JP2012078276A

JP2012078276A - 回路基板検査装置および回路基板検査方法

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Publication number: JP2012078276A
Application number: JP2010225523A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yamazaki; 浩山嵜; Toshihiko Tsuchiya; 利彦土屋
Original assignee: Hioki EE Corp
Current assignee: Hioki EE Corp
Priority date: 2010-10-05
Filing date: 2010-10-05
Publication date: 2012-04-19
Anticipated expiration: 2030-10-05
Also published as: JP5485099B2

Abstract

【課題】検査効率の低下を抑制しつつ検査精度を向上させる。
【解決手段】回路基板８０の導体パターン８１に対する検査用信号Ｖｅの供給に伴って生じる物理量を測定してその測定値に基づいて回路基板８０の良否を検査する良否検査を予め決められた第１検査条件で実行する検査部（電圧検出部３、電流検出部４、放電検出部５および制御部９）を備え、検査部は、複数の回路基板８０のうちの一部の回路基板８０に対する良否検査が終了した中間時点における回路基板８０の不良率が予め規定された第１基準率以上のときに中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更し、中間時点における回路基板８０の不良率が第１基準率よりも低い値に予め規定された第２基準率以下のときに中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件よりも基準が低い第３検査条件に変更する。
【選択図】図１

Description

本発明は、回路基板の導体パターンに対して検査用信号を供給したときの物理量に基づいて回路基板の良否を予め決められた検査条件で検査する回路基板検査装置および回路基板検査方法に関するものである。

この種の回路基板検査装置として、特開２００３−１７２７５７号公報に開示された絶縁検査装置が知られている。この絶縁検査装置は、可変電圧源、電圧計、制御部およびスパーク検出回路などを備えて構成され、回路基板における配線パターン間の絶縁状態の良否を判定し、絶縁状態が不良な配線パターンが存在するときにはその回路基板が不良であると判定する。また、この絶縁検査装置は、絶縁検査中に配線パターン間で発生するスパークをスパーク検出回路が検出し、スパークを検出したときにも、その回路基板が不良であると判定する。具体的には、可変電圧源から出力される直流電圧の印加によってスパークが発生すると、可変電圧源の出力電圧が急変動（急低下）し、スパーク検出回路が、この出力電圧の変動を検出してスパーク発生信号を出力する。また、制御部が、スパーク検出回路からスパーク発生信号が出力されたときに、回路基板が不良であると判定する。

特開２００３−１７２７５７号公報（第４−５頁、第１図）

ところが、上記の回路基板検査装置には、以下の問題点がある。すなわち、この回路基板検査装置では、複数の回路基板の良否を判定する際に、予め決められたレベルの直流電圧を予め決められた時間だけ検査対象の配線パターンに印加して、絶縁状態やスパークの発生の有無を判定する処理を全ての回路基板に対して実行している。つまり、予め決められた１つの検査条件で全ての回路基板に対する良否判定を行っている。一方、スパークのような物理現象は不安定であるため、直流電圧の印加時間や電圧レベルを僅かに増やしただけでスパークが発生したり、１回の検査ではスパークが発生しなくても再度の検査においてスパークが発生したりすることがある。このため、この回路基板検査装置によって良好と判定された回路基板の中には、直流電圧の印加時間や電圧レベル、および検査回数などの検査条件の基準を僅かに高めただけで不良と判定されるような回路基板（潜在的な不良要因を有する回路基板）が存在している可能性があり、検査精度の向上が困難であるという問題点が存在する。この場合、例えば、１つの配線パターンについて複数回の検査を実行したり、配線パターンに印加する直流電圧の印加時間を長くして検査条件の基準を高めることにより、潜在的な不良要因を有する回路基板が良好と判定されないようにすることができる。しかしながら、このように検査条件の基準を一律的に高めたときには、１つの配線パターンについての検査に多くの時間がかかるため、数多くの回路基板を検査する際の検査時間が長時間化して検査効率が低下するという問題点が生じる。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、検査効率の低下を抑制しつつ検査精度を向上し得る回路基板検査装置および回路基板検査方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の回路基板検査装置は、回路基板の導体パターンに対する検査用信号の供給に伴って生じる物理量を測定してその測定値に基づいて当該回路基板の良否を検査する良否検査を予め決められた第１検査条件で実行する検査部を備えた回路基板検査装置であって、前記検査部は、同種類の複数の前記回路基板に対して前記良否検査を実行する際に、前記複数の回路基板のうちの一部の回路基板に対する前記良否検査が終了した中間時点における当該回路基板の不良率が予め規定された第１基準率以上のときに当該中間時点以後の前記良否検査における検査条件を前記第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する第１処理、および前記中間時点における前記回路基板の不良率が前記第１基準率よりも低い値に予め規定された第２基準率以下のときに当該中間時点以後の前記良否検査における検査条件を前記第１検査条件よりも基準が低い第３検査条件に変更する第２処理の少なくとも一方を行う。

