JP2012099910A - 撮像装置、放射線撮影システム、イメージセンサの制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 非破壊読み出し型の光電変換素子のサンプリング容量に基準電圧をサンプリングし、読み出し回路内部で簡易走査をすることにより、読み出し回路内のフローティング部にロジック電圧、サンプリングした基準電圧を初期電位として印可し、フローティング部の電位を固定化することにより画像読み出し時のオフセットを安定させ、良好なオフセット補正を可能にする。
【選択図】 図6
Description
情報処理装置101は、撮影時に放射線撮像装置100とX線発生装置103を同期制御する。撮像装置100は、被写体を透過した放射線は不図示のシンチレータにより可視光に変換され、光電変換により生成された画像データが撮像装置100から情報処理装置101に転送される。情報処理装置101にて画像処理が行われた後、画像表示装置102に被写体の放射線画像が表示される。放射線の照射、画像の生成、画像の表示はリアルタイムで繰り返し行われるため、撮影をしながら被写体を放射線動画像で観察することができる。
矩形半導体基板301は、チップセレクト端子CS、光信号出力端子S、ノイズ信号出力端子N、垂直走査回路スタート信号VST、垂直走査回路クロック端子CLKV、水平走査回路スタート信号端子HST、水平走査回路クロック端子CLKHを有する。
行選択線305は画素を行毎に選択するための信号を伝送する信号伝送路であり、行と並行に複数配置されている。列信号線306、307は選択された画素の信号を列毎に読み出すための信号伝送路であり、列と並行に複数配置されている。
列信号線306、307に出力された電圧信号を水平走査回路304が順次選択することにより、アナログ出力信号線308,309に各画素の電圧信号が順次出力される。アナログ出力信号線308、309は列信号線306,307の信号をA/D変換器へと出力する。
図4のタイムチャートにおいて、(t50)で撮影モードが設定され、(t51)から撮影のための駆動が開始される。
信号CS0〜CS3は矩形半導体基板のアナログ信号の出力を制御するチップセレクト信号である。図4の矩形半導体基板のアナログ出力信号に振られている番号は、タイムチャートのチップセレクト信号CSの数字と1対1で対応している。たとえば、CS0が“H”の間は矩形半導体基板のアナログ出力信号番号“0”のアナログ出力が有効になり、次段の増幅器107に出力される。CS1が“H”の時はアナログ出力信号番号“1”のアナログ出力が有効になり、次段の増幅器107に出力される。CS0はアナログ出力信号番号“0”の矩形半導体基板に接続される。CS1はアナログ出力信号番号“1”の矩形半導体基板に接続される。CS2はアナログ出力信号番号“2”の矩形半導体基板に接続される。CS3はアナログ出力信号番号“3”の矩形半導体基板に接続されている。
垂直走査スタート信号VSTがハイの状態で、垂直走査クロックCLKVが立ち上がると、図3の垂直走査回路の行信号線V1がイネーブルとなる。行信号V1で選択される画素群(1,1)から(n,1)の出力が有効になり、列信号線に画素群(1,1)から(n,1)の各画素の画素電圧信号が出力される。
A/D変換を行う画素のラインを切り換えるCLKV信号で制御される帰線時間を1μsec、チップセレクト信号CS0,CS1,CS2の切り換え時間を1μsec、帰線時間にチップセレクトの切り換えを同時に行うとする。
以上の条件下で、1ラインを読み出す時間は、22.2μsecとなり、矩形半導体基板3枚の領域、横方向384画素、縦方向画素896画素を1つのA/D変換器でA/D変換するための時間は、約20msecである。センサパネルの全A/D変換器のA/D変換を同時に行うことにより、約20msecでセンサパネルの画像の読み出しが完了する。
フレームレートが15fpsであることから、動画撮影の周期は約66msecである。画像の読み出しは図4で説明したように約20msec。サンプリング駆動S1の期間、リセット駆動R1の期間ともに約1msec、X線ウィンドウは50msecであるとする。矩形半導体基板106の画素回路は、図2に示した非破壊読み出しが可能な画素回路を用いる。
内部走査IS(第一の制御)では、読み出しスイッチM9、M12および前記出力スイッチを順にオンすることで列信号線及びアナログ出力信号線にサンプルホールドされた電圧を印加する。容量CSに蓄積された光信号電圧および容量CNに蓄積されたノイズ信号電圧をそれぞれ信号線に印加する。
図6に戻り初期電位化以降の制御について説明する。
読み出し回路内のXYアドレス方式走査回路内でフローティングとなっている行信号線、列信号線に信号電圧を印可し、不定電位を初期電位にする処理は、撮影モード設定後の動画撮影の前に限られない。撮像素子電源投入後最初の動画撮影の前、モード切り換え後の動画撮影の前、前撮影から時間が経過した後の動画撮影の前に行っても良い。
図8はCMOS型矩形半導体基板内の画素加算回路の回路図および模式的構成図である。図8(a)は図1の画素回路を2回路分簡略した回路に画素加算回路を挿入した回路例である。実際の回路はS信号、N信号それぞれ画素加算回路が構成されているが、図8ではS信号、N信号のサンプルホールド回路は説明簡略化のため片方のみ記載している。160、161は、それぞれの回路のフォトダイオードであり、図2のフォトダイオードPDにあたる。162、163、166、167、172、173はそれぞれの回路のソースフォロアとして動作する増幅MOSトランジスタ(画素アンプ)である。162、163は図1の画素アンプ1(M4)にあたり、166、167は図2の画素アンプ2(M7)にあたり、172、173は図2の画素アンプS(M10)もしくは画素アンプN(M13)にあたる。164、165はそれぞれの回路のクランプ容量であり、図2のクランプ容量(Ccl)にあたる。168、169は、それぞれの回路の光信号もしくはノイズ信号蓄積用のサンプルホールド回路を構成する、サンプルMOSトランジスタ(サンプルスイッチ)である。168、169は図2のサンプルホールドスイッチS(M8)もしくはサンプルホールドスイッチN(M11)にあたる。170、171は光信号用もしくはノイズ信号用ホールド容量であり、図2の光信号用ホールド容量(CS)もしくはノイズ信号用ホールド容量(CN)にあたる。150および151は画素加算回路を構成する加算用MOSトランジスタ(ビニングスイッチ)である。図8(b)は矩形半導体基板の1画素分の画素回路を“□”で表した画素加算回路を示す。図8(a)の点線で囲まれた部分と図8(b)の点線で囲まれた部分は同じ回路部を示している。図8(b)に示すように、隣り合う画素ごとの光信号もしくはノイズ信号用ホールド容量を導通し、画素加算を行う。これにより画素情報を捨てることなく走査する画素を減らし、より高速なフレームレートでの信号の読み出しを可能としている。図8(b)では、信号ADD0をハイレベル、信号ADD1をローレベルにすると、2×2の画素加算を行う。信号ADD0をハイレベル、信号ADD1をハイレベルにすると4×4の画素加算を行う。
第二の実施形態では、第一の実施形態と同様に撮影フレームレートが15fpsである場合を例として説明する。
撮影された画像の読み出しは、読み出しRDの期間に行われるが、この読み出しの期間中は、画素加算用のスイッチングトランジスタをオンし、4×4の画素加算モードで内部走査を行う。また、撮影のサンプリング駆動期間中は、ADD0、ADD1を共にローレベルとし、画素加算用のスイッチングトランジスタをオフにする。
図9に示すサンプリング駆動S2の信号パターンは、フォトダイオードPDのリセットとともに、PCL信号がハイとなり基準電圧VCLがクランプ回路に印可されている。このPCL信号がハイの間にST信号、TN信号により光信号用ホールド容量CS、ノイズ信号用ホールド容量CNに基準電圧VCLをサンプルホールドさせている。
このように複数回にわたって初期電位化処理を行うことで、1回の場合に比べて信号線における不定電位の影響をより低減させることができる。
実施例3と同様にサンプリング駆動S1の直前に読み出し回路の内部走査ISを開始し、サンプリング駆動S1の開始前までに内部走査ISが完了する。
(t164)で終了した撮影画像の読み出し終了後、動画フレーム撮影の間隔以下の周期で、(t165)、(t166)、(t167)と読み出し回路の不定電位の初期電位化駆動を挿入した例である。
M4 画素アンプ
M5 クランプスイッチ
M8 信号スイッチ
M9 信号読み出しスイッチ
Cfd フローティングディフュージョン容量
Ccl クランプ容量
CS 光信号用ホールド容量
CN ノイズ用ホールド容量
100 放射線撮像装置
101 情報処理装置
105 フラットパネルセンサ
106 矩形半導体基板
108 A/D変換器
109 撮影制御部
306、307 列信号線
308、309 アナログ出力信号線
IS 内部走査駆動
Claims (17)
- 受光量に応じた電荷を蓄積する光電変換素子と、
前記蓄積された電荷に対応する信号電圧を得る画素アンプと、
前記画素アンプと接続し、入力された電圧を保持する保持手段と、
前記保持された電圧が印加される信号線と、
前記光電変換素子による電荷の蓄積中に前記保持された電圧を前記信号線に印加する第一の制御と、前記保持手段に保持された前記蓄積された電荷に対応する信号電圧を前記第一の制御の後に前記信号線に印加する第二の制御と、を行う制御手段と、
前記第一の制御にて信号線に印加された電圧に基づく画像は生成せず、前記第二の制御にて信号線に印加された信号電圧に基づく画像を生成する生成手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。 - 前記画素アンプと前記保持手段との間に設けられたクランプ回路を更に有し、
前記第一の制御にて前記信号線に印加された電圧は、前記クランプ回路に印加される基準電圧であることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記制御手段は、前記第一の制御および前記第二の制御を繰り返し行い、前記第二の制御が終了した後に前記保持手段に保持されている信号電圧を前記信号線に印加する前記第一の制御を行うことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記制御手段は、前記光電変換素子を受光させて得られた信号電圧を前記保持手段により保持し、該保持された信号電圧を前記信号線に印加する前記第一の制御と、該信号電圧を前記第一の制御の後に前記信号線に印加する第二の制御と、を行うことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記光電変換素子に蓄積された電荷をリセットするリセット回路を更に有し、
前記制御手段は前記電荷をリセットし前記画素アンプを非動作状態とすることで前記光電変換素子を電荷の蓄積状態へと移行させることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記光電変換素子、画素アンプおよび保持手段を有する画素回路が行列状に複数配置され、該画素を行毎に選択するための信号を伝送する行選択線が行と並行に複数配置され、選択された画素の信号を列毎に読み出すための列信号線が列と並行に複数配置され、
前記列信号線の信号をA/D変換器へと出力する出力信号線が配置されたイメージセンサを有することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記保持手段に保持された電圧を前記列信号線に印加するか否かを制御する読み出しスイッチと、
前記列信号線に印加された電圧を前記出力信号線に印加するか否かを制御する出力スイッチと、を有し、
前記第一の制御は前記読み出しスイッチおよび前記出力スイッチを順にオンすることで前記信号線としての前記列信号線および前記出力信号線に前記保持された電圧を印加することを特徴とする請求項6に記載の撮像装置。 - 前記第一の制御は、少なくとも1つの前記読み出しスイッチを順にオン状態とした後に全ての前記出力スイッチを順にオン状態とし、残りの前記読み出しスイッチを順にオン状態とすることを特徴とする請求項7に記載の撮像装置。
- 前記保持手段は、受光量に応じた電荷に対応する光信号電圧とノイズ信号電圧とをそれぞれサンプルホールドするサンプルホールド回路であり、
前記制御手段は前記第一の制御にて前記光信号電圧と前記ノイズ信号電圧をそれぞれ信号線に印加することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記生成手段は、前記光電変換素子を受光させながら前記第二の制御を行って得られた信号電圧に基づき画像を生成し、前記光電変換素子を受光させずに該第二の制御と実質的に同一の制御を行って得られた信号電圧に基づき暗電流画像を生成する
を有することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 複数の光電変換素子のそれぞれに対応する複数の保持手段を導通させるビニングスイッチを有し、
前記制御手段は、前記第二の制御にて前記ビニングスイッチをオンしてビニング読み出しを行う場合には、前記第二の制御に先立つ前記第一の制御にて前記ビニングスイッチをオンした状態で前記保持手段に保持された電圧を印加する制御を行う
ことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記制御手段は、前記第一の制御の終了に応じて撮像準備が完了したことを示す信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記制御手段は、放射線発生装置に対して曝射許可信号が出力されている間に前記第一の制御を行うことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記制御手段は、前記第二の制御が終了した後所定時間の間に前記第二の制御が行われない場合に、前記第一の制御を実行することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 電荷を蓄積する光電変換素子と、
前記蓄積された電荷に対応する信号電圧を得る画素アンプと、
前記画素アンプと接続し、信号電圧をクランプするクランプ回路と、
前記保持された電圧が印加される信号線と、
前記クランプ回路に印加された基準電圧に対応する電圧を前記信号線に印加する第一の制御と、前記第一の制御の後に信号電圧を前記信号線に印加する第二の制御と、を行う制御手段と、
前記第二の制御にて信号線に印加された信号電圧に基づく画像を生成する生成手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。 - 放射線発生装置と、
電荷を蓄積する光電変換素子と、
前記蓄積された電荷に対応する信号電圧を得る画素アンプと、
前記画素アンプと接続し入力された電圧を保持する保持手段と、
前記保持された電圧が印加される信号線と、
前記光電変換素子による電荷の蓄積中に前記保持された電圧を前記信号線に印加する第一の制御と、前記保持手段に保持された前記蓄積された電荷に対応する信号電圧を前記第一の制御の後に前記信号線に印加する第二の制御と、を行う制御手段と、
前記第一の制御にて信号線に印加された電圧に基づく画像は生成せず、前記第二の制御にて信号線に印加された信号電圧に基づく画像を生成する生成手段と、
前記生成された画像を表示する表示手段と、
を有することを特徴とする放射線撮影システム。 - 電荷を蓄積する光電変換素子と、前記蓄積された電荷に対応する信号電圧を得る画素アンプと、前記画素アンプと接続し入力された電圧を保持する保持手段と、前記保持された電圧が印加される信号線と、を有するイメージセンサの制御方法であって、
前記光電変換素子による電荷の蓄積中に前記保持された電圧を前記信号線に印加するリセット工程と、前記保持手段に保持された前記蓄積された電荷に対応する信号電圧を前記信号線に印加する読み出し工程と、
前記読み出し工程にて信号線に印加された信号電圧に基づく画像を生成するステップとを有し、
前記リセット工程にて信号線に印加された電圧に基づく画像は生成する制御は実行しないことを特徴とする制御方法。
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