CN111293876A - 一种电荷泵的线性化电路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及集成电路领域，公开了一种电荷泵的线性化电路，包括带隙核心单元和输出单元，带隙核心单元包括第一PNP三极管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第四PNP三极管、第一PMOS管、第二PMOS管、运算放大器和偏置电阻，第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的栅极和运算放大器的输出端，第一PMOS管的源极连接第一电源线，第一PMOS管的漏极连接第三PNP三极管的发射极；第二PMOS管的源极连接第一电源线；输出单元包括第五PNP三极管和第三PMOS管。实施本发明的电荷泵的线性化电路，具有以下有益效果：能消除三极管的电流增益对电荷泵的线性化电路输出的基准电压的影响，提高基准电压的稳定性。

Description

一种电荷泵的线性化电路

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别涉及一种电荷泵的线性化电路。

背景技术

电荷泵的线性化电路具有低温度系数、低电源电压以及可与标准CMOS工艺兼容等优点，被广泛应用于数/模转换、模/数转换、存储器以及开关电源等数模混合电路系统中。电荷泵的线性化电路输出电压的稳定性以及抗噪声能力是影响各种应用系统精度的关键因素，随着应用系统精度的提高，对电荷泵的线性化电路的温度、电压和工艺的稳定性要求也越来越高。

电荷泵的线性化电路的工作原理是根据硅材料的带隙电压与温度无关的特性，利用双极型晶体管的基极-发射极电压的负温度系数与不同电流密度下两个双极型晶体管基极-发射极电压的差值的正温度系数相互补偿，使输出的电压达到很低的温度漂移。

图1是现有技术中的一种电荷泵的线性化电路的电路结构示意图。参考图1，电荷泵的线性化电路包括带隙核心单元11和输出单元12。带隙核心单元11包括：第一PMOS管M11、第二PMOS管M12、运算放大器Omp、偏置电阻Rbias、第一PNP三极管Q11以及第二PNP三极管Q12。输出单元12包括：第三PMOS管M13和第三PNP三极管Q13。电源线Vdd和电源线Vss为电荷泵的线性化电路提供电源电压，电源线Vdd提供的电源电压高于电源线Vss提供的电源电压。电荷泵的线性化电路中各器件的连接关系参考图1所示，在此不再赘述。

第一PMOS管M11和第二PMOS管M12构成电流镜结构，提供第一电流I1和第二电流I2。第二电流I2的电流值与第一电流I1的电流值的比值可以通过调整第二PMOS管M12的宽长比与第一PMOS管M11的宽长比的比值进行设置。假定第二电流I2的电流值与第一电流I1的电流值的比值为m，忽略第一PNP三极管Q11和第二PNP三极管Q12的基极电流，第二PNP三极管Q12的基极-发射极电压与第一PNP三极管Q11的基极-发射极电压之间的电压差值ΔVbe为：

ΔVbe＝(K*T/q)*ln(m)------(式1.1)，

其中，K为波尔兹曼常数，T为绝对温度，q为电荷量，m为第二电流I2的电流值与第一电流I1的电流值的比值，电压差值ΔVbe具有正温度系数。

根据运算放大器的虚短特性，运算放大器Omp的同相输入端的电压与反向输入端的电压相等，即a点的电压与b点的电压相等，因此有如下关系：

V_R＝ΔVbe------(式1.2)，

其中，V_R为偏置电阻Rbias两端的电压差值。根据运算放大器的虚断特性，流过偏置电阻Rbias的电流与第一电流I1相等，因此，偏置电阻Rbias两端的电压差值V_R为：

