JP2012169626A - Tmrデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のTMRデバイスは、シールド層と、シード層と、反強磁性層と、プラズマ処理部分を含む第2の反平行層と、4Åの厚さを有するルテニウム層と、CoFex 層と、第1の反平行層と、トンネルバリア層と、磁気フリー層と、キャップ層とを順に備える。ここでシールド層は、その磁化容易方向に沿って磁化されており、磁気フリー層は、その磁化困難軸方向に沿って磁化されている。
【選択図】図4
Description
「シード層/反強磁性層/AP2層/Ru層/AP1層/MgOx層/フリー層/キャップ層」
(1)シールド層上に、シード層を介して設けられた反強磁性層を用意すること。
(2)反強磁性層の上に第2の反平行層を形成すること。
(3)第2の反平行層および反強磁性層の少なくとも一方に対し、プラズマ処理を施すこと。
(4)第2の反平行層の上に、4Å(0.4nm)の厚さを有するルテニウム層を形成すること。
(5)ルテニウム層の上にCoFex 層を形成すること。
(6)CoFex 層の上に第1の反平行層を形成すること。
(7)第1の反平行層の上にトンネルバリア層を形成すること。
(8)トンネルバリア層の上に磁気フリー層を形成すること。
(9)磁気フリー層の上にキャップ層を形成すること。
(10)全ての層に対し、シールド層の磁化容易軸方向に沿った第1の外部磁界を印加しつつ、320℃の温度で少なくとも1分間に亘る第1のアニール処理を行うこと。
(11)磁気フリー層の磁化困難軸方向に沿った第2の外部磁界を印加しつつ、第1のアニール処理における温度よりも20℃以上低い温度で少なくとも5分間に亘る第2のアニール処理を行うこと。
(1)シード層の上に形成された反強磁性層。
(2)反強磁性層の上に形成された第2の反平行層。
(3)第2の反平行層の上に形成され、4Å(0.4nm)の厚さを有するルテニウム層。
(4)ルテニウム層の上に形成されたCoFex 層。
(5)CoFex 層の上に形成された第1の反平行層。
(6)第1の反平行層の上に形成されたトンネルバリア層。
(7)トンネルバリア層の上に形成された磁気フリー層。
(8)磁気フリー層の上に形成されたキャップ層。
ここで、シールド層は、その磁化容易方向に沿って磁化されており、磁気フリー層は、その磁化困難軸方向に沿って磁化されている。また、反強磁性層および第2の反平行層のうちの少なくとも一方はプラズマ処理部分を含む。
(1)高いアニール処理温度での結晶成長に起因したルテニウム層の界面粗さの増大。
(2)CoFeBからなるAP1層36からルテニウム層35へのB(ボロン)の拡散。
(3)IrMnからなる反強磁性層33からAP2層34を介したルテニウム層35へのMn(マンガン)の拡散。
第1の方法は、反強磁性層33の形成後、ルテニウム層35の形成を行う前にプラズマ処理(PT)を行うものである。その結果得られるTMRセンサの構造は、例えば以下のように表すことができる。
「シード層32/AFM層33/AP2層34/PT/Ru層35(0.4nm厚)/AP1層36/トンネルバリア層37(MgO)/フリー層38/キャップ層39」
第2の方法は、プラズマ処理に加え、ルテニウム層35の形成ののち、AP1層36からのボロンの拡散を防止するため、直ぐに厚さtの薄いCoFex 層を挿入するというものである。ここで、xの値は例えば0〜0.95である。またtは、例えば0.2nm以上0.6nm以下(2Å以上6Å以下)であり、特に0.3nm以上0.4nm以下(3Å以上4Å以下)であることが望ましい。その結果得られるTMRセンサの構造は、例えば以下のように表すことができる。
「シード層32/AFM層33/AP2層34/PT/Ru層35(0.4nm厚)/CoFex 層(厚さt)/AP1層36/トンネルバリア層37(MgO)/フリー層38/キャップ層39」
という構成となる。
第1の追加のステップは、AP2層34の内部に、界面活性層(SL;surfactant layer)またはナノ酸化層(NOL;nano-oxide layer)を挿入するものである。その結果得られるTMRセンサの構造は、例えば
「シード層/AFM/AP2a/SL/AP2b/PT/Ru(0.4nm厚)/CoFex (厚さt)/AP1/MgO/フリー層/キャップ層」
または
「シード層/AFM/AP2a/NOL/AP2b/PT/Ru(0.4nm厚)/CoFex (厚さt)/AP1/MgO/フリー層/キャップ層」
である。
第2の追加のステップは、マンガンの拡散を抑制するため、AFM層33の表面粗さを低減すると共にその厚さを薄くするというものである。例えばIrMnからなる反強磁性層の場合、通常7nm(70Å)である反強磁性層の厚さを、5nm以下、好ましくは4〜5nm程度に薄くしつつ、並はずれて高い飽和磁界Hsによりピンニング強度を高く維持するようにする。極端な例では、AFM層は完全に取り除くことができる。したがって、より改善されたパターン分解能(読み出し分解能)を提供することのできる、より薄いスタックの形成が可能となる。
「Ta(2nm)/Ru(2nm)/IrMn(7nm)/CoFe(2.3nm)/PT(100秒)/Ru(0.4nm)/Co90Fe10(0.4nm)/CoFeB(1.2nm)CoFe(0.8nm)/Ru(1.0nm)/Ta(4nm)/Ru(3.0nm)」
「Ta(2nm)/Ru(2nm)/IrMn(7nm)/CoFe(2.3nm)/PT(100秒)/Ru(0.4nm)/Co75Fe25(0.4nm)/CoFeB(1.2nm)CoFe(0.8nm)/Ru(1.0nm)/Ta(4nm)/Ru(3.0nm)」
ここで、PT(100秒)は、アルゴンガス(流量120SCCM)を使用したパワーレベル16ワットでの100秒間に亘るプラズマエッチング処理を意味する。
「Ta(0.8nm)/Ru(1.3nm)/IrMn(6.0nm)/Co75Fe25(2.3nm)/HPPT/Ru(0.4nm)/CoFe(0.3nm)/CoFeB(1.2nm)CoFe(0.9nm)/キャップ層」
ここで、 HPPTは、高圧プラズマ処理を意味する。
「Ta(0.8nm)/Ru(1.3nm)/IrMn(6.0nm)/Co75Fe25(2.3nm)/Ru(0.75nm)/CoFeB(1.2nm)CoFe(1.2nm)/キャップ層」
Claims (24)
- B(硼素)を含む第1の反平行層と、ルテニウム層と、第2の反平行層と、Mn(マンガン)を含む反強磁性層とを順に備えたTMRデバイスの製造方法であって、
