JP2012122095A

JP2012122095A - 電気・電子部品用銅合金材

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Publication number: JP2012122095A
Application number: JP2010273454A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Yamamoto; 佳紀山本; Noboru Hagiwara; 登萩原
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 2010-12-08
Filing date: 2010-12-08
Publication date: 2012-06-28
Anticipated expiration: 2030-12-08
Also published as: JP5715399B2; CN102560181A

Abstract

【課題】金属間化合物の成長を安定して抑制することを可能とし、はんだ接合の信頼性を高めた電気・電子部品用銅合金材を提供する。
【解決手段】電気・電子部品用銅合金材は、０．０５〜０．５質量％のＦｅ、０．０５〜０．５質量％のＮｉ、０．０２〜０．２質量％のＰ、０．１〜３質量％のＺｎ、０．０２〜０．３質量％のＳｎを含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる。それらの成分の質量比は、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ＝３〜１０、Ｆｅ／Ｎｉ＝０．８〜１．２、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≧０．５、Ｓｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≦０．５の関係を有している。
【選択図】なし

Description

本発明は、例えば半導体リードフレームやコネクタ端子などの電気・電子部品の材料として用いられる電気・電子部品用銅合金材に関するものである。

携帯電話やノートパソコンなどに使用される半導体パッケージの実装には、はんだを使用した接合を用いることが一般的に行われている。従来では、はんだは、Ｓｎ・Ｐｂ共晶系のものが主流であったが、近年においては、Ｐｂが有害物質として規制され、従来よりもＳｎ濃度が高い鉛フリーはんだが広く用いられるようになった。

こうした半導体パッケージにおいては、小型化・薄型化が進んでいる。リードフレームにはより薄い板厚の材料が使用されており、それに伴って強度の高い材料が求められている。こうしたリードフレームに用いられる銅合金材料としては、ＦｅおよびＰを含有するＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系合金がある（例えば、特許文献１参照。）。

その代表的な一例としては、例えばＦｅ：２．１〜２．６質量％、Ｐ：０．０１５〜０．１５質量％、Ｚｎ：０．０５〜０．２質量％含有する銅合金（Ｃ１９４００）が標準的な合金として広く知られている。この合金は、熱処理することで銅の母相中にＦｅ、あるいはＦｅ−Ｐ化合物を析出させ、それにより導電性、熱伝導性や強度のそれぞれを同時に向上させるという利点を有している。

特開平１−１３９７３６号公報

従来、広く用いられてきたＳｎ・Ｐｂ共晶はんだから鉛フリーはんだ化の進行に伴い、これまでにない問題が生じている。すなわち、大部分の鉛フリーはんだは、従来のＳｎ・Ｐｂ共晶はんだに比べて融点が高い。そのため、鉛フリーはんだを使用することで部品接合時の加熱温度が従来よりも高温になる。

電気・電子部品の組立工程において加熱が繰り返して行われる場合は、接合界面では高温であるがために材料中のＣｕと、はんだ中のＳｎの相互拡散が促進される。その結果、ＣｕとＳｎの金属間化合物の形成、成長が従来以上に促進される。形成される金属間化合物は主に、Ｃｕ_６Ｓｎ_５とＣｕ_３Ｓｎである。特に、Ｃｕ_３Ｓｎは脆い性質があり、接合界面での成長が進むと、はんだ接合の信頼性が大きく低下する。よって、はんだ接合の信頼性を高めるためには、この金属間化合物の成長を抑制することが重要なポイントになる。

また、こうした材料に広く用いられているＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系合金に含まれるＦｅは、はんだ層への拡散速度が速く、ＣｕとＳｎの金属間化合物の形成を助長する働きを持つ。よって、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系合金に含まれるＦｅ量が多くなると、金属間化合物が成長しやすくなり、好ましくない。

従って、本発明の目的は、金属間化合物の成長を安定して抑制することを可能とし、はんだ接合の信頼性を高めた電気・電子部品用銅合金材を提供することにある。

本発明者等が鋭意研究したところ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐ、Ｚｎ、およびＳｎの含有量をある特定の範囲に規定するだけでは、金属間化合物の成長を安定して抑制するのには不十分であることを見いだした。本発明者等はさらに、金属間化合物の成長をより一層安定して抑制するための（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐの質量比、Ｆｅ／Ｎｉの質量比、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）の質量比、およびＳｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）の質量比の関係を見いだし、本発明に至ったものである。

