JP2012151611A - 高周波電力増幅器 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波電力増幅器において、利得の温度依存性を抑制し、高温時に利得が低下しないようにすること。
【解決手段】ＰＴＡＴ電流源２０は、正の温度依存性を有した電流Ｉ１を生成し、ＶＢＥ依存電流源３０は、負の温度依存性を有した電流Ｉ２を生成する。電流加減算回路４０は、電流Ｉ１と電流Ｉ２を加算して温度依存性のない電流Ｉ３を生成し、電流Ｉ１から電流Ｉ３を減算して電流Ｉ４を生成し、電流Ｉ１から電流Ｉ４を減算して電流Ｉ５を生成する。電流Ｉ５は、所定の温度までは温度上昇に対して電流量が増加し、所定の温度以上では温度依存性がなく一定の電流量となる温度特性である。この電流Ｉ５がエミッタ接地増幅回路１０に供給されることで、利得の温度依存性が抑制され、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、高周波の電気信号を増幅して出力する高周波電力増幅器に関するものであり、特に利得の温度依存性の抑制と、高温時の急激な利得低下を防止するものである。

エミッタ接地増幅回路などの高周波増幅回路では、温度が高くなるほど利得が低下するという温度依存性を持っている。そのため、この温度依存性を補償する回路が従来より提案されている。たとえば、正の温度依存性を有しているＰＴＡＴ（Ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ Ｔｏ Ａｂｓｏｌｕｔｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）電流源を高周波増幅回路に接続することが行われている。他に以下のような電流源が提案されている。

特許文献１には、正の温度依存性を有した電流源と、これとは温度に対する傾きの絶対値が等しくて負の温度依存性を有した電流源とを設け、加算処理することで温度依存性を持たない電流源を構成することが示されている。

特許文献２には、正の温度依存性を有した電流源と、これとは温度に対する傾きの絶対値が異なる負の温度依存性を有した電流源とを設け、減算処理することで温度依存性が調整された電流源を構成することが示されている。

特開２００２−２５２８５ 特開２０１０−３９８４４

高利得な高周波増幅回路にＰＴＡＴ電流源を接続すると、ある温度以上で利得が急激に低下してしまう。これは、高利得設定で負荷抵抗の電圧降下が大きいことに加え、ＰＴＡＴ電流を流すことで温度に比例して電圧降下が増加するため、トランジスタのエミッタ−コレクタ間電圧が圧迫されてトランジスタがオフしてしまうためである。

特許文献１では、電流源の温度依存性がないため、ＰＴＡＴ電流源を用いた場合のようなトランジスタが動作領域を外れてしまうことはないので、利得の急激な低下の問題は起こらない。しかし、利得の温度補正をしないため、低温時には不適切な温度特性となる問題がある。

また、特許文献２の電流源でゆるやかな温度特性を実現すれば、トランジスタが動作領域を外れてしまうことはないので、利得の急激な低下の問題は起こらない。しかし、温度補正が不十分となり、高温時の利得が低くなってしまうという問題がある。

そこで本発明の目的は、利得の温度依存性が抑制され、高温時においても利得が低下しない高周波電力増幅器を実現することである。

第１の発明は、高周波の電気信号を増幅して出力する高周波電力増幅器において、高周波増幅回路と、高周波増幅回路に電流を供給する電流源とを有し、電流源は、温度上昇に比例して増加する第１電流を供給する第１電流源と、温度上昇に比例して減少する第２電流を供給する第２電流源と、電流加減算回路と、を有し、第１電流と第２電流とを、電流加減算回路によって加減算することにより、所定の温度未満では温度に比例して増大し、所定の温度以上では温度に依存しない一定の値をとる温度特性を有した第３電流を第３電流を生成し、前記高周波増幅回路に供給する、ことを特徴とする高周波電力増幅器である。

高周波増幅回路として、エミッタ接地増幅回路、エミッタフォロア、ベース接地増幅回路、差動増幅回路、などを用いることができる。また、第１電流源には、ＰＴＡＴ電流源などを用いることができ、第２電流源には、ＶＢＥ（ベース−エミッタ間電圧）依存電流源などを用いることができる。

第３電流を得るための第１電流と第２電流の加減算は、任意の回数の加算、減算によって生成されてよいが、なるべく加減算処理の回数が少ないことが電流加減算回路の簡素化の点で望ましい。たとえば、下記第２の発明によれば、１回の加算、２回の減算で第３電流を得ることができ、電流加減算回路の構成を簡素にすることができる。

第２の発明は、第１の発明において、第１電流の温度に対する増加割合と、第２電流の温度に対する減少割合は、その絶対値が等しく、電流加減算回路は、電流加算回路と、第１の電流減算回路と、第２の電流減算回路とで構成され、電流加算回路により第１電流と第２電流とを加算すると共に電流値を一定割合低下させて、温度依存性がなく、かつ所定の温度で第１電流と同一の電流値をとる第４電流を生成し、第１の電流減算回路により第１電流から第４電流を減算して、所定の温度未満では電流値が０で、所定の温度以上では電流値０から温度の増加に対して単調増加する第５電流を生成し、第２の電流減算回路により第１電流から第５電流を減算して、第３電流を生成する、ことを特徴とする高周波電力増幅器である。

第３の発明は、第１の発明または第２の発明において、第１電流源は、ＰＴＡＴ電流源であることを特徴とする高周波電力増幅器である。

第４の発明は、第１の発明から第３の発明において、高周波増幅回路は、エミッタ接地増幅回路であることを特徴とする高周波電力増幅器である。

第５の発明は、第１の発明から第３の発明において、高周波増幅回路は、ベース接地増幅回路であることを特徴とする高周波電力増幅器である。

第６の発明は、第１の発明から第３の発明において、高周波増幅回路は、エミッタフォロアであることを特徴とする高周波電力増幅器である。

第７の発明は、第１の発明から第３の発明において、高周波増幅回路は、差動増幅回路であることを特徴とする高周波電力増幅器である。

第１の発明によれば、利得の温度依存性を抑制し、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。

また、第２の発明によれば、電流源の構成をより簡素にすることができる。

また、第３の発明のように、第１電流源として、ＰＴＡＴ電流源を用いることができる。

また、第４〜７の発明のように、高周波増幅回路として、エミッタ接地増幅回路、ベース接地増幅回路、エミッタフォロア、差動増幅回路を用いることができる。

実施例１の高周波電力増幅器の構成を示した図。 電流Ｉ１〜Ｉ３の温度特性を示したグラフ。 電流Ｉ４の温度特性を示したグラフ。 電流Ｉ５の温度特性を示したグラフ。 実施例１の高周波電力増幅器の利得を示したグラフ。 実施例２の高周波電力増幅器の構成を示した図。 実施例３の高周波電力増幅器の構成を示した図。 実施例４の高周波電力増幅器の構成を示した図。

以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。

図１は、実施例１の高周波電力増幅器の構成を示した図である。実施例１の高周波電力増幅器は、エミッタ接地増幅回路１０と、電流源６０と、カレントミラー回路５０と、によって構成されており、エミッタ接地増幅回路１０はカレントミラー回路５０を介して電流源６０に接続されている。電流源６０は、ＰＴＡＴ電流源２０、ＶＢＥ依存電流源３０、電流加減算回路４０によって構成されている。エミッタ接地増幅回路１０は、本発明における高周波増幅回路に相当する。また、ＰＴＡＴ電流源２０は本発明の第１電流源、ＶＢＥ依存電流源３０は本発明の第２電流源に相当する。

エミッタ接地増幅回路１０は、トランジスタＴＲ１を有し、ベースにキャパシタＣ１を介して入力端子、コレクタにキャパシタＣ２を介して出力端子が接続され、エミッタは接地されている。また、トランジスタＴＲ１のコレクタは抵抗Ｒ１を介して３．３Ｖの電源に接続されている。エミッタ接地増幅回路１０は、入力端子から入力された高周波信号を増幅して出力端子から出力する回路である。

