JP2012079941A - 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置の各モジュールのデータを効率よく取得すると共に精度高い検査を行うこと。
【解決手段】
モジュールの情報を収集するためのセンサ部と、前記センサ部に電力を供給するための受電用コイルとを備えたセンサ用基板を前記保持部材に保持する工程と、次いで前記保持部材を前進させて前記センサ用基板を前記モジュールに受け渡す工程と、記基台と共に移動する送電用コイルに電力を供給して磁界を形成すると共に、この磁界中で当該送電用コイルと前記受電用コイルとを共鳴させ、前記送電用コイルから前記受電用コイルに電力を供給する工程と、前記センサ部によりモジュールに関するデータを取得する工程と、を含む基板処理装置のデータ取得方法を実行する。
【選択図】図１３

Description

本発明は、複数のモジュールを備える基板処理装置のデータ取得方法及び前記データ取得方法に用いられるセンサ用基板に関する。

半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このレジストパターンの形成には塗布、現像装置が用いられ、塗布、現像装置はウエハに各種の処理を行うモジュールを備えている。

ウエハに高精度に処理を行い不具合が生じないように、前記塗布、現像装置においては、装置稼働前やその後の点検時に、各モジュールについてデータを取得する必要がある。例えばレジストなどの薬液をウエハに塗布する液処理モジュールには、ウエハの裏面中央部を吸着保持すると共に回転させるスピンチャックが設けられており、ウエハの回転中心に供給された薬液は、遠心力により展伸される。前記薬液により均一性高く膜を形成するために、装置稼働前に検査を行い、スピンチャックの回転中心の位置を特定しておく。そして、ウエハの処理時にはスピンチャックの回転中心にウエハの中心が一致するようにスピンチャックにウエハが載置される。このようにスピンチャックの回転中心を特定する手法については、例えば特許文献１に記載されている。また、ウエハに熱処理を行う加熱モジュールでは、ウエハの加熱温度についてのデータが取得される。

このようなデータの取得には、各種のセンサが搭載されたセンサ用ウエハが用いられており、ウエハとは別体のバッテリに有線でセンサ用ウエハを接続し、このセンサ用ウエハを各モジュールに搬送して検査を行う場合が有る。しかし、このように有線で接続する場合は作業者が個別に各モジュールへセンサ用ウエハを搬入しなければならず、手間がかかる。そこで、データの取得効率を高めるためにバッテリをリチウムイオン２次電池などにより構成してセンサ用ウエハに搭載し、塗布、現像装置の基板搬送機構により順次モジュール間を搬送して、データ取得を行う場合が有る。このようにバッテリを搭載したセンサ用ウエハを用いて検査を行う手法は、前記特許文献１や特許文献２に記載されている。

しかし、塗布、現像装置はスループットを高めるために多数のモジュールを備えており、すべてのモジュールで所定の時間を掛けて測定を行う場合に、センサ用ウエハに搭載するバッテリは、容量を大きくするために、大型化すると共に重くなってしまう。そうなると、モジュールの環境が実際のウエハ搬入時の環境とは異なり、取得されるデータの精度が低下してしまうおそれがある。

また、上記の加熱モジュールでウエハの加熱温度を測定する場合、上記のリチウムイオン２次電池からなるバッテリは、高温雰囲気で正常に動作しなくなるおそれがある。従って、前記加熱モジュールでの温度を測定するセンサ用ウエハについては、前記バッテリが搭載された構成とすることが難しく、既述のようにセンサ用ウエハに別体のバッテリをワイヤで接続したものを用いなければならなかった。

特開２００７−３１１７７５ 特開２００８−１０９０２７

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板処理装置の各処理モジュールのデータを効率よく取得すると共に精度高い検査を行うことができる技術を提供することである。

本発明の基板処理装置のデータ取得方法は、基台及び前記基台に進退自在に設けられた保持部材を備えると共に複数のモジュール間で基板を搬送するための基板搬送機構と、を備えた基板処理装置において、
前記モジュールの情報を収集するためのセンサ部と、前記センサ部に電力を供給するための受電用コイルとを備えたセンサ用基板を前記保持部材に保持する工程と、
次いで前記保持部材を前進させて前記センサ用基板を前記モジュールに受け渡す工程と、
前記基台と共に移動する送電用コイルに電力を供給して磁界を形成すると共に、この磁界中で当該送電用コイルと前記受電用コイルとを共鳴させ、前記送電用コイルから前記受電用コイルに電力を供給する工程と、
前記センサ部によりモジュールに関するデータを取得する工程と、
を含むことを特徴とする。

前記基板処理装置のデータ取得方法の具体的態様は、例えば以下の通りである。
（１）前記センサ用基板は前記受電用コイルから電力が供給される無線通信部を備え、
無線通信部から前記モジュールに関するデータを基板処理装置の受信部に送信する工程を含む。
（２）前記受電用コイルへ電力が供給されたときに、当該電力が供給されたことを示す確認信号を前記無線通信部から前記受信部に送信する工程が含まれる。

本発明の他の基板処理装置のデータ取得方法は、基台及び前記基台に進退自在に設けられた保持部材を備えると共に複数のモジュール間で基板を搬送するための基板搬送機構と、を備えた基板処理装置において、
モジュールの情報を収集するためのセンサ部と、前記センサ部に電力を供給するための第１の受電用コイルとを備えたセンサ用基板を前記保持部材に保持する工程と、
次いで前記保持部材を前進させて前記センサ用基板を前記モジュールに受け渡す工程と、
第１の送電用コイルを備えた送電用基板を前記保持部材に保持する工程と、
前記第１の送電用コイルに電力を供給して磁界を形成すると共にこの磁界中で当該第１の送電用コイルと前記第１の受電用コイルとを共鳴させ、前記第１の送電用コイルから前記第１の受電用コイルに電力を供給する工程と、
前記センサ部によりモジュールに関するデータを取得する工程と、
を含むことを特徴とする。

