WO2012053458A1 - インプリント方法とこれに用いる転写基材および密着剤 - Google Patents

インプリント方法とこれに用いる転写基材および密着剤 Download PDF

Info

Publication number
WO2012053458A1
WO2012053458A1 PCT/JP2011/073751 JP2011073751W WO2012053458A1 WO 2012053458 A1 WO2012053458 A1 WO 2012053458A1 JP 2011073751 W JP2011073751 W JP 2011073751W WO 2012053458 A1 WO2012053458 A1 WO 2012053458A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
substrate
workpiece
adhesion layer
transfer
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/073751
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
泰央 大川
明子 天野
Original Assignee
大日本印刷株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大日本印刷株式会社 filed Critical 大日本印刷株式会社
Priority to KR1020137008150A priority Critical patent/KR101797233B1/ko
Priority to US13/880,507 priority patent/US9375871B2/en
Publication of WO2012053458A1 publication Critical patent/WO2012053458A1/ja

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/005—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor characterised by the choice of material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/026—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing of layered or coated substantially flat surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Definitions

  • the present invention relates to an imprint method for transferring and forming a desired pattern (a figure such as a line or a pattern, including a flat surface) on a workpiece, and a transfer substrate and an adhesive used in the imprint method.
  • a desired pattern a figure such as a line or a pattern, including a flat surface
  • the imprint method is a pattern forming technique in which a fine structure is transferred at an equal magnification by using a mold (mold member) in which a fine concavo-convex structure is formed on the surface of a substrate and transferring the concavo-convex structure to a workpiece.
  • an optical imprint method is known. In this optical imprinting method, for example, a photocurable resin layer is formed as a workpiece on a transfer substrate for imprinting, and a mold (mold member) having a desired uneven structure is pressed against the resin layer.
  • the resin layer is irradiated with ultraviolet rays to be cured from the mold side, and then the mold is pulled away from the resin layer.
  • the uneven structure in which the unevenness of the mold is inverted can be formed on the resin layer as the workpiece.
  • Such an optical imprint method is capable of forming a fine pattern on the order of nanometers, which is difficult to form with conventional photolithography technology, and is promising as a next-generation lithography technology. In such an imprint method, it is necessary to prevent the resin layer from adhering to the mold when the mold is pulled away from the cured resin layer.
  • Patent Document 1 a method of releasing the mold surface (Patent Document 1), and an adhesion layer is interposed between the imprint transfer substrate and the cured resin layer to improve the adhesion between the two. Proposed (Patent Documents 2 and 3), or a method of improving the releasability from the cured resin layer by irradiating the photocatalytic substance film provided on the mold surface with ultraviolet rays (Patent Document 4). ing.
  • the method for improving the adhesion between the imprinting transfer substrate and the cured resin layer is a function that forms a bond with the transfer substrate.
  • the adhesion layer is formed using a material having a functional group that forms a bond with the group and the resin layer.
  • a silane coupling agent is mentioned as such a material. Since the more reaction points with the transfer substrate, the more advantageous the adhesion is. Therefore, a silane coupling agent in which three functional groups for bonding to the transfer substrate are bonded to silicon atoms is preferably used. ing.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and enables an imprint method that prevents the occurrence of a transfer defect at the time of releasing a mold and a resin layer, and enables such an imprint method. It is to provide a transfer substrate and an adhesive.
  • the present inventor is more likely to form a chain or network layer due to a condensation reaction between molecules of the silane coupling agent than the binding reaction between the silane coupling agent and the transfer substrate, and is used for bonding with the transfer substrate.
  • the adhesion layer formed using a silane coupling agent in which three functional groups are bonded to silicon atoms the present invention has been made by paying attention to the fact that convex portions are formed on the surface and flatness is lowered.
  • the imprinting method of the present invention interposes a workpiece between a mold having a transfer shape portion having a desired shape and a transfer substrate, and the workpiece
  • a mold release step for separating the mold from the substrate, and the adhesion layer forming step includes a tetravalent atom having one hydrolyzable group and two inert groups, and reactivity bonded to the atom.
  • Adhesive containing a compound having a functional group in one molecule The contacting to the substrate and then configured as one having the step of cleaning.
  • the cleaning in the adhesion layer forming step is configured to use a polar solvent.
  • the tetravalent atom of the adhesive is configured to be silicon.
  • the transfer base material of the present invention is a transfer base material for imprint including a base material and an adhesion layer located on the base material, and the adhesion layer is bonded to the base material through oxygen atoms. And a tetravalent atom having two inactive groups and a reactive functional group bonded to the atom.
  • the adjacent tetravalent atoms are not bonded to each other.
  • the tetravalent atom is silicon.
  • the adhesion agent of the present invention is an adhesion agent for forming an adhesion layer on a transfer substrate used in an imprinting method, and includes a tetravalent atom having one hydrolyzable group and two inactive groups. It was set as the structure containing the compound which has the reactive functional group couple
  • the compound is configured as a compound represented by the following formula (1).
  • R is a hydrolyzable group and represents an alkoxy group
  • X 1 and X 2 represent an inert group, and represents an alkyl group, which may be the same or different
  • Y is a reactive functional group and represents a group selected from the group consisting of an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a sulfide group, an acyl group, an isocyanate group, and an unsaturated hydrocarbon group
  • n is an integer of 1 to 10 Indicates.
  • the compound is configured as a compound represented by the following formula (2).
  • X 3 , X 4 , X 5 and X 6 are inactive groups and represent alkyl groups, which may be the same or different, and Y 1 and Y 2 are reactive.
  • Functional group which represents a group selected from the group consisting of amino group, epoxy group, mercapto group, sulfide group, acyl group, isocyanate group, and unsaturated hydrocarbon group, which may be the same or different , N 1 and n 2 represent an integer of 1 to 10, and these may be the same or different.
  • the tetravalent atom constituting the adhesive used in the adhesion layer forming step has only one hydrolyzable group, this hydrolyzable group was hydrolyzed. After that, a bond with a reaction point where a hydroxyl group exists on the substrate surface (through a hydrogen bond, a covalent bond via an oxygen atom is formed) and a tetravalent atom has two inactive groups. Therefore, the tetravalent atom bonded to the substrate surface is suppressed from forming a bond with the tetravalent atom of other molecules, and further, the substrate and the unreacted adhesive are removed by washing.
  • the transfer substrate of the present invention has an adhesive layer having a tetravalent atom bonded to the substrate via an oxygen atom and having two inactive groups, and a reactive functional group bonded to the atom.
  • the surface of such an adhesion layer is excellent in flatness, and the work piece disposed on the adhesion layer in imprinting has a reactive functional group located on the surface of the adhesion layer.
  • the adhesive of the present invention contains a compound having a tetravalent atom having one hydrolyzable group and two inactive groups and a reactive functional group bonded to the atom in one molecule
  • the hydrolyzable group When the hydrolyzable group is hydrolyzed, the tetravalent atoms are transferred to the substrate surface through hydrogen bonds with the hydroxyl group on the substrate surface, and are further firmly shared with the substrate surface through a dehydration condensation reaction.
  • a tetravalent atom that forms a bond and thus binds to the surface of the substrate has two inactive groups. Therefore, a bond due to a condensation reaction is formed between the tetravalent atom of another molecule.
  • Occurrence is suppressed, aggregate formation of the adhesive agent is prevented, and the base material and the unreacted adhesive agent form, for example, a dimer, but a tetravalent bonded to the base material surface. It can be removed by washing because it is not bonded to any other atoms, and this makes it possible to form an adhesion layer with a uniform thickness. It is a function. Moreover, compared with the silane coupling agent in which silicon has a some hydrolyzable group, it is excellent in storage stability.
  • FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an embodiment of a transfer substrate of the present invention.
  • FIG. 2 is a view for explaining the molecular structure of the adhesion layer constituting the imprint transfer substrate of the present invention.
  • 3A to 3E are process charts for explaining an embodiment of the imprint method of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the thickness of the adhesion layer in the stepped portion of the substrate.
  • FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an embodiment of a transfer substrate of the present invention.
  • a transfer substrate 1 includes a substrate 2 and an adhesion layer 3 located on one surface 2 a of the substrate 2.
  • the substrate 2 constituting the transfer substrate 1 is, for example, glass such as quartz, soda lime glass, borosilicate glass, semiconductors such as silicon, silicon oxide, silicon nitride, gallium arsenide, gallium nitride, chromium, tantalum, aluminum, It may be a metal substrate made of nickel, titanium, copper, iron, cobalt or the like, or a composite material substrate made of any combination of these materials.
  • the base material 2 may have a desired pattern structure formed on the surface 2a side.
  • the pattern structure is not particularly limited, and examples thereof include fine wiring used for semiconductors and displays, photonic crystal structures, optical waveguides, optical structures such as holography, and the like.
  • the adhesion layer 3 constituting the transfer substrate 1 is bonded to the substrate 2 through an oxygen atom and has a tetravalent atom having two inactive groups and a reactive functional group bonded to this atom.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the molecular structure of such an adhesion layer 3.
  • the tetravalent atom M is bonded to the base material 2 through the oxygen atom O and has two inactive groups X and X ′.
  • a reactive functional group Y is bonded to the tetravalent atom M.
  • Adjacent tetravalent atoms M are not bonded to each other.
  • the tetravalent atom M constituting the adhesion layer 3 can be silicon, titanium, or the like, and silicon is preferably used.
  • Inactive groups X and X ′ are groups that do not cause hydrolysis reaction. For example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert. -An alkyl group such as a butyl group or a benzyl group, which may be the same or different.
  • the reactive functional group Y is a group that causes a reaction with an organic component that is a workpiece.
  • an amino group an epoxy group, a mercapto group, a sulfide group, an acyl group, an isocyanate group, an unsaturated hydrocarbon group.
  • an unsaturated hydrocarbon group is bonded to the tetravalent atom M through a bond — (CH 2 ) n —.
  • the unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a methacryl group, an acryloxy group, and a methacryloxy group.
  • n in the bond is an integer of 1 to 10, but in order to make the density distribution of the molecules constituting the adhesion layer more uniform, the molecular weight is preferably low, so n is preferably in the range of 1 to 3. It is.
  • a transfer substrate 1 of the present invention does not have a non-uniform layer such as a chain-like or network-like layer formed by a condensation reaction between molecules constituting the adhesion layer 3, and has a flat surface. Excellent.
  • the adhesion layer 3 does not have a chain-like or network-like layer structure and has a structure in which foreign matter is less likely to adhere.
  • the adhesion layer non-uniformity that may cause defects in the workpiece during mold release or Generation of fine convex portions due to foreign matters can be reduced, and transfer defects can be prevented.
  • the tetravalent atom bonded to the surface of the substrate 2 is suppressed from forming a bond with the tetravalent atom of another molecule, and is closely adhered to the substrate surface at a higher density.
  • the workpiece disposed above can be securely bonded and held by the reaction with the reactive functional group Y located on the surface of the adhesion layer 3.
  • the embodiment of the transfer substrate for imprint described above is an exemplification, and the present invention is not limited to this.
  • the adhesive of the present invention In order to form the adhesion layer 3 of the transfer substrate 1 as described above, a tetravalent atom having one hydrolyzable group and two inactive groups, and a reactive functional group bonded to the atom. And the adhesive agent of the present invention containing a compound having in a molecule thereof.
  • the adhesive of the present invention will be described below.
  • the adhesive of the present invention has a tetravalent atom having one hydrolyzable group and two inactive groups and a reactive functional group bonded to the atom in one molecule. Contains compounds.
  • An example of such a compound is a compound represented by the following formula (1) in which a tetravalent atom is silicon.
  • R represents a hydrolyzable group, represents an alkoxy group
  • X 1 and X 2 represent an inert group, and represents an alkyl group, which may be the same or different
  • Y is a reactive functional group and represents a group selected from the group consisting of an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a sulfide group, an acyl group, an isocyanate group, and an unsaturated hydrocarbon group
  • n represents an integer of 1 to 10. Show.
  • Examples of the alkoxy group R include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, an isopropoxy group, and a cyclohexyloxy group.
  • examples of the unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a methacryl group, an acryloxy group, and a methacryloxy group.
  • the reactive functional group Y can be appropriately selected in consideration of the organic component that is the workpiece.
  • the workpiece is an organic component containing an acid, ester, epoxy, ketone, or halide
  • An amino group can be selected as the reactive functional group Y
  • an epoxy group can be selected as the reactive functional group Y
  • the product is an organic component containing a thiol
  • a mercapto group can be selected as the reactive functional group Y
  • the workpiece is an organic component containing an acrylic monomer
  • the reactive functional group Y is unsaturated.
  • a hydrocarbon group can be selected.
  • the compound represented by the above formula (1) examples include (3-acryloxymethyl) dimethylmethoxysilane, (3-acryloxyethyl) dimethylmethoxysilane, (3-acryloxypropyl) dimethylmethoxysilane, ( Examples include 3-methacryloxymethyl) dimethylmethoxysilane, (3-methacryloxyethyl) dimethylmethoxysilane, and (3-methacryloxypropyl) dimethylmethoxysilane.
  • the molecular weight of the compound represented by the above formula (1) is preferably low in consideration of reduction of steric hindrance, etc.
  • R is preferably a compound having a methoxy group or an ethoxy group, and the alkyl groups X 1 and X 2 having a methyl group, an ethyl group, or a propyl group, and n is 1 to 3.
  • the tetravalent atom is silicon, and the following formula (2) in which two silicons share one hydrolyzable group (> NH): The disilazane compound represented by these can be mentioned.
  • alkyl groups X 3 , X 4 , X 5 and X 6 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, A benzyl group etc. can be mentioned.
  • examples of the unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a methacryl group, an acryloxy group, and a methacryloxy group.
  • the reactive functional groups Y 1 and Y 2 can be appropriately selected in consideration of the organic component that is the workpiece.
  • the organic component in which the workpiece contains an acid, an ester, an epoxy, a ketone, or a halide can be selected as the reactive functional groups Y 1 and Y 2 , and if the workpiece is an organic component containing an amino group or a carboxyl group, the reactive functional groups Y 1 and Y 2 can be selected. If the workpiece is an organic component containing a thiol, a mercapto group can be selected as the reactive functional group Y 1 , Y 2 , and the workpiece is an acrylic monomer. If it is an organic component to be contained, an unsaturated hydrocarbon group can be selected as the reactive functional groups Y 1 and Y 2 .
  • Specific examples of the compound represented by the above formula (2) include 1,3-bis (3-acryloxymethyl) tetramethyldisilazane, 1,3-bis (3-acryloxymethyl) tetraethyldisilazane, 3- Bis (3-acryloxymethyl) tetrapropyldisilazane, 1,3-bis (3-acryloxyethyl) tetramethyldisilazane, 1,3-bis (3-acryloxyethyl) tetraethyldisilazane, 1,3- Bis (3-acryloxyethyl) tetrapropyldisilazane, 1,3-bis (3-acryloxypropyl) tetramethyldisilazane, 1,3-bis (3-acryloxypropyl) tetraethyldisilazane, 1,3- Bis (3-acryloxypropyl) tetrapropyldisilazane and the like can be mentioned.
  • the molecular weight of the compound represented by the above formula (2) is preferably low in consideration of reduction of steric hindrance and the like.
  • X 3 , X 4 , X 5 , and X 6 are preferably compounds having a methyl group or an ethyl group, and n 1 and n 2 are 1 to 3.