ＰＴＡＴ電流源２０は、ＦＥＴ２１、２２と、トランジスタＴＲ２と、Ｎ個のトランジスタＴＲ３を有している。トランジスタＴＲ３は、トランジスタＴＲ２と同一性能であり、並列にＮ個接続されている。ＦＥＴ２１、２２は、ゲートが互いに接続されており、ドレインは共に３．３Ｖの電源に接続されている。また、ＦＥＴ２１、２２のソースは、それぞれトランジスタＴＲ２、ＴＲ３のコレクタに接続されている。また、ＦＥＴ２２のゲートとソースは接続されている。トランジスタＴＲ２、ＴＲ３のベースは互いに接続されており、トランジスタＴＲ２のコレクタとベースは接続されている。トランジスタＴＲ２のエミッタは接地され、トランジスタＴＲ３のエミッタは抵抗Ｒ２を介して接地されている。

ＶＢＥ依存電流源３０は、ＦＥＴ３１、３２と、トランジスタＴＲ４、ＴＲ５を有している。ＦＥＴ３１、３２のゲートは互いに接続されており、ドレインはともに３．３Ｖの電源に接続されている。ＦＥＴ３１のソースは、トランジスタＴＲ４のベース、およびトランジスタＴＲ５のコレクタに接続され、ＦＥＴ３２のソースはトランジスタＴＲ４のコレクタに接続されている。また、ＦＥＴ３２のゲートとソースは接続されている。トランジスタＴＲ４のベースとトランジスタＴＲ５のコレクタは接続されており、トランジスタＴＲ４のエミッタとトランジスタＴＲ５のベースは接続されている。また、トランジスタＴＲ４のエミッタは抵抗Ｒ３を介して接地されており、トランジスタＴＲ５のエミッタは接地されている。

電流加減算回路４０は、電流加算回路４１と、電流減算回路４２、４３とによって構成されている。

電流加算回路４１は、ＦＥＴ４４、４５を有している。ＦＥＴ４４、４５のドレインは互いに接続され、３．３Ｖの電源に接続されている。また、ＦＥＴ４４、４５のソースは互いに接続されていて、トランジスタＴＲ１２のコレクタに接続されている。ＦＥＴ４４のゲートはＶＢＥ依存電流源３０のトランジスタＴＲ４のコレクタに接続されていて、ＦＥＴ４５のゲートはＰＴＡＴ電流源２０のトランジスタＴＲ３のコレクタに接続されている。トランジスタＴＲ１２のベースとコレクタは接続され、エミッタは接地されている。

電流減算回路４２は、トランジスタＴＲ６、ＴＲ７を有している。トランジスタＴＲ６、ＴＲ７のコレクタは互いに接続されていて、ＦＥＴ４６のソースに接続されている。また、トランジスタＴＲ６、ＴＲ７のエミッタは共に接地されている。トランジスタＴＲ６のベースは、トランジスタＴＲ１２のベースに接続されている。また、トランジスタＴＲ７のベースとコレクタは接続されている。ＦＥＴ４６のドレインは、３．３Ｖの電源に接続され、ゲートはＦＥＴ４５のゲート、およびＰＴＡＴ電流源２０のトランジスタＴＲ３のコレクタに接続されている。

電流減算回路４３は、トランジスタＴＲ８、ＴＲ９を有している。トランジスタＴＲ８、ＴＲ９のコレクタは互いに接続されていて、ＦＥＴ４７のソースに接続されている。トランジスタＴＲ８、ＴＲ９のエミッタは共に接地されている。トランジスタＴＲ９のコレクタとベースは接続されている。また、トランジスタＴＲ８のベースは、トランジスタＴＲ７のベースに接続されている。ＦＥＴ４７のドレインは、３．３Ｖの電源に接続され、ゲートはＰＴＡＴ電流源２０のトランジスタＴＲ３のコレクタに接続されている。

カレントミラー回路５０は、ＦＥＴ５１、５２、およびトランジスタＴＲ１０、ＴＲ１１を有している。ＦＥＴ５１、５２のゲートは互いに接続され、ドレインは共に３．３Ｖの電源に接続されている。ＦＥＴ５１のソースはＴＲ１０のコレクタに接続され、ＦＥＴ５２のソースはＴＲ１１のコレクタに接続されている。また、ＦＥＴ５１のゲートとソースは接続されている。また、トランジスタＴＲ１０のベースは、電流減算回路４３のトランジスタＴＲ９のベースに接続され、エミッタは接地されている。また、トランジスタＴＲ１１のコレクタとベースは接続されており、ベースは抵抗Ｒ４を介してエミッタ接地増幅回路１０のトランジスタＴＲ１のベースに接続されるとともに、キャパシタＣ３を介して接地されている。また、トランジスタＴＲ１１のエミッタは接地されている。

次に、実施例１の高周波電力増幅器の動作について説明する。

実施例１の高周波電力増幅器では、電流源６０の生成する電流がカレントミラー回路５０を介してエミッタ接地増幅回路１０に供給され、電流に比例した利得が得られる。

ここで、エミッタ接地増幅回路１０に供給される電流は、電流源６０によって以下のようにして生成される。

電流源６０のＰＴＡＴ電流源２０では、トランジスタＴＲ３に流れる電流Ｉ１は、温度上昇に比例して電流量が増大する正の温度特性を有する（図２参照）。ここで、電流Ｉ１の温度に対する変化率（電流Ｉ１の温度特性における傾き）は、電流Ｉ１をエミッタ接地増幅回路１０に供給した場合に、エミッタ接地増幅回路１０の利得の温度依存性がなくなるような値とする。このような正の温度特性の電流Ｉ１が得られるのは、トランジスタＴＲ３をＮ個並列接続することにより、トランジスタＴＲ２とトランジスタＴＲ３ではベース−エミッタ間電圧に差が生じるためである。電流Ｉ１は、Ｉ１＝（１／Ｒ２）＊（ｋＴ／ｑ）ｌｎ（Ｎ）で与えられる。ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電気素量、Ｒ２は抵抗Ｒ２の抵抗値、ＮはトランジスタＴＲ３の並列接続数である。このＰＴＡＴ電流源２０によって生成される電流Ｉ１は、電流加算回路４１に供給される。また、ＦＥＴ２１とＦＥＴ４６、４７でカレントミラーが構成され、これを介して電流Ｉ１は電流減算回路４２、４３に供給される。

また、電流源６０のＶＢＥ依存電流源３０では、トランジスタＴＲ４に流れる電流Ｉ２は、温度上昇に比例して電流が減少する負の温度特性を有する（図２参照）。ここで、電流Ｉ１の温度に対する変化率は、電流Ｉ１の温度に対する変化率と絶対値が等しい値とする。このような負の温度特性の電流Ｉ２が得られるのは、トランジスタＴＲ４のベース−エミッタ間電圧が負の温度特性を有しているためである。このＶＢＥ依存電流源３０によって生成される電流Ｉ２は、電流加算回路４１に供給される。

ＰＴＡＴ電流源２０の生成する正の温度特性を有した電流Ｉ１と、ＶＢＥ依存電流源３０の生成する負の温度特性を有した電流Ｉ２は、電流加算回路４１において加算されるとともに電流値が一定割合低下されて電流Ｉ３を出力する。ここで、電流Ｉ１の温度に対する変化率と電流Ｉ２の温度に対する変化率は絶対値が等しいため、電流Ｉ３は温度依存性を持たず、温度変化に対して電流値は一定となる（図２参照）。また、電流Ｉ３は、温度５０℃において電流Ｉ１と同一の値をとるようにする。つまり、図２のように、電流−温度のグラフにおいて、電流Ｉ１の直線と電流Ｉ３の直線が温度５０℃において交差するようにする。これは、電流加算回路４１のＦＥＴ４４、４５のサイズを設計することで可能となる。なお、必ずしも５０℃である必要はなく、エミッタ接地増幅回路１０におけるトランジスタＴＲ１がオフしない範囲の温度であればよい。電流加算回路４１の出力する電流Ｉ３は、電流減算回路４２に入力される。

電流減算回路４２では、電流Ｉ１から電流Ｉ３が減算されて、電流Ｉ４を出力する。この減算において、Ｉ１−Ｉ３が負となる場合には、電流Ｉ４の値は０となる。そのため、電流Ｉ４は、図３に示すように、５０℃までは電流値が０であり、５０℃以上では温度上昇に対して電流Ｉ１と同様の傾きで電流が増大する特性となる。電流減算回路４２が出力する電流Ｉ４は、電流減算回路４３に入力される。

電流減算回路４３では、電流Ｉ１から電流Ｉ４が減算されて、電流Ｉ５を出力する。電流Ｉ５は、図４に示すように、５０℃までは温度上昇に対して電流Ｉ１と同様の傾きで電流が増大するが、５０℃以上になると温度によらず一定の電流量となる電流特性である。この電流Ｉ５は、カレントミラー回路５０を介してエミッタ接地増幅回路１０に供給される。

図５は、実施例１の高周波電力増幅器の利得の温度特性を示した図である。また、比較のため、ＰＴＡＴ電流源２０のみを電流源として用いた場合（比較例１）と、ＶＢＥ依存電流源３０のみを電流源として用いた場合（比較例２）についての温度特性も示している。図５のように、比較例１では、８０℃付近までは温度上昇に対して利得はゆるやかに低下しているが、８０℃を越えると利得が急激に低下している。これは、エミッタ接地増幅回路１０にＰＴＡＴ電流を流すことで温度に比例して電圧降下が増加するため、トランジスタのエミッタ−コレクタ間電圧が圧迫されてトランジスタＴＲ１がオフしてしまうためである。また、比較例２では、利得が温度上昇に対して大きく変化している。一方、実施例１では、５０℃付近までは比較例１と同様に、温度上昇に対してゆるやかに低下しており、５０℃を越えても若干利得低下の傾きが大きくなる程度で、比較例１のような急激な利得低下は見られない。

このように、実施例１の高周波電力増幅器によると、利得の温度依存性を抑制することができ、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。

図６は、実施例２の高周波電力増幅器の構成を示した図である。実施例２の高周波電力増幅器は、実施例１におけるエミッタ接地増幅回路１０に替えて、ベース接地増幅回路７０を設けた構成である。

ベース接地増幅回路７０は、トランジスタＴＲ１２を有している。トランジスタＴＲ１２のコレクタは抵抗Ｒ５を介して３．３Ｖの電源に接続され、ベースはカレントミラー回路５０の抵抗Ｒ４に接続され、エミッタは抵抗Ｒ６を介して接地されている。また、トランジスタＴＲ１２のエミッタと抵抗Ｒ６との間にキャパシタＣ５を介して入力端子が設けられている。また、トランジスタＴＲ１２のベースはキャパシタＣ６を介して接地されている。また、トランジスタＴＲ１２のコレクタと抵抗Ｒ５との間に、キャパシタＣ４を介して出力端子が設けられている。

実施例２の高周波電力増幅器においても、実施例１と同様に、電流源６０によって図５に示す温度特性の電流Ｉ５がベース接地増幅回路７０に供給される。したがって、実施例２の高周波電力増幅器によると、利得の温度依存性を抑制することができ、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。

図７は、実施例３の高周波電力増幅器の構成を示した図である。実施例３の高周波電力増幅器は、実施例１におけるエミッタ接地増幅回路１０に替えて、エミッタフォロア８０を設けた構成である。

エミッタフォロア８０は、トランジスタＴＲ１３、ＴＲ１４を有している。トランジスタＴＲ１３のエミッタとトランジスタＴＲ１４のコレクタは接続されている。トランジスタＴＲ１３のコレクタは、３．３Ｖの電源に接続されている。また、トランジスタＴＲ１３のコレクタとベースは抵抗Ｒ７を介して接続されている。また、トランジスタＴＲ１３のベースは、キャパシタＣ７を介して入力端子に接続されている。トランジスタＴＲ１４のベースは抵抗Ｒ４に接続されており、エミッタは接地されている。また、トランジスタＴＲ１３のエミッタとトランジスタＴＲ１４のコレクタとの間に、キャパシタＣ８を介して出力端子が設けられている。

実施例３の高周波電力増幅器においても、実施例１と同様に、電流源６０によって図５に示す温度特性の電流Ｉ５がエミッタフォロア８０に供給される。したがって、実施例３の高周波電力増幅器によると、利得の温度依存性を抑制することができ、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。

図８は、実施例４の高周波電力増幅器の構成を示した図である。実施例４の高周波電力増幅器は、実施例１におけるエミッタ接地増幅回路１０、カレントミラー回路５０に替えて、カレントミラー回路１００、差動増幅回路９０を設けた構成である。

カレントミラー回路１００は、カレントミラー回路５０においてＦＥＴ５２とトランジスタＴＲ１１との間にトランジスタＴＲ１５を付加し、キャパシタＣ３を省いた構成である。トランジスタＴＲ１５のコレクタはＦＥＴ５２のソースに接続され、エミッタはトランジスタＴＲ１１のコレクタに接続されている。

