JP2012104524A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5627361B2 (ja) 2010-09-16 2014-11-19 キヤノン株式会社 ２次元フォトニック結晶面発光レーザ
US8885683B2 (en) 2011-12-21 2014-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming microstructure of nitride semiconductor, surface emitting laser using two-dimensional photonic crystal and production process thereof
US9088133B2 (en) * 2012-02-28 2015-07-21 Kyoto University Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser
JP2015523726A (ja) * 2012-06-18 2015-08-13 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 偶発的ディラック点によって有効化されるフォトニック結晶面発光レーザー
US11923655B2 (en) * 2018-08-27 2024-03-05 Hamamatsu Photonics K.K. Light emission device

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3983933B2 (ja) * 1999-05-21 2007-09-26 進 野田 半導体レーザ、および半導体レーザの製造方法
CN1286228C (zh) * 2002-02-08 2006-11-22 松下电器产业株式会社 半导体发光元件及其制造方法
JP4484134B2 (ja) * 2003-03-25 2010-06-16 独立行政法人科学技術振興機構 ２次元フォトニック結晶面発光レーザ
US20070030873A1 (en) * 2005-08-03 2007-02-08 Finisar Corporation Polarization control in VCSELs using photonics crystals
TWI279595B (en) * 2005-11-14 2007-04-21 Ind Tech Res Inst Electromagnetic polarizing structure and polarized electromagnetic device
US7535946B2 (en) 2006-11-16 2009-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Structure using photonic crystal and surface emitting laser
US7499480B2 (en) 2006-11-16 2009-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Photonic crystal structure and surface-emitting laser using the same
JP5111161B2 (ja) 2007-04-19 2012-12-26 キヤノン株式会社 フォトニック結晶層を有する構造体、それを用いた面発光レーザ
JP4338211B2 (ja) 2007-08-08 2009-10-07 キヤノン株式会社 フォトニック結晶を有する構造体、面発光レーザ
JP5070161B2 (ja) * 2007-08-31 2012-11-07 独立行政法人科学技術振興機構 フォトニック結晶レーザ
JP4968959B2 (ja) 2008-03-06 2012-07-04 キヤノン株式会社 フォトニック結晶および該フォトニック結晶を用いた面発光レーザ
JP5388666B2 (ja) 2008-04-21 2014-01-15 キヤノン株式会社 面発光レーザ
JP2010219307A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 光源装置、プロジェクター
JP5183555B2 (ja) 2009-04-02 2013-04-17 キヤノン株式会社 面発光レーザアレイ
JP4975130B2 (ja) 2009-05-07 2012-07-11 キヤノン株式会社 フォトニック結晶面発光レーザ
JP5047258B2 (ja) 2009-12-09 2012-10-10 キヤノン株式会社 二次元フォトニック結晶面発光レーザ

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