V_R＝i1*r------(式1.3)，

其中，i1为第一偏置电流I1的电流值，r为偏置电阻Rbias的电阻值。

根据式1.1～式1.3，获得第一偏置电流I1的电流值：

i1＝K*T*ln(m)/(q*r)------(式1.4)。

输出单元12中的第三PMOS管M13与第一PMOS管M11构成电流镜结构，提供第三电流I3。第三电流I3是第一电流I1的镜像电流，通常设置为与第一电流I1相等。

继续参考图1，第三PNP三极管Q13的基极-发射极电压Vbe3即为电荷泵的线性化电路的输出端Vout输出的基准电压。基准电压的电压值为：

Vo＝(K*T/q)*ln(i3/Is)+(K*T/q)*ln[β/(1+β)]------(式1.5)，

其中，Vo为基准电压的电压值，i3为第三偏置电流I3的电流值，Is为第三PNP三极管Q13的反相饱和电流的电流值，β为第三PNP三极管Q13的电流增益。根据式14和式15，可以获得基准电压。由于基准电压是具有正温度系数的电压与具有负温度系数的电压的叠加，因此，基准电压与温度无关。

然而，从式1.5可以看出，基准电压的电压值Vo与第三PNP三极管Q13的电流增益β相关，而第三PNP三极管Q13的电流增益β受温度和第三PNP三极管Q13制造工艺的影响，导致电荷泵的线性化电路产生的基准电压稳定性较低。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种能消除三极管的电流增益对电荷泵的线性化电路输出的基准电压的影响，提高基准电压的稳定性的电荷泵的线性化电路。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种电荷泵的线性化电路，包括带隙核心单元和输出单元，所述带隙核心单元包括第一PNP三极管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第四PNP三极管、第一PMOS管、第二PMOS管、运算放大器和偏置电阻，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极和所述运算放大器的输出端，所述第一PMOS管的源极连接第一电源线，所述第一PMOS管的漏极连接所述第三PNP三极管的发射极；所述第二PMOS管的源极连接第一电源线，所述第二PMOS管的漏极与所述第四PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的基极输入第一偏置电流，所述第三PNP三极管的集电极分别与所述运算放大器的第一输入端和所述偏置电阻的一端连接，所述偏置电阻的另一端与所述第一PNP三极管的发射极连接；

所述第四PNP三极管的基极输入第二偏置电流，所述第四PNP三极管的集电极分别与所述运算放大器的第二输入端和所述第二PNP三极管的发射极连接，所述第一PNP三极管的基极、所述第一PNP三极管的集电极、所述第二PNP三极管的基极和所述第二PNP三极管的集电极均连接第二电源线，所述第二电源线提供的电源电压低于所述第一电源线提供的电源电压；

所述输出单元包括第五PNP三极管和第三PMOS管，所述第三PNP三极管、所述第四PNP三极管和所述第五PNP三极管的电流增益相等，所述第三PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的源极连接所述第一电源线，所述第三PMOS管的漏极与所述第五PNP三极管的发射极连接并输出基准电压，所述第五PNP三极管的基极和所述第五PNP三极管的集电极均连接所述第二电源线。

在本发明所述的电荷泵的线性化电路中，所述第一PMOS管的宽长比与所述第二PMOS管的宽长比相等，所述第三PMOS管的宽长比与所述第一PMOS管的宽长比相等。

在本发明所述的电荷泵的线性化电路中，还包括用于提供所述第一偏置电流的第一偏置电流提供单元和用于提供所述第二偏置电流的第二偏置电流提供单元，所述第一偏置电流提供单元和所述第二偏置电流提供单元均与所述带隙核心单元连接。

在本发明所述的电荷泵的线性化电路中，所述第一偏置电流提供单元包括第四PMOS管和第六PNP三极管，所述第四PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第四PMOS管的源极连接所述第一电源线，所述第四PMOS管的漏极与所述第六PNP三极管的发射极连接并输出所述第一偏置电流，所述第六PNP三极管的基极和所述第六PNP三极管的集电极均连接所述第二电源线。

在本发明所述的电荷泵的线性化电路中，所述第四PMOS管的宽长比与所述第一PMOS管的宽长比相等。

在本发明所述的电荷泵的线性化电路中，所述第二偏置电流提供单元包括第五PMOS管和第七PNP三极管，所述第五PMOS管的栅与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第五PMOS管的源极连接所述第一电源线，所述第五PMOS管的漏极与所述第七PNP三极管的发射极连接并输出所述第二偏置电流，所述第七PNP三极管的基极和所述第七PNP三极管的集电极均连接所述第二电源线。

