JP2012140620A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012140620A5
JP2012140620A5 JP2011287304A JP2011287304A JP2012140620A5 JP 2012140620 A5 JP2012140620 A5 JP 2012140620A5 JP 2011287304 A JP2011287304 A JP 2011287304A JP 2011287304 A JP2011287304 A JP 2011287304A JP 2012140620 A5 JP2012140620 A5 JP 2012140620A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluoroalkyl
alkyl
combination
polymer unit
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011287304A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012140620A (ja
JP5941280B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JP2012140620A publication Critical patent/JP2012140620A/ja
Publication of JP2012140620A5 publication Critical patent/JP2012140620A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5941280B2 publication Critical patent/JP5941280B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

第3重合単位は塩基可溶性官能基を有する極性10−30 塩基可溶性モノマーから形成されうる。塩基可溶性官能基は、ヘキサフルオロイソプロパノール基および場合によってはヒドロキシのような第2の極性基を有する環式アルキル基もしくは多環式アルキル基のオレフィンエステル、または塩基可溶性官能基としてヘキサフルオロイソプロパノール基もしくはフェノール性ヒドロキシ基を有する芳香族基のオレフィンエステルもしくはビニル芳香族であることができる。

Claims (2)

  1. 第2重合単位が下記:
    Figure 2012140620
    (式中、RはH、F、C1−6アルキルもしくはC1−6フルオロアルキルである)の酸感受性モノマー、または、前記の少なくとも1種を含む組み合わせから形成され、並びに
    第3重合単位が下記:
    Figure 2012140620
    (式中、R10はH、F、C1−6アルキルもしくはC1−6フルオロアルキルである)
    から選択される極性モノマー、または、前記の少なくとも1種を含む組み合わせから形成される請求項に記載のコポリマー。
  2. 請求項に記載のコポリマーを含むフォトレジスト組成物。
JP2011287304A 2010-12-31 2011-12-28 重合性光酸発生剤 Active JP5941280B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201061429009P 2010-12-31 2010-12-31
US61/429,009 2010-12-31

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012140620A JP2012140620A (ja) 2012-07-26
JP2012140620A5 true JP2012140620A5 (ja) 2012-12-20
JP5941280B2 JP5941280B2 (ja) 2016-06-29

Family

ID=45491311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011287304A Active JP5941280B2 (ja) 2010-12-31 2011-12-28 重合性光酸発生剤

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8900792B2 (ja)
EP (1) EP2472323A3 (ja)
JP (1) JP5941280B2 (ja)
KR (1) KR101428023B1 (ja)
CN (1) CN102603579B (ja)
TW (1) TWI506013B (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2472323A3 (en) 2010-12-31 2013-01-16 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Polymerizable photoacid generators
EP2472322A2 (en) * 2010-12-31 2012-07-04 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoacid generating monomer and precursor thereof
JP5978137B2 (ja) * 2012-02-23 2016-08-24 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP6297269B2 (ja) * 2012-06-28 2018-03-20 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC ポリマー組成物、このポリマー組成物を含むフォトレジスト、およびこのフォトレジストを含むコーティングされた物品
JP6031420B2 (ja) * 2012-08-31 2016-11-24 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 光酸発生剤を含む末端基を含むポリマー、前記ポリマーを含むフォトレジストおよびデバイスの製造方法
US9017934B2 (en) 2013-03-08 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist defect reduction system and method
US9543147B2 (en) 2013-03-12 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of manufacture
US9502231B2 (en) 2013-03-12 2016-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist layer and method
US8932799B2 (en) 2013-03-12 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9175173B2 (en) 2013-03-12 2015-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Unlocking layer and method
US9256128B2 (en) 2013-03-12 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9245751B2 (en) 2013-03-12 2016-01-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-reflective layer and method
US9354521B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9110376B2 (en) 2013-03-12 2015-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
JP5812030B2 (ja) * 2013-03-13 2015-11-11 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US9117881B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
JP6093614B2 (ja) * 2013-03-25 2017-03-08 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US9341945B2 (en) 2013-08-22 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of formation and use
US10036953B2 (en) 2013-11-08 2018-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist system and method
US10095113B2 (en) 2013-12-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method
US9182669B2 (en) * 2013-12-19 2015-11-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Copolymer with acid-labile group, photoresist composition, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9229319B2 (en) * 2013-12-19 2016-01-05 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid-generating copolymer and associated photoresist composition, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9581901B2 (en) * 2013-12-19 2017-02-28 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid-generating copolymer and associated photoresist composition, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9761449B2 (en) 2013-12-30 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gap filling materials and methods
KR20150086050A (ko) * 2014-01-17 2015-07-27 동우 화인켐 주식회사 신규의 설포닐이미드 염화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광산 발생제 및 감광성 수지 조성물
US9599896B2 (en) 2014-03-14 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9581908B2 (en) 2014-05-16 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
US9244345B1 (en) 2014-11-06 2016-01-26 International Business Machines Corporation Non-ionic photo-acid generating polymers for resist applications
US11613519B2 (en) 2016-02-29 2023-03-28 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid-generating monomer, polymer derived therefrom, photoresist composition including the polymer, and method of forming a photoresist relief image using the photoresist composition
JP6780602B2 (ja) * 2017-07-31 2020-11-04 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法
JP7410943B2 (ja) 2018-11-02 2024-01-10 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. Pagが固定された表面上でのボトムアップ絶縁保護コーティングおよびフォトパターニング
JP7226095B2 (ja) * 2019-05-24 2023-02-21 信越化学工業株式会社 オニウム塩化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法
CN114262404B (zh) * 2020-09-16 2023-06-30 宁波南大光电材料有限公司 光敏树脂及应用该光敏树脂的光刻胶组合物
WO2022056700A1 (zh) * 2020-09-16 2022-03-24 宁波南大光电材料有限公司 光敏树脂及应用该光敏树脂的光刻胶组合物
CN113173870A (zh) * 2021-03-18 2021-07-27 河北凯诺中星科技有限公司 一种樟脑磺酸对苯碘鎓盐的制备方法
US20220397827A1 (en) * 2021-05-28 2022-12-15 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Composition for photoresist underlayer

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2964557A (en) 1958-03-13 1960-12-13 Rohm & Haas Method for preparing salts of sulfoalkyl methacrylates
JPS4936214B1 (ja) 1970-01-28 1974-09-28
JP3613491B2 (ja) 1996-06-04 2005-01-26 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
US7008749B2 (en) * 2001-03-12 2006-03-07 The University Of North Carolina At Charlotte High resolution resists for next generation lithographies
US7833690B2 (en) 2001-11-05 2010-11-16 The University Of North Carolina At Charlotte Photoacid generators and lithographic resists comprising the same
JP2006219419A (ja) 2005-02-10 2006-08-24 Asahi Kasei Corp パーフルオロビニルエーテルモノマーの製造法
KR101266564B1 (ko) * 2005-08-03 2013-05-22 제이에스알 가부시끼가이샤 도금 조형물 제조용 포지티브형 감방사선성 수지 조성물,전사 필름 및 도금 조형물의 제조 방법
US7956142B2 (en) 2006-11-10 2011-06-07 Jsr Corporation Polymerizable sulfonic acid onium salt and resin
TWI416253B (zh) 2006-11-10 2013-11-21 Jsr Corp 敏輻射線性樹脂組成物
US7776510B2 (en) 2007-06-13 2010-08-17 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator
JP5066405B2 (ja) 2007-08-02 2012-11-07 富士フイルム株式会社 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
WO2009019793A1 (ja) * 2007-08-09 2009-02-12 Jsr Corporation パターン形成方法並びにそれに用いられる感放射線性樹脂組成物及び感放射線性酸発生基含有樹脂
JP5347349B2 (ja) * 2007-09-18 2013-11-20 セントラル硝子株式会社 2−ブロモ−2,2−ジフルオロエタノール及び2−(アルキルカルボニルオキシ)−1,1−ジフルオロエタンスルホン酸塩類の製造方法
JP5131482B2 (ja) * 2008-02-13 2013-01-30 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4998746B2 (ja) * 2008-04-24 2012-08-15 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩を含む高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
WO2009152276A2 (en) * 2008-06-10 2009-12-17 University Of North Carolina At Charlotte Photoacid generators and lithographic resists comprising the same
JP5313579B2 (ja) 2008-07-24 2013-10-09 関東電化工業株式会社 新規なフッ素化された1,2−オキサチオラン2,2−ジオキシドの製造方法
JP5481046B2 (ja) 2008-08-13 2014-04-23 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤
JP5841707B2 (ja) * 2008-09-05 2016-01-13 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物、該組成物を用いたパターン形成方法及び該組成物に用いられる樹脂
JP5401910B2 (ja) * 2008-10-17 2014-01-29 セントラル硝子株式会社 重合性アニオンを有する含フッ素スルホン塩類とその製造方法、含フッ素樹脂、レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5417150B2 (ja) * 2008-12-18 2014-02-12 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、それを用いたパターン形成方法、及び樹脂
TWI485511B (zh) * 2009-03-27 2015-05-21 Jsr Corp 敏輻射線性樹脂組成物及聚合物
JP5851688B2 (ja) * 2009-12-31 2016-02-03 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC 感光性組成物
JP5597460B2 (ja) * 2010-01-05 2014-10-01 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
EP2472323A3 (en) 2010-12-31 2013-01-16 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Polymerizable photoacid generators

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012140620A5 (ja)
JP2015507065A5 (ja)
EA201691318A1 (ru) Блок-сополимер и клеевая композиция
WO2015000969A3 (de) Verwendung einer gelförmigen polymerzusammensetzung, erhältlich durch polymerisation eines säuregruppenhaltigen monomers in gegenwart einer polyetherverbindung in formulierungen für die maschinelle geschirrreinigung
JP2015513788A5 (ja)
CO6620039A2 (es) Composiciones de catalizador para producir poliolefinas de alt mz/mw
JP2016505673A5 (ja)
JP2016534899A5 (ja)
JP2013010096A5 (ja)
JP2014518311A5 (ja)
JP2012532043A5 (ja)
JP2017039909A5 (ja)
WO2015055252A9 (en) Vinylsilanes for use in functionalized elastomeric polymers
JP2018506613A5 (ja)
JP2017505361A5 (ja)
AR075230A1 (es) Iniciadores multifuncionales azo para polimerizaciones de radicales libres: metodos de preparacion.
RU2016121713A (ru) Композиция высоконасыщенного сополимерного каучука, содержащего нитрильные группы, и сшитый каучук
JP2016188237A5 (ja)
JP2014043565A5 (ja)
JP2012233099A5 (ja)
JP2015508184A5 (ja)
JP2019500454A5 (ja)
WO2015051326A8 (en) Polymer engineered regenerating bioscavengers
JP2007186709A5 (ja)
TW201614007A (en) Composition for forming silica layer, silica layer, and electronic device