JP2009181994A - 固体レーザ用光学素子 - Google Patents
固体レーザ用光学素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009181994A JP2009181994A JP2008017310A JP2008017310A JP2009181994A JP 2009181994 A JP2009181994 A JP 2009181994A JP 2008017310 A JP2008017310 A JP 2008017310A JP 2008017310 A JP2008017310 A JP 2008017310A JP 2009181994 A JP2009181994 A JP 2009181994A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solid
- film
- wavelength
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】Nd:YAG結晶である固体レーザ媒質3の励起光入射側端面に、該媒質3に接触する初期層と最も外側の最終層とが低屈折率のSiO2膜層4aであり、その間を、SiO2膜層4aと高屈折率のTa2O5膜層4bとが交互に積層された構造を基本として、前半層と後半層とでそれぞれ1層ずつTa2O5膜層4bを透過率が中間のAl2O3膜層4cに置き換えた誘電体多層膜4を形成する。この各膜層4a、4b、4cの膜厚とAl2O3膜層4cの置換位置とを適宜に調整することで、励起光の波長809〜812nmを99.9%以上透過し、基本波光の波長(946nm)波長を99.9%以上反射し、且つ固体レーザ媒質3で励起される不要な波長(1064nm)を高い効率で透過させる選択的反射・透過層となる。これにより、高出力の青色レーザの単色性を向上させることができる。
【選択図】図2
Description
(1)基本波の波長に対する反射率ができるだけ100%に近いこと。
(2)励起光の波長に対する透過率ができるだけ100%に近いこと。
(3)損傷値を向上させるために基本波の波長における膜層中での吸収・散乱ができるだけ0%に近いこと。
特に、上記(1)、(2)の条件は発振効率を高めて出力を高くするのに重要であり、(3)の条件は出力を高めたときに反射層が発熱により損傷することを防止するために重要である。多重縦モード発振を抑制するには、上記要件に加え、(4)固体レーザ媒質で励起される不要な光の波長に対する反射率ができるだけ低い(換言すれば透過率ができるだけ高い)こと、が必要になる。しかしながら、基本波の波長とこの不要な光の波長とが近い場合には、(1)と(4)の要件を両立させることは難しい。
前記選択的反射・透過層は、前記固体レーザ媒質を基板とし、該基板に接触する初期層と最も外側に位置する最終層とが共に、屈折率がn1である低屈折材料から成る膜層であり、その間が、屈折率がn2(n2>n1)である高屈折材料から成る膜層と前記低屈折材料から成る膜層との交互の配置を基本としつつ、前記基板に近い前半層及び外側に近い後半層とでそれぞれ少なくとも1層ずつ前記高屈折材料から成る膜層が、屈折率がn3(n2>n3>n1)である中間屈折材料から成る膜層に置換された誘電体多層膜であることを特徴としている。
(1)基本波の波長及びその近傍波長(946±25nm)に対する目標反射率:99.997%以上。
(2)励起光の波長(809〜812nm)に対する目標透過率:99.9%以上。
(3)基本波波長における膜層中での吸収・散乱をできるだけ0%に近ずける。
(4)Nd:YAG結晶で励起される他の波長(1064nm)の透過率をできるだけ高くする。
2…レンズ
3…固体レーザ媒質
4…誘電体多層膜
4a…SiO2膜層
4b…Ta2O5膜層
4c…Al2O3膜層
5…出力ミラー
6…共振器
7…KTP結晶(波長変換素子)
Claims (3)
- 所定波長の励起光により励起されて基本波光を放出する固体レーザ媒質と、該固体レーザ媒質の励起光入射側端面に形成され、出力ミラーとの間で基本波光を共振させる共振器を形成するために、前記励起光を透過する一方、前記基本波光を反射する選択的反射・透過層と、を有する固体レーザ用光学素子であって、
前記選択的反射・透過層は、前記固体レーザ媒質を基板とし、該基板に接触する初期層と最も外側に位置する最終層とが共に、屈折率がn1である低屈折材料から成る膜層であり、その間が、屈折率がn2(n2>n1)である高屈折材料から成る膜層と前記低屈折材料から成る膜層との交互の配置を基本としつつ、前記基板に近い前半層及び外側に近い後半層とでそれぞれ少なくとも1層ずつ前記高屈折材料から成る膜層が、屈折率がn3(n2>n3>n1)である中間屈折材料から成る膜層に置換された誘電体多層膜であることを特徴とする固体レーザ用光学素子。 - 請求項1に記載の固体レーザ用光学素子であって、前記誘電体多層膜は、励起光の波長:809〜812nmを透過させ、基本波光の波長:946、1046又は1320nmのいずれかを反射させるものであることを特徴とする固体レーザ用光学素子。
- 請求項1又は2に記載の固体レーザ用光学素子であって、固体レーザ媒質はNd:YAG結晶又はNd:YVO4結晶、低屈折材料は酸化シリコン(SiO2)、高屈折材料は五酸化タンタル(Ta2O5)、中間屈折材料は酸化アルミニウム(Al2O3)であることを特徴とする固体レーザ用光学素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008017310A JP2009181994A (ja) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 固体レーザ用光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008017310A JP2009181994A (ja) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 固体レーザ用光学素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009181994A true JP2009181994A (ja) | 2009-08-13 |
Family
ID=41035761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008017310A Pending JP2009181994A (ja) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 固体レーザ用光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009181994A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014130911A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置に用いるバンドパスフィルタおよびこれを用いた発光装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57134981A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Toshiba Corp | Helium neon laser device |
JPH02295181A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ素子 |
JPH0462505A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-02-27 | Toshiba Corp | 光学部品及びガスレーザ管 |
JPH04145677A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 可視レーザ用高反射鏡 |
JPH07221383A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ld励起第二高調波発生固体レーザ装置 |
JP2009010148A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Shimadzu Corp | 固体レーザ装置 |
-
2008
- 2008-01-29 JP JP2008017310A patent/JP2009181994A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57134981A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Toshiba Corp | Helium neon laser device |
JPH02295181A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ素子 |
JPH0462505A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-02-27 | Toshiba Corp | 光学部品及びガスレーザ管 |
JPH04145677A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 可視レーザ用高反射鏡 |
JPH07221383A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ld励起第二高調波発生固体レーザ装置 |
JP2009010148A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Shimadzu Corp | 固体レーザ装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014130911A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置に用いるバンドパスフィルタおよびこれを用いた発光装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5278868B2 (ja) | 発光素子 | |
CN100377451C (zh) | 固态激光发生器 | |
US9124064B2 (en) | Ultrashort pulse microchip laser, semiconductor laser, and pump method for thin laser media | |
JP2007142384A (ja) | 高効率の二次高調波生成外部共振器型面発光レーザ | |
US7065109B2 (en) | Laser with narrow bandwidth antireflection filter for frequency selection | |
WO2010013546A1 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP5529153B2 (ja) | 波長変換レーザ光源及び画像表示装置 | |
JP5410344B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP2010123819A (ja) | レーザ媒質 | |
JP2008218568A (ja) | レーザ装置 | |
JP2000133863A (ja) | 固体レーザ装置 | |
KR20120046680A (ko) | 레이저광 파장 변환 장치 | |
JP6629194B2 (ja) | 外部共振器型発光装置 | |
JP2009181994A (ja) | 固体レーザ用光学素子 | |
JP2008536322A (ja) | 単周波数モノリシック線形レーザ・デバイス、および該デバイスを備えた装置 | |
JP2008294090A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2009010148A (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP5826409B2 (ja) | レーザ装置 | |
US11211771B2 (en) | Apparatus and method of high power nanosecond mode-locked solid state laser | |
Jacobsson et al. | Tunable Yb: KYW laser using volume Bragg grating in s-polarization | |
JP2010171182A (ja) | 多波長半導体レーザ装置 | |
JP2004281595A (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2009016607A (ja) | モードロックレーザ装置 | |
JP2007073934A (ja) | エンドポンピング垂直外部共振型の表面発光レーザー | |
JP2007188989A (ja) | レーザー装置の励起光集光レンズ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100407 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100407 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120105 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20120229 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20121002 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |