之間的所使用的電壓差。與較高的電壓差相比，較低的電壓差需要較高的節距。因 此，當操作系統於具第一數量的初級帶電粒子小射束3的第一操作模式時，一第一電壓差施加於場分離電極103和試樣表面之間，以及當操作系統於具第二數量之初級帶電粒子小射束3的第二操作模式時，一第二電壓差施加於場分離電極103和試樣表面之間。若在第一操作模式中的初級電子小射束3少於在第二操作模式中的初級電子小射束3，則該第一電壓差小於該第二電壓差。因此，由場分離電極103和試樣7之間的電位差在試樣表面所形成之電場強度，其在第一操作模式亦小於在第二操作模式。
圖9展示線圖900，線圖900說明相對場穿透(relative field penetration)對比例De/d的關係901，比例De/d為場分離電極之孔洞的直徑De與試樣表面與場分離電極103的下表面間距離d之間的比例。該線圖以試樣表面與場分離電極的下表面間0.8mm的距離d加以計算而得，而其中場分離電極103的開口的直徑範圍為0.01mm至1.2mm。以30kV電位差除5mm加以計算並以下(第二)極部之場穿透因子0.66予以校正之外部電場(external field)產生在場分離電極上游表面4kV/mm的電場強度。場穿透(field penetration)被定義為在試樣表面的場對在場分離電極之上游表面的場的比例。
直到約0.125的De/d的值(相當於目前的計算中De=0.1mm)，外部電場實際尚未到達試樣表面。當直徑De進一步增加時，在初步近似中之場穿透呈對數性增加，在De/d=0.5(以目前的計算De=0.4)場穿透少於50%，且在De/d=1.5約85%。場分離電極之孔洞的直徑De可因此被使用作為用以控制直接於試樣或目標物的關注表面(surface of interest)之上的電場強度的第二參數(第一參數為試樣7和場分離電極103之間的電壓差)。
圖10所示之流程圖1000說明使用於根據本發明的一實施例中的方法的基本步驟。該方法起始於步驟1001，該步驟選擇第一數量的帶電粒子小射束3入射至目標物7或試樣7上，且具有一第一電場強度的電場施加於試樣表面。電場強度的調整，最好能利用根據上述實施例之一的一帶電粒子複數小射束系統1，以及試 樣表面和場分離電極之間的電壓差的各別控制。
在接下來的步驟1002中，切換該系統至第二操作模式，其中選擇第二數量的帶電粒子小射束3入射至目標物7或試樣7上，且具有一第二電場強度的電場施加於試樣表面。同樣地，電場強度的調整，最好能利用根據上述實施例之一的一帶電粒子複數小射束系統1，以及試樣表面和場分離電極之間的電壓差的各別控制。當所選擇的小射束3的第二數量高於第一數量時，該第二電場強度亦高於第一電場強度，反之亦然。
該方法結束於步驟1003。或者，試樣之照射可重複，或可持續於試樣表面的不同位置，該照射起始於步驟1001且進一步執行至步驟1002，或起始於步驟1002且接著繼續至1003。
雖然此處已展示和說明應該是本發明最可實施的且較佳的實施例，可確認的是，許多替代、修改、和變化對熟習本技藝者是顯而易見的。因此，此處所述之範例實施例僅作說明用途，並無任何限制性。在不離開如隨附之申請專利範圍所定義之本發明的精神和範圍可做不同的改變。
1‧‧‧帶電粒子顯微術系統
3‧‧‧初級帶電粒子小射束
3a‧‧‧部分射束
5‧‧‧射束斑點
7‧‧‧目標物(試樣)
9‧‧‧次級帶電粒子小射束
11‧‧‧次級帶電粒子射束通道
13‧‧‧初級帶電粒子射束通道
100‧‧‧目標物照射單元
101‧‧‧目標平面
102‧‧‧透鏡
103‧‧‧場分離電極
200‧‧‧偵測單元
205‧‧‧投射透鏡
207‧‧‧偵測器
209‧‧‧偵測器裝置
211‧‧‧偵測器表面(平面)
300‧‧‧帶電粒子複數小射束產生器
300’、300”、300'''‧‧‧小射束產生裝置
301‧‧‧帶電粒子源(電子源)
301’‧‧‧帶電粒子源
301a‧‧‧靜電偏向單元
302‧‧‧萃取電極
303、303’‧‧‧準直透鏡
305‧‧‧初級小射束形成單元
307‧‧‧場透鏡
309‧‧‧帶電粒子射束(電子射束)
309’‧‧‧帶電粒子射束
310‧‧‧發射器尖端
311、311’‧‧‧帶電粒子射束
313‧‧‧多孔洞選擇器板
315‧‧‧孔洞
317、317i、317ii、317iii、317iv‧‧‧多孔洞陣列
320‧‧‧孔洞(透鏡)陣列
321‧‧‧微透鏡(開口)
330‧‧‧光罩
340‧‧‧載具
350‧‧‧致動器
400‧‧‧射束分離器單元
500‧‧‧控制器
501、501’‧‧‧電壓源
502‧‧‧電壓源
503‧‧‧電壓源
900‧‧‧線圖
901‧‧‧關係
1000‧‧‧流程圖
1001、1002、1003‧‧‧步驟
1021‧‧‧光學軸
1022‧‧‧第一磁極部
1023‧‧‧第二磁極部
1024‧‧‧第一激磁線圈
1025‧‧‧第二激磁線圈
1026‧‧‧第三激磁線圈
1028‧‧‧射束管
A‧‧‧細節
在實施方式和圖式說明中，就特殊實施例和隨附之圖式對本發明做更細節的描述，其中：圖1為示意圖，展示一複數小射束帶電粒子顯微術系統的基本特徵和功能；圖2為一帶電粒子複數小射束產生器的一第一實施例的示意圖；圖3為一帶電粒子複數小射束產生器的一第二實施例的示意圖；圖4為一帶電粒子複數小射束產生器的一第三實施例的示意圖；圖5為初級小射束形成單元的一實施例的軸測圖形投影(axonometric graphical projection)示意圖； 圖6為具有布置在六角形態下的孔洞的多孔洞陣列的剖面的俯視圖；圖7為一初級小射束形成單元的一實施例的軸測圖形投影示意圖；圖8展示根據圖1的複數小射束帶電粒子顯微術系統的一光學柱的下部的一實施例的示意圖；圖9展示一線圖，其描述場穿透與圖8所示之場分離電極的孔洞直徑和該場分離電極至目標物表面的距離之間的相依性；以及圖10展示一流程圖，描述在根據本發明的一方法的實施例中的基本方法步驟。
3．．．初級帶電粒子小射束
3a．．．部分射束
300’．．．小射束產生裝置
301．．．帶電粒子源(電子源)
302．．．萃取電極
303．．．準直透鏡
305．．．初級小射束形成單元
309．．．帶電粒子射束(電子射束)
310．．．發射器尖端
311．．．帶電粒子射束
313．．．多孔洞選擇器板
315．．．孔洞
317、317i、317ii．．．多孔洞陣列
320．．．孔洞(透鏡)陣列
321．．．微透鏡(開口)
340．．．載具
350．．．致動器
500．．．控制器
501、501’．．．電壓源

Claims (28)

  1. 一種帶電粒子複數小射束系統，包含一帶電粒子來源；一第一多孔洞板，其具有複數孔洞，該等孔洞配置於該來源的下游之該系統的一帶電粒子射束通道中；一第一多孔洞選擇器板，其具有複數孔洞；一載具，其中該第一多孔洞選擇器板安裝於該載具上；一致動器，建構成用以移動該載具，以在該系統的一第一操作模式中，配置該第一多孔洞選擇器板於該來源之下游的該系統之帶電粒子射束通道中，以及在該系統的一第二操作模式中，配置該第一多孔洞選擇器板於該帶電粒子射束通道之外；一聚焦透鏡，配置於一射束通道，該射束通道位於該第一多孔洞板和該第一多孔洞選擇器板二者的下游；及一場分離電極，其具有一孔洞，該孔洞配置於位於該聚焦透鏡的下游和該目標平面的上游的該帶電粒子射束通道中，其中配置該來源、該第一多孔洞板、以及該載具，以在該第一操作模式中，在該第一多孔洞板和該第一多孔洞選擇器板二者的下游的一位置，產生一第一數量的帶電粒子小射束，以及在該第二操作模式中，在該位置產生一第二數量的帶電粒子小射束，其中小射束的該第一數量不同於小射束的該第二數量，其中該場分離電極的該孔洞具有一直徑，以使在該第一操作模式中該第一數量的小射束穿越該孔洞，以及使在該第二操作模式中該第二數量的小射束穿越該孔洞。
  2. 如申請專利範圍第1項的帶電粒子複數小射束系統，更包含一平台，用於裝設一目標物於配置於該聚焦透鏡下游的一目標平面中。
  3. 如申請專利範圍第1項至第2項其中之一的帶電粒子複數小射束系統，更包含一第一電壓源，建構成用以供給一第一電壓至該第一多孔洞板，以使穿越該第一多孔洞板的孔洞的帶電粒子小射束 在該第一多孔洞板的下游的一距離各自具有一小射束焦點。
  4. 如申請專利範圍第3項的帶電粒子複數小射束系統，其中該聚焦透鏡建構成以使該等小射束焦點被成像於該目標平面上。
  5. 如申請專利範圍第1項的帶電粒子複數小射束系統，其中該場分離電極的該孔洞的直徑小於2.0mm、1.5mm、1.0mm、0.8mm、0.6mm、和0.4mm至少其中之一。
  6. 如申請專利範圍第1項的帶電粒子複數小射束系統，其中該聚焦透鏡具有內孔直徑，且其中至少滿足以下關係之一：Db/De>2，Db/De>5，Db/De>10，和Db/De>20，其中Db為該聚焦透鏡的該內孔直徑，以及De為該場分離電極的該孔洞的直徑。
  7. 如申請專利範圍第1項的帶電粒子複數小射束系統，其中該場分離電極與該目標平面的距離小於0.2mm。
  8. 如申請專利範圍第1項的帶電粒子複數小射束系統，更包含：一第二電壓源，建構成用以供給一第二電壓至該場分離電極；以及一第三電壓源，建構成用以供給一第三電壓至該目標物。
  9. 如申請專利範圍第8項的帶電粒子複數小射束系統，更包含一控制器，建構成用以控制該致動器以及該第二電壓源和該第三電壓源，且其中在該第一操作模式中的小射束的該第一數量小於在該第二操作模式中的小射束的該第二數量。
  10. 如申請專利範圍第9項的帶電粒子複數小射束系統，其中該控制器建構成用以控制該第二電壓源和該第三電壓源，以使在該第 一操作模式中一第一電場強度存在於該目標平面，以及使在該第二操作模式中一第二電場強度存在於該目標平面，且其中該第一電場強度不同於該第二電場強度。
  11. 如申請專利範圍第10項的帶電粒子複數小射束系統，其中該第一電場強度小於該第二電場強度。
  12. 如申請專利範圍第1項至第2項其中之一的帶電粒子複數小射束系統，其中該第一多孔洞板的孔洞以一規則的圖案加以布置。
  13. 如申請專利範圍第12項的帶電粒子複數小射束系統，其中該規則的圖案至少包含一六角圖案和一矩形圖案其中之一。
  14. 如申請專利範圍第9項的帶電粒子複數小射束系統，其中該聚焦透鏡包含：磁極部；以及至少一線圈，用於產生該磁極部之間的一聚焦磁場。
  15. 如申請專利範圍第14項的帶電粒子複數小射束系統，其中該控制器建構成用以控制該聚焦磁場，以使該聚焦磁場在該第一操作模式和該第二操作模式二者中為一相同的場。
  16. 如申請專利範圍第9項的帶電粒子複數小射束系統，其中該聚焦透鏡包含：至少一對電極；和一電壓供給源，以產生在該一對電極之間的一聚焦電場。
  17. 如申請專利範圍第16項的帶電粒子複數小射束系統，其中該控制器建構成用以控制該聚焦電場，以使該聚焦電場在該第一操作模式和該第二操作模式二者中為一相同的場。
  18. 如申請專利範圍第1項至第2項其中之一的帶電粒子複數小射 束系統，更包含一偵測器，其配置以偵測由該目標平面發射的帶電粒子。
  19. 如申請專利範圍第18項的帶電粒子複數小射束系統，其中該偵測器包含複數的偵測器元件，且其中該系統建構成使各偵測器元件分別接收由一小射束產生於該目標物上的帶電粒子。
  20. 一種帶電粒子複數小射束系統，包含：一帶電粒子來源；一第一多孔洞板，其具有複數孔洞，該等孔洞配置於該來源的下游之該系統的一帶電粒子射束通道中；一第一多孔洞選擇器板，其具有複數孔洞；一載具，其中該第一多孔洞選擇器板安裝於該載具上；一致動器，建構成用以移動該載具，以在該系統的一第一操作模式中，配置該第一多孔洞選擇器板於該來源之下游的該系統之帶電粒子射束通道中，以及在該系統的一第二操作模式中，配置該第一多孔洞選擇器板於該帶電粒子射束通道之外，其中配置該來源、該第一多孔洞板、以及該載具，以在該第一操作模式中，在該第一多孔洞板和該第一多孔洞選擇器板二者的下游的一位置，產生一第一數量的帶電粒子小射束，以及在該第二操作模式中，在該位置產生一第二數量的帶電粒子小射束，其中小射束的該第一數量不同於小射束的該第二數量；一聚焦透鏡，配置於一射束通道，該射束通道位於該第一多孔洞板和該第一多孔洞選擇器板二者的下游；一場分離電極，其具有一孔洞，該孔洞配置於位於該聚焦透鏡的下游和該目標平面的上游的該帶電粒子射束通道中；一第二電壓源，建構成用以供給一第二電壓至該場分離電極；一第三電壓源，建構成用以供給一第三電壓至該目標物；及一控制器，建構成用以控制該致動器以及該第二電壓源和該第三電壓源，其中在該第一操作模式中的小射束的該第一數量小於 在該第二操作模式中的小射束的該第二數量，其中該控制器建構成用以控制該第二電壓源和該第三電壓源，以使在該第一操作模式中一第一電壓差存在於該第二電壓和該第三電壓之間，以及使在該第二操作模式中一第二電壓差存在於該第二電壓和該第三電壓之間，且其中該第一電壓差不同於該第二電壓差。
  21. 如申請專利範圍第20項的帶電粒子複數小射束系統，其中該第一電壓差小於該第二電壓差。
  22. 如申請專利範圍第20項的帶電粒子複數小射束系統，其中該控制器建構成用以控制該第二電壓源和該第三電壓源，以使在該第一操作模式中一第一電場強度存在於該目標平面，以及使在該第二操作模式中一第二電場強度存在於該目標平面，且其中該第一電場強度不同於該第二電場強度。
  23. 如申請專利範圍第20項的帶電粒子複數小射束系統，其中該第一電場強度小於該第二電場強度。
  24. 如申請專利範圍第20項的帶電粒子複數小射束系統，其中該控制器建構成用以控制該聚焦磁場，以使該聚焦磁場在該第一操作模式和該第二操作模式二者中為一相同的場。
  25. 如申請專利範圍第20項的帶電粒子複數小射束系統，其中該控制器建構成用以控制該聚焦電場，以使該聚焦電場在該第一操作模式和該第二操作模式二者中為一相同的場。
  26. 如申請專利範圍第20項的帶電粒子複數小射束系統，其中該偵測器包含複數的偵測器元件，且其中該系統建構成使各偵測器元件分別接收由一小射束產生於該目標物上的帶電粒子。
  27. 一種用於產生和使用帶電粒子複數小射束的方法，包含：將一第一數量的帶電粒子小射束導向至一目標物上，且施加至該目標物的一表面的一電場具有一第一電場強度；以及將一第二數量的帶電粒子小射束導向至該目標物上，且施加於該目標物的該表面的電場具有一第二電場強度；其中該第一數量小於該第二數量，且其中該第一電場強度小於該第二電場強度。
  28. 如申請專利範圍第27項的用於產生和使用帶電粒子複數小射束的方法，其中利用根據申請專利範圍第1項至第17項其中之一的帶電粒子複數小射束系統以執行該方法。
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8546767B2 (en) * 2010-02-22 2013-10-01 Ims Nanofabrication Ag Pattern definition device with multiple multibeam array
NL2006868C2 (en) 2011-05-30 2012-12-03 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle multi-beamlet apparatus.
EP2898369A1 (en) * 2012-09-20 2015-07-29 Intest Corporation Apparatus and method for irradiating
NL2010760C2 (en) * 2013-05-03 2014-11-04 Mapper Lithography Ip Bv Beam grid layout.
