JP2012109607A - 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 - Google Patents
塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012109607A JP2012109607A JP2012031066A JP2012031066A JP2012109607A JP 2012109607 A JP2012109607 A JP 2012109607A JP 2012031066 A JP2012031066 A JP 2012031066A JP 2012031066 A JP2012031066 A JP 2012031066A JP 2012109607 A JP2012109607 A JP 2012109607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- substrate
- coating
- block
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 198
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 191
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 231
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 267
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 107
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 33
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 22
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 238
- 101100221836 Arabidopsis thaliana CPL3 gene Proteins 0.000 abstract description 30
- 101100065702 Arabidopsis thaliana ETC3 gene Proteins 0.000 abstract description 30
- 101100221835 Arabidopsis thaliana CPL2 gene Proteins 0.000 abstract description 15
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 10
- 101100221837 Arabidopsis thaliana CPL4 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100536545 Arabidopsis thaliana TCL2 gene Proteins 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 101100328890 Arabidopsis thaliana COL3 gene Proteins 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- YVGGHNCTFXOJCH-UHFFFAOYSA-N DDT Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(C(Cl)(Cl)Cl)C1=CC=C(Cl)C=C1 YVGGHNCTFXOJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101710189714 Major cell-binding factor Proteins 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 101100328892 Arabidopsis thaliana COL4 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150016835 CPL1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100468774 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RIM13 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100237842 Xenopus laevis mmp18 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 101100328886 Caenorhabditis elegans col-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】温調ユニットCPL2、塗布ユニットBCT、加熱ユニットLHP2、温調ユニットCPL3、塗布ユニットCOT、加熱ユニットLHP3、冷却ユニットCOLの順にウエハWを搬送する場合に、ロットAの最後のウエハA10を加熱ユニットLHP3にて処理した後、当該ユニットLHP3の加熱温度を変更し、前記ロットBの先頭のウエハB1が温調ユニットCPL3に搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭のウエハB1に続く加熱ユニットLHP2にて加熱処理されたウエハBを退避ユニットBF2に順次満たしていき、また加熱ユニットLHP3の温度変更後においては、前記退避ユニットBF2内のウエハBを順次下流側のモジュールに搬送するようにウエハを搬送する。
【選択図】図10
Description
前記最終ウエハA10が第2の加熱ユニットにて処理され、次のユニットに搬送された後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度の変更を開始し、
当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度の変更が終了してから、前記ロットBの先頭ウエハB1のキャリアブロック1Aから処理ブロック1Bへの払い出しを開始するような搬送スケジュールに沿って、ウエハA及びウエハBの搬送が行なわれている。
処理ブロックでは、基板搬送手段により、第1の温度に基板を温調する第1の温調ユニット、第1の塗布液を基板に塗布する第1の塗布ユニット、基板を加熱処理する第1の加熱ユニット、第2の温度に基板を温調する第2の温調ユニット、第2の塗布液を基板に塗布する第2の塗布ユニット、基板を加熱処理する第2の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記処理ブロックに設けられ、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットと、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットの最後の基板が第2の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する手段と、 前記後続の他のロットの先頭の基板が第2の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第1の加熱ユニットにて加熱処理された基板を退避ユニットに順次満たしていくように、また前記第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、基板搬送手段を制御する手段と、を備えたことを特徴とする。