前記基板処理装置のデータ取得方法の具体的態様は、例えば以下の通りである。
（３）前記センサ用基板は前記第１の受電用コイルから電力が供給される第１の無線通信部を備え、
第１の無線通信部から前記モジュールに関するデータを基板処理装置の受信部に送信する工程を含む。
（４）前記第１の受電用コイルへ電力が供給されたときに、当該電力が供給されたことを示す確認信号を前記第１の無線通信部から前記受信部に送信する工程が含まれる。
（５）前記送電用基板は、前記第１の送電用コイルに電力を供給するための第２の受電用コイルを備え、
前記基台と共に移動する第２の送電用コイルに電力を供給して磁界を形成すると共に、この磁界中で第２の送電用コイルと前記第２の受電用コイルとを共鳴させ、前記第２の送電用コイルから非接触で第２の受電用コイルに電力を供給する工程を含むことを特徴とする。
（６）前記送電用基板は、前記第２の受電用コイルから電力が供給される第２の無線通信部を備え、
前記第２の受電用コイルへ電力が供給されたときに、当該電力が供給されたことを示す確認信号を前記第２の無線通信部から基板処理装置に設けられる受信部に送信する工程が含まれる。
（７）記送電用基板は、第１の送電用コイルに電力を供給するためのバッテリを備えている。

本発明のセンサ用基板は、基板が搬入されるモジュールに、各種測定データを取得するためのセンサを基板搬送装置で搬送可能に構成されたセンサ用基板であって、
前記モジュールのプロセス処理に供される種々のデータ情報を収集するためのセンサ部と、
このセンサ部により収集された前記データ情報を無線で送信する送信部と、
前記センサ部及び送信部に接続され、外部からの共振作用により送電される電力を受電してこれらセンサ部及び送信部に供給するための受電用コイルと、を備えたことを特徴とする。例えば、前記受電用コイルは、センサ用基板の周縁部に、当該センサ用基板の外形に沿って巻設されている。

本発明によれば、基板搬送機構を構成する基台と共に移動する送電用コイルまたは送電用基板に設けられた送電用コイルに電力を供給して形成された磁界中で、当該送電用コイルとセンサ用基板の受電用コイルとを共鳴させて、センサ用基板の前記センサ部に電力を供給している。従って、センサ用基板に設けられるバッテリの容量を抑えられるか、当該バッテリを設けなくて済む。従って、センサ用基板を基板搬送機構を用いてモジュール間で受け渡せるので、データ取得時間が長くなることを抑えられる。また、センサ用基板のサイズや重さを抑えることができるので、センサ用基板の重量や形状の自由度が高くなるので、精度高い検査を行うことができる。

本発明の実施の形態に係る塗布、現像装置の平面図である。 塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置に設けられる反射防止膜形成モジュールの縦断側面図である。 前記塗布、現像装置の搬送アームの斜視図である。 前記搬送アームに設けられる送電用コイルの平面図である。 塗布、現像装置に設けられる待機モジュールの縦断側面図である。 塗布、現像装置及びセンサ用ウエハの等価回路図である。 塗布、現像装置の概略回路図である。 前記センサ用ウエハの平面図である。 搬送アームの動作を示す説明図である。 搬送アームの動作を示す説明図である。 搬送アームの動作を示す説明図である。 搬送アームの動作を示す説明図である。 搬送アームの動作を示す説明図である。 搬送アームの動作を示す説明図である。 モジュールのデータの取得工程を示すフローチャートである。 データ取得中の反射防止膜形成モジュールの平面図である。 搬送アームの他の構成例の平面図である。 前記搬送アームの側面図である。 送電用ウエハの平面図である。 前記送電用ウエハの概略回路図である。 データ取得中の反射防止膜形成モジュールの側面図である。 データ取得中の加熱モジュールの側面図である。 データ取得中の加熱モジュールの側面図である。 待機モジュールの側面図である。 信号の授受及び電力の供給を示す模式図である。 信号の授受及び電力の供給を示す模式図である。 他の構成の送電用ウエハの平面図である。 前記送電用ウエハの概略回路図である。

（第１の実施形態）
本発明の検査方法が適用される基板処理装置である塗布、現像装置１の構成と、半導体装置を製造するためのウエハＷの搬送経路について説明する。図１には塗布、現像装置１に露光装置Ｃ４が接続されたレジストパターン形成システムの平面図を示しており、図２は同システムの斜視図である。また、図３は塗布、現像装置１の縦断面図である。

この塗布、現像装置１にはキャリアブロックＣ１が設けられており、その載置台１１上に載置された密閉型のキャリアＣから、受け渡しアーム１２がウエハＷを取り出して処理ブロックＣ２に受け渡し、処理ブロックＣ２から受け渡しアーム１２が処理済みのウエハＷを受け取ってキャリアＣに戻すように構成されている。

前記処理ブロックＣ２は、図２に示すようにこの例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層に反射防止膜を形成するための第２のブロックＢ２、レジスト膜の形成を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３を下から順に積層して構成されている。

処理ブロックＣ２の各層は平面視同様に構成されている。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２を例に挙げて説明すると、ＢＣＴ層Ｂ２は塗布膜として例えばレジスト膜を形成するための反射防止膜形成ユニット２１と、加熱系のモジュールにより構成される棚ユニットＵ１〜Ｕ４と、前記反射防止膜形成ユニット２１と棚ユニットＵ１〜Ｕ４との間に設けられ、これらのユニットに含まれるモジュール間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アームＧ２と、により構成されている。モジュールとはウエハＷが載置される場所のことを言う。

図４も参照しながら説明すると、反射防止膜形成ユニット２１は３基の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ３を備えている。これら反射防止膜モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ３は、共通の筐体２０を備えており、筐体２０内に各々ウエハＷの裏面中央部を保持し、鉛直軸回りに回転させるスピンチャック２２を備えている。また、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ３は、スピンチャック２２に保持されて回転するウエハＷ表面中央部に薬液を供給する不図示の薬液供給ノズルを備えており、遠心力により前記薬液がウエハＷ全体に供給される。図中２３は薬液の飛散を抑えるためのカップであり、２３ａは、スピンチャック２２と上部フォーク３５との間でウエハＷを受け渡すための３本の昇降ピン（図では２本のみ表示している）である。

また、前記棚ユニットＵ１〜Ｕ４は搬送アームＧ２が移動する水平な直線搬送路である搬送領域Ｒ１に沿って配列され、夫々２基の加熱モジュール２４が上下に積層されて構成されている。加熱モジュール２４は熱板を備え、当該熱板に載置されたウエハが加熱処理される。加熱モジュール２４の構成については第２の実施形態で詳しく説明する。

