JP2012082267A - マスキングフィルム支持体 - Google Patents
マスキングフィルム支持体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012082267A JP2012082267A JP2010227759A JP2010227759A JP2012082267A JP 2012082267 A JP2012082267 A JP 2012082267A JP 2010227759 A JP2010227759 A JP 2010227759A JP 2010227759 A JP2010227759 A JP 2010227759A JP 2012082267 A JP2012082267 A JP 2012082267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- masking film
- layer
- film support
- wiring board
- polyester
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 title claims abstract description 89
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 claims abstract description 40
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 31
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1 YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 30
- 238000004080 punching Methods 0.000 abstract description 24
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 12
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 103
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N propane-1,3-diol Chemical compound OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001634 Copolyester Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006124 polyolefin elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
配線基板に部分的にめっきを施す際に用いられるマスキングフィルムに要求される特性、即ち、めっき処理部を打ち抜く際の良好な打ち抜き性、配線基板表面への良好な追従性、加熱時の低収縮性、粘着剤に対する濡れ性が良好なマスキングフィルム支持体を提供することを課題とする。
【解決手段】
ポリブチレンテレフタレートよりなる層と、ガラス転移温度40℃〜90℃のポリエステルよりなる層とが共押出し法により積層され、総厚みが10μm〜50μmであるマスキングフィルム支持体。
【選択図】 図1
Description
(1)ポリブチレンテレフタレートよりなる層と、ガラス転移温度40℃〜90℃のポリエステルよりなる層が共押出し法により積層され、総厚みが10μm〜50μmであるマスキングフィルム支持体が提供され、
(2)ガラス転移温度40℃〜90℃のポリエステルよりなる層の両面にポリブチレンテレフタレートよりなる層が積層されている(1)記載のマスキングフィルム支持体が提供され、
(3)前記ガラス転移温度40℃〜90℃のポリエステルが、二塩基酸成分としてテレフタル酸、グリコール成分としてエチレングリコール及び1,4−シクロヘキサンジメタノールよりなる(1)、または(2)記載のマスキングフィルム支持体が提供され、
(4)前記ガラス転移温度40℃〜90℃のポリエステルが、二塩基酸成分としてテレフタル酸およびイソフタル酸、グリコール成分としてエチレングリコールよりなる(1)、または(2)記載のマスキングフィルム支持体が提供され、
(5)前記マスキングフィルム支持体のポリブチレンテレフタレートよりなる層の厚みの合計と、ガラス転移温度40℃〜90℃のポリエステルよりなる層の厚みの合計の比が5:95〜70:30である(1)乃至(4)記載のマスキングフィルム支持体が提供される。
JIS K−7121に準拠し、示差走査熱量測定機(DSC)を用い、加熱速度毎分20℃で転移終了時よりも約30℃高い温度まで加熱し、得られたDSC曲線の各ベースラインの延長した直線から縦軸方向に等距離にある直線と、ガラス転移の階段状変化部分の曲線とが交わる点の温度をガラス転移温度とした。
フィルムを打抜き装置(カール事務器社製、製品名:1穴パンチ 5.5mm穴)を用いて室温で打抜いたときの打抜き箇所を目視にて観察し、良好な外観に打抜けたものを○、バリが発生したが実用上差し支えないものを△、打ち抜けなかったものを×とした。
JIS K−7113に準拠し、幅10mm、長さ100mmの試料を作成し、オートグラフ(島津製作所社製)にて90℃におけるフィルムの引張弾性率を測定した。
縦200mm、横200mmのフィルムの中央部に約100mmの間隔で標点をつけ、次いで温度100℃に保持された熱風乾燥機にこの試験片を入れ、10分間加熱した後取り出し、室温に30分間放置してから標点間間隔を測定して、次式により加熱収縮率を算出した。
加熱収縮率(%)=[(加熱前の標点間間隔−加熱後の標点間間隔)/加熱前の標点間間隔]×100
フラットダイを装着した三種三層製膜装置を用い、ポリブチレンテレフタレート(Tg=35℃)を内外層用の押出し機へ、テレフタル酸とグリコール成分(エチレングリコール:1,4−シクロヘキサンジメタノール=67:33)との共重合ポリエステル(Tg=80℃)を中間層用の押出し機へ供給して共押出し成形することにより、総厚み25μm(層構成比:外層/中間層/内層=25/50/25)の三層構成のマスキングフィルム支持体を得た。得られたマスキングフィルム支持体の特性を表1に示す。
層構成比を外層/中間層/内層=20/60/20とした以外は実施例1と同様にして総厚み25μmの三層構成のマスキングフィルム支持体を得た。得られたマスキングフィルム支持体の特性を表1に示す。
層構成比を外層/中間層/内層=15/70/15とした以外は実施例1と同様にして総厚み25μmの三層構成のマスキングフィルム支持体を得た。得られたマスキングフィルム支持体の特性を表1に示す。
層構成比を外層/中間層/内層=10/80/10とした以外は実施例1と同様にして総厚み25μmの三層構成のマスキングフィルム支持体を得た。得られたマスキングフィルム支持体の特性を表1に示す。