前記第2の温調ユニットと、第2の塗布ユニットと、第2の加熱ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段とを備え、前記第1の塗布膜形成用の単位ブロックに積層して設けられた第2の塗布膜形成用の単位ブロックと、
基板に対して現像処理を行なう現像ユニットと、基板を加熱処理する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段とを備え、前記第1の塗布膜形成用の単位ブロックと第2の塗布膜形成用の単位ブロックとに対して積層して設けられた現像処理用の単位ブロックと、
これら第1の塗布膜形成用の単位ブロックと、第2の塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理用の単位ブロックの各単位ブロックに設けられ、他の単位ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうための受け渡し部と、各単位ブロックの受け渡し部同士の間で基板の受け渡しを行なう受け渡し手段と、を備えるものであってもよい。
基板搬送手段により、第1の温度に基板を温調する第1の温調ユニット、第1の塗布液を基板に塗布する第1の塗布ユニット、基板を加熱処理する第1の加熱ユニット、第2の温度に基板を温調する第2の温調ユニット、第2の塗布液を基板に塗布する第2の塗布ユニット、基板を加熱処理する第2の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットに対して、前記予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して、塗布膜を形成する処理を行う工程と、
前記一のロットの最後の基板が第2の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する工程と、
前記後続の他のロットの先頭の基板が第2の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第1の加熱ユニットにて加熱処理された基板を、前記処理ブロックに設けられ、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットに順次満たしていくように、また前記第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、前記搬送スケジュールを書き換える工程と、
前記他のロットに対して、書き換えられた搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して、塗布膜を形成する処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
(1)ロットBの最初のウエハB1を第2の塗布ユニットCOTに搬送しないように、第2の塗布ユニットCOTの一つ上流側のモジュールである第2の温調ユニットCPL3からの前記ウエハB1の搬出を停止し、
(2)第2の温調ユニットCPL3が一つであるときには、第1の加熱ユニットLHP2にて処理されたロットBの2枚目のウエハB2以降のウエハB2〜B5の搬送先を、退避ユニットBF2の各載置ステージ41〜44に変更し、
(3)前記退避ユニットBF2の載置ステージ41〜44に2枚以上のウエハBが退避しているときに、第1の塗布ユニットBCTにウエハBを搬送しないように、第1の塗布ユニットBCTの一つ上流側のモジュールである第1の温調ユニットCPL2からのウエハB6の搬出を停止し、
(4)第2の加熱ユニットLHP3の加熱処理温度の変更が終了した後、ロットBの最初のウエハB1を第2の塗布ユニットCOTの一つ上流側のモジュールである第2の温調ユニットCPL3から搬出して、第2の塗布ユニットCOTへの搬送を開始し、
(5)退避ユニットBF2に退避されていたウエハB2〜B5が減り始めたら、第1の温調ユニットCPL2からのウエハB6の搬出を再開し、
(6)(3)において第1の温調ユニットCPL2に払い出された最後のウエハB6以降のウエハB6〜B10に対しては、ウエハAの搬送スケジュールと同じスケジュールに沿って、第1の加熱ユニットLHP2→退避ユニットBF2の載置しステージ41→第2の温調ユニットCPL3に搬送するように、搬送スケジュールの書き換えを行う。
(1)ロットBの最初のウエハB1を第2の塗布ユニットTCTに搬送しないように、第2の塗布ユニットTCTの一つ上流側のモジュールである第2の温調ユニットCPL4からの前記ウエハB1の搬出を停止し、
(2)第1の加熱ユニットLHP3にて処理されたロットBの2枚目のウエハB2以降のウエハB2〜B5の搬送先を、COT層B3の退避ユニットBF3の各載置ステージ41〜44に変更し、
(3)前記退避ユニットBF3の載置ステージ41〜44に2枚以上のウエハBが退避しているときに、第1の塗布ユニットCOTにウエハBを搬送しないように、第1の塗布ユニットCOTの一つ上流側のモジュールである第1の温調ユニットCPL3からのウエハB6の搬出を停止し、
(4)第2の加熱ユニットLHP4の加熱処理温度の変更が終了した後、ロットBの最初のウエハB1を第2の塗布ユニットTCTの一つ上流側のモジュールである第2の温調ユニットCPL4から搬出して、第2の塗布ユニットTCTへの搬送を開始し、
(5)退避ユニットBF3に退避されていたウエハB2〜B5が減り始めたら、第1の温調ユニットCPL3からのウエハB6の搬出を再開し、
(6)(3)において第1の温調ユニットCPL3に払い出された最後のウエハB6以降のウエハB6〜B10に対しては、ウエハAの搬送スケジュールと同じスケジュールに沿って、第1の加熱ユニットLHP3→退避ユニットBF3の載置しステージ41→第2の温調ユニットCPL4に搬送するように、搬送スケジュールの書き換えを行う。
(1)ロットBの最初のウエハB1を第2の塗布ユニットCOTに搬送しないように、第2の塗布ユニットCOTの一つ上流側のモジュールである第2の温調ユニットCPL3からの当該ウエハB1の搬出を停止し、
(2)第1の加熱ユニットLHP2にて処理されたロットBの2枚目のウエハB2以降のウエハB2〜B5の搬送先をBCT層B2の退避ユニットBF2の各載置ステージ41〜44に変更し、
(3)前記退避ユニットBF2の載置ステージ41〜44に2枚以上のウエハBが退避しているときに、第1の塗布ユニットBCTにウエハBを搬送しないように、第1の塗布ユニットBCTの一つ上流側のモジュールである第1の温調ユニットCPL32からのウエハB6の搬出を停止し、
(4)第2の塗布ユニットCOTのカップ洗浄が終了した後、ロットBの最初のウエハB1を第2の塗布ユニットCOTの一つ上流側のモジュールである第2の温調ユニットCPL3から搬出して、当該第2の塗布ユニットCOTへの搬送を開始し、
(5)退避ユニットBF2に退避されていたウエハB2〜B5が減り始めたら、第1の温調ユニットCPL2からのウエハB6の搬出を再開し、
(6)(3)において第1の温調ユニットCPL2に払い出された最後のウエハB6以降のウエハB6〜B10に対しては、ウエハAの搬送スケジュールと同じスケジュールに沿って、第1の加熱ユニットLHP2→退避ユニットBF2の載置しステージ41→第2の温調ユニットCPL3に搬送するように、搬送スケジュールの書き換えを行い、以降は書き換えられた搬送スケジュールに沿ってウエハBの搬送を行なう。
20 キャリア
S1 キャリアブロック
S2 処理ブロック
S3 インターフェイスブロック
S4 露光装置
A1〜A4 メインアーム
C トランファーアーム
D 受け渡しアーム
E シャトルアーム
F インターフェイスアーム
BCT 第1の反射防止膜形成ユニット
COT 塗布ユニット
TCT 第2の反射防止膜形成ユニット
