JP2012127809A - 試験装置 - Google Patents

Abstract

【課題】誘導負荷部に蓄積されたエネルギーが放出されたかを検出する。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、電源部と被試験デバイスとの間の経路上に設けられた誘導負荷部と、誘導負荷部を少なくとも含む基板を収容する収容部と、基板における予め定められた箇所の電圧が設定電圧よりも大きい場合、収容部内の基板にオペレータをアクセスさせるための開閉部のロック状態を維持するロック維持部と、を備える試験装置を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、試験装置に関する。

誘導負荷に流れる電流をスイッチングする半導体スイッチ（例えばＩＧＢＴ）の製造工程においては、アバランシェ破壊耐量の試験が実施される。特許文献１には、アバランシェ破壊試験用の試験装置が記載されている。

特許文献１ 特開２００７−３３０４２号公報

ところで、試験装置では、使用者が試験中に基板等にアクセスできないように、筐体の開閉部等のロックを維持する。また、例えば、アバランシェ破壊試験用の試験装置では、試験中において誘導負荷にエネルギーが蓄積するので、蓄積したエネルギーが放出されるまで筐体の開閉部のロックを維持する。従って、このような試験装置では、誘導負荷に蓄積されたエネルギーが放出されたかを簡易且つ確実に検出してロックを維持できることが好ましい。

上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、被試験デバイスを試験する試験装置であって、前記被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、前記電源部と前記被試験デバイスとの間の経路上に設けられた誘導負荷部と、前記誘導負荷部を少なくとも含む基板を収容する収容部と、前記基板における予め定められた箇所の電圧が設定電圧よりも大きい場合、前記収容部内の前記基板にオペレータをアクセスさせるための開閉部のロック状態を維持するロック維持部と、を備える試験装置を提供する。

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

本実施形態に係る試験装置１０の外観構成の一例を示す。 本実施形態に係る試験装置１０の構成を被試験デバイス２００とともに示す。 ＩＧＢＴである被試験デバイス２００のアバランシェ破壊耐量の試験において、被試験デバイス２００が正常に動作した場合における、被試験デバイス２００のゲート電圧、コレクタ−エミッタ間電圧、コレクタ電流、遮断スイッチ２８の制御信号および接続点Ａの電圧の波形の一例を示す。 ＩＧＢＴである被試験デバイス２００のアバランシェ破壊耐量の試験において、被試験デバイス２００が異常動作した場合における、被試験デバイス２００のゲート電圧、コレクタ−エミッタ間電圧、コレクタ電流、遮断スイッチ２８の制御信号および接続点Ａの電圧の波形の一例を示す。 本実施形態に係る試験装置１０の試験終了後の処理フローを示す。 本実施形態の変形例に係る試験装置１０の外観構成の一例を示す。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

図１は、本実施形態に係る試験装置１０の外観構成の一例を示す。本実施形態に係る試験装置１０は、半導体スイッチである被試験デバイス２００のアバランシェ破壊耐量を試験する。本実施形態において、被試験デバイス２００は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）である。

試験装置１０は、本体部１２と、テストヘッド１３とを備える。本体部１２は、この試験装置１０の全体の制御を行う。テストヘッド１３は、少なくとも１つのテスト用基板２０を収容する収容部として機能する。テスト用基板２０は、被試験デバイス２００を試験するための回路を含む。また、テストヘッド１３は、被試験デバイス２００が載置されるパフォーマンスボード１４が例えば上部に設けられる。

また、テストヘッド１３は、内部のテスト用基板２０にオペレータをアクセスさせるための開閉部１５を有する。開閉部１５は、一例として、収容部の側面を開閉する構造である。また、開閉部１５は、一例として、収容部の上部を開閉する構造であってもよい。

また、試験装置１０は、パフォーマンスボード１４の上に、被試験デバイス２００とテストヘッド１３との間に設けられるフィクスチャと呼ばれる収容部を更に備えてもよい。この場合、フィクスチャ内には、テスト用基板２０の一部を内部に収容する。そして、開閉部１５は、フィクスチャを開閉して、テスト用基板２０へとオペレータをアクセスさせる。