図５を用いて搬送アームＧ２について説明する。搬送アームＧ２は、キャリアブロックＣ１側からインターフェイスブロックＣ４側に向けて水平方向に伸びたガイド３１を備えており、そのガイド３１に沿ってフレーム３２が移動する。フレーム３２には鉛直軸に沿って昇降する昇降台３３が設けられ、昇降台３３上には鉛直軸周りに回動する基台３４が設けられている。基台３４はウエハＷの側周を囲む上部フォーク３５及び下部フォーク３６を備えている。上部フォーク３５及び下部フォーク３６は、基台３４上を水平方向に互いに独立して進退し、モジュールにアクセスする。上部フォーク３５、下部フォーク３６には夫々ウエハＷの裏面を支持する裏面支持部３８、３９が設けられている。また、基台３４上には円板４１が設けられ、この円板４１の周縁部には送電用コイル４２が設けられている。図６は円板４１の平面図である。送電用コイル４２は平面型コイルであり、導線が円板４１の外形に沿って平面に巻設されている。

第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３については、前記反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ３に相当するレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３が設けられている。そして、各モジュールにおいて反射防止膜形成用の薬液の代わりに、レジストがウエハＷに供給されることを除けば、ＣＯＴ層Ｂ３は、ＢＣＴ層Ｂ２と同様の構成であり、搬送アームＧ２と同様の搬送アームＧ３を備えている。

第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については一つのＤＥＶ層Ｂ１内に反射防止膜形成ユニット２１に対応する現像処理ユニットが２段に積層されており、現像処理ユニットは現像モジュールＤＥＶを備えている。現像モジュールＤＥＶ、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴを総称して液処理モジュールと呼ぶ。

また、ＤＥＶ層Ｂ１は、ＢＣＴ層Ｂ２と同様に棚ユニットＵ１〜Ｕ４を備えており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４を構成する加熱モジュールには、現像処理前に加熱処理を行う複数の加熱モジュール（ＰＥＢ）と、現像処理後にウエハＷに加熱処理を行う複数の加熱モジュール（ＰＯＳＴ）とが含まれている。このＤＥＶ層Ｂ１の搬送アームＧ１は、各現像モジュールＤＥＶと、各加熱モジュールとにウエハＷを搬送する。つまり、２段の現像処理ユニットに対して搬送アームＧ１が共通化されている。搬送アームＧ１は、搬送アームＧ２と同様に構成されている。

処理ブロックＣ２には、図１及び図３に示すように棚ユニットＵ５が設けられ、キャリアブロックＣ１からのウエハＷは、前記棚ユニットＵ５の一つの受け渡しモジュールＢＦ１に搬送される。ＢＣＴ層Ｂ２の搬送アームＧ２は、この受け渡しモジュールＢＦ１からウエハＷを受け取って、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ３のうちいずれかに搬送し、続いて反射防止膜が形成されたウエハＷを加熱モジュール２４に搬送する。

その後、搬送アームＧ２は、ウエハＷを棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＢＦ２に搬送し、ウエハＷは受け渡しアームＤ１により、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に対応する受け渡しモジュールＢＦ３に順次搬送される。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３内の搬送アームＧ３は、この受け渡しモジュールＢＦ３からウエハＷを受け取ってレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３のうちのいずれかに搬送し、レジスト膜を形成した後、加熱モジュール２４に搬送する。

その後、加熱モジュールにて加熱処理された後、ウエハＷは棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＢＦ４に搬送される。一方ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ１４から棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ１５にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトル１６が設けられている。レジスト膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ１により受け渡しモジュールＢＦ４から受け渡しモジュールＴＲＳ１４に受け渡され、当該受け渡しモジュールＴＲＳ１４にてシャトル１６に受け渡される。

シャトル１６は、ウエハＷを棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＴＲＳ１５に搬送し、当該ウエハＷは、インターフェイスブロックＣ４に設けられたインターフェイスアーム１７に受け取られ、インターフェイスブロックＣ３に搬送される。なお、図３中のＣＰＬが付されている受け渡しモジュールは温調用の冷却モジュールを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しモジュールは複数枚のウエハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。

次いで、ウエハＷはインターフェイスアーム１７により露光装置Ｃ４に搬送され、露光処理が行われる。続いて、ウエハＷはインターフェイスアーム１７により、棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＴＲＳ１１またはＴＲＳ１２に搬送され、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１の搬送アームＧ１により、棚ユニットＵ１〜Ｕ４に含まれる加熱モジュール（ＰＥＢ）に搬送され、加熱処理を受ける。

その後ウエハＷは、搬送アームＧ１により受け渡しモジュールＣＰＬ１またはＣＰＬ２に搬送された後、現像モジュールＤＥＶに搬送されて、現像処理を受ける。その後、いずれかの加熱モジュール（ＰＯＳＴ）に搬送され、加熱処理を受ける。然る後、搬送アームＧ１により棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＢＦ７に受け渡される。その後、ウエハＷは受け渡しアーム１２を介して、キャリアＣの元々置かれていた位置に戻される。

上記のキャリアブロックＣ１には、受け渡しアーム１２がアクセスできる位置に待機モジュール４が設けられている。図７は、この待機モジュール４の縦断側面図を示しており、待機モジュール４には各種のセンサが搭載されたセンサ用ウエハ６Ａ〜６Ｃが格納されている。待機モジュール４はセンサ用ウエハ６Ａ〜６Ｃの周縁を支持し、当該センサ用ウエハ６Ａ〜６Ｃを上下方向に格納できるように棚状に構成されている。以降、センサ用ウエハ６Ａ〜６Ｃを総称して、センサ用ウエハ６と記載する。センサ用ウエハ６はモジュールについてのデータを収集するためのウエハであり、半導体装置を製造するためのウエハＷとは異なる構成を有するが、ウエハＷと同様に各モジュール間を搬送することができる。センサ用ウエハ６の構成について、詳しくは後述する。

ここで、この第１の実施形態の概要について説明する。この第１の実施形態では、センサ用ウエハ６を任意のモジュールに搬送し、磁界共鳴方式により塗布、現像装置１からセンサ用ウエハ６に非接触給電を行う。そして、センサ用ウエハ６は、そのように供給された電力を用いて前記モジュールのデータを収集する。図８は前記非接触給電を行うために塗布、現像装置１に設けられる回路の等価回路１０と、非接触給電を行うためにセンサ用ウエハ６に設けられる回路の等価回路６０とを示している。等価回路１０、６０は、各々コイルとコンデンサとを含む共振回路として構成されている。既述の搬送アームＧの送電用コイル４２は、等価回路１０のコイルに相当し、センサ用ウエハ６に設けられる後述の受電用コイル６３が、等価回路６０のコイルに相当する。そして、等価回路１０に共振周波数の交流が流れると、送電用コイル４２、受電用コイル６３間に磁界が形成され、この磁界中で受電用コイル６３が送電用コイル４２に共鳴し、受電用コイル６３に前記共振周波数の電流が誘起されて等価回路６０に電力が供給される。等価回路１０に供給される共振周波数としては、例えば１３．５６ＭＨｚ帯域の周波数が用いられる。

図９では、塗布、現像装置１及びセンサ用ウエハ６Ａの回路構成を示している。搬送アームＧに設けられる前記送電用コイル４２は、当該送電用コイル４２に交流電流を送電するための送電回路５１に接続されており、制御回路５２は送電回路５１に供給される電力を制御する。送電回路５１及び制御回路５２は各搬送アームＧ１〜Ｇ３に設けられており、例えば制御回路５２、送電回路５１及びコイル４２が上記の等価回路１０に相当する。制御回路５２の前段にはＡＣ／ＤＣコンバータ５３が接続されており、塗布、現像装置１の外部の交流電源から供給された交流電流は、当該コンバータ５３で直流電流に変換されて、後段側の各回路に供給される。また、制御回路５２は装置コントローラ５４に接続されている。装置コントローラ５４については後述する。

塗布、現像装置１はアンテナ５５を備えており、アンテナ５５は、センサ用ウエハ６から送信されたモジュールについてのデータと、後述のように電力がセンサ用ウエハ６に供給されたことを示す受電確認信号と、送電用コイル４２への送電の停止を制御する送電停止信号とを無線受信する。アンテナ５５が受信した信号は、当該アンテナ５５による通信を制御する通信回路５６を介して装置コントローラ５４に出力される。

装置コントローラ５４は、例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、上述及び後述の搬送が行われ、搬送サイクルが実行されるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるプログラムが格納されている。このプログラムが装置コントローラ５４に読み出されることで、装置コントローラ５４は塗布、現像装置１の各部へ制御信号を送信する。それによって、塗布、現像装置１の各部の動作が制御され、各モジュールの動作及びモジュール間での各ウエハの受け渡しなどが制御される。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。

また、各搬送アームＧの上部フォーク３５、下部フォーク３６及び基台３４はこれら位置に応じた信号を装置コントローラ５４に出力する。装置コントローラ５４は、後述のようにこれら各部の位置信号に応じて送電用コイル４２への電力の供給開始のタイミングを制御する。

続いてセンサ用ウエハ６の構成について説明する。センサ用ウエハ６Ａ〜６Ｃは搭載されているセンサの種類が違う他は各々同様に構成されており、ここでは、代表してセンサ用ウエハ６Ａについて説明する。センサ用ウエハ６Ａは、例えば加速度センサを備え、背景技術の項目で説明したように、スピンチャック２２の回転中心の位置を検出するために用いられる。図１０はセンサ用ウエハ６Ａの表面を示している。当該表面には、加速度センサ６１を含む回路ユニット６２が設けられている。加速度センサ６１はセンサ用ウエハ６Ａの中心に位置し、センサ用ウエハ６Ａがスピンチャック２２上で回転し、加速度センサ６１に加速度が作用すると、センサ用ウエハ６Ａはその加速度に応じた信号を前記装置コントローラ５４に送信する。装置コントローラ５４は、この信号に基づいてスピンチャック２２の回転中心を演算する。また、センサ用ウエハ６の周縁部には前記回路ユニット６２に接続される受電用コイル６３が設けられている。当該受電用コイル６３は平面型コイルであり、導線がセンサ用ウエハ６の外形に沿って平面に巻設されている。図中の点線部６５は、受電用コイル６３と回路ユニット６２とを接続する配線である。

図９に戻って、センサ用ウエハ６Ａの概略回路構成について説明する。受電用コイル６３は受電回路６４に接続されており、受電回路６４から後段の各回路へ電力が供給される。この受電回路６４は制御回路６５に接続されており、制御回路６５には加速度センサ６１を構成するセンサ回路６６及び通信回路６７が接続されている。また、通信回路６７にはアンテナ６８が接続されている。制御回路６５は、センサ回路６６及び通信回路６７へ供給する電力を制御する。センサ回路６６により取得されたデータは制御回路６５を介して通信回路６７に出力され、アンテナ６８から前記アンテナ５５を介して装置コントローラ５４に無線送信される。なお、無線給電が行われる磁界中で無線通信を行うために、前記アンテナ６８、アンテナ５５間の通信周波数は、無線給電用の共振周波数とは異なる周波数に設定される。

他のセンサ用ウエハ６について説明すると、センサ用ウエハ６Ｂは、例えば各層の加熱モジュールにおけるウエハの加熱温度のデータを取得するために、加速度センサ６６Ａの代わりに温度センサを備えている。この加熱温度のデータについてより具体的に説明すると、例えば加熱モジュールの加熱処理プロセス中におけるウエハの全温度変化を、プロセス時間に対応させて記録したデータである。また、センサ用ウエハ６Ｃは、加速度センサ６６Ａの代わりに例えば各モジュールの湿度、気流の方向及び風速を測定するための湿度センサ及び風速センサを備えており、モジュールのプロセス中の湿度状態、プロセス中に流れる気流の向き及び風速を夫々測定する。センサ及びセンサにより取得するデータの違いを除いて、各センサ用ウエハ６は互いに同様に構成されている。

続いて、図１１〜図１６の搬送アームＧ２の動作を示す説明図と、図１７のフローチャートとを参照しながら、センサ用ウエハ６Ａによるデータの取得方法について説明する。センサ用ウエハ６Ａは、ウエハＷと同様の経路で各層間を搬送される。ただし、各層においては、ウエハＷの場合と異なり、すべての液処理モジュールに順次搬送され、また棚ユニットＵ１〜Ｕ４を構成する加熱モジュールには搬送されない。

塗布、現像装置１においてウエハＷの処理が停止しているときに、例えばユーザが装置コントローラ５４に設けられる不図示の操作部から所定の操作を行い、センサ用ウエハ６Ａによるデータの取得を指示すると、受け渡しアーム１２によりセンサ用ウエハ６Ａが、待機モジュール４から受け渡しモジュールＢＦ１に搬送され、搬送アームＧ２の上部フォーク３５が当該センサ用ウエハ６Ａを受け取る。続いて、搬送アームＧ２の基台３４は、搬送領域Ｒ１を受け渡しモジュールＢＦ１の手前から反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１の手前に向けて移動する（図１１、ステップＳ１）。

上部フォーク３５が反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１へ前進し、スピンチャック２２にセンサ用ウエハ６Ａが受け渡される（図１２、ステップＳ２）。続いて、上部フォーク３５が基台３４上を後退すると、当該上部フォーク３５後退しきったときに出力される位置信号をトリガーとして、搬送アームＧ２の送電用コイル４２に電流が供給され、既述のように磁界共鳴によって前記センサ用ウエハ６Ａの受電用コイル６３に非接触給電される（ステップＳ３）。なお、図４は、この非接触給電時のセンサ用ウエハ６Ａを示している。

受電用コイル６３から後段の各回路に電力が供給されて各回路が起動すると、アンテナ６８から受電確認信号が塗布、現像装置１に無線送信される。装置コントローラ５４が、この受電確認信号を受信したか否かを判定し（ステップＳ４）、受信していなければ例えば送電用コイル４２への電力供給が停止し、装置コントローラ５４を構成する不図示の表示画面にアラームを表示する（ステップＳ５）。受電確認信号を受信した場合は、送電用コイル４２への電力供給が続けられ、センサ用ウエハ６に搭載された加速度センサ６１がデータの測定を開始し、スピンチャック２２が所定の角速度で回転する（図１３）。送電用コイル４２への電力供給中、基台３４は反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１の手前で待機する。

加速度センサ６１により得られたデータが、装置コントローラ５４にアンテナ６８を介して送信され（ステップＳ６）、装置コントローラ５４がデータの解析を行い、加速度センサ６６Ａに作用する加速度を検出し、さらにその加速度に基づいてスピンチャック２２の回転中心とセンサ用ウエハ６Ａとの回転中心との偏心距離を演算する。データの取得終了後、センサ用ウエハ６Ａはアンテナ６８から送電停止信号を塗布、現像装置１に出力する（ステップＳ７）。塗布、現像装置１は、送電停止信号を受信すると、送電用コイル４２への給電を一旦停止し、スピンチャック２２の回転を停止させる。その後、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１に前進した上部フォーク３５にウエハＷが受け渡された後、センサ用ウエハ６Ａは前記スピンチャック２２上に先の測定時とは位置がずれるように載置される。このようにセンサ用ウエハ６Ａが載置された後、再びステップＳ２〜Ｓ７の処理が行われ、前記偏心距離の測定が行われる。

例えば所定の回数、繰り返し測定が行われて偏心距離が演算され、送電用コイル４２への給電が停止すると、スピンチャック２２の回転も停止する。装置コントローラ５４は、得られた各偏心距離に基づいてスピンチャック２２の回転中心の座標を特定する。このように座標の特定が行われる一方で、上部フォーク３５が反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１へ前進してセンサ用ウエハ６Ａを受け取った後、後退する（図１４）。然る後、搬送アームＧ２の基台３４が反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２の手前に移動し（図１５）、センサ用ウエハ６Ａが反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２のスピンチャック２２に受け渡される。前記センサ用ウエハ６Ａを受け渡した上部フォーク３５が基台３４を後退すると、送電用コイル４２への送電が開始される（図１６）。以降は反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１と同様に加速度のデータが取得されて、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２のスピンチャック２２の回転中心の座標が特定される。

反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２の測定後も、センサ用ウエハ６は検査を行うときに搬送アームＧから電力の供給を受けて、液処理モジュールの検査を行うそして、ウエハＷと同様にＢＣＴ層Ｂ２→ＣＯＴ層Ｂ３→ＤＥＶ層Ｂ１の順に搬送され、すべての液処理モジュールについて検査を終えると、センサ用ウエハ６は受け渡しモジュールＢＦ７を介して待機モジュール４に搬送されて、待機する。検査終了後にウエハＷの処理が開始されると、特定された前記座標に基づき、ウエハＷの回転中心がスピンチャック２２の回転中心に一致するように装置コントローラ５４がウエハＷの搬送を制御する。

センサ用ウエハ６Ａの搬送例について説明したが、ユーザは、所望の測定項目に応じて使用するセンサ用ウエハを装置コントローラ５４から設定し、設定されたセンサ用ウエハ６が塗布、現像装置１内をウエハＷと同様に各層を順番に搬送される。センサ用ウエハ６Ｂは、各層において加熱モジュールに順次搬送され、当該加熱モジュールにおけるウエハの加熱温度のデータを取得する。センサ用ウエハ６Ｃは、例えば液処理モジュール及び加熱モジュールを含む、ウエハに処理を行うすべてのモジュールに搬送され、気流の向き、風速及び湿度などのデータを取得する。

この第１の実施形態の塗布、現像装置１によれば、モジュールのデータ取得中、このデータ取得中のモジュールの手前で待機する搬送アームＧからセンサ用ウエハ６に磁界共鳴により非接触で電力が供給され、センサ用ウエハ６はその電力を用いてモジュールについてのデータの取得と当該データの無線送信とを行うことができる。従って、データの取得を行うために必要なバッテリをセンサ用ウエハ６に設ける必要が無い。従って、センサ用ウエハ６Ａにおいては、その重さや各部のバランスの偏りを抑えることができるので、液処理モジュールでスピンチャック２２の回転中心の座標を検出するにあたり、検出する加速度を実際のウエハＷの処理時の加速度に近づけることができる。従って前記座標を精度高く検出することができる。搬送アームＧにより自動で各ウエハが搬送されるので、効率よくモジュールのデータの取得を行うことができる。

また、センサ用ウエハ６Ｂは、既述のバッテリを設けない構成であるため、高温例えば２５０℃〜４５０℃での測定が可能である。従って、背景技術の項目で説明したバッテリとウエハとをワイヤで接続した構成のセンサ用ウエハを用いる場合に比べて、ユーザの負担が軽減され、測定効率を向上させることができる。さらに、センサ用ウエハ６Ｃではウエハ表面の凹凸を抑えることができるので、モジュール内の気流の方向及び風速をウエハＷの搬入時とより近似させることができ、精度高くこれら気流の方向及び速度を測定することができる。

また、各センサ用ウエハ６を上記のバッテリを設けない構成とすることで、バッテリの寿命が無くなる毎に交換する必要が無いので、メンテナンスの手間が抑えられるという利点がある。また、寿命が無くなったバッテリを廃棄する必要が無いので、環境に対する影響を抑えられる。さらにバッテリを充電するための時間が無くなるので、測定に要する時間の短縮を図ることができ、スループットの向上を図ることができる。

塗布、現像装置１に設けられる各モジュールは大気雰囲気であるが、真空雰囲気においてもセンサ用ウエハ６を用いることができる。真空雰囲気では、バッテリとしてリチウムイオン電池などを搭載したセンサ用ウエハは、当該バッテリを構成する薬液が液漏れする懸念があるが、上記のセンサ用ウエハ６はこのような液漏れが無いため有効に用いられる。