DEV 現像ユニット
BF2,BF3 退避ユニット
41〜44 載置ステージ
100 制御部
73 加熱処理変更部
74 搬送スケジュール変更部
処理ブロックでは、基板搬送手段により、第1の温度に基板を温調する第1の温調ユニット、第1の塗布液を基板に塗布する第1の塗布ユニット、基板を加熱処理する第1の加熱ユニット、第2の温度に基板を温調する第2の温調ユニット、第2の塗布液を基板に塗布する第2の塗布ユニット、基板を加熱処理する第2の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記第1の温調ユニット、第1の塗布ユニット、第1の加熱ユニット、及び前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の基板搬送手段を備えた前段単位ブロックと、
前記第2の温調ユニット、第2の塗布ユニット、第2の加熱ユニット、及び前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の基板搬送手段を備えると共に、前記前段単位ブロックに対して積層された後段単位ブロックと、
互いに積層された前記前段単位ブロック及び後段単位ブロックのうち、下段側の単位ブロックの上方に位置する上段側の単位ブロックの床部と、
前記前段単位ブロック及び後段単位ブロックの各搬送路の端部に隣接する領域同士の間で積層して設けられ、各単位ブロックに対応する高さ位置に配置されているステージ群についてはその単位ブロックの基板搬送手段により基板の受け渡しが行われるステージ群と、
前記ステージ群のステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうために設けられ、昇降自在な移載機構と、
前記ステージ群の一部を構成し、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットと、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットの最後の基板が第2の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する手段と、
前記一のロットの最後の基板が第2の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する場合には、前記加熱処理温度の変更が終了するまでは、前記後続の他のロットの先頭の基板が第2の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第1の加熱ユニットにて加熱処理された基板を退避ユニットに順次満たしていくように、また第1の温調ユニットからの基板の搬出を禁止すると共に第1の塗布ユニットに存在する基板については第1の塗布ユニットにて塗布処理を終了した後、第1の加熱ユニットにて加熱処理を行ってから前記退避ユニットに搬送するように、そしてまた前記第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、基板搬送手段を制御する手段と、を備え、
前記第2の温調ユニットは、前記ステージ群の一部を構成すると共に後段単位ブロックに対応する高さ位置に配置されることを特徴とする。
処理ブロックでは、基板搬送手段により、第1の温度に基板を温調する第1の温調ユニット、第1の塗布液を基板に塗布する第1の塗布ユニット、基板を加熱処理する第1の加熱ユニット、第2の温度に基板を温調する第2の温調ユニット、第2の塗布液を基板に塗布する第2の塗布ユニット、基板を加熱処理する第2の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置であって、
前記第1の温調ユニット、第1の塗布ユニット、第1の加熱ユニット、及び前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の基板搬送手段を備えた前段単位ブロックと、
前記第2の温調ユニット、第2の塗布ユニット、第2の加熱ユニット、及び前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の基板搬送手段を備えると共に、前記前段単位ブロックに対して積層された後段単位ブロックと、
互いに積層された前記前段単位ブロック及び後段単位ブロックのうち、下段側の単位ブロックの上方に設けられた、上段側の単位ブロックの床部と、
前記前段単位ブロック及び後段単位ブロックの各搬送路の端部に隣接する領域同士の間で積層して設けられ、各単位ブロックに対応する高さ位置に配置されているステージ群についてはその単位ブロックの基板搬送手段により基板の受け渡しが行われるステージ群と、
前記ステージ群のステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうために設けられ、昇降自在な移載機構と、
前記ステージ群の一部を構成し、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットと、を備え、
前記第2の温調ユニットは、前記ステージ群の一部を構成すると共に後段単位ブロックに対応する高さ位置に配置された塗布、現像装置を用い、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットに対して、前記予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して塗布膜を形成する処理を行う工程と、
前記一のロットの最後の基板が第2の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する工程と、
前記加熱処理温度の変更が終了するまでは、前記後続の他のロットの先頭の基板が第2の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第1の加熱ユニットにて加熱処理された基板を、前記退避ユニットに順次満たしていくように、また第1の温調ユニットからの基板の搬出を禁止すると共に第1の塗布ユニットに存在する基板については第1の塗布ユニットにて塗布処理を終了した後、第1の加熱ユニットにて加熱処理を行ってから前記退避ユニットに搬送するように、そしてまた前記第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、前記搬送スケジュールを書き換える工程と、
前記他のロットに対して、書き換えられた搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して塗布膜を形成する処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
Claims (7)
- 複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、この処理ブロックにおける前記キャリアブロックとは反対側に設けられ、露光装置に接続されるインターフェイスブロックと、を有し、
処理ブロックでは、基板搬送手段により、第1の温度に基板を温調する第1の温調ユニット、第1の塗布液を基板に塗布する第1の塗布ユニット、基板を加熱処理する第1の加熱ユニット、第2の温度に基板を温調する第2の温調ユニット、第2の塗布液を基板に塗布する第2の塗布ユニット、基板を加熱処理する第2の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記第1の温調ユニット、第1の塗布ユニット、第1の加熱ユニット、及び前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の基板搬送手段を備えた前段単位ブロックと、
前記第2の温調ユニット、第2の塗布ユニット、第2の加熱ユニット、及び前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の基板搬送手段を備えると共に、前記前段単位ブロックに対して積層された後段単位ブロックと、
互いに積層された前記前段単位ブロック及び後段単位ブロックのうち、下段側の単位ブロックの上方に位置する上段側の単位ブロックの床部と、
前記前段単位ブロック及び後段単位ブロックの各搬送路の端部に隣接する領域同士の間で積層して設けられ、各単位ブロックに対応する高さ位置に配置されているステージ群についてはその単位ブロックの基板搬送手段により基板の受け渡しが行われるステージ群と、
前記ステージ群のステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうために設けられ、昇降自在な移載機構と、
前記ステージ群の一部を構成し、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットと、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットの最後の基板が第2の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する手段と、
前記一のロットの最後の基板が第2の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する場合には、前記加熱処理温度の変更が終了するまでは、前記後続の他のロットの先頭の基板が第2の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第1の加熱ユニットにて加熱処理された基板を退避ユニットに順次満たしていくように、また第1の温調ユニットからの基板の搬出を禁止すると共に第1の塗布ユニットに存在する基板については第1の塗布ユニットにて塗布処理を終了した後、第1の加熱ユニットにて加熱処理を行ってから前記退避ユニットに搬送するように、そしてまた前記第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、基板搬送手段を制御する手段と、を備え、
前記第2の温調ユニットは、前記ステージ群の一部を構成すると共に後段単位ブロックに対応する高さ位置に配置されることを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記退避ユニットは、前段単位ブロックに対応する高さ位置に配置されていることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。
- 前記退避ユニットに退避していた前記後続の他のロットの基板について、当該退避ユニットから下流側のモジュールへの搬送が開始されたときに、第1の温調ユニットからの基板の搬出を開始するように、基板搬送手段を制御する手段を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の塗布、現像装置。
- 前記第1の塗布ユニットはレジスト液を塗布する前の基板に反射防止膜用の塗布液を塗布するユニットであり、前記第2の塗布ユニットは基板にレジスト液を塗布するユニットであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。
- 前記第1の塗布ユニットは基板にレジスト液を塗布するユニットであり、前記第2の塗布ユニットはレジスト液が塗布された基板に反射防止膜用の塗布液を塗布するユニットであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。
- 複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、この処理ブロックにおける前記キャリアブロックとは反対側に設けられ、露光装置に接続されるインターフェイスブロックと、を有し、
処理ブロックでは、基板搬送手段により、第1の温度に基板を温調する第1の温調ユニット、第1の塗布液を基板に塗布する第1の塗布ユニット、基板を加熱処理する第1の加熱ユニット、第2の温度に基板を温調する第2の温調ユニット、第2の塗布液を基板に塗布する第2の塗布ユニット、基板を加熱処理する第2の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置であって、
前記第1の温調ユニット、第1の塗布ユニット、第1の加熱ユニット、及び前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の基板搬送手段を備えた前段単位ブロックと、
前記第2の温調ユニット、第2の塗布ユニット、第2の加熱ユニット、及び前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直線的に伸びる搬送路に沿ってこれらユニット間で基板を搬送するための単位ブロック用の基板搬送手段を備えると共に、前記前段単位ブロックに対して積層された後段単位ブロックと、
互いに積層された前記前段単位ブロック及び後段単位ブロックのうち、下段側の単位ブロックの上方に設けられた、上段側の単位ブロックの床部と、
前記前段単位ブロック及び後段単位ブロックの各搬送路の端部に隣接する領域同士の間で積層して設けられ、各単位ブロックに対応する高さ位置に配置されているステージ群についてはその単位ブロックの基板搬送手段により基板の受け渡しが行われるステージ群と、
前記ステージ群のステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうために設けられ、昇降自在な移載機構と、
前記ステージ群の一部を構成し、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットと、を備え、
前記第2の温調ユニットは、前記ステージ群の一部を構成すると共に後段単位ブロックに対応する高さ位置に配置された塗布、現像装置を用い、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットに対して、前記予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して塗布膜を形成する処理を行う工程と、
前記一のロットの最後の基板が第2の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する工程と、
前記加熱処理温度の変更が終了するまでは、前記後続の他のロットの先頭の基板が第2の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第1の加熱ユニットにて加熱処理された基板を、前記退避ユニットに順次満たしていくように、また第1の温調ユニットからの基板の搬出を禁止すると共に第1の塗布ユニットに存在する基板については第1の塗布ユニットにて塗布処理を終了した後、第1の加熱ユニットにて加熱処理を行ってから前記退避ユニットに搬送するように、そしてまた前記第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、前記搬送スケジュールを書き換える工程と、