すなわち、本発明は、０．０５〜０．５質量％のＦｅ、０．０５〜０．５質量％のＮｉ、０．０２〜０．２質量％のＰ、０．１〜３質量％のＺｎ、０．０２〜０．３質量％のＳｎを含有し、それらの成分の質量比が（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ＝３〜１０、Ｆｅ／Ｎｉ＝０．８〜１．２、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≧０．５、Ｓｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≦０．５の関係にあり、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなることを特徴とする電気・電子部品用銅合金材にある。

本発明はさらに、０．０５〜０．５質量％のＦｅ、０．０５〜０．５質量％のＮｉ、０．０２〜０．２質量％のＰ、０．１〜３質量％Ｚｎ、０．０２〜０．３質量％のＳｎを含有し、それらの成分の質量比が（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ＝３〜１０、Ｆｅ／Ｎｉ＝０．８〜１．２、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≧０．５、Ｓｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≦０．５の関係にあり、さらにＺｒ、Ｃｒ、Ｔｉから選択された１種以上の成分を合計０．０３〜１質量％含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなることを特徴とする電気・電子部品用銅合金材を提供する。

本発明によれば、高い強度と導電性を併せ持つとともに、はんだ接合において安定した接合品質を保持することが可能となる。

以下、本発明の好適な実施の形態を具体的に説明する。

この実施の形態に係る電気・電子部品用の銅合金材は、例えば半導体パッケージのリードフレームの材料として好適に用いられる。

（銅合金の成分）
この実施の形態である銅合金は、０．０５〜０．５質量％のＦｅ、０．０５〜０．５質量％のＮｉ、０．０２〜０．２質量％のＰ、０．１〜３質量％のＺｎ、０．０２〜０．３質量％のＳｎを含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる銅合金をベースの材料とする。このような銅合金の組成によって、従来のＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系合金よりも優れた強度を持つとともに、強度と導電性をバランス良く兼備した材料を得ることができる。

このＮｉおよびＦｅは、Ｐと一緒に添加することでＰ化合物を形成して材料中に分散析出し、材料の良好な導電率を維持しながら、強度を向上させる働きを有する。

Ｐの添加量を０．０２質量％未満にすると、十分な量のＰ化合物を形成することができず、満足できる強度が得られない。一方、Ｐの添加量が０．２質量％を超えて添加されると、鋳造時や熱間加工時にＰ化合物の偏析に起因する割れが起こりやすくなるので好ましくない。よって、Ｐの組成範囲を０．０２〜０．２質量％の範囲に規定することが好適である。

このＰの組成範囲に対して効果的に化合物を形成させ、高強度と高導電性をバランス良く両立させるためには、Ｆｅの組成範囲を０．０５〜０．５質量％、Ｎｉの組成範囲を０．０５〜０．５質量％に規定する必要がある。ＦｅおよびＮｉの含有量が上記組成範囲の下限を下回る場合は、Ｐ化合物の形成量が不十分になり、強度が不足する。一方、ＦｅおよびＮｉの含有量が上記組成範囲の上限を超える場合は、余剰のＦｅ、ＮｉがＣｕ中に固溶して導電率を低下させる。

Ｚｎは、はんだとの接合界面において境界部分に濃縮し、ＣｕおよびＳｎの相互拡散の障害となって金属間化合物の形成、成長を抑制する効果を持つ。Ｚｎはまた、強度の向上効果を持つとともに、電子部品材料として必要とするはんだ濡れ性、Ｓｎめっき密着性、および耐マイグレーション性の改善にも大きな効果がある。

Ｚｎが０．１質量％の規定範囲より少ない含有量では、はんだ層との界面に濃縮してＣｕの拡散を阻害する効果が小さくなり、３質量％の規定範囲を超えて含有すると、導電率の低下などの悪影響が生じるので好ましくない。

Ｓｎは、強度向上に有効な働きを持つ。Ｓｎが０．０２質量％の規定範囲より少ない含有量では、強度を向上させる効果が小さくなり、０．３質量％の規定範囲を超えて含有すると、導電率の低下などの悪影響が生じるとともに、はんだ層との界面で金属間化合物を過剰に成長させるので好ましくない。

ところで、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐ、Ｚｎ、およびＳｎを含有する銅合金の組成だけでは、安定して金属間化合物の成長を抑えるには不十分である。この実施の形態の基本の構成は、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐの質量比、Ｆｅ／Ｎｉの質量比、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）の質量比、およびＳｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）の質量比を特定の範囲に規定することで、金属間化合物の成長を安定して抑制できることを見出したことにある。それらの質量比としては、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ＝３〜１０、Ｆｅ／Ｎｉ＝０．８〜１．２、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≧０．５、およびＳｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≦０．５を満足することが肝要である。

（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ＝３〜１０、およびＦｅ／Ｎｉ＝０．８〜１．２の範囲に規定することで、導電率を低下させるＣｕ中の固溶元素量を抑えながら、析出物の分散による強度の向上を効果的に利用して、導電率および強度を好ましいバランスで兼備した材料を得ることができる。

（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐの質量比が３未満になる場合は、化合物形成時にＰが過剰になり、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐの質量比が１０を超える場合は、逆にＦｅ、Ｎｉが過剰になる。このような過剰成分は、Ｃｕ中に固溶状態で存在するため、導電率を害する結果となるので好ましくない。より好ましくは、過剰成分をより少なくするため、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ＝３〜６の範囲を選択することが望ましい。

ＦｅとＮｉは、強度と導電率に対して同様の効果を期待して添加するものである。しかしながら、Ｆｅのみを添加したＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系合金では、低強度、高導電率の特性になりやすく、逆にＮｉだけの添加では、高強度、低導電率の特性になりやすい。よって、強度と導電率のバランスが良い材料を得るためには、ＦｅとＮｉを組み合わせて添加することが有効である。その配合比率を検討した結果、ほぼ１対１の比率で添加することで、望ましい特性が得られることが分かった。そこで実用上に支障がない範囲としては、ＦｅとＮｉの質量比をＦｅ／Ｎｉ＝０．８〜１．２に規定する。

また、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）の質量比を０．５以上に規定することで、金属間化合物の成長を促進する効果を持つＦｅとＮｉに対して一定以上の割合で成長抑制効果を持つＺｎが添加されることになり、総合的に金属間化合物の成長を抑えることができる。また、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）の質量比を０．５以上に規定することで、適正量のＳｎを添加することが可能になる。

Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）の質量比が０．５未満になる場合は、はんだ層との界面においてＺｎ成分の濃縮が不十分となり、ＣｕとＳｎの相互拡散に対する阻害効果が小さいために、金属間化合物の成長抑制効果が十分に得られないので好ましくない。

一方、Ｓｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）の質量比が０．５を超える場合は、適正な（Ｆｅ＋Ｎｉ）量に対してＳｎ量が多くなるため、はんだ層との界面において金属間化合物の成長が促進されるので好ましくない。

Ｓｎは、過剰に添加すると、金属間化合物の成長を促進する働きをする。しかしながら、添加量が少ないと、強度向上の効果も少ない。Ｓｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）の質量比を０．５以下の範囲に規定することで、適正量のＳｎを添加することができる。

以上より、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｎを含有する銅合金の組成成分の質量比を特定することで、金属間化合物の成長を安定して抑制することができるようになる。

（銅合金の副成分）
この実施の形態に係る銅合金はさらに、Ｚｒ、Ｃｒ、およびＴｉから選択された１種以上の成分を合計０．０３質量％〜１質量％の範囲で添加してもよい。これらのＺｒ、Ｃｒ、およびＴｉの元素は、強度の向上に効果的に働くとともに、耐熱性を向上させて高温下での強度低下を防ぐ作用を持つ。金属間化合物の成長を安定して抑制する良好な特性をより一層期待することができる。

ＺｒとＣｒは、強度や耐熱性を向上させる働きを持つとともに、導電率に与える悪影響が比較的少ないことを特徴とする副成分である。ただし、含有量が多すぎると、鋳造性の悪化などの悪影響が生じる。Ｔｉにあっても、強度や耐熱性を向上させる効果に優れた副成分である。

これらのＺｒ、Ｃｒ、およびＴｉの元素は、単独もしくは組み合わせて添加することで、金属間化合物の成長を安定して抑制するという効果を期待することができる。しかしながら、その合計含有量が１質量％を超えると、導電率の低下や鋳造性の悪化などの悪影響が顕著になるので好ましくない。よって、Ｚｒ、Ｃｒ、およびＴｉの合計の組成範囲としては、１質量％以下に規定することが好ましい。

（実施の形態の効果）
上記実施の形態に係る銅合金は、以下の効果を有する。
（１）従来のＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系合金に比べて、より優れた強度を持ち、導電性においても良好な特性を維持する。
（２）はんだ接合後に界面に生じる金属間化合物の成長を抑制して接合部の脆化を防止し、鉛フリーはんだを使用した実装において良好な接合品質を有する特徴を持つ。
（３）このような材料は、リードフレームとして最適であり、特に、半導体パッケージなどの電気・電子部品について、安価で高特性の材料を供給するように材料面から支え、その発展に大きく寄与することができる。