在本发明所述的电荷泵的线性化电路中，还包括与所述带隙核心单元连接、用于向所述带隙核心单元提供偏置电压的启动单元。

在本发明所述的电荷泵的线性化电路中，所述启动单元包括第六PMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第六PMOS管的栅极分别与所述第七NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极连接，所述第六PMOS管的源极连接所述第一电源线，所述第六PMOS管的漏极分别与所述第七NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的栅极连接，所述第七NMOS管的源极连接所述第二电源线，所述第八NMOS管的漏极连接所述第一电源线，所述第八NMOS管的源极连接所述第二电源线。

实施本发明的电荷泵的线性化电路，具有以下有益效果：由于设有带隙核心单元和输出单元，带隙核心单元包括第一PNP三极管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第四PNP三极管、第一PMOS管、第二PMOS管、运算放大器和偏置电阻，输出单元包括第五PNP三极管和第三PMOS管，该电荷泵的线性化电路带隙核心单元根据第二PNP三极管的基极-发射极电压与第一PNP三极管的基极-发射极电压的电压差产生具有正温度系数的基准电流，输出单元根据第五PNP三极管的基极-发射极电压产生具有负温度系数的基准电流，通过将带隙核心单元中的第三PNP三极管、第四PNP三极管以及输出单元中的第五PNP三极管的电流增益设置为相等，基于具有正温度系数的基准电流和具有负温度系数的基准电流产生的基准电压与第五PNP三极管的电流增益无关，消除了第五PNP三极管的电流增益对基准电压的影响，提高了基准电压的稳定性，因此本发明能消除三极管的电流增益对电荷泵的线性化电路输出的基准电压的影响，提高基准电压的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的一种电荷泵的线性化电路的电路结构示意图；

图2为本发明电荷泵的线性化电路第一实施例中的电路结构示意图；

图3为本发明电荷泵的线性化电路第二实施例中的电路结构示意图；

图4为本发明电荷泵的线性化电路第三实施例中的电路结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明电荷泵的线性化电路第一实施例中，该电荷泵的线性化电路的结构示意图如图2所示。图2中，该电荷泵的线性化电路包括带隙核心单元21和输出单元22，带隙核心单元包括第一PNP三极管Q1、第二PNP三极管Q2、第三PNP三极管Q3、第四PNP三极管Q4、第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、运算放大器Omp和偏置电阻R。

其中，第一PMOS管M1的栅极连接第二PMOS管M2的栅极和运算放大器Omp的输出端，第一PMOS管M1的源极连接第一电源线Vdd，第一PMOS管M1的漏极连接第三PNP三极管Q3的发射极。第一电源线Vdd用于向电荷泵的线性化电路提供电源电压。

第二PMOS管M2的源极连接第一电源线Vdd，第二PMOS管M2的漏极与第四PNP三极管Q4的发射极连接。第三PNP三极管Q3的基极输入第一偏置电流Ib1，第三PNP三极管Q3的集电极分别与运算放大器器Omp的第一输入端和偏置电阻R的一端连接，偏置电阻R的另一端与第一PNP三极管Q1的发射极连接。第一偏置电流Ib1使第三PNP三极管Q3工作于放大状态。

第四PNP三极管Q4的基极输入第二偏置电流Ib2，第四PNP三极管Q4的集电极分别与运算放大器Omp的第二输入端和第二PNP三极管Q2的发射极连接。第二偏置电流Ib2使第四PNP三极管Q4工作于放大状态。值得一提的是，运算放大器Omp的第一输入端可以为同相输入端，也可以为反相输入端；相应地，运算放大器Omp的第二输入端可以为反相输入端，也可以为同相输入端。

第一PNP三极管Q1的基极、第一PNP三极管Q1的集电极、第二PNP三极管Q2的基极和第二PNP三极管Q2的集电极均连接第二电源线Vss，第二电源线Vss也用于向电荷泵的线性化电路提供电源电压，但第二电源线Vss提供的电源电压低于第一电源线Vdd提供的电源电压。通常，第二电源线Vss提供的电源电压为参考电压，例如，地线电压。

