JP2012134570A - 描画方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】設計データから描画データを作成し所定の基板上に描画する描画方法において、設計データのパターン図形を複数の描画基本図形の単位に分解し、該基本図形の外周を線分と頂点で表現した閉図形として定義し、前記線分を基準に閉図形の外側か内側のいずれかに、または外側と内側の両方に、線分に沿った任意の幅の帯状の輪郭部を定義し、かつ輪郭部の内側を内側部として定義し、各々の図形定義を一つの描画データフォーマット上で表現して描画データとし、輪郭部を照射面積の小さい可変成形電子線の小ショットまたは微小スポットの電子線で描画し、内側部を照射面積の大きいレーザまたは可変成形電子線の大ショットで描画することを特徴とする。
【選択図】図3
Description
特許文献1に記載された発明は、描画データとして、最大描画グリッドで表現したパターン内部データと細かな描画グリッドで表現したパターンエッジデータとの別々の描画データを用いて描画を行っている。特許文献2に記載された発明は、図形を太らせたり、細らせたり、減算することにより二種類のマスクパターンを発生させて二つの描画データを得ている。また、特許文献3には、レーザ露光(描画)において図形の細らせ処理と太らせ処理を行なって露光する露光方法が記載されている。
次に、本発明の描画データの形成方法および描画方法について、さらに詳しく説明する。
図3は、本発明の描画データの作成方法、および描画方法の第1の実施形態を示す説明図であり、閉図形の一例として四角形の内側に輪郭部を設けた場合である。
先ず、図3(a)に示すように、設計データのパターン図形を描画基本図形に分解し、四角形状の描画基本図形の外周を線分(破線のライン)と4点((Xa,Ya)〜(Xd,Yd))で表現した閉図形として定義する。
上記の各定義は、描画データ中に定義するか、または描画装置の描画パラメタでも指定が可能とする。
図4は、本発明の描画データの作成方法、および描画方法の第2の実施形態を示す説明図であり、閉図形の外側に輪郭部を設けた場合である。
先ず、図4(a)に示すように、設計データのパターン図形を描画基本図形に分解し、四角形状の描画基本図形の外周を線分(破線のライン)と4点((Xa,Ya)〜(Xd,Yd))で表現した閉図形として定義する。
上記の各定義は、描画データ中に定義するか、または描画装置の描画パラメータでも指定が可能とする。
図5は、本発明の描画データの作成方法、および描画方法の第3の実施形態を説明するためのフローチャートである。フォトマスクの設計データ51としては、実施形態1および2と同じく、通常、レイアウトデータを多角形(ポリゴン)で表現したGDSIIデータが用いられる。図5に示す描画データ変換52において、設計データ51としてのポリゴンパターンは、基本図形である複数の四角形あるいは三角形の単位に分解される。
本実施形態はサイジングを行う場合であって、2つの場合について以下に説明する。
図7は、本実施形態の第2の場合を示す説明図であり、閉図形の一例として四角形の内側に輪郭部を設けた場合である。図7(a)に示すように、基本図形の外周を線分(破線のライン)と、例えば、4点の頂点(Xa,Ya)〜(Xd,Yd)で表現した閉図形として定義する。
12、52 描画データ変換
13 輪郭部と内側部のパターンの描画データ
14、15、54 描画装置
53 サイジング量定義つきパターンの描画データ
81、101、111 設計データ
82、102、112 描画データ変換
83 輪郭部のみのパターンの描画データ
84 内側部のみのパターンの描画データ
85、86、104 描画装置
103 サイジング済みのパターンの描画データ
Claims (2)
- 設計データから電子線またはレーザ描画装置の描画データを作成し所定の基板上に描画する描画方法において、
前記設計データのパターン図形を複数の描画基本図形の単位に分解し、該基本図形の外周を線分と頂点で表現した閉図形として定義し、
前記線分を基準に前記閉図形の外側か内側のいずれかに、または外側と内側の両方に、前記線分に沿った任意の幅の帯状の輪郭部を定義し、かつ前記輪郭部の内側を内側部として定義し、
前記各々の図形定義を一つの描画データフォーマット上で表現して描画データとし、
前記輪郭部を照射面積の小さい可変成形電子線の小ショットまたは微小スポットの電子線で描画し、前記内側部を照射面積の大きいレーザまたは可変成形電子線の大ショットで描画することを特徴とする描画方法。 - 設計データから電子線またはレーザ描画装置の描画データを作成し所定の基板上に描画する描画方法において、
前記設計データのパターン図形を複数の描画基本図形の単位に分解し、該基本図形の外周を線分と頂点で表現した閉図形として定義し、
前記線分を基準に前記閉図形の外側か内側のいずれかに、前記線分に沿った任意の幅の帯状の輪郭部をサイジング部として固定、または可変と定義し、かつ前記輪郭部の内側を内側部として定義し、
前記各々の図形定義を一つの描画データフォーマット上で表現して描画データとし、
前記描画装置にて、前記描画データ中に前記輪郭部を固定と定義されたサイジング部としてそのまま描画するか、または描画時に可変としたい時には、前記輪郭部をサイジング量として描画パラメータにて指定して描画することを特徴とする描画方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012134570A true JP2012134570A (ja) | 2012-07-12 |
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JP (1) | JP2012134570A (ja) |
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