以下に、表１および２を参照しながら、本発明の更に具体的な実施の形態として、実施例１〜１３（試料Ｎｏ．１〜１３）および比較例１〜１３（試料Ｎｏ．１〜１３）を挙げて詳細に説明する。なお、この実施例では、上記実施の形態の典型的な一例を挙げており、本発明は、これらの実施例および比較例に限定されるものではないことは勿論である。

下記の表１は、実施例１〜１３、および比較例１〜１３として用いた試料の組成および質量比を、下記の表２は、実施例１〜１３、および比較例１〜１３の特性値をそれぞれ示す。

［実施例１］
無酸素銅を母材にして、Ｆｅ：０．２質量％、Ｎｉ：０．２質量％、Ｐ：０．１質量％、Ｚｎ：０．４質量％、Ｓｎ：０．１質量％を含有した銅合金素材を高周波溶解炉で溶製し、厚さ２５ｍｍ、幅３０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのインゴットに鋳造した。これを９５０℃に加熱して厚さ８ｍｍまで熱間圧延した後、厚さ２ｍｍに冷間圧延して４５０℃で１分間焼鈍した。さらに、これを厚さ０．２５ｍｍに冷間圧延して４５０℃で１分間焼鈍することにより、表１の実施例１に示す銅合金を製作した。

以上のように製作した実施例１の銅合金について、引張強さ、伸び、導電率の各特性値を測定した。その結果、引張強さ６１２ＭＰａ、伸び１０％、導電率６４％ＩＡＣＳという本発明の目的に適合する良好な特性を得ることができた。

さらに、実施例１の試料Ｎｏ．１を脱脂酸洗した後、溶融したＳｎ−３質量％Ａｇ−０．５質量％Ｃｕはんだ中に浸漬して、試料Ｎｏ．１の両面にはんだを塗布した。これを２００℃に保持した恒温槽に入れて、１時間加熱を施した。加熱後の試料Ｎｏ．１を樹脂に埋め込んで切断し、断面の観察を行い、樹脂材料とはんだとの間の界面部分に形成されたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層の厚みを測定した。そして、金属間化合物層の内部や界面における欠陥（クラック、ボイド）の有無を観察した。その結果、金属間化合物層は４μｍと薄く、クラックやボイドなどの欠陥も見られなかった。

［実施例２〜１３］
次に、表１に示す組成を有する試料Ｎｏ．２〜１３（実施例２〜１３）の銅合金を溶解鋳造し、上記実施例１と同じ工程で加工熱処理を行い、厚さ０．２５ｍｍの試料を製作した。これらの試料Ｎｏ．２〜１３についても、上記実施例１と同様の方法で引張強さ、伸び、および導電率の各特性値を測定するとともに、はんだを塗布して加熱した時の金属間化合物層の厚みと欠陥の有無を調査した。

各実施例２〜１３における銅合金の特性を表２にまとめて示す。表２から明らかなように、実施例２〜１３のいずれも、６０％ＩＡＣＳを超える高い導電率と、６００ＭＰａを超える高強度を併せ持っており、薄型パッケージのリードフレームとして十分な導電性と強度を有する銅合金が得られた。また、はんだとの界面における金属間化合物層も薄くなり、クラックやボイドなどの欠陥も見られず、実施例２〜１３のいずれも、本発明の目的に適合した良好な特性を兼備していることが確認できた。

［比較例］
次に、上記実施の形態に係る銅合金の組成の限定理由を、比較例を挙げて説明する。

表１に示す組成を有する比較例１〜１３（試料Ｎｏ．１〜１３）の銅合金を溶解鋳造し、上記実施例１と同じ工程で加工熱処理を行い、厚さ０．２５ｍｍの試料Ｎｏ．１〜１３を製作した。

得られた比較例の試料Ｎｏ．１〜１３について、上記実施例１と同様の方法で引張強さ、伸び、および導電率の各特性値を測定するとともに、はんだを塗布して加熱した時の金属間化合物層の厚みと欠陥の有無を調査した。比較例１〜１３における銅合金の特性を表２にまとめて示す。

［比較例１および２］
比較例の試料Ｎｏ．１およびＮｏ．２は、表１に示すように、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＰの添加量が上記実施の形態に係る銅合金成分の規定範囲から外れたものである。比較例の試料Ｎｏ．１は、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＰ成分の添加量が低すぎる一例である。この場合は、表２から明らかなように、上記実施例に比べて引張強さが低く、十分な強度が得られない結果となった。

一方、比較例の試料Ｎｏ．２は、表１に示すように、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＰの添加量が多すぎる一例である。この場合は、表２から明らかなように、上記実施例に比べて導電率が低くなるとともに、伸びの値が低くなった。伸びの低い材料は、リードフレームの曲げ加工で割れが発生しやすくなることから、本発明の目的を満足させることはできない。

［比較例３および４］
比較例の試料Ｎｏ．３およびＮｏ．４は、表１に示すように、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐの質量比が上記実施の形態に係る銅合金成分の規定範囲から外れた一例である。表２から明らかなように、ＦｅとＮｉが過剰になった場合も、Ｐが過剰になった場合も、上記実施例に比べて導電率が低下する結果となった。また、引張強さについてみても、上記実施例に比べて低い値となった。

［比較例５および６］
比較例の試料Ｎｏ．５およびＮｏ．６は、表１に示すように、Ｆｅ／Ｎｉの質量比が上記実施の形態に係る銅合金成分の規定範囲から外れた一例である。表２から明らかなように、Ｆｅの比率が高すぎる比較例の試料Ｎｏ．５は、上記実施例に比べて引張強さが不足する結果となった。Ｎｉの比率が高すぎる比較例の試料Ｎｏ．６は、上記実施例に比べて導電率が低くなった。

［比較例７および８］
比較例の試料Ｎｏ．７およびＮｏ．８は、表１に示すように、Ｚｎの添加量、またはＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）の質量比が上記実施の形態に係る銅合金成分の規定範囲から外れた一例である。Ｚｎの添加量が少なく、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）の質量比が不足する比較例の試料Ｎｏ．７は、表２から明らかなように、Ｚｎによる金属間化合物層の成長抑制効果が不十分であり、金属間化合物層が厚く成長した。また、材料と金属間化合物層の界面にボイドが観察されており、はんだ接合の信頼性が不十分であった。Ｚｎの添加量が多すぎる比較例の試料Ｎｏ．８は、上記実施例に比べて導電率が悪化した。

［比較例９および１０］
比較例の試料Ｎｏ．９およびＮｏ．１０は、表１に示すように、Ｓｎの添加量、またはＳｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）の質量比が上記実施の形態に係る銅合金成分の規定範囲から外れ、Ｓｎが過剰に添加された一例である。表２から明らかなように、試料Ｎｏ．９およびＮｏ．１０のいずれも、上記実施例に比べて導電率が低下するとともに、はんだ界面の金属間化合物層が厚く成長した。また、材料と金属間化合物層の界面にボイドが観察され、はんだ接合の信頼性が不十分であった。

［比較例１１〜１３］
比較例の試料Ｎｏ．１１〜１３は、表１に示すように、副成分として添加したＺｒ、Ｃｒ、およびＴｉの添加量が上記実施の形態に係る銅合金成分の規定範囲から外れ、過剰になった一例である。この場合は、表２から明らかなように、上記実施例に比べて導電率が悪化するとともに、伸びも大きく低下しており、曲げ加工などの加工性が悪化する問題が生じる。

以上より、上記実施の形態に係る銅合金で規定した組成範囲、および質量比を外れた上記比較例のいずれもが、上記各実施例に比べて不十分な特性しか得られないということが分かった。

上記実施例に係る銅合金によると、従来の銅合金に比べて良好な強度、導電率を維持しつつ、鉛フリーはんだを使用した接合において安定した接合品質を保持することができた。こうした特性は、小型化が進む電気・電子機器に有効に活用できるものであり、設計の自由度を大幅に広げることができる。また、製造コストの面でも、上記実施例に係る銅合金は、従来の銅合金と同等のコストで製造することが可能であり、実用上の問題とはならない。

Claims

０．０５〜０．５質量％のＦｅ、０．０５〜０．５質量％のＮｉ、０．０２〜０．２質量％のＰ、０．１〜３質量％のＺｎ、０．０２〜０．３質量％のＳｎを含有し、それらの成分の質量比が（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ＝３〜１０、Ｆｅ／Ｎｉ＝０．８〜１．２、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≧０．５、Ｓｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≦０．５の関係にあり、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなることを特徴とする電気・電子部品用銅合金材。
０．０５〜０．５質量％のＦｅ、０．０５〜０．５質量％のＮｉ、０．０２〜０．２質量％のＰ、０．１〜３質量％Ｚｎ、０．０２〜０．３質量％のＳｎを含有し、それらの成分の質量比が（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ＝３〜１０、Ｆｅ／Ｎｉ＝０．８〜１．２、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≧０．５、Ｓｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≦０．５の関係にあり、さらにＺｒ、Ｃｒ、Ｔｉから選択された１種以上の成分を合計０．０３〜１質量％含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなることを特徴とする電気・電子部品用銅合金材。