JP2012131988A - ポリマー、フォトレジスト組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】側鎖に環状アセタール骨格を有するポリマー。該ポリマーと光酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物。ポリマーが、側鎖に環状アセタール骨格を有する(メタ)アクリル酸エステルの重合体である。フォトレジストでコーティングされた基体、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法。基体と、当該基体の表面上のフォトレジスト組成物の層とを含むコーティングされた基体。
【選択図】図2
Description
のモノマーから形成される第1の単位、並びにラクトン部分を含む第2の単位を含む。
本明細書において記載される方法によって形成される電子デバイスも提供される。
本発明のポリマーは環構造およびアセタール基を有する部分を含むモノマーから形成される第1の単位を含む。アセタール基の特徴である2つの酸素原子およびこれら酸素原子に結合した第二級炭素原子(「アセタール第二級炭素原子」)は、環構造の部分を形成する。このアセタール第二級炭素原子に結合するものは、この環構造にペンダントな2つの基の形態を取りうる構造か、またはこのアセタール第二級炭素原子と一緒になって環構造の形態を取りうる構造である。ペンダント基と一緒になったこのアセタール第二級炭素原子は酸不安定(acid labile)であり、活性化放射線への露光および熱処理の際に光酸推進脱保護反応を受ける。もたらされるアセタール第二級炭素原子およびペンダント基の開裂は、元のアセタール酸素原子を有するヒドロキシ基の形成をもたらすと考えられる。これは、レジスト層を現像するのに使用される有機溶媒中でのポリマーの可溶性をより低くし、ネガ型像の形成を可能にする。
本発明の好ましいフォトレジスト組成物はネガティブトーン(negative tone)現像プロセスにおいて非常に微細なパターンを形成するために使用される場合に、従来のポジティブトーンフォトリソグラフィ技術と比較して、解像度、上部損失(top loss)、パターン崩壊、焦点寛容度(focus latitude)、露光寛容度(exposure latitude)、フォトスピードおよび不具合(defectivity)の1以上の改良を提供することができる。好ましいフォトレジストは、ラインおよびコンタクトホールについて形状が均一なレジストパターンを提供することができる。本明細書に記載される組成物はドライリソグラフィまたは液浸リソグラフィプロセスにおいて使用されうる。
フォトレジスト組成物は上述のようなマトリックスポリマーを含む。フォトレジスト組成物の層の要素としてのマトリックスポリマーは、ソフトベーク、活性化放射線への露光、並びに露光後ベークの後の、光酸発生剤から生じた酸との反応の結果として、有機現像剤中での溶解度の変化を受ける。
感光性組成物は、活性化放射線への露光の際に組成物の塗膜層中に潜像を生じさせるのに充分な量で使用される光酸発生剤(PAG)をさらに含む。例えば、光酸発生剤はフォトレジスト組成物の全固形分を基準にして約1〜20重量%の量で好適に存在しうる。典型的には、化学増幅型ではない材料と比較して、より少ない量のPAGが化学増幅型レジストのためには好適であろう。
本発明のフォトレジスト組成物に好適な溶媒には、例えば、グリコールエーテル、例えば、2−メトキシエチルエーテル(ジグリム)、エチレングリコールモノメチルエーテル、およびプロピレングリコールモノメチルエーテル;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート;乳酸エステル、例えば、乳酸メチルおよび乳酸エチル;プロピオン酸エステル、例えば、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、エチルエトキシプロピオナート、およびメチル−2−ヒドロキシイソブチラート;セロソルブエステル、例えば、メチルセロソルブアセタート;芳香族炭化水素、例えば、トルエンおよびキシレン;並びにケトン、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンおよび2−ヘプタノンが挙げられる。溶媒のブレンド、例えば、上述の溶媒の2種類、3種類もしくはそれより多い種類のブレンドも好適である。溶媒はフォトレジスト組成物の全重量を基準にして典型的には90〜99重量%、より典型的には95〜98重量%の量で組成物中に存在する。
フォトレジスト組成物は他の任意材料を含むこともできる。例えば、組成物は化学線およびコントラスト染料(actinic and contrast dyes)、ストリエーション防止剤(anti−striation agents)、可塑剤、速度向上剤、増感剤などの1種以上を含むことができる。このような任意の添加剤は、使用される場合には、典型的には、フォトレジスト組成物の全固形分を基準にして0.1〜10重量%のような少量で組成物中に存在する。
本発明に従って使用されるフォトレジストは既知の手順に従って一般的に製造される。例えば、本発明のフォトレジスト組成物は、フォトレジストの成分を溶媒成分中に溶解させることにより製造されうる。フォトレジストの望まれる全固形分量は組成物中の具体的なポリマー、最終層厚さおよび露光波長などの要因に応じて変化しうる。典型的には、フォトレジストの固形分量は、フォトレジスト組成物の全重量を基準にして1〜10重量%、より典型的には2〜5重量%である。
本発明は、本発明のフォトレジストを用いてフォトレジストレリーフ像を形成する方法および電子デバイスを製造する方法をさらに提供する。本発明は、本発明のフォトレジスト組成物でコーティングされた基体を含む新規製造物品も提供する。本発明に従う方法は、ここで図1A〜Eを参照して説明され、この図1A〜Eは、ネガティブトーン現像によってフォトリソグラフィパターンを形成するための代表的なプロセスフローを示す。
DL−1,2−イソプロピリデングリセリン(98%、528g、4.0mol)、無水トリエチルアミン(600ml)および無水塩化メチレン(1600ml)の溶液に、0℃で、無水塩化メチレン(200ml)中の塩化メタクリロイル(438.9g、4.2mol)を40分間にわたって滴下添加した。機械式スターラーを用いてこの混合物は、室温で2.5時間、激しく攪拌された。白色沈殿物がろ過により除去された。薄黄色溶液が蒸留水で2回(2×1500ml)、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液で2回(2×1500ml)、次いで蒸留水(1500ml)で再び洗浄された。無水硫酸マグネシウムを用いてこの溶液は30分間乾燥させられた。この溶液はろ紙を通してろ過され、硫酸マグネシウム相は無水塩化メチレンで5回(5×100ml)洗浄された。全ての有機相が一緒にされた。ヒドロキノン結晶(150mg)が禁止剤として添加され、ロータリーエバポレータを用いて25℃で溶媒が除去された。得られた薄黄色オイルが無水THFに再溶解させられ、シリカゲルのプラグを通された。別のバッチのヒドロキノン結晶(75mg)が添加され、減圧下、25℃で溶媒が除去されて、わずかに黄色のオイルを得て、これは痕跡量の溶媒を除去するために室温で48時間真空下で乾燥させられた。667.5gの黄色がかったオイルが得られた(83.3%収率)。1H NMR(500MHz、CDCl3)δ1.34(s,6H)、1.41(s,3H)、1.95(s,3H)、3.78(m,1H)、4.03(m,1H)、4.19(d,2H)、4.32(m,1H)、5.54(s,1H)、6.13(s,1H)。
15.77gのIPGPMA、6.54gのα−GBLMAおよび2.69gのMNLMAを31gのPGMEAに溶解させた。この混合物を窒素での20分間のバブリングによって脱ガスした。凝縮器、窒素入口および機械式攪拌装置を備えた500mLのフラスコに18gのPGMEAを入れ、この溶液を80℃の温度にした。1.0gのPGMEAに溶解した1.03gのV601(ジメチル−2,2−アゾジイソブチラート)をこのフラスコに入れた。モノマー溶液をこの反応器に13.0mL/hの速度で供給した。1時間後、1.0gのPGMEAに溶解した0.52gのV−601をこの反応器に添加し、さらに3時間の間モノマー供給を行った。モノマー供給が完了した後、重合混合物をさらに3時間80℃で攪拌した。合計7時間の重合時間の(4時間の供給および3時間の攪拌)後、重合混合物を室温に冷却した。1.0Lのイソプロピルアルコール中で沈殿が行われた。ろ過後、ポリマーを乾燥させ、52gのTHFに再溶解し、1.1Lのイソプロピルアルコールに再沈殿させ、ろ過し、真空オーブン中45℃で48時間乾燥させ、18.0gの以下の「ポリマーA」(Mw=15,239およびMw/Mn=1.84)を得た:
15.77gのIPGPMA、6.54gのα−GBLMAおよび2.69gのMNLMAを31gのPGMEAに溶解させた。この混合物を窒素での20分間のバブリングによって脱ガスした。凝縮器、窒素入口および機械式攪拌装置を備えた500mLのフラスコに18gのPGMEAを入れ、この溶液を80℃の温度にした。1.0gのPGMEAに溶解した1.03gのV601(ジメチル−2,2−アゾジイソブチラート)をこのフラスコに入れた。モノマー溶液をこの反応器に13.0mL/hの速度で供給した。1時間後、1.0gのPGMEAに溶解した0.52gのV−601をこの反応器に添加し、さらに3時間の間モノマー供給を行った。モノマー供給が完了した後、重合混合物をさらに3時間80℃で攪拌した。合計7時間の重合時間の(4時間の供給および3時間の攪拌)後、重合混合物を室温に冷却した。1.0Lのイソプロピルアルコール中で沈殿が行われた。ろ過後、ポリマーを乾燥させ、52gのTHFに再溶解し、1.1Lのイソプロピルアルコールに再沈殿させ、ろ過し、真空オーブン中45℃で48時間乾燥させ、18.5gの以下の「ポリマーB」(Mw=14,378およびMw/Mn=1.75)を得た:
20.410gのIPGMA、13.876gのα−GBLMAおよび5.714gのMNLMAを40gのPGMEAに溶解させた。この混合物を窒素での20分間のバブリングによって脱ガスした。凝縮器、窒素入口および機械式攪拌装置を備えた500mLのフラスコに53.001gのPGMEAを入れ、この溶液を80℃の温度にした。8.000gのPGMEAに溶解した3.286gのV601(ジメチル−2,2−アゾジイソブチラート)をこのフラスコに入れた。モノマー溶液をこの反応器に26.7.00mL/hの速度で供給した。モノマー供給が完了した後、重合混合物をさらに1時間80℃で攪拌した。合計4時間の重合時間の(3時間の供給および1時間の攪拌)後、重合混合物を室温に冷却した。1.6Lのイソプロピルアルコール中で沈殿が行われた。ろ過後、ポリマーを乾燥させ、91gのTHFに再溶解し、1.6Lのイソプロピルアルコールに再沈殿させ、ろ過し、真空オーブン中60℃で48時間乾燥させ、36.7gの以下の「ポリマーC」(Mw=13,094およびMw/Mn=2.01)を得た:
13.01gのメタクリル酸n−ブチル(nBMA)を7gのTHFに溶解させた。この混合物を窒素での20分間のバブリングによって脱ガスした。凝縮器、窒素入口および機械式攪拌装置を備えた500mLのフラスコに8gのTHFを入れ、この溶液を67℃の温度にした。2.11gのV601(ジメチル−2,2−アゾジイソブチラート、モノマーに対して10.0モル%)が2gのTHFに溶解させられ、このフラスコに入れられた。モノマー溶液をこの反応器に6.29mL/hの速度で供給した。モノマー供給は3時間30分間行われた。モノマー供給が完了した後、重合混合物をさらに30分間67℃で攪拌した。合計4時間の重合時間の(3時間30分間の供給および30分間の攪拌)後、7gのTHFを反応器に添加し、重合混合物を室温に冷却した。0.4Lの冷メタノール中で沈殿が行われた。ろ過後、真空オーブン中60℃で48時間ポリマーを乾燥させ、8.4gの以下の「添加剤A」(Mw=12,284およびMw/Mn=1.79)を得た:
例1(比較)
3.050gのポリマーAおよび0.102gの添加剤Aを28.980gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート(PGMEA)、19.320gのシクロヘキサノンおよび48.300gのメチル−2−ヒドロキシイソブチラート中に溶解させた。この混合物に0.232gの以下に記載の「PAG A」、0.010gの1−(tert−ブトキシカルボニル)−4−ヒドロキシピペリジン、および0.005gのPOLYFOX(登録商標)PF−656界面活性剤(オムノバソリューションズインコーポレーティド;Omnova Solutions Inc.)を添加した。得られた混合物をローラー上で6時間ロールし、次いで0.2ミクロン孔サイズを有するテフロン(登録商標)フィルターを通して濾過した。
3.050gのポリマーBおよび0.102gの添加剤Aを28.980gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート(PGMEA)、19.320gのシクロヘキサノンおよび48.300gのメチル−2−ヒドロキシイソブチラート中に溶解させた。この混合物に0.232gの以下に記載の「PAG A」、0.010gの1−(tert−ブトキシカルボニル)−4−ヒドロキシピペリジン、および0.005gのPOLYFOX(登録商標)PF−656界面活性剤(オムノバソリューションズインコーポレーティド)を添加した。得られた混合物をローラー上で6時間ロールし、次いで0.2ミクロン孔サイズを有するテフロン(登録商標)フィルターを通して濾過した。
3.050gのポリマーCおよび0.102gの添加剤Aを28.980gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート(PGMEA)、19.320gのシクロヘキサノンおよび48.300gのメチル−2−ヒドロキシイソブチラート中に溶解させた。この混合物に0.232gの以下に記載の「PAG A」、0.010gの1−(tert−ブトキシカルボニル)−4−ヒドロキシピペリジン、および0.005gのPOLYFOX(登録商標)PF−656界面活性剤(オムノバソリューションズインコーポレーティド)を添加した。得られた混合物をローラー上で6時間ロールし、次いで0.2ミクロン孔サイズを有するテフロン(登録商標)フィルターを通して濾過した。
表1に示される成分および量を使用し、PAG BもしくはCを用いて、例1と同じ手順を用いてフォトレジスト組成物が製造された。
界面活性剤:POLYFOX(登録商標)PF−656(オムノバソリューションズインコーポレーティド);
溶媒A:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート;
溶媒B:シクロヘキサノン;
溶媒C:メチル−2−ヒドロキシイソブチラート。
全ての量はグラム単位である。
(比較例)=比較例。
実施例12、15および18、並びに例10、11、13、14、16および17
ドライリソグラフィ処理は、ASML/1100スキャナーにリンクしたTEL CleanTrack(クリーントラック)ACT8を用いて、0.75の最大開口数(NA)で、200mmのシリコンウェハ上で行われ、例1、2、4、5、7および8並びに実施例3、6および9のそれぞれのフォトレジスト組成物についてNTDコントラスト曲線を得た。シリコンウェハはAR商標77反射防止コーティング(BARC)材料(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)でスピンコートされ、60秒間205℃でベークされ、840Åの膜厚を生じさせた。例1、2、4、5、7もしくは8または実施例3、6もしくは9のフォトレジスト組成物は、TEL CleanTrackACT8コーター/デベロッパーにおいて、BARCコーティングしたウェハ上にコーティングされ、100℃で60秒間ソフトベークされて、1000Åのレジスト層厚みをもたらした。
例19、20、22、23、25および26、並びに実施例21、24および27
TEL CLEAN TRACK LITHIUS(テルクリーントラックリシウス)i+コーター/デベロッパーにおいて、300mmシリコンウェハがAR商標40A反射防止剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)でスピンコートされ、第1の下部反射防止塗膜(BARC)を形成した。このウェハは60秒間215℃でベークされ、840Åの第1のBARC膜厚を生じさせた。次いで、この第1のBARC上に、AR商標124反射防止剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を用いて第2のBARC層がコーティングされ、205℃で60秒間ベークされて、200Åの上部BARC層を生じさせた。次いで、TEL CLEAN TRACK LITHIUS i+コーター/デベロッパーにおいて、この二重BARCコートウェハ上に例1、2、4、5、7もしくは8または実施例3、6もしくは9のフォトレジスト配合物がコーティングされ、90℃で60秒間ソフトベークされて、1000Åのレジスト層厚を提供した。
上記実施例に記載されるのと同様の重合方法を用いて様々なコポリマーが製造された。これらポリマーについてのモノマー単位、モル比および分子量情報が表4に示される。上記実施例に記載されたのと同様の手順を用い、表5に示された成分および量を用いてこれらポリマーからフォトレジスト組成物が形成された。液浸リソグラフィが行われ、組成物のそれぞれについて良好な解像度が得られた。
102 パターン形成される層
102’フィーチャ
104 ハードマスク層
104’ハードマスクパターン
106 反射防止塗膜
108 フォトレジスト層
108a 未露光領域
108b 露光領域
110 活性化放射線
112 第1のフォトマスク
113 光学的に透明な領域
114 光学的に不透明な領域
Claims (11)
- R1が単結合、C1〜C10線状もしくは分岐アルキレン基、またはC2〜C10線状もしくは分岐アルケニレン基を表す請求項1に記載のポリマー。
- R5およびR6がそれぞれ独立してC1〜C6アルキル基を表すか、または一緒になってC3〜C6シクロアルキル基を形成している、請求項1または2に記載のポリマー。
- R2、R3およびR4がそれぞれ水素原子を表す、請求項1〜3のいずれか1項に記載のポリマー。
- エーテル、エステル、極性基または酸不安定部分を含み、かつ前記第1の単位および第2の単位とは異なる第3の単位をさらに含む請求項1〜5のいずれか1項に記載のポリマー。
- 前記第1の単位とは異なる一般式(I)の第2の単位をさらに含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載のポリマー。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載のポリマーと、光酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物。
- 基体と、当該基体の表面上の請求項8に記載のフォトレジスト組成物の層とを含むコーティングされた基体。
- (a)パターン形成される1以上の層を基体の表面上に含む基体を提供し;
(b)請求項8に記載のフォトレジスト組成物の層を前記パターン形成される1以上の層上に適用し;
(c)前記フォトレジスト組成物層を化学線でパターン様式で露光し;
(d)露光した前記フォトレジスト組成物層を露光後べークプロセスにおいて加熱し;並びに
(e)現像剤を前記フォトレジスト組成物層に適用して、前記フォトレジスト層の一部分を除去し、それによりフォトレジストパターンを形成する;
ことを含む、フォトリソグラフィパターンを形成する方法。 - フォトレジスト層の未露光領域が現像剤によって除去されて、フォトレジストパターンを形成する請求項10に記載の方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012155314A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-16 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物 |
JP2013068675A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-04-18 | Jsr Corp | フォトレジスト組成物及びネガ型パターン形成方法 |
JP2013100471A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-23 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6118500B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2017-04-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | フォトレジスト組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法 |
TWI527792B (zh) * | 2012-06-26 | 2016-04-01 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 光酸產生劑、含該光酸產生劑之光阻劑及含該光阻劑之經塗覆物件 |
WO2014125313A1 (en) * | 2013-02-12 | 2014-08-21 | Rhodia Poliamida E Especialidades Ltda | Solvent systems and coating compositions therewith |
KR101487423B1 (ko) * | 2013-09-12 | 2015-01-28 | 이수인 | Oled 패널을 이용한 리소그래피시스템 |
KR101707483B1 (ko) | 2013-12-24 | 2017-02-16 | 금호석유화학 주식회사 | 신규 단량체, 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
EP3067381A1 (en) * | 2015-03-12 | 2016-09-14 | Basf Se | Coated silicon surfaces, their manufacture and application |
WO2018031373A1 (en) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Acrylated and acylated or acetalized polyol as a biobased substitute for hard, rigid thermoplastic and thermoplastic and thermoset materials |
CN106588860A (zh) * | 2016-11-06 | 2017-04-26 | 桂林理工大学 | 二甲基二恶戊烷醇甲基丙烯酸酯单体及应用 |
TWI746628B (zh) | 2016-12-08 | 2021-11-21 | 南韓商三星電子股份有限公司 | 光阻組成物以及使用該光阻組成物形成精細圖案的方法 |
US10520813B2 (en) * | 2016-12-15 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Extreme ultraviolet photoresist with high-efficiency electron transfer |
CN111116605B (zh) * | 2019-12-28 | 2021-06-04 | 上海博栋化学科技有限公司 | 由戊醛糖合成的光刻胶树脂单体及其合成方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6091350A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 電離放射線感応ネガ型レジスト |
JP2001278918A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 珪素含有化合物、レジスト組成物およびパターン形成方法 |
WO2003035637A1 (en) * | 2001-10-23 | 2003-05-01 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | 5-methylene-1,3-dioxolan-4-one derivatives, process for their production, polymers of the derivatives, resist compositions, and pattern formation process |