アニール処理の前段階として、前記ルテニウム層の界面粗さを低減することで、前記第1の反平行層から前記ルテニウム層へのBの拡散を最小化すると共に前記反強磁性層から前記ルテニウム層へのMnの拡散を最小化する
TMRデバイスの製造方法。 - 前記TMRデバイスを、50%以上のTMR比と、5000Oe以上のピンニング強度とを有するものとする
請求項1記載のTMRデバイスの製造方法。 - 前記ルテニウム層は、前記第1の反平行層と前記第2の反平行層とが反強磁性結合を生じ、かつ、維持するように、3Å(0.3nm)以上4.5Å(0.45nm)以下の厚さを有している
請求項1記載のTMRデバイスの製造方法。 - 前記反強磁性層はIrMnからなる
請求項1記載のTMRデバイスの製造方法。 - B(硼素)を含む第1の反平行層と、ルテニウム層と、第2の反平行層とを順に備えたTMRデバイスの製造方法であって、
アニール処理の前段階として、前記ルテニウム層の界面粗さを低減することで、前記第1の反平行層から前記ルテニウム層へのBの拡散を最小化する
TMRデバイスの製造方法。 - 内部ピンニング強度に優れ、かつ高MR比を発現するTMRデバイスの製造方法であって、
シールド層上に、シード層を介して設けられた反強磁性層を用意することと、
前記反強磁性層の上に第2の反平行層を形成することと、
前記第2の反平行層および反強磁性層の少なくとも一方に対し、プラズマ処理を施すことと、
前記第2の反平行層の上に、4Å(0.4nm)の厚さを有するルテニウム層を形成することと、
前記ルテニウム層の上にCoFex 層を形成することと、
前記CoFex 層の上に第1の反平行層を形成することと、
前記第1の反平行層の上にトンネルバリア層を形成することと、
前記トンネルバリア層の上に磁気フリー層を形成することと、
前記磁気フリー層の上にキャップ層を形成することと、
全ての層に対し、前記シールド層の磁化容易軸方向に沿った第1の外部磁界を印加しつつ、320℃の温度で少なくとも1分間に亘る第1のアニール処理を行うことと、
前記磁気フリー層の磁化困難軸方向に沿った第2の外部磁界を印加しつつ、前記第1のアニール処理における温度よりも20℃以上低い温度で少なくとも5分間に亘る第2のアニール処理を行うことと
を含むTMRデバイスの製造方法。 - 前記TMRデバイスを、50%以上のTMR比と、5000Oe以上のピンニング強度とを有するものとする
請求項6記載のTMRデバイスの製造方法。 - 前記プラズマ処理は、20秒以上600秒以下の時間内に30SCCM以上200SCCM以下の流量で投入されたアルゴン雰囲気中において5ワット以上50ワット以下のパワーレベルで行うプラズマエッチングまたはイオンビームエッチングを含むものである
請求項6記載のTMRデバイスの製造方法。 - 前記プラズマ処理を、前記反強磁性層の上面に対して行う
請求項8記載のTMRデバイスの製造方法。 - 前記プラズマ処理を、前記第2の反平行層の上面に対して行う
請求項8記載のTMRデバイスの製造方法。 - 前記プラズマ処理を、前記第2の反平行層の成長過程において、前記第2の反平行層の一部分に対して行う
請求項8記載のTMRデバイスの製造方法。 - 前記CoFex 層を、0.2nm以上0.6nm以下の厚さを有し、xを0から0.95とする
請求項6記載のTMRデバイスの製造方法。 - 前記第2の反平行層に界面活性層(a surfactant layer)を挿入することを含む
請求項6記載のTMRデバイスの製造方法。 - 前記第2の反平行層にナノ酸化層を挿入することを含む
請求項6記載のTMRデバイスの製造方法。 - 空間分解能を向上させるため、前記反強磁性層の厚さを0nm超5nm以下とする
請求項6記載のTMRデバイスの製造方法。 - シールド層上にシード層を介して設けられたTMRデバイスであって、
前記シード層の上に形成された反強磁性層と、
前記反強磁性層の上に形成された第2の反平行層と、
前記第2の反平行層の上に形成され、4Å(0.4nm)の厚さを有するルテニウム層と、
前記ルテニウム層の上に形成されたCoFex 層と、
前記CoFex 層の上に形成された第1の反平行層と、
前記第1の反平行層の上に形成されたトンネルバリア層と、
前記トンネルバリア層の上に形成された磁気フリー層と、
前記磁気フリー層の上に形成されたキャップ層と
を備え、
前記反強磁性層および第2の反平行層のうちの少なくとも一方はプラズマ処理部分を含み、
前記シールド層は、その磁化容易方向に沿って磁化されており、
前記磁気フリー層は、その磁化困難軸方向に沿って磁化されている
TMRデバイス。 - 50%以上のTMR比と、5000Oe以上のピンニング強度とを有するものとする
請求項16記載のTMRデバイス。 - 前記プラズマ処理部分は、前記反強磁性層の上面に位置する
請求項16記載のTMRデバイス。 - 前記プラズマ処理部分は、前記第2の反平行層の上面に位置する
請求項16記載のTMRデバイス。 - 前記プラズマ処理部分は、前記第2の反平行層の内部に位置する
請求項16記載のTMRデバイス。 - 前記CoFex 層は、0.2nm以上0.6nm以下の厚さを有し、xが0から0.95のものである
請求項16記載のTMRデバイス。 - 前記第2の反平行層に界面活性層(a surfactant layer)が挿入されている
請求項16記載のTMRデバイス。 - 前記第2の反平行層にナノ酸化層が挿入されている
請求項16記載のTMRデバイス。 - 空間分解能を向上させるため、前記反強磁性層は0nm超5nm以下の厚さを有する
請求項16記載のTMRデバイス。
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US9230565B1 (en) | 2014-06-24 | 2016-01-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic shield for magnetic recording head |
US9634237B2 (en) * | 2014-12-23 | 2017-04-25 | Qualcomm Incorporated | Ultrathin perpendicular pinned layer structure for magnetic tunneling junction devices |
CN104659202A (zh) * | 2015-02-13 | 2015-05-27 | 西南应用磁学研究所 | 提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法 |
US10784310B2 (en) | 2018-11-08 | 2020-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cooling for PMA (perpendicular magnetic anisotropy) enhancement of STT-MRAM (spin torque transfer-magnetic random access memory) devices |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000156530A (ja) * | 1998-03-20 | 2000-06-06 | Toshiba Corp | 積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子 |
JP2003086866A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Anelva Corp | スピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法 |
JP2003318461A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリならびに磁気記録装置 |
JP2004023015A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 |
JP2004063592A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 |
JP2006179566A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、該磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ、該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置、及び該磁気抵抗効果素子の製造方法 |
WO2006129576A1 (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Nec Corporation | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP2008066612A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Fujitsu Ltd | トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法。 |
JP2008152898A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-07-03 | Tdk Corp | 磁区制御用反強磁性層を備えた磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド |
JP2008166524A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Alps Electric Co Ltd | トンネル型磁気検出素子 |
JP2008218735A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Alps Electric Co Ltd | トンネル型磁気検出素子 |
JP2009059950A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果膜、磁気ヘッド、磁気ディスク装置、磁気メモリ装置、及び磁気抵抗効果膜の製造方法 |
JP2009170926A (ja) * | 2000-09-11 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | 強磁性トンネル接合素子およびその製造方法 |
JP2009278130A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-11-26 | Canon Anelva Corp | 磁気抵抗素子の製造方法 |
JP2010093157A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子、磁気再生ヘッド、磁気抵抗デバイスおよび情報記憶装置 |
JP2010102805A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | トンネル接合型磁気抵抗効果ヘッド |
JP2010123978A (ja) * | 2007-05-07 | 2010-06-03 | Canon Anelva Corp | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6853520B2 (en) * | 2000-09-05 | 2005-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
JP3657875B2 (ja) | 2000-11-27 | 2005-06-08 | Tdk株式会社 | トンネル磁気抵抗効果素子 |
US6954342B2 (en) * | 2001-04-30 | 2005-10-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Underlayer for high amplitude spin valve sensors |
US6841395B2 (en) * | 2002-11-25 | 2005-01-11 | International Business Machines Corporation | Method of forming a barrier layer of a tunneling magnetoresistive sensor |
US6947264B2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-09-20 | International Business Machines Corporation | Self-pinned in-stack bias structure for magnetoresistive read heads |
US6934131B2 (en) * | 2003-01-13 | 2005-08-23 | Veeco Instruments, Inc. | Spin valve with thermally stable pinned layer structure having ruthenium oxide specular reflecting layer |
US7377025B2 (en) | 2004-10-29 | 2008-05-27 | Headway Technologies, Inc. | Method of forming an improved AP1 layer for a TMR device |
US7780820B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-08-24 | Headway Technologies, Inc. | Low resistance tunneling magnetoresistive sensor with natural oxidized double MgO barrier |
US7750421B2 (en) | 2007-07-23 | 2010-07-06 | Magic Technologies, Inc. | High performance MTJ element for STT-RAM and method for making the same |
-
2011
- 2011-02-11 US US12/931,849 patent/US8325448B2/en active Active
-
2012
- 2012-02-13 JP JP2012028363A patent/JP5940825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000156530A (ja) * | 1998-03-20 | 2000-06-06 | Toshiba Corp | 積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子 |
JP2009170926A (ja) * | 2000-09-11 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | 強磁性トンネル接合素子およびその製造方法 |
JP2003086866A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Anelva Corp | スピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法 |
JP2003318461A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリならびに磁気記録装置 |
JP2004023015A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 |
JP2004063592A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 |
JP2006179566A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、該磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ、該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置、及び該磁気抵抗効果素子の製造方法 |
WO2006129576A1 (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Nec Corporation | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP2008066612A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Fujitsu Ltd | トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法。 |
JP2008152898A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-07-03 | Tdk Corp | 磁区制御用反強磁性層を備えた磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド |
JP2008166524A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Alps Electric Co Ltd | トンネル型磁気検出素子 |
JP2008218735A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Alps Electric Co Ltd | トンネル型磁気検出素子 |
JP2010123978A (ja) * | 2007-05-07 | 2010-06-03 | Canon Anelva Corp | 磁気抵抗素子の製造方法 |
JP2009059950A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果膜、磁気ヘッド、磁気ディスク装置、磁気メモリ装置、及び磁気抵抗効果膜の製造方法 |
JP2009278130A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-11-26 | Canon Anelva Corp | 磁気抵抗素子の製造方法 |
JP2010093157A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子、磁気再生ヘッド、磁気抵抗デバイスおよび情報記憶装置 |
JP2010102805A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | トンネル接合型磁気抵抗効果ヘッド |
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