输出单元22包括第五PNP三极管Q5和第三PMOS管M3，第三PMOS管的栅极M3与第一PMOS管M1的栅极连接，第三PMOS管M3的源极连接第一电源线Vdd，第三PMOS管M3的漏极与第五PNP三极管Q5的发射极连接，并作为电荷泵的线性化电路的输出端Vout，输出端Vout输出基准电压，第五PNP三极管Q5的基极和第五PNP三极管Q5的集电极均连接第二电源线Vss。

以下对本第一实施例中的电荷泵的线性化电路的工作原理进行说明。

第一PMOS管M1和第二PMOS管M2构成电流镜结构，产生第一电流I1和第二电流I2。第二电流I2的电流值与第一电流I1的电流值的比值可以通过调整第二PMOS管M2的宽长比与第一PMOS管M1的宽长比的比值进行设置。在本第一实施例中，第一PMOS管M1的宽长比与第二PMOS管M2的宽长比相等，因此，第一电流I1和第二电流I2相等。

由于第一PMOS管M1的漏极与第三PNP三极管Q3的发射极连接，第一电流I1即为第三PNP三极管Q3的发射极电流，因此有：

ic3＝β3/(1+β3)*i1------(式1)，

其中，ic3为第三PNP三极管Q3的集电极电流的电流值，β3为第三PNP三极管Q3的电流增益，i1为第一电流I1的电流值。

根据运算放大器的虚短特性，运算放大器Omp的第一输入端的电压与运算放大器Omp的第二输入端的电压相等，即图2所示的a点的电压与b点的电压相等，因此有：

V_R＝Vbe2-Vbe1------(式2)，

其中，V_R为偏置电阻R两端的电压差值，Vbe1为第一PNP三极管Q1的基极-发射极电压的电压值，Vbe2为第二PNP三极管Q2的基极-发射极电压的电压值。

根据运算放大器的虚断特性，流过偏置电阻R的电流Ir与第三PNP三极管Q3的集电极电流相等，根据式1和式2：

β3/(1+β3)*i1*r＝Vbe2-Vbe1------(式3)，

其中，r为偏置电阻R的电阻值。根据式3获得第一电流I1的电流值：

i1＝(Vbe2-Vbe1)/r*(1+β3)/β3-------------(式4)。

输出单元22中的第三PMOS管M3与第一PMOS管M1构成电流镜结构，产生第三电流I3。第三电流I3的电流值与第一电流I1的电流值的比值可以通过调整第三PMOS管M3的宽长比与第一PMOS管M1的宽长比的比值进行设置。在本第一实施例中，第三PMOS管M3的宽长比与第一PMOS管M1的宽长比相等，因此，第三电流I3和第一电流I1相等。

由于第三PMOS管M3的漏极与第五PNP三极管Q5的发射极连接，第三电流I3即为第五PNP三极管Q5的发射极电流，又因为第三电流I3和第一电流I1相等，因此有：

ic5＝β5/(1+β5)*i1------(式5)，

其中，ic5为第五PNP三极管Q5的集电极电流的电流值，β5为第五PNP三极管Q5的电流增益。根据式4：

ic5＝β5/(1+β5)*(Vbe2-Vbe1)/r*(1+β3)/β3------(式6)。

第五PNP三极管Q5的基极-发射极电压即为输出端Vout输出的基准电压，基准电压的电压值为：

Vo＝Vbe5＝K*T/q*ln(ic5/Is)------(式7)，

其中，Vo为基准电压的电压值，Vbe5为第五PNP三极管Q5的基极-发射极电压的电压值，K为波尔兹曼常数，T为绝对温度，q为电荷量，Is为第五PNP三极管Q5的反相饱和电流的电流值。

根据式6和式7：

Vo＝K*T/q*ln[β5/(1+β5)*(Vbe2-Vbe1)/r*(1+β3)/β3/Is]------(式8)。

在本第一实施例中，第三PNP三极管Q3、第四PNP三极管Q4以及第五PNP三极管Q5的电流增益相等，即β3＝β4＝β5，因此，式8可以化简为：

Vo＝K*T/q*ln[(Vbe2-Vbe1)/r/Is]------(式9)。

从式9可以看出，本第一实施例中的电荷泵的线性化电路产生的基准电压与第五PNP三极管Q5的电流增益β5无关，消除了第五PNP三极管Q5的电流增益β5对基准电压的影响，因此，温度和第五PNP三极管Q5的制造工艺不会再对基准电压产生影响，提高了基准电压的稳定性。