また、請求項２記載の回路基板検査装置は、請求項１記載の回路基板検査装置において、前記第１検査条件、前記第２検査条件および前記第３検査条件として、前記導体パターンに対して供給する前記検査用信号の供給時間が規定され、前記第２検査条件における前記供給時間が前記第１検査条件における前記供給時間よりも長い時間に規定され、前記第３検査条件における前記供給時間が前記第１検査条件における前記供給時間よりも短い時間に規定されている。

また、請求項３記載の回路基板検査装置は、請求項１または２記載の回路基板検査装置において、前記第１検査条件、前記第２検査条件および前記第３検査条件として、前記導体パターンに対して供給する前記検査用信号の信号レベルが規定され、前記第２検査条件における前記信号レベルが前記第１検査条件における前記信号レベルよりも高いレベルに規定され、前記第３検査条件における前記信号レベルが前記第１検査条件における前記信号レベルよりも低いレベルに規定されている。

また、請求項４記載の回路基板検査装置は、請求項１から３のいずれかに記載の回路基板検査装置において、前記第１検査条件、前記第２検査条件および前記第３検査条件として、前記検査用信号を供給して前記物理量を測定する処理を前記導体パターン１つ当りに対して実行する回数が規定され、前記第２検査条件における前記回数が前記第１検査条件における前記回数よりも多い回数に規定され、前記第３検査条件における前記回数が前記第１検査条件における前記回数よりも少ない回数に規定されている。

また、請求項５記載の回路基板検査装置は、請求項１から４のいずれかに記載の回路基板検査装置において、前記検査部は、前記変更後の検査条件を新たな前記第１検査条件として、前記第１処理および前記第２処理の少なくとも一方を行う。

また、請求項６記載の回路基板検査方法は、回路基板の導体パターンに対する検査用信号の供給に伴って生じる物理量を測定してその測定値に基づいて当該回路基板の良否を検査する良否検査を予め決められた第１検査条件で実行する回路基板検査方法であって、同種類の複数の前記回路基板に対して前記良否検査を実行する際に、前記複数の回路基板のうちの一部の回路基板に対する前記良否検査が終了した中間時点における当該回路基板の不良率が予め規定された第１基準率以上のときに当該中間時点以後の前記良否検査における検査条件を前記第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する第１処理、および前記中間時点における前記回路基板の不良率が前記第１基準率よりも低い値に予め規定された第２基準率以下のときに当該中間時点以後の前記良否検査における検査条件を前記第１検査条件よりも基準が低い第３検査条件に変更する第２処理の少なくとも一方を行う。

請求項１記載の回路基板検査装置、および請求項６記載の回路基板検査方法では、同種類の複数の回路基板の一部に対する良否検査が終了した中間時点における回路基板の不良率が第１基準率以上のときに中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する第１処理、および中間時点における回路基板の不良率が第１基準率よりも低い第２基準率以下のときに中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件よりも基準が低い第３検査条件に変更する第２処理の少なくとも一方を行う。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、第１処理を実行したときには、中間時点以後の良否検査において良好と判定された回路基板の中に潜在的な不良要因を有する回路基板が含まれる可能性を低く抑えることができる結果、その分、検査精度（検査の信頼性）を十分に向上させることができる。また、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、潜在的な不良要因を有する回路基板を不良と判定するのに必要かつ十分な検査条件を第１検査条件として設定することで、全ての回路基板に対して必要以上に基準の高い検査条件で良否検査を行う構成と比較して、検査効率の低下を十分に低く抑えることができる。また、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、第２処理を実行したときには、中間時点以後の良否検査において１枚の回路基板に対する良否検査に要する時間を短縮することができる結果、検査効率を十分に向上させることができる。

