JP2012171831A - ガラス基板の製造方法およびガラス基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラス基板を製造するとき、半導体素子が形成されるガラス基板の半導体素子形成面と反対側のガラス表面を洗浄し、洗浄された前記ガラス表面にエッチング処理を施す。前記エッチング処理が施された前記ガラス表面のRa(原子間力顕微鏡により測定される表面凹凸の算術平均粗さ)が0.3(nm)以上1.0(nm)以下であって、Rz−Rzjis(Rzjisは原子間力顕微鏡により測定される表面凹凸の10点平均粗さであり、Rzは原子間力顕微鏡により測定される表面凹凸の最大高さである)が0.2(nm)以下になるように前記洗浄処理と前記エッチング処理が行われる。
【選択図】 図1
Description
また、剥離帯電によって生じ蓄積された静電荷による大きな電圧は、ガラス表面に形成されたTFT素子を破壊する場合もある。
当該ガラス基板は、電極線や各種デバイスが形成される第一の表面と、これらが形成されない第二の表面とを有する。当該ガラスの少なくとも第二の表面のRaは0.3nm以上10nm以下であり、この第二の表面は、物理的研磨又は化学処理された面である。
半導体素子が形成されるガラス基板の半導体素子形成面と反対側のガラス表面を洗浄処理する工程と、
洗浄された前記ガラス表面にエッチング処理をする工程と、を有する。
前記エッチング処理された前記ガラス表面のRa(原子間力顕微鏡により測定される表面凹凸の算術平均粗さ)が0.3(nm)以上1.0(nm)以下であって、Rz−Rzjis(Rzjisは原子間力顕微鏡により測定される表面凹凸の10点平均粗さであり、Rzは原子間力顕微鏡により測定される表面凹凸の最大高さである)が0.2(nm)以下になるように、前記ガラス表面の前記洗浄処理および前記エッチング処理が行われる。
洗浄処理された前記ガラス基板のガラス表面における水の接触角度は、10度以下である、ことが好ましい。
前記ガラス基板の洗浄処理は、洗浄処理するガラス表面に紫外線を照射する処理である、ことも同様に好ましい。
前記エッチング処理は、プラズマを用いたドライエッチング処理である、ことも同様に好ましい。
前記ガラス基板は、例えば、液晶表示装置用ガラス基板である。
前記ガラス表面は、前記Raが0.3〜0.7nmであることが好ましく、0.3〜0.5nmである、ことがより好ましい。
前記ガラス基板は、例えば、液晶表示装置用ガラス基板である。
ガラス基板10は、液晶表示装置等のフラットパネルディスプレイに用いられる。例えば、厚さが0.2〜0.8mmで、サイズが680mm×880mm〜2200mm×2500mmのガラス基板である。ガラス基板10の一方のガラス表面12は、TFT等の半導体素子を形成するための面であり、ポリシリコン薄膜やITO(Indium Thin Oxide)薄膜等の複数層の薄膜を形成する半導体素子形成面である。したがって、ガラス表面12は、Ra(算術平均粗さ)は、0.2(nm)以下に抑えられ、極めて滑らかな面になっている。
一方、ガラス表面12と反対側で、ガラス表面12に対向するガラス表面14は、粗面化処理面となっており、Raが0.3(nm)以上1.0(nm)以下であり、Rz−Rzjisが0.2(nm)以下になっている。Rz−Rzjisの下限は、特に設定されないが、実質的には、下限は0.1(nm)であることが、効果的に剥離帯電を抑制する点から好ましい。
ここで、Rzは粗面化処理面の凹凸を表す最大高さであり、Rzjisは10点平均粗さである。
Rzは、表面プロファイル形状について、試料中の平均基準線mに対して最大ピーク高さをRpと定め、最大谷深さをRvと定めたとき、RpとRvの合計値、すなわち、Rp+Rvをいう。
Rzjisは、表面プロファイル形状について、試料中の平均基準線mに対して試料中の最大ピーク高さから高い順に上位5つのピーク高さをYp1〜Yp5とし、試料中の最大谷深さから深い順に上位5つの谷深さをYv1〜Yv5としたとき、Yp1〜Yp5の平均の絶対値とYv1〜Yv5の平均の絶対値の合計値である。
なお、平均基準線mは、平均基準線mを基準とする上記表面プロファイル形状の各位置での高さ(高い場合は正、低い場合は負)を合計したとき、合計値が0となる高さに位置する直線をいう。
また、表面プロファイル形状から平均基準線mの方向に基準長さだけを抜き取り、この抜き取り部分の平均基準線の方向にX軸を、表面プロファイル形状の高さ方向にY軸を取り、表面プロファイル形状の曲線をy=f(x)で表したときに、f(x)の絶対値を抜き取り部分の長さの範囲で積分をし、このときの積分値を長さで割った値がRaである。なお、Ra,Rz,Rzjisは、JIS B 0601:2001に定義されている。
しかし、本実施形態のガラス基板10は、Raを0.3(nm)以上1.0(nm)以下とし、一つの場所における表面粗さの均一性(ミクロな均一性)の指標であるRzとRzjisとの差分が0.2(nm)以下に抑制する粗面化処理により、後述する実施例に示すように、ガラス基板10の表面粗さが場所によって変化しない均一性(マクロな均一性)が達成され得る。したがって、従来のように、部分的に白ムラや白曇りが発生することは抑制される。さらに、Raが0.3(nm)以上であるので、剥離帯電も発生し難い。
ガラス基板10は、ガラス表面14のみが粗面化処理されているが、ガラス表面12も、Raが0.3(nm)以上1.0(nm)以下であり、RzとRzjisとの差分が0.2(nm)以下になるように粗面化処理されてもよい。
