JP2012093332A5 - 放射線画像撮影用グリッドの製造方法 - Google Patents

Description

本発明の目的は、アスペクト比の高いＸ線吸収部を有するグリッドを精度よく製造する方法を提供することにある。

第２基板は、第１基板と同程度の熱膨張係数を有することが好ましい。また、第２基板は、電極として用いられる導電性薄膜が設けられていてもよい。

第２基板は、第１基板と同じ材質とし、かつ半導体にしてもよい。また、第２基板は、第１基板と同じ材質でかつ半導体である導電性薄膜と、絶縁体により構成され、導電性薄膜を支持する支持基板とから構成してもよい。更に、第１基板を不純物のドープにより一導電型を有する一導電型半導体とし、第２基板の半導体は、不純物のドープにより一導電型半導体と反対の導電型を有する反対導電型半導体としてもよい。その際に、一導電型半導体は、ｎ型半導体としてもよい。

メッキ工程の後に、第１基板の少なくとも一方の面を研磨してもよい。また、第１基板の第２基板が接合されている面を研磨する際に、第２基板を除去してもよい。更に、第１基板の両面を研磨する際に、第２基板が接合されていない面を研磨した後に当該面に保護層を形成し、その後に第２基板が接合されている面を研磨してもよい。

放射線透過性を有する保持部材に設けられた湾曲面に放射線画像撮影用グリッドを接合して湾曲させる工程を備えてもよい。

Claims (20)

1. 放射線透過性を有する第１基板と、導電性及び放射線透過性を有する第２基板とを接合する接合工程と、
   前記第１基板にエッチングマスクを介してエッチングを行って複数の溝を形成し、前記溝の間に配された部位を複数の放射線透過部とするエッチング工程と、
   前記第２基板を電極として用いる電解メッキ法により、前記溝内に放射線吸収材料を充填して複数の放射線吸収部を形成するメッキ工程と、
   を備えることを特徴とする放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
2. 前記エッチングは、深堀用ドライエッチングによって行なわれることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
3. 前記第２基板は、前記第１基板と同程度の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
4. 前記第２基板は、前記電極として用いられる導電性薄膜が設けられていることを特徴とする請求項１〜３いずれか一項に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
5. 前記第２基板は、前記第１基板と同じ材質であり、かつ半導体であることを特徴とする請求項１〜３いずれか一項に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
6. 前記第２基板は、前記第１基板と同じ材質でかつ半導体である導電性薄膜と、絶縁体により構成され、前記導電性薄膜を支持する支持基板とを備えることを特徴とする請求項１〜３いずれか一項に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
7. 前記第１基板は、不純物のドープにより一導電型を有する一導電型半導体であり、前記第２基板の半導体は、不純物のドープにより前記一導電型半導体と反対の導電型を有する反対導電型半導体であることを特徴とする請求項５または６に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
8. 前記一導電型半導体は、ｎ型半導体からなることを特徴とする請求項７に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
9. 前記第１基板は、非導電性、あるいは比抵抗値が１００Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１〜６いずれか一項に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
10. 前記第１基板は、前記エッチング工程後に、少なくとも表面が絶縁性を有することを特徴とする請求項１〜８いずれか一項に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
11. 前記エッチング工程後に、前記第１基板の表面の全部または一部に絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１０に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
12. 前記絶縁層は、親水性を有することを特徴とする請求項１１に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
13. 前記エッチング工程後に、前記第１基板にイオン注入を行なって比抵抗値を高くする工程を有することを特徴とする請求項１０に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
14. 前記メッキ工程の後に、前記第１基板の少なくとも一方の面を研磨することを特徴とする請求項１〜１３いずれか一項に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
15. 前記第１基板の前記第２基板が接合されている面を研磨する際に、前記第２基板を除去することを特徴とする請求項１４に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
16. 前記第１基板の両面を研磨する場合には、前記第２基板が接合されていない面を研磨した後に当該面に保護層を形成し、その後に前記第２基板が接合されている面を研磨することを特徴とする請求項１５に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
17. 前記メッキ工程の後に、前記第１基板にエッチングを行なって、前記放射線吸収部の間の前記放射線透過部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１〜１４いずれか一項に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
18. 前記接合工程の前に、前記第１基板と前記第２基板との少なくとも一方の接合面に、多数の凹部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１〜１７いずれか一項に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
19. 前記接合工程の前に、
    前記第１基板の接合面を粗面にする工程と、
    前記粗面に放射線透過性及び導電性を有するアンカー層を形成する工程と、
    前記アンカー層を研磨して平滑化する工程と、
    を含むことを特徴とする請求項１〜１７いずれか一項に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
20. 放射線透過性を有する保持部材に設けられた湾曲面に、前記放射線画像撮影用グリッドを接合して湾曲させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。