图3为本发明电荷泵的线性化电路第二实施例中的电路结构示意图，图3中，该电荷泵的线性化电路包括带隙核心单元31和输出单元32，还包括用于提供第一偏置电流Ib1的第一偏置电流提供单元33和用于提供第二偏置电流Ib2的第二偏置电流提供单元34，第一偏置电流提供单元33和第二偏置电流提供单元34均与带隙核心单元31连接。带隙核心单元31的电路结构和工作原理与带隙核心单元21类似，输出单元32的电路结构和工作原理与输出单元22类似，在此不再赘述。

本实施例中，第一偏置电流提供单元33包括第四PMOS管M4和第六PNP三极管Q6，第四PMOS管M4的栅极与第一PMOS管M1的栅极连接，第四PMOS管M4的源极连接第一电源线Vdd，第四PMOS管M4的漏极与第六PNP三极管Q6的发射极连接并输出第一偏置电流Ib1，第六PNP三极管Q6的基极和第六PNP三极管Q6的集电极均连接第二电源线Vss。

第二偏置电流提供单元34包括第五PMOS管M5和第七PNP三极管Q7，第五PMOS管M5的栅极与第一PMOS管M1的栅极连接，第五PMOS管M5的源极连接第一电源线Vdd，第五PMOS管M5的漏极与第七PNP三极管Q7的发射极连接并输出第二偏置电流Ib2，第七PNP三极管Q7的基极和第七PNP三极管Q7的集电极均连接第二电源线Vss。

在本第二实施例中，第四PMOS管M4、第五PMOS管M5与第一PMOS管M1构成电流镜结构，产生第四电流I4和第五电流I5。第四电流I4的电流值与第一电流I1的电流值的比值可以通过调整第四PMOS管M4的宽长比与第一PMOS管M1的宽长比的比值进行设置，第五电流I5的电流值与第一电流I1的电流值的比值可以通过调整第五PMOS管M5的宽长比与第一PMOS管M1的宽长比的比值进行设置。在本实施例中，第四PMOS管M4的宽长比与第一PMOS管M1的宽长比相等，第五PMOS管M5的宽长比与第一PMOS管M1的宽长比相等，因此，第三电流I4、第五电流I5与第一电流I1相等。

值得一提的是，第一偏置电流提供单元33和第二偏置电流提供单元34并不限于本发明实施例提供的电路结构。在其他实施例中，也可以有其他多种变换结构，只要产生的第一偏置电流Ib1能够保证第三PNP三极管Q3工作于放大状态、第二偏置电流Ib2能够保证第四PNP三极管Q4工作于放大状态即可。

图4为本发明电荷泵的线性化电路第三实施例中的电路结构示意图，图4中，该电荷泵的线性化电路包括带隙核心单元41和输出单元42，还包括与带隙核心单元41连接的启动单元43。带隙核心单元41的电路结构和工作原理与带隙核心单元21类似，输出单元42的电路结构和工作原理与输出单元22类似，在此不再赘述。启动单元43适于向带隙核心单元41提供偏置电压，以保证带隙核心单元41能够在系统启动(上电)时进入正常工作状态。

具体地，启动单元43包括第六PMOS管M6、第七NMOS管M7以及第八NMOS管M8。第六PMOS管M6的栅极分别与第七NMOS管M7的栅极和第八NMOS管M8的栅极连接，第六PMOS管M6的源极连接第一电源线Vdd，第六PMOS管M6的漏极分别与第七NMOS管M7的漏极和第八NMOS管M8的栅极连接，第七NMOS管M7的源极连接第二电源线Vss，第八NMOS管M8的漏极连接第一电源线Vdd，第八NMOS管M8的源极连接第二电源线Vss。

值得一提的是，启动单元43并不限于本发明实施例提供的电路结构。在其他实施例中，也可以有其他多种变换结构，只要产生偏置电流电压能够保证所述带隙核心单元41在系统启动(上电)时进入正常工作状态即可。

总之，本发明提供的电荷泵的线性化电路消除了三极管的电流增益对其输出的基准电压的影响，提高了基准电压的稳定性。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种电荷泵的线性化电路，其特征在于，包括带隙核心单元和输出单元，所述带隙核心单元包括第一PNP三极管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第四PNP三极管、第一PMOS管、第二PMOS管、运算放大器和偏置电阻，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极和所述运算放大器的输出端，所述第一PMOS管的源极连接第一电源线，所述第一PMOS管的漏极连接所述第三PNP三极管的发射极；所述第二PMOS管的源极连接第一电源线，所述第二PMOS管的漏极与所述第四PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的基极输入第一偏置电流，所述第三PNP三极管的集电极分别与所述运算放大器的第一输入端和所述偏置电阻的一端连接，所述偏置电阻的另一端与所述第一PNP三极管的发射极连接；

所述第四PNP三极管的基极输入第二偏置电流，所述第四PNP三极管的集电极分别与所述运算放大器的第二输入端和所述第二PNP三极管的发射极连接，所述第一PNP三极管的基极、所述第一PNP三极管的集电极、所述第二PNP三极管的基极和所述第二PNP三极管的集电极均连接第二电源线，所述第二电源线提供的电源电压低于所述第一电源线提供的电源电压；

所述输出单元包括第五PNP三极管和第三PMOS管，所述第三PNP三极管、所述第四PNP三极管和所述第五PNP三极管的电流增益相等，所述第三PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的源极连接所述第一电源线，所述第三PMOS管的漏极与所述第五PNP三极管的发射极连接并输出基准电压，所述第五PNP三极管的基极和所述第五PNP三极管的集电极均连接所述第二电源线。

2.根据权利要求1所述的电荷泵的线性化电路，其特征在于，所述第一PMOS管的宽长比与所述第二PMOS管的宽长比相等，所述第三PMOS管的宽长比与所述第一PMOS管的宽长比相等。

3.根据权利要求1或2所述的电荷泵的线性化电路，其特征在于，还包括用于提供所述第一偏置电流的第一偏置电流提供单元和用于提供所述第二偏置电流的第二偏置电流提供单元，所述第一偏置电流提供单元和所述第二偏置电流提供单元均与所述带隙核心单元连接。

4.根据权利要求3所述的电荷泵的线性化电路，其特征在于，所述第一偏置电流提供单元包括第四PMOS管和第六PNP三极管，所述第四PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第四PMOS管的源极连接所述第一电源线，所述第四PMOS管的漏极与所述第六PNP三极管的发射极连接并输出所述第一偏置电流，所述第六PNP三极管的基极和所述第六PNP三极管的集电极均连接所述第二电源线。

5.根据权利要求4所述的电荷泵的线性化电路，其特征在于，所述第四PMOS管的宽长比与所述第一PMOS管的宽长比相等。

6.根据权利要求5所述的电荷泵的线性化电路，其特征在于，所述第二偏置电流提供单元包括第五PMOS管和第七PNP三极管，所述第五PMOS管的栅与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第五PMOS管的源极连接所述第一电源线，所述第五PMOS管的漏极与所述第七PNP三极管的发射极连接并输出所述第二偏置电流，所述第七PNP三极管的基极和所述第七PNP三极管的集电极均连接所述第二电源线。

7.根据权利要求1或2所述的电荷泵的线性化电路，其特征在于，还包括与所述带隙核心单元连接、用于向所述带隙核心单元提供偏置电压的启动单元。

8.根据权利要求7所述的电荷泵的线性化电路，其特征在于，所述启动单元包括第六PMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第六PMOS管的栅极分别与所述第七NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极连接，所述第六PMOS管的源极连接所述第一电源线，所述第六PMOS管的漏极分别与所述第七NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的栅极连接，所述第七NMOS管的源极连接所述第二电源线，所述第八NMOS管的漏极连接所述第一电源线，所述第八NMOS管的源极连接所述第二电源线。

Images