(a)SiO2:50〜70質量%、
(b)B2O3:5〜18質量%、
(c)Al2O3:10〜25質量%、
(d)MgO:0〜10質量%、
(e)CaO:0〜20質量%、
(f)SrO:0〜20質量%、
(o)BaO:0〜10質量%、
(p)RO:5〜20質量%(ただしRはMg、Ca、SrおよびBaから選ばれる少なくとも1種である)、
(q)R’2O:0〜2.0質量%(ただしR’はLi、NaおよびKから選ばれる少なくとも1種である)、
(r)酸化スズ、酸化鉄および酸化セリウムから選ばれる少なくとも1種の金属酸化物を合計で0.05〜1.5質量%。
次に、清澄工程が行われる(ステップS20)。清澄工程では、溶融ガラスが図示されない液槽に貯留された状態で、溶融ガラス中の気泡が上述の清澄剤を用いて取り除かれる。具体的には、溶融ガラス中で価数変動する金属酸化物の酸化還元反応によって行われる。高温時の溶融ガラスにおいて、金属酸化物は還元反応により酸素を放出し、この酸素がガスとなって、溶融ガラス中の気泡を成長させて液面に浮上させる。これにより、溶融ガラス中の気泡は脱泡される。あるいは、酸素ガスの気泡は、溶融ガラス中の他の気泡中のガスを取り込んで成長し、溶融ガラスの液面に浮上する。これにより、溶融ガラス中の気泡は脱泡される。
次に、攪拌工程が行われる(ステップS30)。攪拌工程では、ガラスの化学的および熱的均一性を保つために、垂直に向けられた図示されない撹拌槽に溶融ガラスが通される。攪拌槽に設けられたスターラによって溶融ガラスは攪拌されながら、垂直下方向底部に移動し、後工程に導かれる。これによって、脈理等のガラスの不均一性を抑制することができる。
次に、採板工程が行われる(ステップS60)。具体的に、連続的に生成されるガラスリボンは一定の長さ毎に採板されガラス基板が得られる。この後、切断工程(ステップS70)において、所定のサイズにガラス基板が切断される。
表面洗浄処理では、例えば、大気圧プラズマ洗浄処理装置が用いられ、エッチング処理では、大気圧プラズマを用いたエッチング装置が用いられる。
大気圧プラズマ洗浄処理装置20は、搬送ローラ22により搬送されるガラス基板の一方のガラス表面(搬送ローラ22と接触する面)に、N2,O2を用いたプラズマ状態のガスをガラス基板の幅方向一杯に延びたスリット状のノズルから吹き付ける。
大気圧プラズマ洗浄処理装置20は、N2,O2の供給路22と、供給路22途中の両側に設けられた一対の対向電極24,24と、一対の対向電極24,24のそれぞれの表面を覆う誘電体26と、を有し、供給路22の端部がプラズマ照射口となってガラス基板に向いている。
このようなプラズマにより活性化されたガスをガラス表面に吹き付けることにより、ガラス表面に付着する不要な有機物からなる薄膜を酸化して除去する。有機物からなる薄膜を除去するのは、有機物からなる薄膜が、後述するエッチング処理におけるマスクとして機能しないようにするためである。
したがって、プラズマにより洗浄されたガラス表面は、有機物が除去されて親水性を呈する。このときガラス表面14における水の接触角は10度以下になることが好ましく、5度以下になることがより好ましい。このような好ましい形態は、活性化されたガスによる洗浄時間あるいはガスの流量を調整することで達成することができる。すなわち、表面洗浄の条件として、洗浄時間および活性化されたガスの流量を調整することにより、水の接触角が10度以下になるようにすることが好ましい。
大気圧プラズマを用いたエッチング装置30は、エッチングヘッド34と、図示されないガス排気ユニットと、を有する。エッチング装置30は、搬送ローラ32により搬送されるガラス基板の一方のガラス表面(搬送ローラ32と接触する面)に、エッチングガスをエッチングヘッド34のガラス基板の幅方向一杯に延びたスリット状のノズルからガラス表面に吹き付ける。エッチングガスは、CF4およびH2Oの混合ガスをプラズマ状態とすることで生成される活性化したHF成分を有するガスである。これにより、ガラス表面は、エッチングガスにより粗面化される。
なお、ガラス基板は、Raが0.3(nm)以上1.0(nm)以下であり、RzとRzjisとの差分が0.2(nm)以下となるように、粗面化処理の条件(表面洗浄の条件およびエッチング条件)は設定される。例えば、エッチング条件では、ガラス基板の搬送速度を調整することでエッチングの処理時間を調整し、あるいは、ガラス表面に吹き付けるエッチングガスの流量を調整する。なお、エッチング処理の前に、ガラス表面は表面洗浄され、
好ましくは、洗浄条件として水の接触角が10度以下になるように設定されるので、有機物からなる薄膜は確実に除去され、ガラス表面は均一に(ミクロおよびマクロな均一性で)エッチングされる。
こうして、粗面化処理工程が行われる。
ガラス基板の製造方法は、この他に、洗浄工程及び検査工程を有するが、これらの工程の説明は省略する。
特に、Raを0.3(nm)以上0.7(nm)とし、より好ましくは0.3(nm)以上0.5(nm)以下とすることにより、より均一な表面粗さを得ることができる。
ボロアルミノシリケートガラスを用いた液晶表示装置用ガラス基板を作製した。
(粗面化処理)
図4に示す大気圧プラズマ洗浄装置20を用いて生成されたプラズマ状態のN2,O2の混合ガスを、毎分所定の量、ガラス基板の幅一杯に流し、ガラス基板のガラス表面を洗浄した。
下記表1に示す実施例1〜3および比較例は、ガラス基板の搬送速度を変えて、大気圧プラズマ洗浄装置20およびエッチング装置30それぞれのノズルを通過する時間(処理時間)を変えた。実施例1および比較例の上記処理時間は9秒であり、実施例2,3の上記処理時間は5秒であった。洗浄及びエッチングはいずれも常温で行った。
粗面化処理の施されたガラス基板について、長さ50mm×幅50mの試料を切り出して、ガラス表面を、原子間力顕微鏡(ParkSystems社製、モデルXE-100)を用いた。測定条件は、ノンコンタクトモードで、スキャンエリアを1μm×1μm、スキャンレートを0.8Hzとした。これにより、ガラス基板の表面プロファイル形状を得た。具体的には、1つのガラス基板の複数の位置から切り出した複数の試料について表面プロファイル形状を得て、Ra,Rz,Rzjisを調べた。また、上記複数の位置におけるRaの変動(最大値と最小値の差)を調べた。
一方、比較例は、そのRaが0.3(nm)以上1(nm)以下であるとしても、Rz−Rzjisが0.2(nm)以下でない。このため、Raの変動は実施例1〜3のRaの変動(0.075〜0.096)に比べて2〜3倍大きく、0.231(nm)である。したがって、比較例では、白ムラ、白曇りが起こり易く、製造上の歩留まりも低下し易い。
以上より、ガラス基板10の効果は明白である。
12,14 ガラス表面
20 大気圧プラズマ洗浄処理装置
22,32 搬送ローラ
24 対向電極
26 誘電体
30 エッチング装置
34 エッチングヘッド
Claims (9)
- 半導体素子が形成されるフラットパネルディスプレイ用のガラス基板の製造方法であって、
半導体素子が形成されるガラス基板の半導体素子形成面と反対側のガラス表面を洗浄処理する工程と、
洗浄された前記ガラス表面にエッチング処理をする工程と、を有し、
前記エッチング処理された前記ガラス表面のRa(原子間力顕微鏡により測定される表面凹凸の算術平均粗さ)が0.3(nm)以上1.0(nm)以下であって、Rz−Rzjis(Rzjisは原子間力顕微鏡により測定される表面凹凸の10点平均粗さであり、Rzは原子間力顕微鏡により測定される表面凹凸の最大高さである)が0.2(nm)以下になるように、前記ガラス表面の前記洗浄処理および前記エッチング処理が行われる、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。 - 前記ガラス基板の洗浄処理は、大気圧プラズマ洗浄である、請求項1に記載のガラス基板の製造方法。
- 洗浄処理された前記ガラス基板のガラス表面における水の接触角度は、10度以下である、請求項1または2に記載のガラス基板の製造方法。
- 前記エッチング処理は、プラズマを用いたドライエッチング処理である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のガラス基板の製造方法。
- 前記ガラス基板は、液晶表示装置用ガラス基板である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のガラス基板の製造方法。
- 半導体素子が形成されるフラットパネルディスプレイ用のガラス基板であって、
ガラス基板の半導体素子形成面と反対側のガラス表面のRa(原子間力顕微鏡により測定される表面凹凸の算術平均粗さ)が0.3(nm)以上1.0(nm)以下であって、Rz−Rzjis(Rzjisは原子間力顕微鏡により測定される表面凹凸の10点平均粗さであり、Rzは原子間力顕微鏡により測定される表面凹凸の最大高さである)が0.2(nm)以下である、ことを特徴とするガラス基板。 - 前記ガラス表面は、前記Raが0.3〜0.7nmである、請求項6に記載のガラス基板。
- 前記ガラス表面は、前記Raが0.3〜0.5nmである、請求項7に記載のガラス基板。
- 前記ガラス基板は、液晶表示装置用ガラス基板である、請求項6〜8のいずれか1項に記載のガラス基板。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014069998A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Avanstrate Inc | ガラス基板、および、ガラス基板の製造方法 |
JP2014069999A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Avanstrate Inc | ガラス基板、および、ガラス基板の製造方法 |
WO2014157004A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 旭硝子株式会社 | ガラス製品の製造方法 |
WO2015012307A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2015-01-29 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法、ガラス基板、および、ディスプレイ用パネル |
WO2015159927A1 (ja) * | 2014-04-16 | 2015-10-22 | 旭硝子株式会社 | エッチング装置、エッチング方法、基板の製造方法、および基板 |
JP2015202997A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 旭硝子株式会社 | 基板、基板製造システム、剥離装置、基板製造方法および剥離方法 |
WO2016152932A1 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法 |
WO2017065138A1 (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | 旭硝子株式会社 | ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法 |
JP2018052804A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-04-05 | 旭硝子株式会社 | ガラス板およびガラス基板の製造方法 |
CN114262160A (zh) * | 2021-09-16 | 2022-04-01 | 西实显示高新材料(沈阳)有限公司 | 防眩光玻璃及其制备方法 |
CN117510097A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-02-06 | 核工业西南物理研究院 | 一种硅基陶瓷表面金属化方法及应用 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6866848B2 (ja) * | 2015-10-29 | 2021-04-28 | Agc株式会社 | ディスプレイ用ガラス基板、及びディスプレイ用ガラス基板の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005255478A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板 |
WO2010128673A1 (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-11 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス基板及びその製造方法 |
JP2010275167A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板の製造方法 |
JP2011207756A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-20 | Corning Inc | 移動するガラス板の非接触エッチング |
-
2011
- 2011-02-21 JP JP2011034973A patent/JP5687088B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005255478A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板 |
WO2010128673A1 (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-11 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス基板及びその製造方法 |
JP2010275167A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板の製造方法 |
JP2011207756A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-20 | Corning Inc | 移動するガラス板の非接触エッチング |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014069999A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Avanstrate Inc | ガラス基板、および、ガラス基板の製造方法 |
JP2014069998A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Avanstrate Inc | ガラス基板、および、ガラス基板の製造方法 |
JPWO2014157004A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2017-02-16 | 旭硝子株式会社 | ガラス製品の製造方法 |
WO2014157004A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 旭硝子株式会社 | ガラス製品の製造方法 |
WO2015012307A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2015-01-29 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法、ガラス基板、および、ディスプレイ用パネル |
US10261371B2 (en) | 2013-07-24 | 2019-04-16 | Avanstrate Inc. | Method for manufacturing glass substrate, glass substrate, and panel for display |
KR101932329B1 (ko) * | 2013-07-24 | 2018-12-24 | 아반스트레이트 가부시키가이샤 | 유리 기판의 제조 방법, 유리 기판 및 디스플레이용 패널 |
JPWO2015012307A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2017-03-02 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法、ガラス基板、および、ディスプレイ用パネル |
TWI651752B (zh) * | 2014-04-16 | 2019-02-21 | 日商Agc股份有限公司 | 蝕刻裝置、蝕刻方法、基板之製造方法、及基板 |
JP2015202997A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 旭硝子株式会社 | 基板、基板製造システム、剥離装置、基板製造方法および剥離方法 |
KR20160138119A (ko) * | 2014-04-16 | 2016-12-02 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 에칭 장치, 에칭 방법, 기판의 제조 방법, 및 기판 |
JPWO2015159927A1 (ja) * | 2014-04-16 | 2017-04-13 | 旭硝子株式会社 | エッチング装置、エッチング方法、基板の製造方法、および基板 |
KR102368126B1 (ko) * | 2014-04-16 | 2022-02-25 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 에칭 장치, 에칭 방법, 기판의 제조 방법, 및 기판 |
CN106233433A (zh) * | 2014-04-16 | 2016-12-14 | 旭硝子株式会社 | 蚀刻装置、蚀刻方法、基板的制造方法及基板 |
WO2015159927A1 (ja) * | 2014-04-16 | 2015-10-22 | 旭硝子株式会社 | エッチング装置、エッチング方法、基板の製造方法、および基板 |
KR20170052523A (ko) * | 2015-03-24 | 2017-05-12 | 아반스트레이트 가부시키가이샤 | 유리 기판의 제조 방법 |
KR101909797B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2018-10-18 | 아반스트레이트 가부시키가이샤 | 유리 기판의 제조 방법 |
WO2016152932A1 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法 |
JPWO2016152932A1 (ja) * | 2015-03-24 | 2017-07-06 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法 |
CN106795042A (zh) * | 2015-03-24 | 2017-05-31 | 安瀚视特控股株式会社 | 玻璃基板的制造方法 |
KR20180069798A (ko) * | 2015-10-15 | 2018-06-25 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 디스플레이용 유리 기판 및 그의 제조 방법 |
JPWO2017065138A1 (ja) * | 2015-10-15 | 2018-08-02 | 旭硝子株式会社 | ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法 |
WO2017065138A1 (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | 旭硝子株式会社 | ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法 |
KR102597824B1 (ko) * | 2015-10-15 | 2023-11-03 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 디스플레이용 유리 기판 및 그의 제조 방법 |
JP2018052804A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-04-05 | 旭硝子株式会社 | ガラス板およびガラス基板の製造方法 |
CN114262160A (zh) * | 2021-09-16 | 2022-04-01 | 西实显示高新材料(沈阳)有限公司 | 防眩光玻璃及其制备方法 |
CN114262160B (zh) * | 2021-09-16 | 2024-04-02 | 西实显示高新材料(沈阳)有限公司 | 防眩光玻璃及其制备方法 |
CN117510097A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-02-06 | 核工业西南物理研究院 | 一种硅基陶瓷表面金属化方法及应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5687088B2 (ja) | 2015-03-18 |
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