JP2012104524A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012104524A5
JP2012104524A5 JP2010249158A JP2010249158A JP2012104524A5 JP 2012104524 A5 JP2012104524 A5 JP 2012104524A5 JP 2010249158 A JP2010249158 A JP 2010249158A JP 2010249158 A JP2010249158 A JP 2010249158A JP 2012104524 A5 JP2012104524 A5 JP 2012104524A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lambda
emitting laser
surface emitting
active layer
before symbol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010249158A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5804690B2 (ja
JP2012104524A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010249158A priority Critical patent/JP5804690B2/ja
Priority claimed from JP2010249158A external-priority patent/JP5804690B2/ja
Priority to US13/284,069 priority patent/US8379685B2/en
Publication of JP2012104524A publication Critical patent/JP2012104524A/ja
Publication of JP2012104524A5 publication Critical patent/JP2012104524A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5804690B2 publication Critical patent/JP5804690B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2010249158A 2010-11-05 2010-11-05 面発光レーザ Expired - Fee Related JP5804690B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010249158A JP5804690B2 (ja) 2010-11-05 2010-11-05 面発光レーザ
US13/284,069 US8379685B2 (en) 2010-11-05 2011-10-28 Surface emitting laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010249158A JP5804690B2 (ja) 2010-11-05 2010-11-05 面発光レーザ

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012104524A JP2012104524A (ja) 2012-05-31
JP2012104524A5 true JP2012104524A5 (https=) 2013-12-19
JP5804690B2 JP5804690B2 (ja) 2015-11-04

Family

ID=46019597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010249158A Expired - Fee Related JP5804690B2 (ja) 2010-11-05 2010-11-05 面発光レーザ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8379685B2 (https=)
JP (1) JP5804690B2 (https=)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5627361B2 (ja) 2010-09-16 2014-11-19 キヤノン株式会社 ２次元フォトニック結晶面発光レーザ
US8885683B2 (en) 2011-12-21 2014-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming microstructure of nitride semiconductor, surface emitting laser using two-dimensional photonic crystal and production process thereof
JP6083703B2 (ja) * 2012-02-28 2017-02-22 国立大学法人京都大学 ２次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP2015523726A (ja) 2012-06-18 2015-08-13 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 偶発的ディラック点によって有効化されるフォトニック結晶面発光レーザー
JP7316285B2 (ja) * 2018-08-27 2023-07-27 浜松ホトニクス株式会社 発光装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3983933B2 (ja) * 1999-05-21 2007-09-26 進 野田 半導体レーザ、および半導体レーザの製造方法
JP3613348B2 (ja) * 2002-02-08 2005-01-26 松下電器産業株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP4484134B2 (ja) * 2003-03-25 2010-06-16 独立行政法人科学技術振興機構 ２次元フォトニック結晶面発光レーザ
US20070030873A1 (en) * 2005-08-03 2007-02-08 Finisar Corporation Polarization control in VCSELs using photonics crystals
TWI279595B (en) * 2005-11-14 2007-04-21 Ind Tech Res Inst Electromagnetic polarizing structure and polarized electromagnetic device
US7535946B2 (en) 2006-11-16 2009-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Structure using photonic crystal and surface emitting laser
US7499480B2 (en) 2006-11-16 2009-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Photonic crystal structure and surface-emitting laser using the same
JP5111161B2 (ja) 2007-04-19 2012-12-26 キヤノン株式会社 フォトニック結晶層を有する構造体、それを用いた面発光レーザ
JP4338211B2 (ja) 2007-08-08 2009-10-07 キヤノン株式会社 フォトニック結晶を有する構造体、面発光レーザ
JP5070161B2 (ja) * 2007-08-31 2012-11-07 独立行政法人科学技術振興機構 フォトニック結晶レーザ
JP4968959B2 (ja) 2008-03-06 2012-07-04 キヤノン株式会社 フォトニック結晶および該フォトニック結晶を用いた面発光レーザ
JP5388666B2 (ja) 2008-04-21 2014-01-15 キヤノン株式会社 面発光レーザ
JP2010219307A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 光源装置、プロジェクター
JP5183555B2 (ja) 2009-04-02 2013-04-17 キヤノン株式会社 面発光レーザアレイ
JP4975130B2 (ja) 2009-05-07 2012-07-11 キヤノン株式会社 フォトニック結晶面発光レーザ
JP5047258B2 (ja) 2009-12-09 2012-10-10 キヤノン株式会社 二次元フォトニック結晶面発光レーザ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4338211B2 (ja) フォトニック結晶を有する構造体、面発光レーザ
JP2012104524A5 (https=)
JP5304158B2 (ja) 光共振器及び波長可変レーザ
WO2004086575A1 (ja) ２次元フォトニック結晶面発光レーザ
Shitrit et al. Asymmetric free-space light transport at nonlinear metasurfaces
WO2007119761B1 (en) Vcsel with photonic crystal mirror for waveguiding by diffraction
JP2008304932A5 (https=)
Luo et al. Wavy optical grating: Wideband reflector and Fabry-Pérot bound states in the continuum
Zhao et al. Design of photonic crystal membrane-reflector-based VCSELs
JP2008034797A5 (https=)
JP5804690B2 (ja) 面発光レーザ
JP2012099647A5 (https=)
JP2012222061A5 (https=)
JP2012098513A (ja) 波長選択フィルタ及びそれを備えたフィルタ装置及びレーザ装置
JP5941055B2 (ja) 偏光安定性面発光レーザーダイオード
WO2015190570A1 (ja) 外部共振器型発光装置
JP2016080847A5 (https=)
CN110797747B (zh) 一种基于全介质超表面的激光发射器及参数确定方法
WO2008078595A1 (ja) 面発光レーザ
JP2012195439A5 (ja) 面発光レーザ、面発光レーザアレイ及び画像形成装置
JP2008147623A (ja) フォトニック結晶を用いた構造体、及び面発光レーザ
Kumar et al. Widely tunable mirror based on 3D hollow waveguide for tunable photonic integrated circuits
Daneshmandi et al. Characteristics of new hybrid plasmonic Bragg reflectors based on sinusoidal and triangular gratings
JP2009181994A (ja) 固体レーザ用光学素子
JP2004111709A (ja) 半導体レーザ