  • the adhesive of the present invention contains a solvent such as methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, xylene, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and methyl cellosolve as necessary together with the above compound. You may contain.
  • a solvent such as methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, xylene, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and methyl cellosolve as necessary together with the above compound. You may contain.
  • a solvent such as methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, xylene, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, methyl ethyl ketone,
  • bonded with the base-material surface in this way has two inactive groups, it suppresses producing the coupling
  • the base material and the unreacted adhesive agent may form a dimer, for example, but can be removed by washing because they are not bound to tetravalent atoms bound to the surface of the base material. . Thereby, formation of the adhesion layer of uniform thickness is possible. Further, since silicon is less susceptible to hydrolysis than silicon silane coupling agents having a plurality of hydrolyzable groups, the storage stability is excellent.
  • adherence agent is an illustration, and this invention is not limited to this.
  • the tetravalent atom may be titanium or the like.
  • the imprint method of the present invention will be described.
  • a workpiece is interposed between a mold having a transfer shape portion having a desired shape and a transfer substrate, and the shape of the transfer shape portion is transferred to the workpiece.
  • 3A to 3E are process charts for explaining an embodiment of the imprint method of the present invention.
  • the adhesion layer 13 is formed on the substrate 12 to produce the transfer substrate 11 (FIG. 3A).
  • the adhesion layer 13 contains an adhesion compound containing a tetravalent atom having one hydrolyzable group and two inert groups and a reactive functional group bonded to the atom in one molecule.
  • the agent can be formed by contacting the substrate 12 and then washing.
  • the contact of the adhesive with the substrate 12 can be performed by, for example, a chemical vapor deposition method, a wet process, or the like. Examples of the wet process include a spin coating method, a dip coating method, a dipping method, and the like, and such a wet process is preferable as a simple method.
  • the adhesive that is in contact with the base material 12 is bonded to a reactive site where one hydrolyzable group bonded to a tetravalent atom is hydrolyzed and a hydroxyl group on the surface of the base material 12 exists (hydrogen).
  • a covalent bond via an oxygen atom is formed via a bond).
  • the tetravalent atom since the tetravalent atom has two inactive groups, the tetravalent atom bonded to the surface of the substrate 12 is prevented from causing a condensation reaction with the tetravalent atom of another molecule. Is done.
  • the base material and the unreacted adhesive agent may form a dimer, for example, they are not bonded to the tetravalent atoms bonded to the surface of the base material 12 and thus are removed by washing.
  • the adhesion layer 13 having a uniform thickness where the reactive functional group is located on the surface can be formed.
  • the cleaning for removing the base material 12 and the unreacted adhesive is, for example, methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, benzene, toluene, xylene, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl cellosolve, etc.
  • the polar solvent can be used.
  • the cleaning method include spin coating, dip coating, and dipping.
  • the adhesive used in such an adhesive layer forming step may be the adhesive of the present invention described above.
  • the workpiece 31 ′ is supplied onto the adhesion layer 13 of the transfer substrate 11 (FIG. 3B), and the workpiece 31 ′ is placed between the mold 21 having the transfer shape portion 22 and the adhesion layer 13. Then, the mold 21 and the transfer base material 11 are brought close to each other so that the workpiece 31 ′ is filled in the transfer shape portion 22 of the mold 21 (FIG. 3C).
  • the workpiece 31 ′ is filled into the transfer shape portion 22 of the mold 21 by supplying the workpiece 31 ′ onto the mold 21, and the adhesion layer 13 of the transfer substrate 11 is applied to the workpiece 31 ′. It may be done by pressing.
  • the mold 21 can be formed using a transparent base material that can transmit irradiation light for curing the workpiece 31 ′ when the workpiece 31 ′ is a photocurable resin. Glass, silicate glass, calcium fluoride, magnesium fluoride, acrylic glass, or any of these laminated materials can be used.
  • the transfer shape portion 22 included in the mold 21 has a concavo-convex structure in which concave portions are formed in the illustrated example, but is not limited to this, and the shape and dimensions can be arbitrarily set. Further, the mold 21 to be used may have a so-called mesa structure in which a portion where the transfer shape portion 22 is located has a convex structure with respect to the surroundings.
  • the workpiece 31 ′ interposed between the transfer substrate 11 and the mold 21 is cured to form the workpiece 31 (FIG. 3D).
  • the workpiece 31 reacts with and binds to a reactive functional group located on the surface of the adhesion layer 13 and is securely held by the adhesion layer 13.
  • the curing process can be performed by irradiating light from the mold 21 side.
  • the transfer substrate 11 can transmit the irradiation light
  • the workpiece 31 ′ may be cured by performing light irradiation from the transfer substrate 11 side.
  • the mold release step the mold 21 is pulled away from the workpiece 31 (FIG. 3E).
  • pattern formation transfer of the transfer shape part 22 of the mold 21
  • the workpiece 31 is securely held on the substrate 12 of the transfer substrate 11 via the adhesion layer 13, so that transfer defects due to adhesion of the workpiece 31 to the mold 21 are prevented, and high Accurate pattern formation can be performed.
  • the remaining film portion of the work piece 31 is removed together with the adhesion layer 13 located below the workpiece 31 to expose the surface of the base material 12.
  • the surface of the substrate 12 may be etched using the remaining workpiece 31 as a resist pattern to form a concavo-convex structure pattern on the substrate 12.
  • the imprint method of the present invention since the thickness of the adhesion layer is uniform, highly accurate pattern formation can be performed.
  • the imprint method of the present invention is such that the adhesion agent used in the adhesion layer forming step is less susceptible to hydrolysis, and the storage stability is higher than that of a silane coupling agent in which silicon has a plurality of hydrolyzable groups.
  • ⁇ Adhesion layer forming step> A silicon wafer (diameter 150 mm) was prepared as a substrate. This base material has a convex flat surface of 26 mm ⁇ 32 mm at the center of one surface, and the base material thickness in this convex flat surface is 0.625 mm, and the base material thickness of the surroundings is 0.595 mm. There was a step of 0.03 mm in between. Further, (3-acryloxypropyl) dimethylmethoxysilane (manufactured by Gelest) was prepared as the adhesive A.
  • this adhesion agent A the degree of hydrolysis and dehydration condensation occurring over time in the adhesion agent is determined by measuring the time course of 1 H-NMR and 29 Si-NMR by NMR spectroscopy under the following conditions, The storage stability was evaluated and the results are shown in Table 1 below. (Measurement conditions for NMR spectroscopy) 1 H-NMR and 29 Si-NMR were measured using JNM-LA400WB manufactured by JEOL Ltd., and the reaction process of silane coupling agent polycondensation was analyzed. The resonance frequencies were 400 MHz and 79.3 MHz, and tetramethylsilane was used as an external reference.
  • the defect was observed by the atomic force microscope (AFM) under the following conditions and evaluated for the presence or absence of protrusions (conceived to have been generated by aggregation of the adhesive) on the surface of the adhesive layer of the produced transfer substrate.
  • the results are shown in Table 1 below.
  • evaluation conditions by atomic force microscope Using an atomic force microscope (L-trace, manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.), an area of 0.03 mm ⁇ 0.03 mm of the adhesion layer was measured, and the presence or absence of convex portions having a height of 5 nm or more was evaluated. This is because convex portions having a height of 5 nm or more can cause transfer defects.
  • the adhesive B 1,3-bis (3-acryloxymethyl) tetramethyldisilazane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was prepared, and this adhesive B was used instead of the adhesive A.
  • the flat surface of the mold was transferred and formed on the workpiece.
  • the storage stability of the used adhesive B was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 below.
  • the presence or absence of the convex part in the surface of the adhesion layer of the produced transfer substrate was observed in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 below.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