DE102013014976A1 (de) * 2013-09-09 2015-03-12 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenoptisches System
DE102013016113B4 (de) * 2013-09-26 2018-11-29 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Detektieren von Elektronen, Elektronendetektor und Inspektionssystem
US9263233B2 (en) 2013-09-29 2016-02-16 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle multi-beam inspection system and method of operating the same
US10121635B2 (en) 2013-09-30 2018-11-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle beam system and method of operating the same
DE102014008105B4 (de) 2014-05-30 2021-11-11 Carl Zeiss Multisem Gmbh Mehrstrahl-Teilchenmikroskop
DE102014008083B9 (de) 2014-05-30 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem
DE102014008383B9 (de) 2014-06-06 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben einer Teilchenoptik
EP3010031B1 (en) * 2014-10-16 2017-03-22 Fei Company Charged Particle Microscope with special aperture plate
DE102015202172B4 (de) 2015-02-06 2017-01-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts
DE102015204091B4 (de) 2015-03-06 2023-06-07 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren und Vorrichtungen zur Ladungskompensation
US9922799B2 (en) * 2015-07-21 2018-03-20 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
IL294759B1 (en) 2015-07-22 2024-05-01 Asml Netherlands Bv Device for multiple charged particle beams
US10192716B2 (en) 2015-09-21 2019-01-29 Kla-Tencor Corporation Multi-beam dark field imaging
US10460905B2 (en) 2015-09-23 2019-10-29 Kla-Tencor Corporation Backscattered electrons (BSE) imaging using multi-beam tools
DE102015013698B9 (de) * 2015-10-22 2017-12-21 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenmikroskops
JP2017135218A (ja) * 2016-01-26 2017-08-03 株式会社アドバンテスト 荷電粒子ビームレンズ装置、荷電粒子ビームカラム、および荷電粒子ビーム露光装置
US9981293B2 (en) * 2016-04-21 2018-05-29 Mapper Lithography Ip B.V. Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems
US10176967B2 (en) * 2017-02-23 2019-01-08 Hermes Microvision, Inc. Load lock system for charged particle beam imaging
WO2018217646A1 (en) 2017-05-22 2018-11-29 Howmedica Osteonics Corp. Device for in-situ fabrication process monitoring and feedback control of an electron beam additive manufacturing process
JP6772962B2 (ja) * 2017-06-02 2020-10-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
KR20220123476A (ko) * 2017-08-02 2022-09-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 전압 대비 결함 신호를 향상시키는 하전 입자 플러딩을 위한 시스템 및 방법
US20190066972A1 (en) * 2017-08-29 2019-02-28 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
US10338013B1 (en) * 2018-01-25 2019-07-02 Kla-Tencor Corporation Position feedback for multi-beam particle detector
DE102018202428B3 (de) 2018-02-16 2019-05-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop
DE102018202421B3 (de) 2018-02-16 2019-07-11 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
CN112055886A (zh) 2018-02-27 2020-12-08 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 带电粒子多束系统及方法
EP3553508A3 (en) * 2018-04-13 2019-12-04 Malvern Panalytical B.V. X-ray analysis apparatus and method
US10811215B2 (en) 2018-05-21 2020-10-20 Carl Zeiss Multisem Gmbh Charged particle beam system
JP2019212766A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
EP3588531B1 (en) * 2018-06-25 2020-10-14 FEI Company Multi-beam charged particle imaging apparatus
EP3597333A1 (en) 2018-07-19 2020-01-22 Howmedica Osteonics Corporation System and process for in-process electron beam profile and location analyses
DE102018007455B4 (de) 2018-09-21 2020-07-09 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt
DE102018007652B4 (de) * 2018-09-27 2021-03-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen
DE102018124044B3 (de) 2018-09-28 2020-02-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
US10978270B2 (en) * 2018-12-19 2021-04-13 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, interchangeable multi-aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
CN111477530B (zh) 2019-01-24 2023-05-05 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法
TWI743626B (zh) 2019-01-24 2021-10-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品
EP3828914A1 (en) * 2019-02-27 2021-06-02 FEI Company Charged particle beam device for inspection of a specimen with a plurality of charged particle beamlets
CN113646865A (zh) 2019-03-29 2021-11-12 Asml荷兰有限公司 具有单束模式的多束检查设备
DE102019005362A1 (de) * 2019-07-31 2021-02-04 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem
DE102019005364B3 (de) * 2019-07-31 2020-10-08 Carl Zeiss Multisem Gmbh System-Kombination eines Teilchenstrahlsystem und eines lichtoptischen Systems mit kollinearer Strahlführung sowie Verwendung der System-Kombination
US11615938B2 (en) * 2019-12-20 2023-03-28 Nuflare Technology, Inc. High-resolution multiple beam source
WO2021123082A1 (en) * 2019-12-20 2021-06-24 Asml Netherlands B.V. Multi-modal operations for multi-beam inspection system
EP4115438A1 (en) * 2020-03-05 2023-01-11 ASML Netherlands B.V. Beam array geometry optimizer for multi-beam inspection system
US20230052445A1 (en) * 2021-08-12 2023-02-16 Ims Nanofabrication Gmbh Beam Pattern Device Having Beam Absorber Structure
CN115284696B (zh) * 2022-08-11 2023-07-25 业成科技（成都）有限公司 复合光学膜结构及其制造方法
WO2024099587A1 (en) * 2022-11-10 2024-05-16 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle imaging system with reduced charging effects

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2702444C3 (de) * 1977-01-20 1980-10-09 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Abbildung einer Maske auf ein Präparat
US4354111A (en) * 1981-03-10 1982-10-12 Veeco Instruments Incorporated Screen lens array system
US5892224A (en) * 1996-05-13 1999-04-06 Nikon Corporation Apparatus and methods for inspecting wafers and masks using multiple charged-particle beams
US20010036588A1 (en) * 1998-05-05 2001-11-01 Ims-Ionen Mikrofabrikations Systeme Gmbh Lithographic imaging of a structure pattern onto one or more fields on a substrate
US6252412B1 (en) 1999-01-08 2001-06-26 Schlumberger Technologies, Inc. Method of detecting defects in patterned substrates
JP2001237161A (ja) 2000-02-23 2001-08-31 Nikon Corp 荷電粒子線光学系及び電子光学系
US7241993B2 (en) 2000-06-27 2007-07-10 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
EP1296351A4 (en) 2000-06-27 2009-09-23 Ebara Corp INVESTIGATION DEVICE FOR LOADED PARTICLE RAYS AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT ELEVATED WITH THIS INSPECTION DEVICE
KR100873447B1 (ko) * 2000-07-27 2008-12-11 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 시트빔식 검사장치
WO2002037527A1 (fr) 2000-11-02 2002-05-10 Ebara Corporation Appareil a faisceau electronique et procede de production de dispositif utilisant cet appareil
EP1271605A4 (en) 2000-11-02 2009-09-02 Ebara Corp ELECTRON BEAM APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAID APPARATUS
EP1273907A4 (en) 2000-11-17 2006-08-30 Ebara Corp METHOD AND INSTRUMENT FOR WAFER INSPECTION AND ELECTRON BEAM
WO2002049065A1 (fr) 2000-12-12 2002-06-20 Ebara Corporation Dispositif a faisceau d'electrons et procede de production de dispositifs a semi-conducteur utilisant ledit dispositif a faisceau d'electrons
JP4041742B2 (ja) 2001-05-01 2008-01-30 株式会社荏原製作所 電子線装置及び該電子線装置を用いたデバイス製造方法
US6764743B2 (en) 2001-05-01 2004-07-20 Ngk Insulators, Ltd. Porous honeycomb structure and process for production thereof
JP3996774B2 (ja) 2002-01-09 2007-10-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置
JP4794444B2 (ja) * 2003-09-05 2011-10-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 粒子光学システム及び装置、並びに、かかるシステム及び装置用の粒子光学部品
US7232997B2 (en) * 2004-04-15 2007-06-19 Nawotec Gmbh Apparatus and method for investigating or modifying a surface with a beam of charged particles
WO2006093268A1 (ja) 2005-03-03 2006-09-08 Ebara Corporation 写像投影型電子線装置及び該装置を用いた欠陥検査システム
JP5663717B2 (ja) * 2005-09-06 2015-02-04 カール ツァイス マイクロスコピー ゲーエムベーハーＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ Ｇｍｂｈ 荷電粒子システム
CN101379584B (zh) 2005-11-28 2010-12-22 卡尔蔡司Smt股份有限公司 粒子光学组件
WO2007112465A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-11 Ims Nanofabrication Ag Particle-beam exposure apparatus with overall-modulation of a patterned beam
JP5227512B2 (ja) * 2006-12-27 2013-07-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線応用装置
CN102017053B (zh) 2008-02-26 2014-04-02 迈普尔平版印刷Ip有限公司 投影透镜装置
JP5537050B2 (ja) * 2008-04-11 2014-07-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 集束イオンビーム装置
JP5307582B2 (ja) * 2009-03-03 2013-10-02 日本電子株式会社 電子顕微鏡
US8546767B2 (en) * 2010-02-22 2013-10-01 Ims Nanofabrication Ag Pattern definition device with multiple multibeam array

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