JP2012124526A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1の表面に形成された所定領域の素子分離酸化膜2上に複数の抵抗素子4が形成された半導体装置であって、抵抗素子4と近接する位置に活性領域3を設けた。抵抗素子4近傍の素子分離酸化膜2を必要な範囲に区切ることができ、CMP法による素子分離酸化膜2の研磨の際に素子分離酸化膜2の中央部に凹みが形成されてしまうことを抑止できるため、抵抗素子4の形状の寸法精度を向上させることが可能となる。
【選択図】図1
Description
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1である半導体装置を示す模式図であって、図1(a)は実施の形態1の半導体装置の平面構成を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)の一点鎖線I−Iに沿った断面を示す概略断面図である。
(コンタクト層6の1個の抵抗値)/(コンタクト層6の数)≦許容率×(抵抗素子4の抵抗値)
図2はこの発明の実施の形態2である半導体装置を示す模式図であって、図2(a)は実施の形態2の半導体装置の平面構成を示す平面図であり、図2(b)は図2(a)の一点鎖線II−IIに沿った断面を示す概略断面図である。
図10はこの発明の実施の形態3である半導体装置を示す模式図であって、半導体装置の平面構成を示す平面図である。この半導体装置は、図1の半導体装置の素子活性領域3に不純物を導入して、抵抗素子として機能する拡散層10を形成したものである。各拡散層10の両端はコンタクト層12を介して上層の配線層11と接続されている。
図12はこの発明の実施の形態4である半導体装置を示す平面図である。図12の半導体装置は、図2の半導体装置と同様に抵抗素子4の両側に隣接する素子活性領域3にダミーゲート電極7を形成したものであり、抵抗素子4の更に上層に層間絶縁膜を介して配線層13が形成したものである。
Claims (8)
- 半導体基板と、前記半導体基板の主面に配置された活性領域と、前記活性領域内に配置された複数の分離領域と、それぞれの分離領域上に一つずつ配置された抵抗素子と、を備え、前記分離領域は、前記活性領域に完全に囲まれていることを特徴とする半導体装置。
- 前記分離領域は、前記半導体基板の主面に配置された溝内に埋まった酸化膜からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の分離領域は、その分離領域の長手方向と垂直な方向に、互いに平行に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記抵抗素子は、一定の長さと幅と膜厚で均一に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板と、前記半導体基板の主面に配置された複数の分離領域と、それぞれの分離領域上に一つずつ配置された抵抗素子と、前記分離領域を完全に囲むように配置された活性領域と、を備え、前記分離領域は、互いに近接して配置されていることを特徴とする半導体装置。
- 前記分離領域は、前記半導体基板の主面に配置された溝内に埋まった酸化膜からなることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記複数の分離領域は、その分離領域の長手方向と垂直な方向に、互いに平行に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記抵抗素子は、一定の長さと幅と膜厚で均一に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
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Citations (10)
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---|---|---|---|---|
JPS6126237A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPS6361783B2 (ja) * | 1984-05-30 | 1988-11-30 | ||
JPH02128465A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Yamaha Corp | 集積回路装置の製法 |
JPH07161940A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH09181159A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JPH1116999A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにその設計方法 |
JP2000031264A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2000150807A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001007220A (ja) * | 1999-04-21 | 2001-01-12 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4982921B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2012-07-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6361783B2 (ja) * | 1984-05-30 | 1988-11-30 | ||
JPS6126237A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH02128465A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Yamaha Corp | 集積回路装置の製法 |
JPH07161940A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH09181159A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JPH1116999A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにその設計方法 |
JP2000031264A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2000150807A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001007220A (ja) * | 1999-04-21 | 2001-01-12 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4982921B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2012-07-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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