前記他のロットに対して、書き換えられた搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して塗布膜を形成する処理を行う工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。 - 処理ブロックにて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリアブロックから受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項6に記載された塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012031066A JP5267691B2 (ja) | 2012-02-15 | 2012-02-15 | 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012031066A JP5267691B2 (ja) | 2012-02-15 | 2012-02-15 | 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006208806A Division JP2008034746A (ja) | 2006-07-31 | 2006-07-31 | 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012109607A true JP2012109607A (ja) | 2012-06-07 |
JP5267691B2 JP5267691B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=46494816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012031066A Active JP5267691B2 (ja) | 2012-02-15 | 2012-02-15 | 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5267691B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004193597A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム及び塗布、現像装置 |
JP2004228594A (ja) * | 1999-10-19 | 2004-08-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2005011936A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
JP2005101076A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2006165187A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008526032A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板を処理するクラスタツールアーキテクチャ |
-
2012
- 2012-02-15 JP JP2012031066A patent/JP5267691B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004228594A (ja) * | 1999-10-19 | 2004-08-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2004193597A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム及び塗布、現像装置 |
JP2005011936A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
JP2005101076A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2006165187A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008526032A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板を処理するクラスタツールアーキテクチャ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5267691B2 (ja) | 2013-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008034746A (ja) | 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 | |
JP5023679B2 (ja) | 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 | |
JP5168300B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP5151383B2 (ja) | 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 | |
JP4356936B2 (ja) | 塗布、現像装置及びその方法 | |
JP4464993B2 (ja) | 基板の処理システム | |
JP4414909B2 (ja) | 塗布、現像装置 | |
JP4973675B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2008258208A (ja) | 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 | |
JP4541966B2 (ja) | 塗布処理方法及び塗布処理装置並びにコンピュータプログラム | |
JP4687682B2 (ja) | 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 | |
JP2010278249A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP4770938B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005294460A (ja) | 塗布、現像装置 | |
JP2018029125A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2012080077A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2013069916A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP5267691B2 (ja) | 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 | |
JP5348290B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP4640469B2 (ja) | 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 | |
JP4606159B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、コンピュータプログラム及び記憶媒体 | |
JP5904294B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2013069917A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130409 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130422 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5267691 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |