JP2012169361A - 基板加工方法及び基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザ光源160、集光レンズ170、収差調整板180から基板10にレーザ光190を集光し、レーザ光190と基板10を相対的に移動させて、基板10に内部改質層14を形成し、内部改質層14は、基板10の表面から所定の深さの範囲に多結晶シリコンの多結晶粒を有してなり、当該内部改質層14は、基板10の深さ方向に非対称な構造を有する。
【選択図】図5
Description
なお、この明細書中においては、別記する場合を除いてウェハのことを基板と称することにする。
最初の工程S11においては、基板の内部加工を行う。この工程は、基板内部加工装置1によって実施される。本実施の形態では、基板内部加工装置1が加工する基板10には、シリコン単結晶の基板10を使用する。
本実施の形態においては、基板10に形成される内部改質層14は、基板10の深さ方向に非対称な構造を有している。
このことからも非対称な構造は、例えば次のようにして形成することができる。すなわち、照射するレーザ光190の基板10に対する厚み方向における加工部のエネルギー密度の違いによって、内部改質層14よりも上層がより高エネルギーの加工条件となる。
ステップS12においては、基板10を接着剤により接着して固定する金属板を前処理する。この金属板としては、所定の剛性を有し、基板10の接着と後工程に好適な所定の厚み、寸法を有するものを使用することができる。金属板は所定の平行度および平坦度が得られるならば、装置固定用の抜き穴等の機械加工を行っていても構わない。
ステップS13においては、ステップS11で内部改質層14を形成した基板10とステップS12で前処理した金属板を用い、基板10を金属板に接着剤を用いて接着し、接着剤を硬化させる。このような接着剤としては、基板10の内部改質層14近傍領域を形成する多結晶粒の凝集力よりも強い接着剤であればよい。
ステップS14においては、ステップS13において金属板20、21に接着剤25によって接着した基板10を割断する。
ステップS15においては、ステップS14において割段された構造体40について、水中で基板10を金属板20、21から剥離する。
ステップS16においては、ステップS15において接着剤25が剥離された基板10を乾燥する。
鏡面研磨された15mm角、厚さ0.7mmの単結晶シリコンインゴットからなる基板10を、基板内部加工装置100のステージ110に設けられた基板固定具130に固定テーブル125を介して固定した。なお、ステージ110に固定する基板10は単数に限らず、複数であってもよい。
実施例1においては対物レンズ後におけるレーザ光190の出力が0.7Wであったが、実施例2では0.5Wとする。他の条件は同一である。
実施例1においてはパルス幅は100nsであったが、この比較例ではパルス幅を200nsとする。他の条件は同一である。
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
14 内部改質層
20、21 金属板
25 接着剤
50 割断装置
52 架台
54 割断冶具
100 基板内部加工装置
110 ステージ
120 ステージ支持部
160 レーザ光源
170 集光レンズ
180 収差調整板
Claims (10)
- 単結晶シリコン基板を加工する基板加工方法であって、
基板上に非接触にレーザ集光手段を配置する工程と、
前記レーザ集光手段により、前記基板の表面にレーザ光を照射し、前記基板内部にレーザ光を集光する工程と、
前記レーザ集光手段と前記基板を相対的に移動させて、前記基板内部に改質層を形成する工程とを有し、
前記改質層は、前記基板の表面から所定の深さの範囲に多結晶シリコンの多結晶粒を有してなり、当該改質層は、前記基板の深さ方向に非対称な構造を有することを特徴とする基板加工方法。 - 前記照射されるレーザ光は、前記基板の深さ500μmにおいて透過率10%以上の波長を有することを特徴とする請求項1記載の基板加工方法。
- 前記照射されるレーザ光は、パルス幅50ns以上であることを特徴とする請求項1記載の基板加工方法。
- 前記基板の表面は、鏡面であることを特徴とする請求項1記載の基板加工方法。
- 前記改質層において、前記多結晶粒の寸法は、前記基板の深さ方向に非対称な分布を有することを特徴とする請求項1記載の基板加工方法。
- 前記改質層において、前記多結晶粒の寸法は、150μm以下であることを特徴とする請求項1記載の基板加工方法。
- 内部を加工されたシリコン単結晶基板であって、
基板の表面から所定の深さの範囲に多結晶シリコンの多結晶粒を有してなる改質層を有し、当該改質層は、前記基板の深さ方向に非対称な構造を有することを特徴とする基板。 - 前記基板の表面は、鏡面であることを特徴とする請求項7記載の基板。
- 前記改質層において、前記多結晶粒の寸法は、前記基板の深さ方向に非対称な分布を有することを特徴とする請求項7記載の基板。
- 前記改質層において、前記多結晶粒の寸法は、150μm以下であることを特徴とする請求項7記載の基板。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015204442A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 信越ポリマー株式会社 | 原盤製造方法及び原盤 |
JP2016035965A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | リンテック株式会社 | 板状部材の分割装置および板状部材の分割方法 |
JP2017500725A (ja) * | 2013-10-08 | 2017-01-05 | シルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクター ハフトゥング | レーザー処理及び温度誘導ストレスを用いた複合ウェハー製造方法 |
CN107000125A (zh) * | 2014-11-27 | 2017-08-01 | 西尔特克特拉有限责任公司 | 基于激光器的分离方法 |
JP2017526161A (ja) * | 2014-11-27 | 2017-09-07 | シルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクター ハフトゥング | 物質変化による固体分離 |
US11014199B2 (en) | 2015-01-15 | 2021-05-25 | Siltectra Gmbh | Method of modifying a solid using laser light |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005294656A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Sharp Corp | 基板製造方法及び基板製造装置 |
JP2006192506A (ja) * | 2000-09-13 | 2006-07-27 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2010021398A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの処理方法 |
JP2010155259A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Seiko Epson Corp | 溝形成方法 |
WO2010116917A1 (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2010247189A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法及びその装置 |
JP2011003624A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法及びその装置 |
-
2011
- 2011-02-10 JP JP2011027606A patent/JP5950269B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006192506A (ja) * | 2000-09-13 | 2006-07-27 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2005294656A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Sharp Corp | 基板製造方法及び基板製造装置 |
JP2010021398A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの処理方法 |
JP2010155259A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Seiko Epson Corp | 溝形成方法 |
WO2010116917A1 (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2010247189A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法及びその装置 |
JP2011003624A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法及びその装置 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11004723B2 (en) | 2013-10-08 | 2021-05-11 | Siltectra Gmbh | Wafer production method |
JP2017500725A (ja) * | 2013-10-08 | 2017-01-05 | シルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクター ハフトゥング | レーザー処理及び温度誘導ストレスを用いた複合ウェハー製造方法 |
US11699616B2 (en) | 2013-10-08 | 2023-07-11 | Siltectra Gmbh | Method for producing a layer of solid material |
US10593590B2 (en) | 2013-10-08 | 2020-03-17 | Siltectra Gmbh | Combined wafer production method with laser treatment and temperature-induced stresses |
US11407066B2 (en) | 2014-01-15 | 2022-08-09 | Siltectra Gmbh | Splitting of a solid using conversion of material |
JP2015204442A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 信越ポリマー株式会社 | 原盤製造方法及び原盤 |
JP2016035965A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | リンテック株式会社 | 板状部材の分割装置および板状部材の分割方法 |
CN107000125A (zh) * | 2014-11-27 | 2017-08-01 | 西尔特克特拉有限责任公司 | 基于激光器的分离方法 |
US10930560B2 (en) | 2014-11-27 | 2021-02-23 | Siltectra Gmbh | Laser-based separation method |
JP2018152582A (ja) * | 2014-11-27 | 2018-09-27 | シルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクター ハフトゥング | 物質変化による固体分離 |
CN107000125B (zh) * | 2014-11-27 | 2022-08-12 | 西尔特克特拉有限责任公司 | 基于激光器的分离方法 |
US11527441B2 (en) | 2014-11-27 | 2022-12-13 | Siltectra Gmbh | Method for producing a detachment area in a solid body |
JP2017526161A (ja) * | 2014-11-27 | 2017-09-07 | シルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクター ハフトゥング | 物質変化による固体分離 |
US11833617B2 (en) | 2014-11-27 | 2023-12-05 | Siltectra Gmbh | Splitting of a solid using conversion of material |
US11014199B2 (en) | 2015-01-15 | 2021-05-25 | Siltectra Gmbh | Method of modifying a solid using laser light |
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