また、上記のセンサ用ウエハ６では、受電用コイル６３が当該センサ用ウエハ６の周縁部に巻回されているので、当該受電用コイル６３の巻き数を大きくすることができ、また、受電用コイルの６３の内側に各種の回路を形成することができ、設計の自由度が高いという利点がある。

待機モジュール４にセンサ用ウエハ６が格納されている例について示したが、この第１の実施形態や後述の各実施形態において、このような待機モジュール４を設ける代わりに、センサ用ウエハ６を専用のキャリアＣに収納して、検査の際に当該キャリアＣをキャリアブロックＣ１の載置台１１に搬送して、塗布、現像装置１内に取り出して使用することができる。さらに、待機モジュール４は各搬送アームＧへセンサ用ウエハ６への受け渡しが夫々可能ならば、どこに設けられていてもよく、例えば棚ユニットＵ５に設けられていてもよい。また、後述の送電用ウエハ７も前記キャリアＣに収納した状態で、キャリアブロックＣ１に搬送したり、搬送アームＧに受け渡し可能な各モジュールに待機させておいてもよい。

センサ用ウエハ６に搭載するセンサ及び取得するモジュールのデータの種類についてはこの例に限られず、例えばその他にもセンサ用ウエハ６としては、傾きセンサを備えるように構成してもよい。この場合のセンサ用ウエハ６は、各モジュールに搬送されてモジュールの傾きデータを取得するために用いられ、得られたデータ基づいてモジュールの設置状態を検証することができる。

また、上記の実施形態では１つずつモジュールにセンサ用ウエハ６を受け渡し、各モジュールについて順次データを測定しているが、同じ階層のモジュールで複数の検査データを同時に取得してもよい。例えば反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴに夫々センサ用ウエハ６Ａを搬入した後、搬送アームＧ２からこれらのセンサ用ウエハ６Ａに電力を供給し、データを取得してもよいし、図１８に示すように反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２、ＢＣＴ３に夫々センサ用ウエハ６Ａを搬入した後、搬送アームＧ２からこれらすべてのセンサ用ウエハ６Ａに電力を供給し、データを取得してもよい。

ところで、センサ用ウエハ６と搬送アームＧとの位置関係としては、上記の無線給電時に送電用コイル４２により形成される磁界中にセンサ用ウエハ６の受電用コイル６３があればよく、従って、搬送アームＧにおいて送電用コイル４２を設ける位置としては上記の例に限られない。図１９、図２０は、送電用コイル４２を既述の例とは異なる位置に設けた搬送アームＧ２の平面図、側面図を夫々示している。この例ではフォーク３５、３６の上側にこれらフォーク３５、３６を覆うカバー４３が設けられている。カバー４３の表面に送電用コイル４２が設けられている。なお、図２０中４４は基台３４にカバーを支持する支持部である。

（第１の実施形態の変形例）
センサ用ウエハ６にバッテリが搭載されない場合の利点について記載したが、センサ用ウエハ６がバッテリを搭載している場合も本発明の権利範囲に含まれる。例えば、電気二重層キャパシタによるバッテリを搭載し、アンテナ６８で無線通信を行うための電力源とする。そして、例えば、上記の各ステップＳ３〜Ｓ７でセンサ用ウエハ６の各回路に電力を供給すると共に前記バッテリに充電されるようにセンサ用ウエハ６の各回路を構成する。さらに、センサ用ウエハ６のモジュールの受け渡しから所定の時間経過後に自動的に送電用コイル４２への電力の供給が停止するように装置コントローラ５４を設定する。そして、前記電力の供給停止後、センサ用ウエハ６の通信回路６７が前記バッテリの電力を用いて、取得したモジュールのデータを塗布、現像装置１に無線送信するように当該通信回路６７を構成する。このように磁界が形成されない状態で通信を行うことにより、データの送信をより確実に行うことができる。後述の各実施形態でも、このように通信用のバッテリをセンサ用ウエハ６に設けて、データの通信を行ってもよい。

（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。この第２の実施形態では搬送アームＧから送電用ウエハ７を経由してセンサ用ウエハ６に電力が供給される。搬送アームＧと送電用ウエハ７との間及び送電用ウエハ７とセンサ用ウエハ６との間の電力供給は、第１の実施形態と同様に磁界共鳴方式を用いた無線給電により行われる。図２１は前記送電用ウエハ７の平面図である。送電用ウエハ７の周縁部には受電用コイル７１及び送電用コイル７２が設けられている。受電用コイル７１及び送電用コイル７２は平面型コイルであり、導線が送電用ウエハ７の外形に沿って巻設されている。

送電用ウエハ７の中央部には、前記受電用コイル７１及び送電用コイル７２に接続される回路部７３が設けられている。図２１中７１a，７２ｂは、夫々回路部７３に受電用コイル７１、送電用コイル７２を接続する配線である。図２２は送電用ウエハ７の概略回路図であり、回路部７３はこの図２２に示す受電回路７４と、送電回路７５と、制御回路７６と、通信回路７７と、アンテナ７８とを含んでいる。受電回路７４は受電用コイル７１に接続され、送電回路７５は送電用コイル７２に接続されている。制御回路７６はこれら受電回路７４及び送電回路７５に接続されている。また、制御回路７６は通信回路７７に接続され、通信回路７７にはアンテナ７８が接続されている。

受電用コイル７１に供給された電力は受電回路７４、制御回路７６、送電回路７５及び送電用コイル７２に供給される。受電回路７４は受電用コイル７１から供給された電力を後段の各回路に供給するための回路である。送電回路７５は前段側から供給された電力を送電用コイル７２に出力するための回路である。制御回路７６は前記送電回路７５に供給する電力を制御すると共に通信回路７７の動作を制御する。通信回路７７はアンテナ７８からセンサ用ウエハ６及び塗布、現像装置１へ送信する信号の出力を制御する。

この送電用ウエハ７は例えばセンサ用ウエハ６と共に待機モジュール４に収納されており、モジュールのデータ収集を行うときに当該待機モジュール４から搬送アームＧ１〜Ｇ３に受け渡される。搬送アームＧ１〜Ｇ３は、上部フォーク３５、下部フォーク３６で夫々送電用ウエハ７、センサ用ウエハ６を受け取り、モジュール間でこれらのウエハＷを搬送する。