　インプリン卜方法を、密着層形成工程、充填工程、硬化工程および離型工程を少なくとも有するもとのとし、密着層形成工程では、１個の加水分解性基と２個の不活性基とを有する４価の原子と該原子に結合した反応性官能基とを１分子中に有する化合物を含有する密着剤を、基材に接触させ、その後、洗浄することにより、基材に密着層を形成して転写基材を作製し、充填工程では、モールドと密着層との間に被加工物が介在するようしてモールドと転写基材とを近接させ被加工物をモールドの転写形状部に充填し、硬化工程では、被加工物を硬化させ、離型工程では、被加工物からモールドを引き離すようにした。

Description

インプリント方法とこれに用いる転写基材および密着剤
　本発明は、被加工物に所望のパターン（線、模様等の図形であり、平坦面も含む）を転写形成するインプリント方法と、このインプリント方法に使用する転写基材と密着剤に関する。
　微細加工技術として、近年インプリント方法に注目が集まっている。インプリント方法は、基体の表面に微細な凹凸構造を形成したモールド（型部材）を用い、凹凸構造を被加工物に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。
　このインプリント方法の一つとして、光インプリント法が知られている。この光インプリント法では、例えば、インプリント用の転写基材に被加工物として光硬化性の樹脂層を形成し、この樹脂層に所望の凹凸構造を有するモールド（型部材）を押し当てる。そして、この状態でモールド側から樹脂層に紫外線を照射して硬化させ、その後、モールドを樹脂層から引き離す。これにより、モールドが有する凹凸が反転した凹凸構造を被加工物である樹脂層に形成することができる。このような光インプリント法は、従来のフォトリソグラフィ技術では形成が困難なナノメートルオーダーの微細パターンの形成が可能であり、次世代リソグラフィ技術として有望視されている。
　このようなインプリント方法では、硬化した樹脂層からモールドを引き離す際に、樹脂層がモールドに付着するのを防止する必要がある。この付着防止の方法として、モールド表面へ離型処理を施す方法（特許文献１）、インプリント用の転写基材と硬化した樹脂層との間に密着層を介在させて両者の密着性を向上させる方法（特許文献２、３）、あるいは、モールド表面に設けた光触媒性物質膜に紫外線を照射して、硬化した樹脂層との離型性を向上させる方法（特許文献４）等が提案されている。
特許第４１５４５９５号公報 特開２００９−１６０００号公報 特表２０１０−５２６４２６号公報 特開２００７−１４４９９５号公報
　上述のモールドへの樹脂層の付着防止方法のうち、インプリント用の転写基材と硬化した樹脂層との密着性を向上させる方法では、転写基材との間で結合を形成するような官能基、および、樹脂層との間で結合を形成するような官能基を有する材料を用いて密着層が形成されている。このような材料として、シランカップリング剤が挙げられている。そして、転写基材との反応点が多いほど密着性向上には有利であることから、転写基材との結合に供する官能基がケイ素原子に３個結合したシランカップリング剤が好適に使用されている。
　しかし、このようなシランカップリング剤を用いた従来の付着防止方法では、硬化した樹脂層からモールドを引き離す際に、樹脂層の一部がモールドに付着して転写欠陥を生じることがあり、安定したパターン形成を行うことができないという問題があった。また、上記のシランカップリング剤は、大気中の水分と加水分解反応を生じて劣化し易いため、長期保管が難しく、製造工程管理が煩雑となったり、パターン形成におけるコスト低減に支障を来すという問題もあった。さらに、スピンコート法を用いてシランカップリング剤を転写基材に塗布して密着層を形成する場合、転写基材の端部や、転写基材表面の段差部分で密着層の厚みが大きくなり、高精度のパターン形成を行うことができないという問題があった。
　本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、モールドと樹脂層との離型時の転写欠陥の発生を防止したインプリント方法と、このようなインプリント方法を可能とする転写基材、密着剤を提供することにある。
　本発明者は、シランカップリング剤と転写基材との結合反応よりも、シランカップリング剤の分子間の縮合反応による鎖状や網目状の層が生じやすく、転写基材との結合に供する官能基がケイ素原子に３個結合したシランカップリング剤を用いて形成した密着層では、表面に凸部が生じて平坦性が低下することに着目して本発明をなすに至った。
　すなわち、上記のような目的を達成するために、本発明のインプリント方法は、所望の形状の転写形状部を有するモールドと転写基材との間に被加工物を介在させ、該被加工物に前記転写形状部の形状を転写するインプリント方法であって、基材に密着層を形成して転写基材を作製する密着層形成工程と、前記モールドと前記密着層との間に前記被加工物が介在するようして前記モールドと前記転写基材とを近接させ前記被加工物を前記転写形状部に充填する充填工程と、前記被加工物を硬化させる硬化工程と、前記被加工物から前記モールドを引き離す離型工程と、を有し、前記密着層形成工程は、１個の加水分解性基と２個の不活性基とを有する４価の原子と該原子に結合した反応性官能基とを１分子中に有する化合物を含有する密着剤を、前記基材に接触させ、その後、洗浄する工程を有するものであるような構成とした。
　本発明の他の態様として、前記密着層形成工程における洗浄は、極性溶媒を使用するような構成とした。
　本発明の他の態様として、前記密着剤の前記４価の原子はケイ素であるような構成とした。
　本発明の転写基材は、基材と、該基材上に位置する密着層とを備えるインプリント用の転写基材であって、密着層は、酸素原子を介して前記基材に結合するとともに２個の不活性基とを有する４価の原子と、該原子に結合した反応性官能基と、を有するような構成とした。
　本発明の他の態様として、隣接する前記４価の原子同士は結合していないような構成とした。
　本発明の他の態様として、前記４価の原子はケイ素であるような構成とした。
　本発明の密着剤は、インプリント方法に用いる転写基板に密着層を形成するための密着剤であって、１個の加水分解性基と２個の不活性基とを有する４価の原子と該原子に結合した反応性官能基とを１分子中に有する化合物を含むような構成とした。
　本発明の他の態様として、前記化合物は、下記式（１）で表される化合物であるような構成とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000003
　前記式（１）において、Ｒは加水分解性基であり、アルコキシ基を示し、Ｘ１、Ｘ２は不活性基であり、アルキル基を示し、これらは同一であっても異なってもよく、Ｙは反応性官能基であり、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、スルフィド基、アシル基、イソシアネート基、不飽和炭化水素基からなる群から選択される基を示し、ｎは１~１０の整数を示す。
　本発明の他の態様として、前記化合物は、下記式（２）で表される化合物であるような構成とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000004
　前記式（２）において、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６は不活性基であり、アルキル基を示し、これらは同一であっても異なってもよく、Ｙ１、Ｙ２は反応性官能基であり、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、スルフィド基、アシル基、イソシアネート基、不飽和炭化水素基からなる群から選択される基を示し、これらは同一であっても異なってもよく、ｎ１、ｎ２は１~１０の整数を示し、これらは同一であっても異なってもよい。
　本発明のインプリント方法は、密着層形成工程において使用する密着剤を構成する４価の原子が加水分解性基を１個のみ有しているので、この加水分解性基が加水分解を受けた後、基材表面の水酸基が存在する反応点との結合（水素結合を経て、酸素原子を介した共有結合を形成）がなされるとともに、４価の原子が２個の不活性基を有しているので、基材表面と結合した４価の原子は、他の分子の４価の原子と結合を生じることが抑制され、さらに、基材と未反応の密着剤が洗浄によって除去されるので、基材の端部や、基材表面の段差部分においても不要な密着剤が存在せず、均一な厚みの密着層を備えた転写基材の形成が可能であり、その後の充填工程、硬化工程において、密着層の反応性官能基と被加工物とが反応して結合を生じ、硬化した被加工物が密着層を介して転写基材に確実に密着した状態となり、これにより、離型工程では、モールドへの被加工物の付着による転写欠陥を防止することができる。
　本発明の転写基材は、酸素原子を介して前記基材に結合するとともに２個の不活性基とを有する４価の原子と、該原子に結合した反応性官能基と、を有する密着層を備えており、このような密着層の表面は平坦性に優れており、インプリントにおいて密着層上に配設された被加工物を、密着層の表面に位置している反応性官能基との反応によって確実に結合保持し、モールドとの離型時にモールドに付着して剥離させることを防止することができる。
　本発明の密着剤は、１個の加水分解性基と２個の不活性基とを有する４価の原子と該原子に結合した反応性官能基とを１分子中に有する化合物を含むので、加水分解性基が加水分解を受けることにより、基材表面の水酸基との水素結合を介して４価の原子が基材表面に移行し、さらに、脱水縮合反応を経て基材表面と強固な共有結合を生成し、このように基材表面に結合した４価の原子は、２個の不活性基とを有しているので他の分子の４価の原子との間で縮合反応による結合を生じることが抑制され、密着剤の凝集物生成が防止され、また、基材と未反応の密着剤は、例えば、二量体を形成することはあっても、基材表面に結合した４価の原子とは結合していないため洗浄で除去することができ、これにより、均一な厚みの密着層の形成が可能である。また、ケイ素が複数の加水分解性基を有するシランカップリング剤に比べて、保存安定性に優れている。
　図１は、本発明の転写基材の一実施形態を示す部分断面図である。
　図２は、本発明のインプリント用の転写基材を構成する密着層の分子構造を説明するための図である。
　図３Ａ~図３Ｅは、本発明のインプリント方法の一実施形態を説明するための工程図である。
　図４は、基材の段差部分における密着層の厚みを説明するための図である。
　以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
［インプリント用の転写基材］
　図１は、本発明の転写基材の一実施形態を示す部分断面図である。図１において、転写基材１は、基材２と、基材２の一方の面２ａに位置する密着層３とを備えている。
　転写基材１を構成する基材２は、例えば、石英やソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンや酸化シリコン、窒化シリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、クロム、タンタル、アルミニウム、ニッケル、チタン、銅、鉄、コバルト等の金属基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合材料基板であってよい。また、基材２は所望のパターン構造物が面２ａ側に形成されたものであってもよい。このパターン構造物としては、特に限定されず、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等が挙げられる。