差動増幅回路９０は、トランジスタＴＲ１６、ＴＲ１７を有している。トランジスタＴＲ１６のベースは抵抗Ｒ８を介して、トランジスタＴＲ１７のベースは抵抗Ｒ９を介して、トランジスタＴＲ１５のベースに接続されている。また、トランジスタＴＲ１６のコレクタは抵抗Ｒ１０を介して、トランジスタＴＲ１７のコレクタは抵抗Ｒ１１を介して、３．３Ｖの電源に接続されている。また、トランジスタＴＲ１６、ＴＲ１７のエミッタは互いに接続され、トランジスタＴＲ１８のコレクタに接続されている。トランジスタＴＲ１８のベースは抵抗Ｒ４に接続され、ベースは接地されている。また、トランジスタＴＲ１６のベースと抵抗Ｒ８との間にキャパシタＣ１０を介して＋入力端子が、トランジスタＴＲ１７のベースと抵抗Ｒ９との間にキャパシタＣ１１を介して−入力端子が、それぞれ設けられている。また、トランジスタＴＲ１６のコレクタと抵抗Ｒ１０との間にキャパシタＣ１２を介して＋出力端子が、トランジスタＴＲ１７のコレクタと抵抗Ｒ１１との間にキャパシタＣ１３を介して−出力端子が、それぞれ設けられている。

実施例４の高周波電力増幅器においても、実施例１と同様に、電流源６０によって図５に示す温度特性の電流Ｉ５が差動増幅回路９０に供給される。したがって、実施例４の高周波電力増幅器によると、利得の温度依存性を抑制することができ、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。

なお、本発明の高周波電力増幅器は、実施例１〜４に示した増幅回路に用いるのに限るものではなく、他の増幅回路においても適用可能である。

本発明の高周波電力増幅器は、温度変化の大きい環境下での使用などに適している。

１０：エミッタ接地増幅回路
２０：ＰＴＡＴ電流源
３０：ＶＢＥ依存電流源
４０：電流加減算回路
５０、１００：カレントミラー回路
６０：電流源
７０：ベース接地増幅回路
８０：エミッタフォロア
９０：差動増幅回路

Claims (7)

1. 高周波の電気信号を増幅して出力する高周波電力増幅器において、
   高周波増幅回路と、前記高周波増幅回路に電流を供給する電流源とを有し、
   前記電流源は、温度上昇に比例して増加する第１電流を供給する第１電流源と、温度上昇に比例して減少する第２電流を供給する第２電流源と、電流加減算回路と、を有し、
   前記電流加減算回路は、前記第１電流と前記第２電流とを加減算することにより、所定の温度未満では温度に比例して増大し、所定の温度以上では温度に依存しない一定の値をとる温度特性を有した第３電流を生成し、前記高周波増幅回路に供給する、
   ことを特徴とする高周波電力増幅器。
2. 前記第１電流の温度に対する増加割合と、前記第２電流の温度に対する減少割合は、その絶対値が等しく、
   前記電流加減算回路は、電流加算回路と、第１の電流減算回路と、第２の電流減算回路とで構成され、
   前記電流加算回路により前記第１電流と前記第２電流とを加算すると共に電流値を一定割合低下させて、温度依存性がなく、かつ前記所定の温度で前記第１電流と同一の電流値をとる第４電流を生成し、
   前記第１の電流減算回路により前記第１電流から前記第４電流を減算して、前記所定の温度未満では電流値が０で、前記所定の温度以上では電流値０から温度の増加に対して単調増加する第５電流を生成し、
   前記第２の電流減算回路により前記第１電流から前記第５電流を減算して、前記第３電流を生成する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の高周波電力増幅器。
3. 前記第１電流源は、ＰＴＡＴ電流源であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高周波電力増幅器。
4. 前記高周波増幅回路は、エミッタ接地増幅回路であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の高周波電力増幅器。
5. 前記高周波増幅回路は、ベース接地増幅回路であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の高周波電力増幅器。
6. 前記高周波増幅回路は、エミッタフォロアであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の高周波電力増幅器。
7. 前記高周波増幅回路は、差動増幅回路であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の高周波電力増幅器。

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