また、フィクスチャは、テストヘッド１３の上に設けられるのではなく、テストヘッド１３とは別体に設けられてもよい。この場合、テストヘッド１３とフィクスチャとは、配線、プローブまたはコネクタ等により接続される。

また、テストヘッド１３は、例えば試験中等において開閉部１５が誤って開かれないようにロックするロック部１６を更に備える。ロック部１６は、試験中において、テストヘッド１３内部のテスト用基板２０に対するアクセスを禁止することができる。

図２は、本実施形態に係る試験装置１０の構成を被試験デバイス２００とともに示す。試験装置１０は、電源部２２と、誘導負荷部２４と、電源スイッチ２６と、遮断スイッチ２８と、クランプ部３０と、放出用スイッチ３２と、制御部３４と、ロック維持部３８とを備える。

電源部２２は、被試験デバイス２００に供給する電源電圧を発生する。電源部２２は、一例として、６００Ｖから２５００Ｖの直流の電源電圧を発生する。本実施形態においては、電源部２２は、ＩＧＢＴである被試験デバイス２００のコレクタ−エミッタ間に電源電圧を印加する。より具体的には、被試験デバイス２００は、エミッタがグランドに接続される。そして、電源部２２は、被試験デバイス２００のコレクタに正の電源電圧を印加する。

電源部２２は、一例として、直流電源部４２と、電源用キャパシタ４４と、電源用ダイオード４５とを有する。直流電源部４２は、負端子がグランドに接続される。電源用キャパシタ４４は、グランドと直流電源部４２の正端子との間に接続される。電源用ダイオード４５は、アノードが直流電源部４２の正端子に接続される。このような電源部２２は、電源用ダイオード４５のカソードから電源電圧を発生する。

誘導負荷部２４は、インダクタンスを有し、電源部２２と被試験デバイス２００との間の経路上に設けられる。誘導負荷部２４は、一例として、インダクタ４６である。本実施形態において、誘導負荷部２４は、電源部２２の電源電圧の発生端と、ＩＧＢＴである被試験デバイス２００のコレクタとの間の経路上に設けられる。

なお、誘導負荷部２４は、異なるインダクタンスを有する複数のインダクタ４６が切り換えられる構成であってもよい。これにより、誘導負荷部２４は、被試験デバイス２００の種類および試験内容に応じたインダクタンスを、電源部２２と被試験デバイス２００との間の径路上に設けることができる。

電源スイッチ２６は、電源部２２と誘導負荷部２４との間を接続または切断する。電源スイッチ２６は、試験中において電源部２２と誘導負荷部２４との間を接続し、試験中以外の期間において、電源部２２と誘導負荷部２４との間を切断する。電源スイッチ２６は、一例として、リレーまたはＩＧＢＴ等の半導体スイッチである。

遮断スイッチ２８は、誘導負荷部２４と被試験デバイス２００との間の経路上に設けられる。本実施形態においては、遮断スイッチ２８は、誘導負荷部２４における電源部２２が接続されていない側の端子と、ＩＧＢＴである被試験デバイス２００のコレクタとの間の経路上に設けられる。遮断スイッチ２８は、通常時において誘導負荷部２４と被試験デバイス２００との間を接続し、異常時において誘導負荷部２４と被試験デバイス２００との間を切断する。遮断スイッチ２８は、一例として、ＩＧＢＴ等の半導体スイッチである。

クランプ部３０は、誘導負荷部２４と遮断スイッチ２８との間の経路（接続点Ａ）の電圧を予め設定された範囲内に制限する。本実施形態においては、クランプ部３０は、誘導負荷部２４と遮断スイッチ２８との間の経路の電圧が、電源電圧より高い予め定められたクランプ電圧（例えば電源電圧よりも数１０％高い電圧）以上とならないように制限する。

クランプ部３０は、一例として、可変電圧源５４と、クランプ用キャパシタ５６と、ダイオード５８とを有する。可変電圧源５４は、負端子がグランドに接続され、外部から設定されたクランプ電圧を発生する。クランプ用キャパシタ５６は、グランドと可変電圧源５４の正端子との間に接続される。

ダイオード５８は、アノードが誘導負荷部２４と遮断スイッチ２８との間の経路（接続点Ａ）に接続され、カソードが可変電圧源５４の正端子に接続される。このようなクランプ部３０は、接続点Ａの電位がクランプ電圧以上となるとダイオード５８がオンとなり、接続点Ａに流れる電流を吸い込む。これにより、クランプ部３０は、接続点Ａの電位をクランプ電圧以下に制限することができる。

放出用スイッチ３２は、試験終了後において、誘導負荷部２４に蓄積されたエネルギーを放出させる。放出用スイッチ３２は、一例として、誘導負荷部２４の両端のそれぞれを予め定められた基準電位（例えばグランド電位）に抵抗負荷を介して接続する。

放出用スイッチ３２は、一例として、第１スイッチ６０と、第２スイッチ６２と、第１抵抗６４と、第２抵抗６６とを有する。第１スイッチ６０は、誘導負荷部２４の電源部２２側の端子とグランド電位との間を第１抵抗６４を介して接続または切断する。第２スイッチ６２は、誘導負荷部２４の被試験デバイス２００側の端子とグランド電位との間を第２抵抗６６を介して接続または切断する。

制御部３４は、電源スイッチ２６を制御する。より具体的には、制御部３４は、試験開始時において電源スイッチ２６をオンとし、試験終了時において電源スイッチ２６をオフとする。これにより、制御部３４は、試験時において、電源部２２により発生された電源電圧を誘導負荷部２４を介して被試験デバイス２００へと供給することができる。

また、制御部３４は、被試験デバイス２００を制御する。本実施形態においては、制御部３４は、ＩＧＢＴである被試験デバイス２００のゲート電圧を与えて、被試験デバイス２００をオンまたはオフに制御する。

また、制御部３４は、遮断スイッチ２８を制御する。制御部３４は、通常時において、遮断スイッチ２８をオンとする。そして、制御部３４は、試験の異常時において、遮断スイッチ２８をオフとする。これにより、制御部３４は、異常時において、被試験デバイス２００への電圧の供給を停止することができる。

また、制御部３４は、試験終了後において、放出用スイッチ３２をオンとする。これにより、制御部３４は、試験中において誘導負荷部２４に蓄積されたエネルギーを放出することができる。そして、制御部３４は、誘導負荷部２４に蓄積されたエネルギーが放出された後、放出用スイッチ３２をオフとする。

ロック維持部３８は、収容部であるテストヘッド１３内のテスト用基板２０にオペレータをアクセスさせるための開閉部１５のロック状態を維持するか、開閉部１５のロックを解除可能とするかを制御する。ロック維持部３８がロック状態を維持する場合、ロック部１６は、オペレータによりロックを解除する操作がされたとしても、ロックを解除しない。ロック維持部３８がロックを解除可能とした場合、ロック部１６は、オペレータによりロックを解除する操作がされたことに応じて、ロックを解除する。

ここで、ロック維持部３８は、テスト用基板２０における予め定められた箇所の電圧が設定電圧よりも大きい場合、開閉部１５のロック状態を維持する。即ち、ロック維持部３８は、テスト用基板２０における予め定められた箇所の電圧が設定電圧よりも大きい場合、オペレータにより開閉部１５のロックを解除する操作がされたとしても、ロックを解除しない。これにより、ロック維持部３８は、予め定められた箇所の電圧が設定電圧よりも大きい場合には、オペレータによる内部のテスト用基板２０に対するアクセスを禁止することできる。

本実施形態においては、ロック維持部３８は、誘導負荷部２４の両端の一方の電圧が設定電圧よりも大きい場合、開閉部１５のロック状態を維持する。より具体的には、ロック維持部３８は、誘導負荷部２４の電源スイッチ２６側の端子の電圧または誘導負荷部２４の被試験デバイス２００側の端子の電圧が設定電圧より大きい場合、開閉部１５のロック状態を維持する。即ち、ロック維持部３８は、誘導負荷部２４にエネルギーが残存している場合、開閉部１５のロック状態を維持する。これにより、ロック維持部３８は、誘導負荷部２４にエネルギーが蓄積されている間は、オペレータによる誘導負荷部２４が設けられたテスト用基板２０へのアクセスを禁止させることができる。

また、ロック維持部３８は、一例として、テスト用基板２０における予め定められた箇所の電圧が設定電圧よりも大きい場合、一定時間経過後に再度予め定められた箇所の電圧を検出してもよい。これにより、ロック維持部３８は、ロック維持した場合であっても、一定時間経過後にテスト用基板２０における予め定められた箇所の電圧が設定電圧以下となっていれば、ロックを解除可能とすることができる。

なお、本実施形態に係る試験装置１０は、複数のテスト用基板２０を備える構成であってもよい。この場合、電源部２２、クランプ部３０およびロック維持部３８は、複数のテスト用基板２０に対して共通に設けられてよい。

図３は、ＩＧＢＴである被試験デバイス２００のアバランシェ破壊耐量の試験において、被試験デバイス２００が正常に動作した場合における、被試験デバイス２００のゲート電圧、コレクタ−エミッタ間電圧、コレクタ電流、遮断スイッチ２８の制御信号および接続点Ａの電圧の波形の一例を示す。なお、図３において、Ｖｇｅは、被試験デバイス２００のゲート電圧（ゲート−エミッタ間電圧）を表す。また、Ｖｃｅは、被試験デバイス２００のコレクターエミッタ間電圧を表す。Ｉｃは、被試験デバイス２００のコレクタ電流を表す。ＳＷは、遮断スイッチ２８の制御信号の波形を表す。Ｖｓｗは、誘導負荷部２４と遮断スイッチ２８との間の経路（接続点Ａ）の電位を表す。

ＩＧＢＴである被試験デバイス２００のアバランシェ破壊耐量を試験する場合、まず、制御部３４は、被試験デバイス２００をオフとし、電源スイッチ２６をオンとする。また、制御部３４は、異常は検出されていないので、遮断スイッチ２８をオンとする。被試験デバイス２００をオフおよび電源スイッチ２６をオンとした後、接続点Ａの電位（Ｖｓｗ）は、電源電圧Ｖｃｃとなる。また、被試験デバイス２００のコレクタ−エミッタ間電圧（Ｖｃｅ）も、電源電圧Ｖｃｃとなる。

なお、制御部３４は、以後、電源スイッチ２６をオンとした状態を維持する。また、制御部３４は、以後、異常が検出されるまで、遮断スイッチ２８をオンとした状態を維持する。

続いて、制御部３４は、時刻ｔ１において、被試験デバイス２００をオフからオンに切り換える。時刻ｔ１において被試験デバイス２００がオンとなった後、被試験デバイス２００のコレクタ−エミッタ間電圧（Ｖｃｅ）は、被試験デバイス２００の特性に応じた電圧となる。また、接続点Ａの電位（Ｖｓｗ）は、コレクタ−エミッタ間電圧（Ｖｃｅ）から遮断スイッチ２８のオン電圧分シフトした電圧となる。

また、時刻ｔ１において被試験デバイス２００がオンとなった後、被試験デバイス２００のコレクタ電流Ｉｃは、誘導負荷部２４のインダクタンスに応じた変化速度で増加する。そして、誘導負荷部２４には、電源部２２から供給される電力によってエネルギーが蓄積される。

続いて、制御部３４は、時刻ｔ１から予め定められた時間が経過した時刻ｔ２において、被試験デバイス２００をオンからオフに切り換える。被試験デバイス２００がオンからオフに切り換えられると、誘導負荷部２４に流れる電流が遮断されて、誘導負荷部２４には、逆起電力が発生する。従って、時刻ｔ２において被試験デバイス２００がオフとなった後、接続点Ａの電位（Ｖｓｗ）は、電源部２２から発生される電源電位Ｖｃｃと誘導負荷部２４の逆起電力に応じた電圧とを加算した電圧に上昇する。

また、時刻ｔ２において被試験デバイス２００がオフとなった後、誘導負荷部２４は、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間において蓄積したエネルギーを電流として放出する。被試験デバイス２００は、誘導負荷部２４から放出された電流をコレクタ電流Ｉｃを流すことにより吸収する。

従って、被試験デバイス２００は、時刻ｔ２において被試験デバイス２００がオフとなった後、誘導負荷部２４に蓄積されたエネルギーが全て放出されるまでの間、コレクタ電流Ｉｃを流す。そして、このコレクタ電流Ｉｃは、誘導負荷部２４のインダクタンスに応じた変化速度で減少する。なお、誘導負荷部２４に蓄積されたエネルギーが電流として放出される期間を、アバランシェ期間Ｔａｖという。

続いて、誘導負荷部２４に蓄積されたエネルギーが全て放出されると（時刻ｔ３）、コレクタ電流Ｉｃは、０となる。また、誘導負荷部２４により発生された逆起電力も０となるので、接続点Ａの電位（Ｖｓｗ）は、電源電圧Ｖｃｃとなる。また、被試験デバイス２００のコレクタ−エミッタ間電圧（Ｖｃｅ）も、電源電圧Ｖｃｃとなる。

試験装置１０は、アバランシェ破壊耐量の試験において、被試験デバイス２００に対して以上のような制御を行う。そして、試験装置１０は、以上の動作が正常に行われれば、即ち被試験デバイス２００に過電流が流れたり破壊したりしなければ、被試験デバイス２００が良品であると判定する。

図４は、ＩＧＢＴである被試験デバイス２００のアバランシェ破壊耐量の試験において、異常動作した場合における、被試験デバイス２００のゲート電圧、コレクタ−エミッタ間電圧、コレクタ電流、遮断スイッチ２８の制御信号および接続点Ａの電圧の波形の一例を示す。なお、図４において、Ｖｇｅ、Ｖｃｅ、Ｉｃ、ＳＷおよびＶｓｗは、図３と同様である。

試験中において、被試験デバイス２００が故障をしたとする。この場合、被試験デバイス２００の動作に異常が生じる。

例えば、アバランシェ期間Ｔａｖ中である時刻ｔ４において、被試験デバイス２００が短絡モードで故障したとする。この場合、コレクタ電流Ｉｃは、急速に増加する。また、接続点Ａの電位（Ｖｓｗ）は、被試験デバイス２００が短絡モードで故障したことによって電位が下がる。

ここで、このように被試験デバイス２００が故障した場合、被試験デバイス２００へとコレクタ電流Ｉｃを流し続けると、コレクタ電流Ｉｃの増加により被試験デバイス２００が破壊してしまう可能性が高い。そこで、制御部３４は、このような場合、遮断スイッチ２８をオンからオフに切り換える（時刻ｔ５）。

これにより、制御部３４は、このように被試験デバイス２００が故障した場合、被試験デバイス２００へと急速に流れ込むコレクタ電流Ｉｃを遮断することができる。このとき、接続点Ａの電位（Ｖｓｗ）は、誘導負荷部２４の逆起電力により上昇するが、クランプ電圧に制限される。そして、接続点Ａの電位（Ｖｓｗ）は、一定時間経過後、電源電圧Ｖｃｃに下がる。

このように、試験装置１０によれば、ＩＧＢＴである被試験デバイス２００のアバランシェ破壊耐量の試験において、過電流が流れて被試験デバイス２００が破壊したり、試験装置１０自体が破壊したりすることを防止することができる。

図５は、本実施形態に係る試験装置１０の試験終了後の処理フローを示す。試験装置１０は、試験が終了した場合、図５に示されるステップＳ１１からステップＳ１６の処理を実行する。

試験終了時点において、試験装置１０のロック維持部３８は、開閉部１５のロック状態を維持している。そして、試験が終了すると、まず、試験装置１０の制御部３４は、電源スイッチ２６および遮断スイッチ２８をオフとする（Ｓ１１）。これにより、制御部３４は、誘導負荷部２４へ新たにエネルギーが蓄積されることを停止することができる。

続いて、試験装置１０の制御部３４は、誘導負荷部２４に蓄積されたエネルギーを放出させる（Ｓ１２）。制御部３４は、一例として、放出用スイッチ３２により誘導負荷部２４の両端を抵抗負荷を介してグランド電位に接続させて、誘導負荷部２４に蓄積されたエネルギーを放出させる。

続いて、試験装置１０の制御部３４は、クランプ電圧を予め定められた電位以下に変更する（Ｓ１３）。試験装置１０は、ステップＳ１３の処理を実行しなくてもよい。

続いて、試験装置１０のロック維持部３８は、誘導負荷部２４に蓄積されたエネルギーが放出したか否かを判定する（Ｓ１４）。本実施形態においては、ロック維持部３８は、誘導負荷部２４の両端の一方の電圧が設定電圧より大きいか否かを判定する。ロック維持部３８は、誘導負荷部２４の両端の一方の電圧が設定電圧より大きい場合には、まだエネルギーが残存していると判断し、開閉部１５のロック状態を維持する。

ロック維持部３８は、一定時間経過する毎に、誘導負荷部２４の両端の一方の電圧が設定電圧より大きいか否かを判定する。そして、ロック維持部３８は、誘導負荷部２４の両端の一方の電圧が設定電圧以下となった場合には、次の処理に遷移させる。

続いて、ロック維持部３８は、開閉部１５のロックを解除させる全て条件を満たしたか否かを判定する（Ｓ１５）。ロック維持部３８は、全ての条件を満たしていない場合には、ステップＳ１５において処理を待機して、開閉部１５のロック状態を維持する。そして、ロック維持部３８は、全ての条件を満たした場合には、ステップＳ１６において、開閉部１５のロックを解除可能する。

以上のように、試験装置１０は、試験が終了しても誘導負荷部２４に蓄積されたエネルギーが放出されるまで、開閉部１５のロック状態を維持することができる。これにより、試験装置１０によれば、誘導負荷部２４に蓄積されたエネルギーが放出されたかを簡易且つ確実に検出してロックを維持して、エネルギーが蓄積されている間はオペレータによるテスト用基板２０へのアクセスを禁止することができる。

なお、ロック維持部３８は、一例として、クランプ部３０のクランプ電圧が予め定められた電圧以下であることを、ロックを解除可能とする条件の一つとしてもよい。この場合、ロック維持部３８は、一例として、クランプ部３０のクランプ電圧が予め定められた電圧より大きい場合、開閉部１５のロック状態を維持する。そして、ロック維持部３８は、一例として、クランプ部３０のクランプ電圧が予め定められた電圧以下であることを条件として、開閉部１５のロックを解除可能とする。これにより、ロック維持部３８は、クランプ電圧が確実に低下したことを条件として、オペレータにテスト用基板２０をアクセスさせることができる。また、同様に、ロック維持部３８は、電源部２２から出力される電源電圧も、ロックを解除可能とする条件の一つとしてもよい。この場合、ロック維持部３８は、電源電圧が予め定められた電圧より大きい場合、開閉部１５のロック状態を維持する。

また、ロック維持部３８は、複数の被試験デバイス２００を並行して試験する場合、複数の被試験デバイス２００のそれぞれに対応する複数の誘導負荷部２４の全てがエネルギーを放出したことを、ロックを解除可能とする条件の一つとしてもよい。この場合、ロック維持部３８は、一例として、複数の誘導負荷部２４のうち少なくとも１つの両端の一方の電圧が設定電圧より大きい場合には、開閉部１５のロック状態を維持する。これにより、ロック維持部３８は、全ての誘導負荷部２４のエネルギーが放出されたことを条件として、オペレータにテスト用基板２０をアクセスさせることができる。

図６は、本実施形態の変形例に係る試験装置１０の外観構成の一例を示す。本変形例に係る試験装置１０は、図１から図５において説明した試験装置１０と同様の機能および構成を採るので、以下相違点を除き説明を省略する。

本変形例に係る試験装置１０は、ハンドラ装置８０によりアクセスがされる。ハンドラ装置８０は、未試験の被試験デバイス２００をカートリッジ等から取り出して、試験装置１０へと搬送する。そして、ハンドラ装置８０は、試験済みの被試験デバイス２００を試験装置１０から取り出して、カートリッジに搬送する。

本変形例において、ロック維持部３８は、ハンドラ装置８０による当該試験装置１０へのアクセスを禁止するか、許可するかを制御する。そして、ロック維持部３８は、テスト用基板２０における予め定められた箇所の電圧（例えば誘導負荷部２４の両端電圧）が設定電圧より大きい場合、ハンドラ装置８０による当該試験装置１０へのアクセスを禁止する。これにより、本変形例に係る試験装置１０によれば、ロック維持部３８は、少なくとも誘導負荷部２４のエネルギーが放出されてから、ハンドラ装置８０を被試験デバイス２００へアクセスさせることができる。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

１０ 試験装置、１２ 本体部、１３ テストヘッド、１４ パフォーマンスボード、１５ 開閉部、１６ ロック部、２０ テスト用基板、２２ 電源部、２４ 誘導負荷部、２６ 電源スイッチ、２８ 遮断スイッチ、３０ クランプ部、３２ 放出用スイッチ、３４ 制御部、３８ ロック維持部、４２ 直流電源部、４４ 電源用キャパシタ、４５ 電源用ダイオード、４６ インダクタ、５４ 可変電圧源、５６ クランプ用キャパシタ、５８ ダイオード、６０ 第１スイッチ、６２ 第２スイッチ、６４ 第１抵抗、６６ 第２抵抗、８０ ハンドラ装置、２００ 被試験デバイス

Claims (9)

1. 被試験デバイスを試験する試験装置であって、
   前記被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、
   前記電源部と前記被試験デバイスとの間の経路上に設けられた誘導負荷部と、
   前記誘導負荷部を少なくとも含む基板を収容する収容部と、
   前記基板における予め定められた箇所の電圧が設定電圧よりも大きい場合、前記収容部内の前記基板にオペレータをアクセスさせるための開閉部のロック状態を維持するロック維持部と、
   を備える試験装置。
2. 前記ロック維持部は、前記誘導負荷部の両端の一方の電圧が前記設定電圧よりも大きい場合、前記開閉部のロック状態を維持する
   請求項１に記載の試験装置。
3. 試験終了後において、前記誘導負荷部に蓄積されたエネルギーを放出させる放出用スイッチを更に備る、
   前記ロック維持部は、前記誘導負荷部にエネルギーが残存している場合、前記開閉部のロック状態を維持する
   請求項１または２に記載の試験装置。
4. 前記放出用スイッチは、前記誘導負荷部の両端のそれぞれを予め定められた基準電位に接続する
   請求項３に記載の試験装置。
5. 前記被試験デバイスに印加される電圧を予め定められた範囲内に制限するクランプ部を更に備え、
   前記ロック維持部は、前記クランプ部の電圧が予め定められた電圧より大きい場合、前記開閉部のロック状態を維持する
   請求項１に記載の試験装置。
6. 前記ロック維持部は、前記基板における予め定められた箇所の電圧が前記設定電圧よりも大きい場合、一定時間経過後に再度予め定められた箇所の電圧を検出する
   請求項１から５の何れか一項に記載の試験装置。
7. 前記ロック維持部は、前記基板における予め定められた箇所の電圧が設定電圧よりも大きい場合、前記被試験デバイスを当該試験装置へと搬送するハンドラ装置による当該試験装置へのアクセスを禁止する
   請求項１から６の何れか一項に記載の試験装置。
8. 前記電源部と前記誘導負荷部との間に設けられた電源スイッチを更に備える
   請求項１から７の何れか一項に記載の試験装置。
9. 前記被試験デバイスは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタである
   請求項１から８の何れか一項に記載の試験装置。

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