　また、転写基材１を構成する密着層３は、酸素原子を介して基材２に結合するとともに２個の不活性基とを有する４価の原子と、この原子に結合した反応性官能基と、を有するものである。図２は、このような密着層３の分子構造を説明するための図である。図２に示されるように、４価の原子Ｍは、酸素原子Ｏを介して基材２に結合するとともに２個の不活性基Ｘ、Ｘ′を有している。また、４価の原子Ｍには反応性官能基Ｙが結合している。そして、隣接する４価の原子Ｍ同士は結合しておらず、したがって密着層３を構成する分子間の縮合反応により形成された鎖状や網目状の層が存在せず、単分子構造となっていると考えられる。
　密着層３を構成する４価の原子Ｍは、ケイ素、チタン等とすることができ、この中でケイ素が好適に用いられる。また、不活性基Ｘ、Ｘ′は加水分解反応を生じない基であり、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ベンジル基等のアルキル基であり、これらは同一であっても異なってもよい。また、反応性官能基Ｙは、被加工物である有機成分との反応を生じる基であり、例えば、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、スルフィド基、アシル基、イソシアネート基、不飽和炭化水素基からなる群から選択される基であり、結合手−（ＣＨ２）ｎ−を介して４価の原子Ｍに結合している。不飽和炭化水素基としては、ビニル基、メタクリル基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基等を挙げることができる。また、結合手のｎは１~１０の整数であるが、密着層を構成する分子の密度分布をより均一にするためには分子量が低いことが好ましいので、ｎは１~３の範囲が好適である。
　このような本発明の転写基材１は、密着層３を構成する分子間の縮合反応により形成される鎖状や網目状の層のような不均一な層が存在せず、表面の平坦性に優れる。また、密着層３は、鎖状や網目状の層構造をとらず異物が付着しにくい構造を有しているため、離型時における被加工物の欠陥原因となりうる密着層の不均一性あるいは異物による微細な凸部の発生を低減でき、転写欠陥を防止することができる。また、基材２の表面と結合した４価の原子は、他の分子の４価の原子と結合を生じることが抑制され、より高密度に基材表面と密着し、インプリントにおいて密着層３上に配設された被加工物を、密着層３の表面に位置している反応性官能基Ｙとの反応によって確実に結合保持することができる。
　尚、上述のインプリント用の転写基材の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。
［密着剤］
　上記のような転写基材１の密着層３を形成するには、１個の加水分解性基と２個の不活性基とを有する４価の原子と、この原子に結合した反応性官能基と、を１分子中に有する化合物を含む本発明の密着剤を使用することができる。以下に本発明の密着剤について説明する。
　本発明の密着剤は、上記のように、１個の加水分解性基と２個の不活性基とを有する４価の原子と該原子に結合した反応性官能基とを１分子中に有する化合物を含むものである。このような化合物の一例として、４価の原子がケイ素である下記式（１）で表される化合物を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000005
　上記式（１）において、Ｒは加水分解性基であり、アルコキシ基を示し、Ｘ１、Ｘ２は不活性基であり、アルキル基を示し、これらは同一であっても異なってもよく、Ｙは反応性官能基でありアミノ基、エポキシ基、メルカプト基、スルフィド基、アシル基、イソシアネート基、不飽和炭化水素基からなる群から選択される基を示し、ｎは１~１０の整数を示す。
　上記のアルコキシ基Ｒとしては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、イソプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。また、上記のアルキル基Ｘ１、Ｘ２としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ベンジル基等を挙げることができる。さらに、上記の不飽和炭化水素基としては、ビニル基、メタクリル基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基等を挙げることができる。
　反応性官能基Ｙは、被加工物である有機成分を考慮して適宜選択することができ、例えば、被加工物が酸、エステル、エポキシ、ケトン、ハロゲン化物を含有する有機成分であれば、反応性官能基Ｙとしてアミノ基を選択することができ、被加工物がアミノ基やカルボキシル基を含有する有機成分であれば、反応性官能基Ｙとしてエポキシ基を選択することができ、被加工物がチオールを含有する有機成分であれば、反応性官能基Ｙとしてメルカプト基を選択することができ、被加工物がアクリルモノマーを含有する有機成分であれば、反応性官能基Ｙとして不飽和炭化水素基を選択することができる。
　上記式（１）で表される化合物の具体例としては、（３−アクリロキシメチル）ジメチルメトキシシラン、（３−アクリロキシエチル）ジメチルメトキシシラン、（３−アクリロキシプロピル）ジメチルメトキシシラン、（３−メタクリロキシメチル）ジメチルメトキシシラン、（３−メタクリロキシエチル）ジメチルメトキシシラン、（３−メタクリロキシプロピル）ジメチルメトキシシラン等を挙げることができる。また、形成した密着層の分子の密度分布をより均一にするためには、立体障害の低減等を考慮して、上記式（１）で表される化合物の分子量が低いことが好ましく、アルコキシ基Ｒとしてメトキシ基またはエトキシ基を有し、アルキル基Ｘ１、Ｘ２としては、メチル基、エチル基、あるいは、プロピル基を有し、ｎが１~３である化合物が好ましい。
　また、本発明の密着剤を構成する化合物の他の例として、４価の原子がケイ素であり、１個の加水分解性基（＞ＮＨ）を２個のケイ素が共有する下記式（２）で表されるジシラザン化合物を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000006
　上記の式（２）において、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６は不活性基であり、アルキル基を示し、これらは同一であっても異なってもよく、Ｙ１、Ｙ２は反応性官能基であり、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、スルフィド基、アシル基、イソシアネート基、不飽和炭化水素基からなる群から選択される基を示し、これらは同一であっても異なってもよく、ｎ１、ｎ２は１~１０の整数を示し、これらは同一であっても異なってもよい。
　上記のアルキル基Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ベンジル基等を挙げることができる。さらに、上記の不飽和炭化水素基としては、ビニル基、メタクリル基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基等を挙げることができる。
　反応性官能基Ｙ１、Ｙ２は、被加工物である有機成分を考慮して適宜選択することができ、例えば、被加工物が酸、エステル、エポキシ、ケトン、ハロゲン化物を含有する有機成分であれば、反応性官能基Ｙ１、Ｙ２としてアミノ基を選択することができ、被加工物がアミノ基やカルボキシル基を含有する有機成分であれば、反応性官能基Ｙ１、Ｙ２としてエポキシ基を選択することができ、被加工物がチオールを含有する有機成分であれば、反応性官能基Ｙ１、Ｙ２としてメルカプト基を選択することができ、被加工物がアクリルモノマーを含有する有機成分であれば、反応性官能基Ｙ１、Ｙ２として不飽和炭化水素基を選択することができる。
　上記式（２）で表される化合物の具体例として、１，３−ビス（３−アクリロキシメチル）テトラメチルジシラザン、１，３−ビス（３−アクリロキシメチル）テトラエチルジシラザン、３−ビス（３−アクリロキシメチル）テトラプロピルジシラザン、１，３−ビス（３−アクリロキシエチル）テトラメチルジシラザン、１，３−ビス（３−アクリロキシエチル）テトラエチルジシラザン、１，３−ビス（３−アクリロキシエチル）テトラプロピルジシラザン、１，３−ビス（３−アクリロキシプロピル）テトラメチルジシラザン、１，３−ビス（３−アクリロキシプロピル）テトラエチルジシラザン、１，３−ビス（３−アクリロキシプロピル）テトラプロピルジシラザン等を挙げることができる。また、形成した密着層の分子の密度分布をより均一にするためには、立体障害の低減等を考慮して、上記式（２）で表される化合物の分子量が低いことが好ましく、アルキル基Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６としては、メチル基、あるいは、エチル基を有し、ｎ１、ｎ２が１~３である化合物が好ましい。
　また、本発明の密着剤は、上記のような化合物とともに、必要に応じてメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、キシレン、アセトン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルセロソルブ等の溶媒を含有してもよい。
　このような本発明の密着剤は、加水分解性基が加水分解を受けることにより、基材表面の水酸基との水素結合を介して４価の原子が基材表面に移行し、さらに、脱水縮合反応を経て基材表面と強固な共有結合を生成する。そして、このように基材表面に結合した４価の原子は、２個の不活性基を有しているので他の分子の４価の原子との間で縮合反応による結合を生じることが抑制され、密着剤の凝集物生成が防止される。また、基材と未反応の密着剤は、例えば、二量体を形成することはあっても、基材表面に結合した４価の原子とは結合していないため洗浄で除去することができる。これにより、均一な厚みの密着層の形成が可能である。また、ケイ素が複数の加水分解性基を有するシランカップリング剤に比べて、加水分解を受け難いので、保存安定性に優れている。
　尚、上述の密着剤の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、４価の原子がチタン等であってもよい。
［インプリント方法］
　次に、本発明のインプリント方法について説明する。
　本発明のインプリント方法は、所望の形状の転写形状部を有するモールドと転写基材との間に被加工物を介在させ、被加工物に転写形状部の形状を転写するものである。
　図３Ａ~図３Ｅは、本発明のインプリント方法の一実施形態を説明するための工程図である。
　本発明では、まず、密着層形成工程にて、基材１２に密着層１３を形成して転写基材１１を作製する（図３Ａ）。この基材１２は、上述の本発明の転写基材１を構成する基材２として挙げたものと同様のものを使用することができる。また、密着層１３は、１個の加水分解性基と２個の不活性基とを有する４価の原子と該原子に結合した反応性官能基とを１分子中に有する化合物を含有する密着剤を、基材１２に接触させ、その後、洗浄することにより形成することができる。
　基材１２への密着剤の接触は、例えば、化学蒸着法、ウェットプロセス等により行うことができる。ウェットプロセスとしては、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等を挙げることができ、このようなウェットプロセスは、簡便にできる方法として好ましい。
　基材１２に接触された密着剤は、４価の原子に結合している１個の加水分解性基が加水分解を受け、基材１２の表面の水酸基が存在する反応点との結合（水素結合を経て、酸素原子を介した共有結合を形成）がなされる。また、４価の原子は２個の不活性基を有しているので、基材１２の表面に結合した４価の原子が、他の分子の４価の原子と縮合反応を生じることが抑制される。したがって、基材と未反応の密着剤は、例えば、二量体を形成することはあっても、基材１２の表面に結合した４価の原子とは結合していないため、洗浄によって除去される。これにより、例えば、図４に示すように、基材１２の段差部分１２Ａにおいても不要な密着剤による密着層の厚みの増大（図４に鎖線で示した盛り上がり部位）を抑制することができ、表面に反応性官能基が位置する均一な厚みの密着層１３を形成することができる。基材１２と未反応の密着剤を除去するための洗浄は、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、アセトン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルセロソルブ等の極性溶媒を使用して行うことができる。また、洗浄方法としては、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等を挙げることができる。尚、密着剤の接触前、あるいは、接触後に基材１２を加熱することにより、密着剤と基材１２との反応を促進してもよい。
　このような密着層形成工程において使用する密着剤は、上記の本発明の密着剤であってよい。
　次いで、充填工程において、転写基材１１の密着層１３上に被加工物３１′を供給し（図３Ｂ）、転写形状部２２を有するモールド２１と密着層１３との間に被加工物３１′が介在するようしてモールド２１と転写基材１１とを近接させ、被加工物３１′をモールド２１の転写形状部２２に充填する（図３Ｃ）。尚、上記のモールド２１の転写形状部２２への被加工物３１′の充填は、モールド２１上に被加工物３１′を供給し、この被加工物３１′に転写基材１１の密着層１３を押し当てて行ってもよい。
　モールド２１は、被加工物３１′が光硬化性樹脂である場合に、被加工物３１′を硬化させるための照射光を透過可能な透明基材を用いて形成することができ、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。モールド２１が有する転写形状部２２は、図示例では凹部が形成された凹凸構造を有しているが、これに限定されるものではなく、形状、寸法は任意に設定することができる。また、使用するモールド２１は、転写形状部２２が位置する部位が周囲に対して凸構造となった、いわゆるメサ構造であってもよい。
　次に、硬化工程において、転写基材１１とモールド２１との間に介在する被加工物３１′を硬化させて被加工物３１とする（図３Ｄ）。この被加工物３１は、密着層１３の表面に位置する反応性官能基と反応し結合して、密着層１３に確実に保持される。このような硬化工程では、被加工物３１′が光硬化性の樹脂である場合、モールド２１側から光照射を行って硬化処理を施すことができる。また、転写基材１１が照射光を透過可能である場合には、転写基材１１側から光照射を行って被加工物３１′を硬化させてもよい。
　次いで、離型工程において、被加工物３１からモールド２１を引き離す（図３Ｅ）。これにより、被加工物３１にパターン形成（モールド２１の転写形状部２２の転写）が行われる。本発明では、被加工物３１が密着層１３を介して転写基材１１の基材１２に確実に保持されているので、モールド２１への被加工物３１の付着による転写欠陥が防止され、高精度のパターン形成を行うことが可能である。
　また、図示していないが、上記の離型工程の後、被加工物３１の残膜部分を、その下部に位置する密着層１３とともに除去して基材１２の表面を露出させ、この状態で残存する被加工物３１をレジストパターンとして基材１２の表面にエッチングを施し、基材１２に凹凸構造のパターンを形成してもよい。この場合、密着層１３の厚みが不均一であると、密着層１３を含めた被加工物３１の残膜部分の厚みが不均一になり、レジストパターンの精度が低下し、その結果、レジストパターンを介してエッチングにより基材１２に形成されるパターンの精度低下を招くことになる。本発明のインプリント方法によれば、密着層の厚みが均一であるため、高精度のパターン形成を行うことができる。
　また、このような本発明のインプリント方法は、密着層形成工程において使用する密着剤が加水分解を受け難く、ケイ素が複数の加水分解性基を有するシランカップリング剤に比べて、保存安定性に優れるため、製造工程管理が容易で、パターン形成におけるコスト低減が可能である。
　上述の本発明のインプリント方法の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。
　次に、より具体的な実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
＜密着層形成工程＞
　基材として、シリコンウエハ（直径１５０ｍｍ）を準備した。この基材は、一方の面の中央部に２６ｍｍ×３２ｍｍの凸状平坦面を有し、この凸状平坦面における基材厚みは０．６２５ｍｍであり、その周囲の基材厚み０．５９５ｍｍとの間に０．０３ｍｍの段差を有するものであった。
　また、密着剤Ａとして、（３−アクリロキシプロピル）ジメチルメトキシシラン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）を準備した。この密着剤Ａについて、下記の条件でＮＭＲ分光法により１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲの経時変化を測定することにより、密着剤に経時的に生じる加水分解、脱水縮合の程度を判断し、保存安定性を評価して、結果を下記の表１に示した。
　（ＮＭＲ分光法の測定条件）
　日本電子（株）製　ＪＮＭ−ＬＡ４００ＷＢを用いて１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、シランカップリング剤重縮合の反応過程を解析した。共鳴周波数は、４００ＭＨｚおよび７９．３ＭＨｚとし、外部基準としてテトラメチルシランを用いた。
　（保存安定性の評価基準）
　　○：密着剤の容器を開封し、１ヶ月でメタノールが生成されておらず、保存安定性は良好
　　×：密着剤の容器を開封し、１ヶ月でメタノールが生成されており、保存安定性は不良
　上記の密着剤Ａを基材の凸状平坦面側にスピンコート法により塗布して接触させ、その後、洗浄液としてイソプロピルアルコールを用いてスピンコート法で基材の密着剤塗布面を洗浄した。その後、基材を８０℃に加熱して１０分間保持した。これにより、凸状平坦面に密着層を備えた転写基材を作製した。
　また、下記の条件で接触角の経時変化を測定することにより、形成後の密着層に経時的に生じる表面の劣化の程度を判断し、保存安定性を評価して、結果を下記の表１に示した。
　（接触角の測定条件）
　密着層上にマイクロシリンジから水滴を滴下し、１０秒後に協和界面科学（株）製　ＤＭ−７００型を用いて水に対する接触角を測定した。
　（保存安定性の評価基準）
　　○：密着層形成後、１週間の接触角変化が２°以下であり、保存安定性は良好
　　×：密着層形成後、１週間の接触角変化が２°を超えるものであり、保存安定性は不良
　作製した転写基材の密着層の表面における凸部（密着剤の凝集により生成したものと考えられる）の存在の有無を、下記の条件で原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により観察、評価して、結果を下記の表１に示した。
　（原子間力顕微鏡による評価条件）
　原子間力顕微鏡（ＳＩＩナノテクノロジー（株）製　Ｌ−ｔｒａｃｅ）を用い、密着層の０．０３ｍｍ×０．０３ｍｍの領域を測定し、高さ５ｎｍ以上の凸部の存在有無を評価した。高さ５ｎｍ以上の凸部は、転写欠陥の原因となりうるためである。
　（密着層表面の評価基準）
　　○：高さ５ｎｍ以上の凸部が存在しない
　　×：高さ５ｎｍ以上の凸部が存在する
＜充填工程＞
　厚み６．３５ｍｍの石英ガラス（４０ｍｍ×４０ｍｍ）の凹凸構造パターンの無い平坦なモールドを準備した。
　また、被加工物として下記組成の光硬化性樹脂を準備し、この被加工物の液滴を、上記の転写基材の密着層上の５×５箇所（計２５箇所）に０．５ｍｍピッチで供給し、その後、インプリント装置の基板ステージに載置した。次に、被加工物に上記のモールドを押し込み、転写形状部の凹凸構造に被加工物を充填した。
　（光硬化性樹脂の組成）
　　・イソボルニルアクリレート　　　　　　　　　　　　　　　…　３８重量％
　　・エチレングリコールジアクリレート　　　　　　　　　　　…　２０重量％
　　・ブチルアクリレート　　　　　　　　　　　　　　　　　　…　３８重量％
　　・２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…　　２重量％
　　・２−ペルフルオロデシルエチルアクリレート　　　　　　　…　　１重量％
　　・メチルペルフルオロオクタノレート　　　　　　　　　　　…　　１重量％
＜硬化工程＞
　モールドと転写基材との間に被加工物である光硬化性樹脂が存在する状態で、インプリント装置の照明光学系により紫外線をモールド側から１００ｍＪ／ｃｍ２照射した。これにより、光硬化性樹脂を硬化させた。
＜離型工程＞
　次に、硬化した被加工物からモールドを引き離し、転写面を形成した。
　密着剤Ｂとして、１，３−ビス（３−アクリロキシメチル）テトラメチルジシラザン（信越化学工業（株）製）を準備し、この密着剤Ｂを密着剤Ａに代えて使用した他は、実施例１と同様にして、被加工物にモールドの平坦面を転写形成した。
　使用した密着剤Ｂの保管安定性を、実施例１と同様に評価して、結果を下記の表１に示した。
　また、作製した転写基材の密着層の表面における凸部の存在の有無を、実施例１と同様に観察して、結果を下記の表１に示した。
［比較例１］
　密着剤Ｃとして、（３−アクリロキシメチル）トリメトキシシラン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）を準備し、この密着剤Ｃを密着剤Ａに代えて使用した他は、実施例１と同様にして、被加工物にモールドの平坦面を転写形成した。
　使用した密着剤Ｃの保管安定性を、実施例１と同様に評価して、結果を下記の表１に示した。
　また、作製した転写基材の密着層の表面における凸部の存在の有無を、実施例１と同様に観察して、結果を下記の表１に示した。
［比較例２］
　密着層形成工程において、洗浄液を用いた洗浄を実施しない他は、実施例１と同様にして、被加工物にモールドの平坦面を転写形成した。
　作製した転写基材の密着層の表面における凸部の存在の有無を、実施例１と同様に観察して、結果を下記の表１に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
 　表１に示されるように、本発明の密着剤である密着剤Ａ、Ｂは、保管安定性に優れることが確認された。また、実施例１、２において、密着剤Ａ、Ｂを用いて密着層を形成して作製した本発明の転写基材では、密着層の表面に凸部の存在が確認されず、また、基材の段差部位での密着層の盛り上がりがないことが確認された。このことから、基材表面に結合したケイ素原子と他の分子のケイ素原子との間で、縮合反応による結合を生じることが抑制されていることが確認され、また、洗浄によって、基材と未反応の密着剤が確実に除去されていることが確認された。さらに、実施例１、２において形成された転写面は、いずれも転写欠陥が発生せず、本発明のインプリント方法による良好なパターン形成（モールドの平坦面の転写）が行われたことが確認された。
　これに対して、密着剤Ｃは、保管安定性が劣るものであった。また、比較例１において、密着剤Ｃを用いて密着層を形成して作製した転写基材、および、比較例２において洗浄を行わずに密着層を形成して作製した転写基材では、密着層の表面に凸部の存在が確認された。
　インプリント技術を用いたパターン形成、微細加工に利用可能である。
　１，１１…転写基材
　２，１２…基材
　３，１３…密着層
　４…濡れ性変化層
　２１…モールド
　２２…転写形状部
　３１′…被加工物
　３１…硬化した被加工物

Claims (9)

  1. 　所望の形状の転写形状部を有するモールドと転写基材との間に被加工物を介在させ、該被加工物に前記転写形状部の形状を転写するインプリント方法において、
    　基材に密着層を形成して転写基材を作製する密着層形成工程と、
    　前記モールドと前記密着層との間に前記被加工物が介在するようして前記モールドと前記転写基材とを近接させ前記被加工物を前記転写形状部に充填する充填工程と、
    　前記被加工物を硬化させる硬化工程と、
    　前記被加工物から前記モールドを引き離す離型工程と、を有し、
    　前記密着層形成工程は、１個の加水分解性基と２個の不活性基とを有する４価の原子と該原子に結合した反応性官能基とを１分子中に有する化合物を含有する密着剤を、前記基材に接触させ、その後、洗浄する工程を有するものであることを特徴とするインプリント方法。
  2. 　前記密着層形成工程における洗浄は、極性溶媒を使用することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
  3. 　前記密着剤の前記４価の原子はケイ素であることを特徴とする請求項１または請求項２１に記載のインプリント方法。
  4. 基材と、該基材上に位置する密着層とを備えるインプリント用の転写基材において、
    　密着層は、酸素原子を介して前記基材に結合するとともに２個の不活性基とを有する４価の原子と、該原子に結合した反応性官能基と、を有することを特徴とする転写基材。
  5. 　隣接する前記４価の原子同士は結合していないことを特徴とする請求項４に記載の転写基材。
  6. 　前記４価の原子はケイ素であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の転写基材。
  7. 　インプリント方法に用いる転写基板に密着層を形成するための密着剤において、
    　１個の加水分解性基と２個の不活性基とを有する４価の原子と該原子に結合した反応性官能基とを１分子中に有する化合物を含むことを特徴とする密着剤。
  8. 　前記化合物は、下記式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項７に記載の密着剤。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
    　前記式（１）において、Ｒは加水分解性基であり、アルコキシ基を示し、Ｘ１、Ｘ２は不活性基であり、アルキル基を示し、これらは同一であっても異なってもよく、Ｙは反応性官能基であり、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、スルフィド基、アシル基、イソシアネート基、不飽和炭化水素基からなる群から選択される基を示し、ｎは１~１０の整数を示す。
  9. 　前記化合物は、下記式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項７に記載の密着剤。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000002
    　前記式（２）において、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６は不活性基であり、アルキル基を示し、これらは同一であっても異なってもよく、Ｙ１、Ｙ２は反応性官能基であり、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、スルフィド基、アシル基、イソシアネート基、不飽和炭化水素基からなる群から選択される基を示し、これらは同一であっても異なってもよく、ｎ１、ｎ２は１~１０の整数を示し、これらは同一であっても異なってもよい。
PCT/JP2011/073751 2010-10-21 2011-10-07 インプリント方法とこれに用いる転写基材および密着剤 WO2012053458A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020137008150A KR101797233B1 (ko) 2010-10-21 2011-10-07 임프린트 방법과 이것에 사용하는 전사 기재 및 밀착제
US13/880,507 US9375871B2 (en) 2010-10-21 2011-10-07 Imprint process, and transfer substrate and adhesive used therewith

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-236181 2010-10-21
JP2010236181A JP5218521B2 (ja) 2010-10-21 2010-10-21 インプリント方法とこれに用いる転写基材および密着剤

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012053458A1 true WO2012053458A1 (ja) 2012-04-26

Family

ID=45975171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/073751 WO2012053458A1 (ja) 2010-10-21 2011-10-07 インプリント方法とこれに用いる転写基材および密着剤

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9375871B2 (ja)
JP (1) JP5218521B2 (ja)
KR (1) KR101797233B1 (ja)
WO (1) WO2012053458A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014093385A (ja) * 2012-11-02 2014-05-19 Fujifilm Corp インプリント用密着膜の製造方法およびパターン形成方法
JP2015028978A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 大日本印刷株式会社 異物検出方法、インプリント方法及びインプリントシステム
JP6244742B2 (ja) * 2013-08-26 2017-12-13 大日本印刷株式会社 膜検査方法、インプリント方法、パターン構造体の製造方法、インプリント用のモールド、インプリント用の転写基板、および、インプリント装置
US10073341B2 (en) 2014-07-08 2018-09-11 Canon Kabushiki Kaisha Adhesion layer composition, method for forming film by nanoimprinting, methods for manufacturing optical component, circuit board and electronic apparatus
JP6712673B2 (ja) * 2017-02-28 2020-06-24 富士フイルム株式会社 インプリント用密着膜形成用組成物、密着膜、積層体、硬化物パターンの製造方法および回路基板の製造方法
TW201900704A (zh) * 2017-04-11 2019-01-01 日商富士軟片股份有限公司 組成物、密接膜、積層體、硬化物圖案之製造方法及電路基板之製造方法
EP3929658A1 (en) * 2020-06-23 2021-12-29 Koninklijke Philips N.V. Imprinting method and patterned layer

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0725907A (ja) * 1993-07-12 1995-01-27 Shin Etsu Chem Co Ltd アクリル官能性シラン化合物の重合禁止剤
JP2006255811A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 National Institute For Materials Science 単分子膜の形成方法
JP2008100378A (ja) * 2006-10-17 2008-05-01 Dainippon Printing Co Ltd パターン形成体の製造方法
JP2009067778A (ja) * 2007-08-21 2009-04-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 放射線重合性官能基含有オルガノシリルアミンの製造方法及び放射線重合性官能基含有オルガノシリルアミン
JP2010526426A (ja) * 2007-04-12 2010-07-29 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 接着プライマー層を利用するインプリント・リソグラフィーのための方法
WO2011013630A1 (ja) * 2009-07-29 2011-02-03 日産化学工業株式会社 ナノインプリント用レジスト下層膜形成組成物

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5908530A (en) * 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
KR100396469B1 (ko) * 2001-06-29 2003-09-02 삼성전자주식회사 반도체 장치의 게이트 전극 형성 방법 및 이를 이용한불휘발성 메모리 장치의 제조방법
US6899596B2 (en) * 2002-02-22 2005-05-31 Agere Systems, Inc. Chemical mechanical polishing of dual orientation polycrystalline materials
JP4154595B2 (ja) 2003-05-28 2008-09-24 ダイキン工業株式会社 インプリント加工用金型およびその製造方法
US7635263B2 (en) * 2005-01-31 2009-12-22 Molecular Imprints, Inc. Chucking system comprising an array of fluid chambers
US8557351B2 (en) 2005-07-22 2013-10-15 Molecular Imprints, Inc. Method for adhering materials together
US8846195B2 (en) 2005-07-22 2014-09-30 Canon Nanotechnologies, Inc. Ultra-thin polymeric adhesion layer
US7759407B2 (en) 2005-07-22 2010-07-20 Molecular Imprints, Inc. Composition for adhering materials together
US7766640B2 (en) * 2005-08-12 2010-08-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Contact lithography apparatus, system and method
JP4287421B2 (ja) * 2005-10-13 2009-07-01 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP2007144995A (ja) 2005-10-25 2007-06-14 Dainippon Printing Co Ltd 光硬化ナノインプリント用モールド及びその製造方法
JP5177430B2 (ja) * 2006-07-18 2013-04-03 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体、その製造方法および化学機械研磨方法
US7768628B2 (en) * 2006-10-12 2010-08-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Contact lithography apparatus and method
JP5037243B2 (ja) 2007-07-06 2012-09-26 富士フイルム株式会社 界面結合剤、該界面結合剤を含有するレジスト組成物、及び該界面結合剤からなる層を有する磁気記録媒体形成用積層体、並びに該界面結合剤を用いた磁気記録媒体の製造方法、及び該製造方法により製造された磁気記録媒体
US20100052216A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Yong Hyup Kim Nano imprint lithography using an elastic roller
US20100252103A1 (en) * 2009-04-03 2010-10-07 Chiu-Lin Yao Photoelectronic element having a transparent adhesion structure and the manufacturing method thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0725907A (ja) * 1993-07-12 1995-01-27 Shin Etsu Chem Co Ltd アクリル官能性シラン化合物の重合禁止剤
JP2006255811A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 National Institute For Materials Science 単分子膜の形成方法
JP2008100378A (ja) * 2006-10-17 2008-05-01 Dainippon Printing Co Ltd パターン形成体の製造方法
JP2010526426A (ja) * 2007-04-12 2010-07-29 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 接着プライマー層を利用するインプリント・リソグラフィーのための方法
JP2009067778A (ja) * 2007-08-21 2009-04-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 放射線重合性官能基含有オルガノシリルアミンの製造方法及び放射線重合性官能基含有オルガノシリルアミン
WO2011013630A1 (ja) * 2009-07-29 2011-02-03 日産化学工業株式会社 ナノインプリント用レジスト下層膜形成組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP5218521B2 (ja) 2013-06-26
US9375871B2 (en) 2016-06-28
KR20130123376A (ko) 2013-11-12
US20130270741A1 (en) 2013-10-17
JP2012086484A (ja) 2012-05-10
KR101797233B1 (ko) 2017-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5218521B2 (ja) インプリント方法とこれに用いる転写基材および密着剤
JP5399374B2 (ja) 接着プライマー層を利用するインプリント・リソグラフィーのための方法
JP5879086B2 (ja) ナノインプリント用複製モールド
TWI515513B (zh) 奈米壓印用光阻下層膜形成組成物
KR101552526B1 (ko) 3차원 패턴 형성 재료
JP5891814B2 (ja) パターン構造体の製造方法とこれに使用するパターン形成用基材
JP5362186B2 (ja) ナノインプリント用樹脂組成物
TW201410442A (zh) 表面具有微細圖案的物品之製造方法
TW201819442A (zh) 光壓印用硬化性組成物及使用其之圖案轉印方法
JP6008628B2 (ja) 光硬化性ナノインプリント用組成物を用いたパターンの製造方法
US20110165412A1 (en) Adhesion layers in nanoimprint lithograhy
JP7472904B2 (ja) インプリント用光硬化性樹脂組成物、インプリント用光硬化性樹脂組成物の製造方法、およびパターン形成体の製造方法
JP2012183753A (ja) ナノインプリント方法
KR101321104B1 (ko) 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법
CN114514469B (zh) 压印方法和图案化层
CN114222662B (zh) 用于纳米刻蚀的印模材料
KR101930075B1 (ko) 나프티네이트계 광경화성 무기물 전구체 조성물 및 이를 이용한 패턴 전사 방법
TW202216801A (zh) 壓印用底塗層形成組合物
Pina Novel organosilicone materials and patterning techniques for nanoimprint lithography

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11834298

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137008150

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13880507

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11834298

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1