JP2015513788A5 - - Google Patents

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JP2015513788A5
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Claims (2)

  1. a)基板に表面剤を塗布することにより、基板上に改質表面を形成し、前記改質表面は、第1表面エネルギーを特徴とするステップ;
    b)前記改質表面にエネルギーを印加することにより、少なくともイメージ化部分と非イメージ化部分を有するイメージ化改質表面を形成し、前記イメージ化部分が、第2表面エネルギーを有する、ステップ;
    c)前記イメージ化改質表面とブロックコポリマー組成物を接触させることにより、第1表面エネルギー及び第2表面エネルギーの少なくとも1つに基づいて選択されたパターンを形成するステップ
    を含む方法であって、
    前記ブロックコポリマーが、
    1)モノマー1
    Figure 2015513788
    (Xは、H又はメチルであり、Rは、任意選択でヒドロキシル若しくは保護ヒドロキシル基により置換され、また任意選択でエーテル結合を含む、C〜Cアルキル及び部分的フッ素化アルキル基、並びにC〜Cシクロアルキル基からなる群から選択される)
    の重合から得られる第1ブロック;及び
    2)第1ブロックに共有結合した第2ブロックであって、第2ブロックは、モノマー2
    Figure 2015513788
    (Arは、ピリジル基、フェニル基、又はヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アセトキシ、C〜Cアルコキシ基、フェニル、置換フェニル、−SiR’、及び−OC(O)OR’からなる群から選択される置換基を含むフェニル基であり、ここで、R’は、C〜Cアルキル基からなる群から選択される);
    の重合から得られる、第2ブロック
    を含み、
    −モノマー1及びモノマー2は、モノマー1のホモポリマーとモノマー2のホモポリマーの全表面エネルギー値同士の差が10ダイン/cmを超えるように選択され;
    −前記第1ブロックは、5〜95質量%のブロックコポリマーを含み;
    −前記ブロックコポリマーの分子量は、5,000〜250,000であり;
    −前記組成物は、5質量%未満のモノマー1のホモポリマーと5質量%未満のモノマー2のホモポリマーを含む、方法。
  2. a)基板上に1つ又は複数の誘導構造体を作製することにより、改質表面を形成するステップ、
    b)前記表面誘導構造体をブロックコポリマーと接触させるステップ
    を含む方法であって、
    前記ブロックコポリマーが、
    1)モノマー1
    Figure 2015513788
    (Xは、H又はメチルであり、Rは、任意選択でヒドロキシル若しくは保護ヒドロキシル基により置換され、また任意選択でエーテル結合を含む、C〜Cアルキル及び部分的フッ素化アルキル基、並びにC〜Cシクロアルキル基からなる群から選択される)
    の重合から得られる第1ブロック;及び
    2)第1ブロックに共有結合した第2ブロックであって、モノマー2
    Figure 2015513788
    (Arは、ピリジル基、フェニル基、又はヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アセトキシ
    、C〜Cアルコキシ基、フェニル、置換フェニル、−SiR’、及び−OC(O)OR’からなる群から選択される置換基を含むフェニル基であり、ここで、R’は、C〜Cアルキル基からなる群から選択される);
    の重合から得られる、第2ブロック
    を含み、
    −モノマー1及びモノマー2は、モノマー1のホモポリマーとモノマー2のホモポリマーの全表面エネルギー値同士の差が10ダイン/cmを超えるように選択され;
    −前記第1ブロックは、前記ブロックコポリマーの5〜95質量%を含み;
    −前記ブロックコポリマーの分子量は、5,000〜250,000であり;
    −前記組成物は、5質量%未満のモノマー1のホモポリマーと5質量%未満のモノマー2のホモポリマーを含む、方法。
JP2014556769A 2012-02-10 2013-02-11 高度xジブロックコポリマーの製造、精製及び使用 Abandoned JP2015513788A (ja)

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