二塩基酸成分(テレフタル酸:イソフタル酸=92:8)とエチレングリコールとの共重合ポリエステル(Tg=72℃)を中間層用の押出し機へ供給した以外は実施例4と同様にして、総厚み25μm(層構成比:外層/中間層/内層=10/80/10)のマスキングフィルム支持体を得た。得られたマスキングフィルム支持体の特性を表1に示す。
層構成比を外層/中間層/内層=40/20/40とした以外は実施例1と同様にして総厚み25μmの三層構成のマスキングフィルム支持体を得た。得られたマスキングフィルム支持体の特性を表1に示す。
フラットダイを装着した三種三層製膜装置を用い、3台全ての押出し機へポリブチレンテレフタレート(Tg=35℃)を供給し押出し成形することにより、総厚み25μmの単層のマスキングフィルム支持体を得た。得られたマスキングフィルム支持体の特性を表1に示す。
中間層用の押出し機へポリカーボネート(Tg=150℃)を供給した以外は実施例4と同様にして、総厚み25μmのマスキングフィルム支持体を得た。得られたマスキングフィルム支持体の特性を表1に示す。
11、21 : ポリブチレンテレフタレートよりなる層
12、22 : ガラス転移温度40℃〜90℃のポリエステルよりなる層
Claims (5)
- ポリブチレンテレフタレートよりなる層と、ガラス転移温度40℃〜90℃のポリエステルよりなる層とが共押出し法により積層され、総厚みが10μm〜50μmであることを特徴とするマスキングフィルム支持体。
- ガラス転移温度40℃〜90℃のポリエステルよりなる層の両面にポリブチレンテレフタレートよりなる層が積層されていることを特徴とする請求項1記載のマスキングフィルム支持体。
- 前記ガラス転移温度40℃〜90℃のポリエステルが、二塩基酸成分としてテレフタル酸、グリコール成分としてエチレングリコール及び1,4−シクロヘキサンジメタノールよりなることを特徴とする請求項1、または2記載のマスキングフィルム支持体。
- 前記ガラス転移温度40℃〜90℃のポリエステルが、二塩基酸成分としてテレフタル酸およびイソフタル酸、グリコール成分としてエチレングリコールよりなることを特徴とする請求項1、または2記載のマスキングフィルム支持体。
- 前記マスキングフィルム支持体のポリブチレンテレフタレートよりなる層の厚みの合計と、ガラス転移温度40℃〜90℃のポリエステルよりなる層の厚みの合計の比が5:95〜70:30であることを特徴とする請求項1乃至4記載のマスキングフィルム支持体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010227759A JP5718609B2 (ja) | 2010-10-07 | 2010-10-07 | マスキングフィルム支持体 |
KR1020210089046A KR102426810B1 (ko) | 2010-10-07 | 2021-07-07 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 및 전자 기기 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010227759A JP5718609B2 (ja) | 2010-10-07 | 2010-10-07 | マスキングフィルム支持体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012082267A true JP2012082267A (ja) | 2012-04-26 |
JP5718609B2 JP5718609B2 (ja) | 2015-05-13 |
Family
ID=46241499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010227759A Expired - Fee Related JP5718609B2 (ja) | 2010-10-07 | 2010-10-07 | マスキングフィルム支持体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5718609B2 (ja) |
KR (1) | KR102426810B1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101535382B1 (ko) * | 2014-05-14 | 2015-07-10 | (주)케이씨텍 | 도금 플레이트 제조방법 및 제조장치 |
CN104968841A (zh) * | 2012-12-20 | 2015-10-07 | 索马龙株式会社 | 电镀用屏蔽膜支持体及使用它的屏蔽膜 |
JP2015227486A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | ソマール株式会社 | めっき用マスキングフィルム支持体及びこれを用いたマスキングフィルム |
WO2017033916A1 (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 住友ベークライト株式会社 | 未延伸フィルム及び成形体 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004202971A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 印刷意匠シート、及び、印刷意匠シートを被覆した金属板 |
JP2006110722A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | C I Kasei Co Ltd | 表面に紫外線硬化樹脂塗膜を有する立体成型品の製造方法 |
JP2008300441A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Nippon Mektron Ltd | 配線基板のめっき方法及び配線基板 |
JP2009051207A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-03-12 | Techno Polymer Co Ltd | 積層体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06283702A (ja) | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
JP4337371B2 (ja) | 2003-03-13 | 2009-09-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 |
US7541627B2 (en) | 2004-03-08 | 2009-06-02 | Foveon, Inc. | Method and apparatus for improving sensitivity in vertical color CMOS image sensors |
JP4384198B2 (ja) | 2007-04-03 | 2009-12-16 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 |
KR101541544B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2015-08-03 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법 및 촬상 장치 |
TWI445166B (zh) * | 2008-11-07 | 2014-07-11 | Sony Corp | 固態成像裝置,製造固態成像裝置之方法、及電子設備 |
-
2010
- 2010-10-07 JP JP2010227759A patent/JP5718609B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2021
- 2021-07-07 KR KR1020210089046A patent/KR102426810B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004202971A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 印刷意匠シート、及び、印刷意匠シートを被覆した金属板 |
JP2006110722A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | C I Kasei Co Ltd | 表面に紫外線硬化樹脂塗膜を有する立体成型品の製造方法 |
JP2008300441A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Nippon Mektron Ltd | 配線基板のめっき方法及び配線基板 |
JP2009051207A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-03-12 | Techno Polymer Co Ltd | 積層体 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104968841A (zh) * | 2012-12-20 | 2015-10-07 | 索马龙株式会社 | 电镀用屏蔽膜支持体及使用它的屏蔽膜 |
JPWO2014098195A1 (ja) * | 2012-12-20 | 2017-01-12 | ソマール株式会社 | めっき用マスキングフィルム支持体及びこれを用いたマスキングフィルム |
KR101535382B1 (ko) * | 2014-05-14 | 2015-07-10 | (주)케이씨텍 | 도금 플레이트 제조방법 및 제조장치 |
JP2015227486A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | ソマール株式会社 | めっき用マスキングフィルム支持体及びこれを用いたマスキングフィルム |
WO2017033916A1 (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 住友ベークライト株式会社 | 未延伸フィルム及び成形体 |
JPWO2017033916A1 (ja) * | 2015-08-24 | 2017-08-24 | 住友ベークライト株式会社 | 未延伸フィルム及び成形体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102426810B1 (ko) | 2022-07-29 |
JP5718609B2 (ja) | 2015-05-13 |
KR20210088499A (ko) | 2021-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5424159B2 (ja) | 離型フィルム及びこれを用いたフレキシブルプリント配線板の製造法 | |
JP4332204B2 (ja) | 離型フィルム | |
JP6014680B2 (ja) | 積層フィルム及びシールドプリント配線板 | |
JP6575123B2 (ja) | 離型フィルムおよび成型品の製造方法 | |
JP5718609B2 (ja) | マスキングフィルム支持体 | |
JP2008300441A (ja) | 配線基板のめっき方法及び配線基板 | |
TW201434609A (zh) | 離型薄膜 | |
WO2017199764A1 (ja) | 多層プリント配線板の製造に好適な離型フィルム | |
JP4209847B2 (ja) | 樹脂被覆金属板、樹脂被覆金属板用の積層シート及び樹脂被覆金属板の製造方法 | |
JP2010238720A (ja) | フレキシブルプリント配線基板 | |
JP4654084B2 (ja) | 金属板被覆用積層シート、および積層シート被覆金属板 | |
WO2004098883A1 (ja) | エンボス意匠シート及びエンボス意匠シート被覆金属板 | |
JP2010194841A (ja) | 離型フィルム及びその製造方法 | |
JP4664111B2 (ja) | 意匠性積層シート、および意匠性積層シート被覆金属板 | |
JP2004002593A (ja) | シート | |
JP2015227486A (ja) | めっき用マスキングフィルム支持体及びこれを用いたマスキングフィルム | |
JP5116241B2 (ja) | 積層シ−ト、エンボス意匠シートおよびエンボス意匠シート被覆金属板 | |
TW202224941A (zh) | 脫模薄膜及成型品之製造方法 | |
JP2010168441A (ja) | 層間絶縁材料形成用支持体 | |
JP2010161091A (ja) | 層間絶縁材料形成用支持体 | |
JP2005119107A (ja) | 金属層転写用熱可塑性樹脂シート | |
JP6418871B2 (ja) | めっき用マスキングフィルム | |
JP2011111575A (ja) | 層間絶縁材料形成用支持体 | |
JP2011096847A (ja) | 層間絶縁用支持体ポリエステルフィルム | |
JP4772275B2 (ja) | 化粧シートとその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130920 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150309 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150319 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5718609 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |