JP2015513788A5 - - Google Patents
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- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims 8
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- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
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Claims (2)
- a)基板に表面剤を塗布することにより、基板上に改質表面を形成し、前記改質表面は、第1表面エネルギーを特徴とするステップ;
b)前記改質表面にエネルギーを印加することにより、少なくともイメージ化部分と非イメージ化部分を有するイメージ化改質表面を形成し、前記イメージ化部分が、第2表面エネルギーを有する、ステップ;
c)前記イメージ化改質表面とブロックコポリマー組成物を接触させることにより、第1表面エネルギー及び第2表面エネルギーの少なくとも1つに基づいて選択されたパターンを形成するステップ
を含む方法であって、
前記ブロックコポリマーが、
1)モノマー1
の重合から得られる第1ブロック;及び
2)第1ブロックに共有結合した第2ブロックであって、第2ブロックは、モノマー2
の重合から得られる、第2ブロック
を含み、
−モノマー1及びモノマー2は、モノマー1のホモポリマーとモノマー2のホモポリマーの全表面エネルギー値同士の差が10ダイン/cmを超えるように選択され;
−前記第1ブロックは、5〜95質量%のブロックコポリマーを含み;
−前記ブロックコポリマーの分子量は、5,000〜250,000であり;
−前記組成物は、5質量%未満のモノマー1のホモポリマーと5質量%未満のモノマー2のホモポリマーを含む、方法。 - a)基板上に1つ又は複数の誘導構造体を作製することにより、改質表面を形成するステップ、
b)前記表面誘導構造体をブロックコポリマーと接触させるステップ
を含む方法であって、
前記ブロックコポリマーが、
1)モノマー1
の重合から得られる第1ブロック;及び
2)第1ブロックに共有結合した第2ブロックであって、モノマー2
、C1〜C4アルコキシ基、フェニル、置換フェニル、−SiR’3、及び−OC(O)OR’からなる群から選択される置換基を含むフェニル基であり、ここで、R’は、C1〜C8アルキル基からなる群から選択される);
の重合から得られる、第2ブロック
を含み、
−モノマー1及びモノマー2は、モノマー1のホモポリマーとモノマー2のホモポリマーの全表面エネルギー値同士の差が10ダイン/cmを超えるように選択され;
−前記第1ブロックは、前記ブロックコポリマーの5〜95質量%を含み;
−前記ブロックコポリマーの分子量は、5,000〜250,000であり;
−前記組成物は、5質量%未満のモノマー1のホモポリマーと5質量%未満のモノマー2のホモポリマーを含む、方法。
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