JP2012148464A - ナノインプリント方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】微細な凹凸パターンを有する基板12と、この凹凸パターンに沿ってこの凹凸パターンの表面に形成された離型層14とを備えるモールドを用いて、基板2上に塗布されたレジスト3を押圧し、上記凹凸パターンが転写されたレジストパターンを形成するナノインプリント方法において、上記レジストパターンのラインの幅が所望の値となるように、上記離型層14の厚さと、上記モールドを用いて上記レジスト3を押圧する際の押圧圧力の大きさとを調整する。これにより、レジストパターンのラインの幅を制御する。
【選択図】図2A
Description
微細な凹凸パターンを有する基板と、この凹凸パターンに沿ってこの凹凸パターンの表面に形成された離型層とを備えるモールドを用いて、基板上に塗布されたレジストを押圧し、上記凹凸パターンが転写されたレジストパターンを形成するナノインプリント方法において、
上記レジストパターンのラインの幅が所望の値となるように、上記離型層の厚さと、上記モールドを用いて上記レジストを押圧する際の押圧圧力の大きさとを調整することを特徴とするものである。
上記離型層は、上記官能基によって上記基板の表面で結合した上記化合物の分子膜を含有するものであることが好ましい。
C3F7(OCF2CF2CF2)pOC2F4C2H4−Si(OCH3)3
構造式(2)において、pは重合度(1以上の整数)を表す。
PnRm−nM−Z−Y−X−(OC3F6)a−(OC2F4)b−(OCF2)c−O−X−Y−Z−MPnRm−n
Q−Z−M−PnRm−n
T−X−(OC3F6)a−(OC2F4)b−(OCF2)c−X−T
PnRm−nSi−Z−Y−X−(OC3F6)a−(OC2F4)b−(OCF2)c−O−X−Y−Z−SiPnRm−n
(CH3O)3Si−CH2CH2CH2−O−CH2CF2−(OCF2CF2)j−(OCF2)k−OCF2CH2−O−CH2CH2CH2−Si(OCH3)3
構造式(4)中、j及びkは重合度(1以上の整数)を表す。
HO−CH2CF2−(OCF2CF2)j−(OCF2)k−OCF2CH2−OH
<モールドの製造>
シリコン基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、ライン幅70nm、ライン同士の間隔30nm、周期100nmのライン&スペースパターンを描画し、露光し、現像し、エッチングすることにより、シリコン基板に凹凸パターンを形成した。CD−SEM(Critical-Dimension Scanning Electron Microscope)により、ライン同士の間隔が設計通り30nmであることを確認した。
石英基板上にレジストを塗布し、上記工程で得られたモールドを用いて当該レジストを押圧し、石英基板側から紫外光を照射してレジストを硬化せしめて凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成し、モールドを剥離した。離型層を構成する化合物の分子長、およびレジスト押圧時の押圧圧力はそれぞれ表1のように設定し実験を行った。
それぞれのナノインプリントの実験条件において、レジストパターンの欠損と、上記シリコン基板のライン同士の間隔に対するレジストパターンのライン幅の長さの比を評価した。表1は、それぞれのナノインプリントの実験条件に対する実験結果をまとめた表である。なお、表1においてレジストパターンの欠損について、レジストパターンに欠損が生じなかった場合に○、欠損が生じた場合に×とした。この結果、上記化合物の分子長(離型層の厚さ)とレジストを押圧する際の押圧圧力の大きさとを調整することにより、凹凸パターンが転写されたレジストパターンのライン幅およびアスペクト比を任意の値に制御可能であることが確認された。また、特に上記化合物の分子長が5〜30Åとなるように調整し、上記押圧圧力が20〜300psiとなるように調整した場合には、レジストパターンのパターン形成性が良好であることが分かった。
12 モールドの基板
13 凹凸パターン
14 離型層
2 ナノインプリント用の基板
3 ナノインプリント用のレジスト
W1 凹凸パターンのラインの幅
W2 凹凸パターンのライン同士の間隔
Claims (7)
- 微細な凹凸パターンを有する基板と、該凹凸パターンに沿って該凹凸パターンの表面に形成された離型層とを備えるモールドを用いて、基板上に塗布されたレジストを押圧し、前記凹凸パターンが転写されたレジストパターンを形成するナノインプリント方法において、
前記レジストパターンのラインの幅が所望の値となるように、前記離型層の厚さと、前記モールドを用いて前記レジストを押圧する際の押圧圧力の大きさとを調整することを特徴とするナノインプリント方法。 - 前記離型層を構成する化合物の分子長を調整することにより、前記離型層の厚さを調整することを特徴とする請求項1に記載のナノインプリント方法。
- 前記化合物の分子長が5〜30Åとなるように調整し、前記押圧圧力が20〜300psiとなるように調整することを特徴とする請求項1または2に記載のナノインプリント方法。
- 前記化合物がフッ素化合物であることを特徴とする請求項1から3いずれかに記載のナノインプリント方法。
- 前記化合物が、前記モールドの前記基板を構成する材料と化学的に結合可能な官能基を有し、
前記離型層が、前記官能基によって前記基板の表面で結合した前記化合物の分子膜を含有するものであることを特徴とする請求項1から4いずれかに記載のナノインプリント方法。 - 前記化合物がパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする請求項1から5いずれかに記載のナノインプリント方法。
- 前記離型層が、前記化合物に係る単分子膜構造を有するものであることを特徴とする請求項1から6いずれかに記載のナノインプリント方法。
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