第２の実施形態における反射防止膜形成モジュールＢＣＴのデータの取得方法について、第１の実施形態との差違点を中心に説明する。搬送アームＧ２にセンサ用ウエハ６Ａ及び送電用ウエハ７が受け渡され、第１の実施形態のステップＳ１、Ｓ２と同様に当該搬送アームＧ２の基台３４が反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１の手前に位置し、下部フォーク３６からセンサ用ウエハ６が反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１に受け渡されると、上部フォーク３５が反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１に前進し、図２３に示すように送電用ウエハ７がセンサ用ウエハ６Ａの上方に位置する。

続いて、搬送アームＧの送電用コイル４２に電流が供給され、当該送電用コイル４２と送電用ウエハ７の受電用コイル７１とが共鳴し、受電用コイル７１に電力が無線給電されると共に送電用ウエハ７のアンテナ７８から受電確認信号が塗布、現像装置１のアンテナ５５に無線送信される。そして、送電用ウエハ７の送電用コイル７２に電力が供給され、当該送電用コイル７２とセンサ用ウエハ６Ａの受電用コイル６３とが共鳴し、当該受電用コイル６３に電力が無線給電される。そして、第１の実施形態と同様にセンサ用ウエハ６Ａから前記アンテナ５５に受電確認信号と測定データとが無線送信され、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１のスピンチャック２２の回転中心の座標が特定される。

前記回転中心の座標が特定されると、上部フォーク３５が送電用ウエハ７を保持したまま反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１から後退する。続いて、下部フォーク３６にセンサ用ウエハ６Ａが受け渡された後、当該下部フォーク３６が後退する。その後、搬送アームＧ２の基台３４は、第１の実施形態と同様に反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２の手前に移動し、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１と同様に反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２におけるスピンチャック２２の回転中心の座標の特定が行われる。その後、他の液処理モジュールについても順次前記座標の特定が行われる。なお、搬送アームＧの送電用コイル４２に電力が供給されたときに、送電用ウエハ７及びセンサ用ウエハ６Ａの両方またはいずれか一方から受電確認信号が送信されない場合、装置コントローラ５４は電力の供給を停止し、アラームを表示する。

続いて、送電用ウエハ７及びセンサ用ウエハ６Ｂを用いた加熱モジュール２４のデータの取得方法を説明するために、加熱モジュール２４の構成について図１及び図２４を参照しながら詳しく説明する。図２４は加熱モジュール２４の縦断側面図である。加熱モジュール２４は、搬送領域Ｒ１から見て手前側に設けられた冷却プレート８１と、奥側に設けられた熱板８２とを備えている。冷却プレート８１は手前側から奥側の熱板８２上へ載置されたウエハＷを搬送すると共に当該ウエハＷを冷却する。搬送アームＧの昇降動作により冷却プレート８１と搬送アームＧとの間で、各ウエハが受け渡される。

熱板８２は既述のように載置されたウエハＷを加熱する。また、熱板８２は、当該熱板８２上に突出する昇降ピン８３を備えており、当該昇降ピン８３を介して冷却プレート８１と熱板８２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。なお、図１中８４は、冷却プレート８１に設けられたスリットであり、前記昇降ピン８３が通過して、冷却プレート８１上に突出できるように構成されている

以下に、加熱モジュール２４における熱板８２の加熱温度のデータの取得方法について説明する。図２４に示すように当該加熱モジュール２４の手前に位置した搬送アームＧ２からセンサ用ウエハ６Ｂが熱板８２に受け渡され、また送電用ウエハ７が冷却プレート８１に受け渡される。そして、液処理モジュールのデータ取得時と同様に送電用ウエハ７を介して搬送アームＧ２の基台３４からセンサ用ウエハ６Ｂに非接触で電力が供給され、センサ用ウエハ６Ｂが加熱され、その温度のデータが塗布、現像装置１に送信される。データ取得後は、センサ用ウエハ６Ｂ及び送電用ウエハ７は搬送アームＧ２に再度受け渡され、他の加熱モジュール２４に搬送されて当該加熱モジュール２４のデータの取得が引き続き行われる。ＣＯＴ層Ｂ３及びＤＥＶ層Ｂ１の加熱モジュール２４も同様に、加熱温度についてのデータが取得される。

この第２の実施形態は、第１の実施形態と同様の効果を有している。また、送電用ウエハ７を上記のようにセンサ用ウエハ６Ｂの近くに位置させることで、より確実にセンサ用ウエハ６Ｂに送電を行うことができる。また、加熱モジュール２４のデータを取得するにあたり、冷却プレート８１に送電用ウエハ７を載置する代わりに、図２５に示すように送電用ウエハ７を保持した上部フォーク３５を加熱モジュール２４に対して前進させてもよい。このようにしても送電用ウエハ７がセンサ用ウエハ６Ｂの近くに位置するので、当該センサ用ウエハ６Ｂにより確実に送電を行うことができる。

（第２の実施形態の変形例）
例えば電気二重層キャパシタなどにより構成されるバッテリ７０を送電用ウエハ７に設けて、このバッテリ７０に蓄えられた電力を用いてセンサ用ウエハ６に送電を行ってもよい。例えば、待機モジュール４で送電用ウエハ７が待機している間に当該バッテリ７０に充電が行われる。図２６は、そのような充電機能を備えた待機モジュール４の縦断側面図である。図中８４は送電部であり、送電用コイル８５を備え、磁界共鳴方式により送電用コイル８５から送電用ウエハ７の受電用コイル７１に非接触で送電を行い、送電された電力がバッテリ７０に蓄えられる。

また、この送電用ウエハ７の制御回路７６は、バッテリ７０に接続され、バッテリ７０から送電用コイル７２への電力の給断を制御する。各液処理モジュールのデータを取得する場合は、例えば既述した図２３に示すように送電用ウエハ７を保持した搬送アームＧの上部フォーク３５が液処理モジュールに向かって前進すると、上部フォーク３５の位置信号がトリガーとなり、図２７に示すように塗布、現像装置１のアンテナ５５から送電用ウエハ７のアンテナ７８に受電開始信号が送信される。この受電開始信号を受信した送電用ウエハ７では、前記制御回路７６により、前記バッテリ７０から送電用コイル７２へ電力が供給されて、センサ用ウエハ６Ａに無線給電が行われる。なお、図２７及び次の図２８は、信号の授受及びバッテリ７０からの電力の供給の説明を容易にするために示した概略図であり、各ウエハ、装置において既述の受電回路、送電回路、通信回路などの各回路の記載を省略しているが、上記の各実施形態と同様にこれらの回路が設けられる。

センサ用ウエハ６Ａのデータ取得が終了すると、図２８に示すようにセンサ用ウエハ６Ａから送電停止信号が送電用ウエハ７に送信される。この信号がトリガーとなって前記制御回路７６により、前記バッテリ７０から送電用コイル７２への電力供給が停止する。加熱モジュール２４のデータを取得する場合も同様に信号の授受が行われる。

送電用ウエハ７は直接モジュールの測定に用いられないことから、この送電用ウエハ７にバッテリ７０を設けてもモジュールの測定精度への影響が抑えられる。従って、この第２の実施形態の変形例においても第１及び第２の実施形態と同様の効果が得られる。なお、送電用ウエハ７の充電を行う場所は、待機モジュール４に限られず、例えば棚ユニットＵ５に充電を行うための専用のモジュールを設けてもよいし、キャリアＣにより塗布、現像装置１の外部から充電済みの送電用ウエハ７を、処理ブロックＣ２に搬入してもよい。

（第３の実施形態）
第２の実施形態において、送電用ウエハと塗布、現像装置１との間で無線給電を行う代わりに、送電用ウエハを有線により塗布、現像装置１と接続し、塗布、現像装置１から送電用ウエハに電力を供給してもよい。図２９は、そのように有線接続をするためのケーブル９１を備えた送電用ウエハ９の平面図である。図３０は前記送電用ウエハ９及び当該送電用ウエハ９に接続された塗布、現像装置１の概略回路図である。送電用ウエハ９の送電用ウエハ７との差異点としては、受電用コイル７１及び受電回路７４が設けられていないことが挙げられる。また、送電用ウエハ９の制御回路７６には受電回路７４の代わりにケーブル９１が接続されている。そして、当該ケーブル９１を介して送電用ウエハ９は、塗布、現像装置１のＡＣ／ＤＣコンバータ５３に接続されている。図３０中９２はケーブル９１と塗布、現像装置１との接続部である。この送電用ウエハ９を用いた第３の実施形態では、測定を行う際にユーザが送電用ウエハ９を搬送アームＧに載置することを除き、第２の実施形態と同様に測定が行われる。

１ 塗布、現像装置
２２ スピンチャック
２４ 加熱モジュール
３５ 上部フォーク
３６ 下部フォーク
４ 待機モジュール
４２ 送電用コイル
５４ 装置コントローラ
５５、６８ アンテナ
６、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ センサ用ウエハ
６１ 加速度センサ
６３ 受電用コイル
７、９ 送電用ウエハ

Claims (11)

1. 基台及び前記基台に進退自在に設けられた保持部材を備えると共に複数のモジュール間で基板を搬送するための基板搬送機構と、を備えた基板処理装置において、
   前記モジュールの情報を収集するためのセンサ部と、前記センサ部に電力を供給するための受電用コイルとを備えたセンサ用基板を前記保持部材に保持する工程と、
   次いで前記保持部材を前進させて前記センサ用基板を前記モジュールに受け渡す工程と、
   前記基台と共に移動する送電用コイルに電力を供給して磁界を形成すると共に、この磁界中で当該送電用コイルと前記受電用コイルとを共鳴させ、前記送電用コイルから前記受電用コイルに電力を供給する工程と、
   前記センサ部によりモジュールに関するデータを取得する工程と、
   を含むことを特徴とする基板処理装置のデータ取得方法。
2. 前記センサ用基板は前記受電用コイルから電力が供給される無線通信部を備え、
   無線通信部から前記モジュールに関するデータを基板処理装置の受信部に送信する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置のデータ取得方法。
3. 前記受電用コイルへ電力が供給されたときに、当該電力が供給されたことを示す確認信号を前記無線通信部から前記受信部に送信する工程が含まれることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置のデータ取得方法。
4. 基台及び前記基台に進退自在に設けられた保持部材を備えると共に複数のモジュール間で基板を搬送するための基板搬送機構と、を備えた基板処理装置において、
   モジュールの情報を収集するためのセンサ部と、前記センサ部に電力を供給するための第１の受電用コイルとを備えたセンサ用基板を前記保持部材に保持する工程と、
   次いで前記保持部材を前進させて前記センサ用基板を前記モジュールに受け渡す工程と、
   第１の送電用コイルを備えた送電用基板を前記保持部材に保持する工程と、
   前記第１の送電用コイルに電力を供給して磁界を形成すると共にこの磁界中で当該第１の送電用コイルと前記第１の受電用コイルとを共鳴させ、前記第１の送電用コイルから前記第１の受電用コイルに電力を供給する工程と、
   前記センサ部によりモジュールに関するデータを取得する工程と、
   を含むことを特徴とする基板処理装置のデータ取得方法。
5. 前記センサ用基板は前記第１の受電用コイルから電力が供給される第１の無線通信部を備え、
   第１の無線通信部から前記モジュールに関するデータを基板処理装置の受信部に送信する工程を含むことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置のデータ取得方法。
6. 前記第１の受電用コイルへ電力が供給されたときに、当該電力が供給されたことを示す確認信号を前記第１の無線通信部から前記受信部に送信する工程が含まれることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置のデータ取得方法。
7. 前記送電用基板は、前記第１の送電用コイルに電力を供給するための第２の受電用コイルを備え、
   前記基台と共に移動する第２の送電用コイルに電力を供給して磁界を形成すると共に、この磁界中で第２の送電用コイルと前記第２の受電用コイルとを共鳴させ、前記第２の送電用コイルから非接触で第２の受電用コイルに電力を供給する工程を含むことを特徴とする請求項４ないし６のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法。
8. 前記送電用基板は、前記第２の受電用コイルから電力が供給される第２の無線通信部を備え、
   前記第２の受電用コイルへ電力が供給されたときに、当該電力が供給されたことを示す確認信号を前記第２の無線通信部から基板処理装置に設けられる受信部に送信する工程が含まれることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置のデータ取得方法。
9. 前記送電用基板は、第１の送電用コイルに電力を供給するためのバッテリを備えたことを特徴とする請求項４ないし８のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法。
10. 基板が搬入されるモジュールに、各種測定データを取得するためのセンサを基板搬送装置で搬送可能に構成されたセンサ用基板であって、
    前記モジュールのプロセス処理に供される種々のデータ情報を収集するためのセンサ部と、
    このセンサ部により収集された前記データ情報を無線で送信する送信部と、
    前記センサ部及び送信部に接続され、外部からの共振作用により送電される電力を受電してこれらセンサ部及び送信部に供給するための受電用コイルと、を備えたことを特徴とするセンサ用基板。
11. 前記受電用コイルは、センサ用基板の周縁部に、当該センサ用基板の外形に沿って巻設されていることを特徴とする請求項１０記載のセンサ用基板。

Images