JP2008281975A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-11-20 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるネガ型現像若しくは多重現像用レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液、及び該パターン形成方法に用いられるネガ型現像用リンス液 |
US20090176177A1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | method of forming a pattern using a photoresist composition for immersion lithography |
JP2012027438A (ja) * | 2010-02-26 | 2012-02-09 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2715881B2 (ja) | 1993-12-28 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
RU2194295C2 (ru) | 1996-03-07 | 2002-12-10 | З Би. Эф. Гудрич Кампэни | Фоторезистная композиция и полимер |
JP3852593B2 (ja) * | 2002-07-17 | 2006-11-29 | 日産化学工業株式会社 | 反射防止膜形成組成物 |
JP4554665B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
US8034547B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
WO2011083872A1 (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and resist film |
EP2527919A1 (en) * | 2010-09-10 | 2012-11-28 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns |
EP2472324A1 (en) * | 2010-12-31 | 2012-07-04 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Monomers, polymers, photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns |
EP2472326A1 (en) * | 2010-12-31 | 2012-07-04 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Polymers, photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6091350A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 電離放射線感応ネガ型レジスト |
JP2001278918A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 珪素含有化合物、レジスト組成物およびパターン形成方法 |
WO2003035637A1 (en) * | 2001-10-23 | 2003-05-01 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | 5-methylene-1,3-dioxolan-4-one derivatives, process for their production, polymers of the derivatives, resist compositions, and pattern formation process |
JP2008281975A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-11-20 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるネガ型現像若しくは多重現像用レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液、及び該パターン形成方法に用いられるネガ型現像用リンス液 |
US20090176177A1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | method of forming a pattern using a photoresist composition for immersion lithography |
JP2012027438A (ja) * | 2010-02-26 | 2012-02-09 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012155314A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-16 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物 |
JP2013068675A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-04-18 | Jsr Corp | フォトレジスト組成物及びネガ型パターン形成方法 |
JP2013100471A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-23 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
Also Published As
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