また、請求項２記載の回路基板検査装置によれば、第１検査条件として導体パターンに対して供給する検査用信号の供給時間を規定し、第２検査条件として検査用信号の供給時間を第１検査条件における供給時間よりも長い時間に規定し、第３検査条件として検査用信号の供給時間を第１検査条件における供給時間よりも短い時間に規定したことにより、回路基板の導体パターンに対して検査用信号を供給したときに生じる物理量に基づいて回路基板に対する良否検査を実行する際の第２検査条件を確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができると共に、この物理量に基づいて回路基板に対する良否検査を実行する際の第３検査条件を確実かつ容易に第１検査条件よりも低い基準とすることができる。

また、請求項３記載の回路基板検査装置によれば、第１検査条件として導体パターンに対して供給する検査用信号の信号レベルを規定し、第２検査条件として検査用信号の信号レベルを第１検査条件における信号レベルよりも高いレベルに規定し、第３検査条件として検査用信号の信号レベルを第１検査条件における信号レベルよりも低いレベルに規定したことにより、回路基板の導体パターンに対して検査用信号を供給したときに生じる物理量に基づいて回路基板に対する良否検査を実行する際の第２検査条件を一層確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができると共に、この物理量に基づいて回路基板に対する良否検査を実行する際の第３検査条件を一層確実かつ容易に第１検査条件よりも低い基準とすることができる。

また、請求項４記載の回路基板検査装置によれば、第１検査条件として検査用信号を供給して物理量を測定する処理を導体パターン１つ当りに対して実行する回数を規定し、第２検査条件としてこの回数を第１検査条件における回数よりも多い回数に規定し、第３検査条件としてこの回数を第１検査条件における回数よりも少ない回数に規定したことにより、回路基板の導体パターンに対して検査用信号を供給したときに生じる物理量に基づいて回路基板に対する良否検査を実行する際の第２検査条件をさらに確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができると共に、この物理量に基づいて回路基板に対する良否検査を実行する際の第３検査条件をさらに確実かつ容易に第１検査条件よりも低い基準とすることができる。

また、請求項５記載の回路基板検査装置によれば、変更後の検査条件を新たな第１検査条件として、第１処理および第２処理の少なくとも一方を行うことにより、中間時点において検査条件を変更した後に、回路基板の不良率が変化した場合において、その不良率の変化に応じて検査条件を再度変更することができるため、検査効率の低下をさらに抑制しつつ検査精度をさらに向上させることができる。

回路基板検査装置１の構成を示す構成図である。検査工程７０のフローチャートである。検査条件としての導体パターン８１の選択方式を説明するための第１の説明図である。検査条件としての導体パターン８１の選択方式を説明するための第２の説明図である。検査条件としての導体パターン８１の選択方式を説明するための第３の説明図である。

以下、回路基板検査装置および回路基板検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、回路基板検査装置１の構成について説明する。図１に示す回路基板検査装置１は、例えば、同図に示す電子部品が搭載されていない回路基板（ベアボード）８０の良否を検査する良否検査を予め決められた検査条件（第１検査条件）で実行可能に構成されている。具体的には、回路基板検査装置１は、一例として、同図に示すように、信号生成部２、電圧検出部３、電流検出部４、放電検出部５、基板保持部６、搬入搬出機構７、記憶部８および制御部９を備えて構成されている。この場合、電圧検出部３、電流検出部４、放電検出部５および制御部９によって検査部が構成される。

信号生成部２は、制御部９の制御に従い、電圧が５０Ｖ〜２００Ｖ程度の範囲内に規定された検査用信号（一例として、直流電圧信号）Ｖｅを生成して出力する。

電圧検出部３は、図１に示すように、電圧検出回路３１およびＡ／Ｄコンバータ３２を備えて構成されている。電圧検出回路３１は、ローパスフィルタおよびレンジ回路を備えて構成され、回路基板８０の導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量としての導体パターン８１の間の電圧の低周波成分を検出（測定）する。Ａ／Ｄコンバータ３２は、電圧検出回路３１によって検出された電圧の低周波成分のサンプリングデータＤｓ１を出力する。

電流検出部４は、図１に示すように、電流検出回路４１およびＡ／Ｄコンバータ４２を備えて構成されている。電流検出回路４１は、ローパスフィルタおよびレンジ回路を備えて構成され、回路基板８０の導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量としての導体パターン８１の間に流れる電流の低周波成分を検出（測定）する。Ａ／Ｄコンバータ４２は、電流検出回路４１によって検出された電流の低周波成分のサンプリングデータＤｓ２を出力する。

放電検出部５は、検査用信号Ｖｅの供給に伴う放電の発生を検出する。具体的には、放電検出部５は、図１に示すように、電圧検出回路５１およびコンパレータ５２を備えて構成されている。電圧検出回路５１は、ハイパスフィルタおよびレンジ回路を備えて構成され、回路基板８０の導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量としての導体パターン８１の間の電圧の高周波成分を検出（測定）する。コンパレータ５２は、電圧検出回路５１によって検出された電圧の高周波成分の値が基準値以上のときに検出信号Ｓｄを出力する。

基板保持部６は、回路基板８０を保持可能に構成されている。搬入搬出機構７は、制御部９の制御に従い、検査対象の回路基板８０を基板保持部６に搬入すると共に、検査が終了した回路基板８０を基板保持部６から搬出する。

記憶部８は、回路基板８０に対する良否検査を実行する際の検査条件として予め決められた第１検査条件、第２検査条件および第３検査条件を示す検査条件データＤｃを記憶する。この回路基板検査装置１では、第１検査条件として、例えば、導体パターン８１に対して供給する検査用信号Ｖｅの供給時間が０．１秒に規定されると共に、その際の検査用信号Ｖｅの信号レベル（この例では電圧値）が１００Ｖに規定されている。また、第２検査条件として、例えば、検査用信号Ｖｅの供給時間が０．２秒に規定されると共に、その際の検査用信号Ｖｅの信号レベルが１５０Ｖに規定され、第３検査条件として、例えば、検査用信号Ｖｅの供給時間が０．０８秒に規定されると共に、その際の検査用信号Ｖｅの信号レベルが８０Ｖに規定されている。つまり、第２検査条件は、第１検査条件よりも基準が高く（言い替えれば、良品と判定する基準が高く）規定され、第３検査条件は、第１検査条件よりも基準が低く（言い替えれば、良品と判定する基準が低く）規定されている。また、記憶部８は、制御部９の制御に従い、導体パターン８１の間の絶縁状態の良否を示すデータや、検査用信号Ｖｅの供給によって放電が発生したか否かを示すデータを記憶する。

制御部９は、図２に示す検査工程７０を行うことにより、上記した各物理量に基づき、回路基板８０における導体パターン８１の間の絶縁状態の良否を判定すると共に、導体パターン８１に対する検査用信号Ｖｅの供給に伴う放電の発生の有無を判定し、さらに、これらの判定結果に基づき、回路基板８０の良否を判定する良否検査を実行する。

また、制御部９は、検査工程７０を行って同種類の複数の回路基板８０に対する良否検査を実行する際に、検査工程７０の開始当初においては、上記した第１検査条件で良否検査を実行し、良否検査が終了した回路基板８０の数が予め決められた規定数（例えば、検査対象の回路基板８０の枚数の５％に相当する枚数）に達した時点（以下、この時点を「中間時点」ともいう）で回路基板８０の不良率が第１基準率Ｒ１以上のときには、中間時点以後の良否検査（残りの回路基板８０に対する良否検査）における検査条件を第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する。また、中間時点で回路基板８０の不良率が第２基準率Ｒ２以下のときには、中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件よりも基準が低い第３検査条件に変更する。なお、中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件から第２検査条件に変更する処理が第１処理に相当し、中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件から第３検査条件に変更する処理が第２処理に相当する。

次に、回路基板検査装置１を用いて、一例として、１００００枚の同種類の回路基板８０に対する良否検査を行う回路基板検査方法、およびその際の回路基板検査装置１の動作について、図面を参照して説明する。なお、上記した規定数が、検査対象の回路基板８０の枚数である１００００枚の１０％に相当する１０００枚に規定され、上記した第１基準率Ｒ１が１％に規定され、上記した第２基準率Ｒ２が０．１％に規定されているものとする。

この回路基板検査装置１では、検査開始の操作がされたときに、制御部９が、図２に示す検査工程７０に従って処理を開始する。この検査工程７０では、制御部９は、まず記憶部８から検査条件データＤｃを読み出し、検査条件データＤｃによって示される第１検査条件を特定する（ステップ７１）。

次いで、制御部９は、１枚目の回路基板８０に対する良否検査を実行する（ステップ７２）。具体的には、制御部９は、搬入搬出機構７を制御して１枚目の回路基板８０を基板保持部６に搬入させ、続いて、制御部９は、図外のプロービング機構を制御して、プローブ２１，２１を回路基板８０における一対の導体パターン８１に接触させる。次いで、制御部９は、信号生成部２を制御して検査用信号Ｖｅを出力させる。この場合、制御部９は、検査用信号Ｖｅの供給時間を、第１検査条件に規定されている０．１秒に指定すると共に、検査用信号Ｖｅの信号レベルを第１検査条件に規定されている１００Ｖに指定する。これにより、プローブ２１，２１を介して各導体パターン８１に検出信号Ｓｄが供給される。

一方、電圧検出部３では、電圧検出回路３１が、各導体パターン８１の間の電圧を検出し、Ａ／Ｄコンバータ３２が、電圧検出回路３１によって検出された電圧のサンプリングデータＤｓ１を出力する。また、電流検出部４の電流検出回路４１が、導体パターン８１の間に流れる電流を検出し、Ａ／Ｄコンバータ４２が、電流検出回路４１によって検出された電流のサンプリングデータＤｓ２を出力する。続いて、制御部９は、電圧検出部３によって出力されるサンプリングデータＤｓ１から特定した電圧、および電流検出部４によって出力されるサンプリングデータＤｓ２から特定した電流に基づき、導体パターン８１の間の抵抗値を算出する。次いで、制御部９は、算出した抵抗値が基準値以上であるか否かを判定し、基準値以上であるときには導体パターン８１の間の絶縁状態が良好であると判定し、基準値未満であるときには、絶縁状態が不良であると判定する。

また、制御部９は、放電検出部５からの検出信号Ｓｄの出力の有無に基づき、放電が発生したか否かを判定する。ここで、導体パターン８１に欠陥が存在せず、検査用信号Ｖｅの供給による放電の発生がないときには、導体パターン８１の間の電圧の急激な変動がなく、放電検出部５からの検出信号Ｓｄの出力がないため、制御部９は、放電が発生しないと判定する。一方、導体パターン８１に短絡や近接などの欠陥が存在して、検査用信号Ｖｅの供給によって放電が発生し、これに伴って導体パターン８１の間の電圧が急激に降下したときには、放電検出部５の電圧検出回路５１によって変動する電圧が検出される。この場合、電圧の変動量が基準値以上のときには、コンパレータ５２が検出信号Ｓｄを出力する。この際には、制御部９が、放電検出部５からの検出信号Ｓｄの出力を判別し、放電が発生したと判定する。

続いて、制御部９は、一対の導体パターン８１の組み合わせを変更して、上記した検査用信号Ｖｅの供給および各物理量の測定を行い、導体パターン８１の間の絶縁状態の良否を判定すると共に、放電の発生の有無を判定する。次いで、制御部９は、一対の導体パターン８１の組み合わせの全てについて絶縁状態の良否、および放電の発生の有無を判定したときには、回路基板８０の良否を判定する。この場合、制御部９は、全ての導体パターン８１のうちのいずれか１つの導体パターン８１について絶縁状態または放電の発生があると判定したときには、回路基板８０を不良と判定して、その旨を示すデータを記憶部８に記憶させる。続いて、制御部９は、搬入搬出機構７を制御して回路基板８０を基板保持部６から搬出させる。以上により、１枚目の回路基板８０に対する良否検査（ステップ７２）が終了する。

次いで、制御部９は、良否検査が終了した（検査済みの）回路基板８０の枚数が規定数（１０００枚）に達したか否かを判別する（ステップ７３）。この場合、この時点では、１枚の回路基板８０に対する良否検査が終了しただけであるため、制御部９は、次の回路基板８０に対する良否検査（ステップ７２）を実行する。以後、制御部９は、検査済みの回路基板８０の枚数が規定数に達するまで、ステップ７２，７３を繰り返して実行する。

一方、ステップ７３において、検査済みの回路基板８０の枚数が規定数に達したと判別したときには、制御部９は、記憶部８に記憶されている良否検査の結果を示すデータに基づき、その時点（中間時点）における回路基板８０の不良率が第１基準率Ｒ１（１％）以上であるか否かを判別する（ステップ７４）。この際に、制御部９は、中間時点における回路基板８０の不良率が第１基準率Ｒ１以上である、つまり中間時点までに良否検査が終了した１０００枚の回路基板８０のうちの１０枚以上が不良であると判別したときには、検査条件データＤｃに基づいて第２検査条件を特定し、中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件から第２検査条件に変更する（ステップ７５）。

続いて、制御部９は、残りの回路基板８０（良否検査が終了していない回路基板８０）に対する良否検査を実行する（ステップ７６）。この場合、制御部９は、信号生成部２から出力させる検査用信号Ｖｅの供給時間を、第２検査条件に規定されている０．２秒に指定すると共に、検査用信号Ｖｅの信号レベルを第２検査条件に規定されている１５０Ｖに指定する。

また、制御部９は、１枚の回路基板８０に対する良否検査が終了する度に、全ての回路基板８０に対する良否検査が終了したか否か（良否検査が終了した回路基板８０の枚数が１００００枚に達したか否か）を判別する（ステップ７７）。この場合、制御部９は、全ての回路基板８０に対する良否検査が終了していないと判別したときには、ステップ７６，７７を繰り返して実行し、全ての回路基板８０に対する良否検査が終了したと判別したときには、検査工程７０を終了する。

ここで、一般的に、不良率が高ければ高いほど、良好と判定された回路基板８０の中に潜在的な不良要因を有する回路基板８０（検査条件の基準を僅かに高めただけで不良と判定されるような回路基板８０）が存在している可能性が高くなる。この場合、従来の回路基板検査装置のように、全ての回路基板８０に対する良否検査を１つの検査条件で行う構成では、中間時点における不良率が高くても、中間時点以後において同じ検査条件で良否検査が実行され、この結果、良好と判定した回路基板８０の中に潜在的な不良要因を有する回路基板８０が多く含まれている可能性が高くなり、検査精度（検査の信頼性）が低下するおそれがある。これに対して、この回路基板検査装置１では、上記したように中間時点における回路基板８０の不良率が第１基準率Ｒ１以上のとき、つまり不良率が比較的高いときには、中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する。このため、この回路基板検査装置１によれば、中間時点以後の良否検査において良好と判定された回路基板８０の中に潜在的な不良要因を有する回路基板８０が含まれる可能性が低く抑えられ、その分検査精度を向上させることが可能となっている。また、この回路基板検査装置１によれば、潜在的な不良要因を有する回路基板８０を不良と判定するのに必要かつ十分な検査条件を第１検査条件として設定することで、検査工程７０の開始時から必要以上に基準の高い検査条件で良否検査を行う構成と比較して、検査効率の低下を抑えることが可能となっている。

また、制御部９は、ステップ７４において、中間時点における回路基板８０の不良率が第１基準率Ｒ１以上ではない（第１基準率Ｒ１未満である）と判別したときには、中間時点における回路基板８０の不良率が第２基準率Ｒ２（０．１％）以下であるか否かを判別する（ステップ７８）。この際に、制御部９は、中間時点における回路基板８０の不良率が第２基準率Ｒ２以下である、つまり中間時点までに良否検査が終了した１０００枚の回路基板８０のうち、不良であったものが１枚以下であると判別したときには、検査条件データＤｃに基づいて第３検査条件を特定し、中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件から第３検査条件に変更する（ステップ７９）。

次いで、制御部９は、ステップ７６，７７を実行する。この場合、制御部９は、残りの回路基板８０（良否検査が終了していない回路基板８０）に対する良否検査（ステップ７６）を実行する際に、信号生成部２から出力させる検査用信号Ｖｅの供給時間を、第３検査条件に規定されている０．０８秒に指定すると共に、検査用信号Ｖｅの信号レベルを第２検査条件に規定されている８０Ｖに指定する。続いて、制御部９は、ステップ７７において、全ての回路基板８０に対する良否検査が終了したと判別したときには、検査工程７０を終了する。

ここで、従来の回路基板検査装置のように全ての回路基板８０に対する良否検査を予め決められた１つの検査条件で一律的に行う構成では、その検査条件の基準が高いときには、中間時点における不良率が低くても、中間時点以後において高い基準の検査条件で良否検査が実行され、この結果、１枚の回路基板８０に対する良否検査に要する時間が長くなり、検査効率が低下する。これに対して、この回路基板検査装置１では、上記したように中間時点における回路基板８０の不良率が第２基準率Ｒ２以下のとき、つまり不良率が十分に低いときには、中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件よりも基準が低い第３検査条件に変更する。このため、この回路基板検査装置１によれば、中間時点以後の良否検査において１枚の回路基板８０に対する良否検査に要する時間が短縮される結果、検査効率を十分に向上させることが可能となっている。

また、制御部９は、ステップ７４において、中間時点における回路基板８０の不良率が第１基準率Ｒ１以上ではない（第１基準率Ｒ１未満である）と判別し、かつステップ７８において、中間時点における回路基板８０の不良率が第２基準率Ｒ２以下ではない（第２基準率Ｒ２を超えている）と判別したときには、中間時点以後の良否検査における検査条件を変更することなく（第１検査条件のまま）、回路基板８０に対する良否検査（ステップ７６）を実行する。次いで、制御部９は、全ての回路基板８０に対する良否検査が終了したと判別したときには、検査工程７０を終了する。

このように、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、同種類の複数の回路基板８０に対する良否検査を実行する際に、一部の回路基板８０に対する良否検査が終了した中間時点における回路基板８０の不良率が第１基準率Ｒ１以上のときに中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する。このため、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、中間時点以後の良否検査において良好と判定された回路基板８０の中に潜在的な不良要因を有する回路基板８０が含まれる可能性を低く抑えることができる結果、その分、検査精度（検査の信頼性）を十分に向上させることができる。また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、潜在的な不良要因を有する回路基板８０を不良と判定するのに必要かつ十分な検査条件を第１検査条件として設定することで、検査工程７０の開始時から必要以上に基準の高い検査条件で良否検査を行う構成と比較して、検査効率の低下を十分に低く抑えることができる。また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、中間時点における回路基板８０の不良率が第２基準率Ｒ２以下のときに中間時点以後の良否検査における検査条件を第１検査条件よりも基準が低い第３検査条件に変更する。このため、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、中間時点以後の良否検査において１枚の回路基板８０に対する良否検査に要する時間を短縮することができる結果、検査効率を十分に向上させることができる。

また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、第１検査条件として導体パターン８１に対して供給する検査用信号Ｖｅの供給時間を規定し、第２検査条件として検査用信号Ｖｅの供給時間を第１検査条件における供給時間よりも長い時間に規定し、第３検査条件として検査用信号Ｖｅの供給時間を第１検査条件における供給時間よりも短い時間に規定したことにより、回路基板８０の導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量（導体パターン８１の間の電圧の低周波成分、導体パターン８１の間に流れる電流の低周波成分、および導体パターン８１の間の電圧の高周波成分）に基づいて回路基板８０に対する良否検査を実行する際の第２検査条件を確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができると共に、上記の物理量に基づいて回路基板８０に対する良否検査を実行する際の第３検査条件を確実かつ容易に第１検査条件よりも低い基準とすることができる。

また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、第１検査条件として導体パターン８１に対して供給する検査用信号Ｖｅの信号レベルを規定し、第２検査条件として検査用信号Ｖｅの信号レベルを第１検査条件における信号レベルよりも高いレベルに規定し、第３検査条件として検査用信号Ｖｅの信号レベルを第１検査条件における信号レベルよりも低いレベルに規定したことにより、回路基板８０の導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量に基づいて回路基板８０に対する良否検査を実行する際の第２検査条件を一層確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができると共に、上記の物理量に基づいて回路基板８０に対する良否検査を実行する際の第３検査条件を一層確実かつ容易に第１検査条件よりも低い基準とすることができる。

なお、上記した回路基板検査装置１および回路基板検査方法は、一例であって、適宜変更することができる。上記の例では、検査用信号Ｖｅの供給時間、および検査用信号Ｖｅの信号レベルの双方を良否検査における検査条件として規定したが、これらのうちの一方のみを検査条件として規定する構成および方法を採用することもできる。

また、検査条件は、検査用信号Ｖｅの供給時間、および検査用信号Ｖｅの信号レベルに限定されない。例えば、検査用信号Ｖｅを供給して各物理量を測定する処理を導体パターン８１の１つ当りに対して実行する回数（以下、「導体パターン８１の１つ当りの処理回数」ともいう）を検査条件として規定し、第１検査条件、第２検査条件および第３検査条件においてこの回数を互いに異ならせることができる。この構成および方法の第１の具体例として、第１検査条件として、検査用信号Ｖｅを供給して各物理量を測定する処理を一対の導体パターン８１当りに対して実行する回数を２回に規定し、第２検査条件として、この回数を３回（第１検査条件における回数よりも多い回数）に規定し、第３検査条件として、この回数を１回（第１検査条件における回数よりも少ない回数）に規定する構成および方法を採用することができる。このような構成および方法においても、回路基板８０の導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量に基づいて回路基板８０に対する良否検査を実行する際の第２検査条件をさらに確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができると共に、上記の物理量に基づいて回路基板８０に対する良否検査を実行する際の第３検査条件をさらに確実かつ容易に第１検査条件よりも低い基準とすることができる。

また、第１検査条件、第２検査条件および第３検査条件において導体パターン８１の１つ当りの処理回数を互いに異ならせる構成および方法の第２の具体例として、次のような構成および方法を採用することができる。この構成および方法では、検査用信号Ｖｅの供給および各物理量の測定の対象とする導体パターン８１の選択方式を検査条件として規定し、第１検査条件、第２検査条件および第３検査条件においてこの選択方式を互いに異ならせることによって各検査条件における導体パターン８１の１つ当りの処理回数を互いに異ならせる。より具体的には、図３〜図５に示すように、Ｍ個（図３〜図５の例では１０個）の導体パターン８１を有する回路基板８０における各導体パターン８１のうちの一部を選択して第１グループとすると共に第１グループの導体パターン８１を除く他の導体パターン８１の一部または全部を第２グループとして選択し、第１グループの導体パターン８１を同電位とすると共に第２グループの導体パターン８１を同電位としつつ第１グループの導体パターン８１と第２グループの導体パターン８１との間に検査用信号Ｖｅを供給させて各物理量を測定する測定処理を、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターン８１の組み合わせを変更しつつ（Ｍ−１）回実行する場合に、１回目の測定処理において、１つ目の導体パターン８１を第１グループとしてその導体パターン８１を除く他の導体パターン８１を第２グループとし、２回目からＮ回目の（ＮはＭ未満の整数）測定処理において、直前の測定処理で第２グループに属していた各導体パターン８１のうちの１つを第２グループから除外して第１グループに加え、（Ｎ＋１）回目から（Ｍ−１）回目の測定処理において、直前の測定処理で最も早くから第１グループに属していた１つの導体パターン８１を第１および第２グループから除外すると共に、直前の測定処理で第２グループに属していた各導体パターン８１のうちの１つを第１グループに加える。この場合、Ｎの値が導体パターン８１の１つ当りの処理回数（図３〜図５に示す「●」の数）に相当する。このため、例えば、図３に示すように、第１検査条件においてＮ個を２に規定し、図４に示すように、第２検査条件においてＮ個を３に規定し、図５に示すように、第３検査条件においてＮ個を１に規定する。このような構成および方法においても、回路基板８０の導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量に基づいて回路基板８０に対する良否検査を実行する際の第２検査条件をさらに確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができると共に、上記の物理量に基づいて回路基板８０に対する良否検査を実行する際の第３検査条件をさらに確実かつ容易に第１検査条件よりも低い基準とすることができる。

また、中間時点における回路基板８０の不良率が第１基準率Ｒ１以上のときに中間時点以後の良否検査における検査条件を第２検査条件に変更する第１処理、および中間時点における回路基板８０の不良率が第２基準率Ｒ２以下のときに中間時点以後の良否検査における検査条件を第３検査条件に変更する第２処理の双方を実行する構成および方法について上記したが、第１処理および第２処理のいずれか一方のみを実行する構成および方法を採用することもできる。

また、中間時点において変更した変更後の検査条件（第２検査条件または第３検査条件）を新たな第１検査条件として、その後一部の回路基板８０に対する良否検査が終了した時点（新たな中間時点）で、第１処理および第２処理の少なくとも一方を再度実行する構成および方法を採用することもできる。この構成および方法によれば、最初の中間時点において検査条件を変更した後に、回路基板８０の不良率が変化した場合において、その不良率の変化に応じて検査条件を再度変更することができるため、検査効率の低下をさらに抑制しつつ検査精度をさらに向上させることができる。

また、２つのプローブ２１，２１を回路基板８０における一対の導体パターン８１に接触させる構成例について上記したが、複数のプローブ２１を備えて治具型に構成されたプローブユニットを用いる構成および方法を採用することもできる。

１回路基板検査装置
３電圧検出部
４電流検出部
５放電検出部
９制御部
８０回路基板
８１導体パターン
Ｒ１第１基準率
Ｒ２第２基準率
Ｖｅ検査用信号

Claims

回路基板の導体パターンに対する検査用信号の供給に伴って生じる物理量を測定してその測定値に基づいて当該回路基板の良否を検査する良否検査を予め決められた第１検査条件で実行する検査部を備えた回路基板検査装置であって、
前記検査部は、同種類の複数の前記回路基板に対して前記良否検査を実行する際に、前記複数の回路基板のうちの一部の回路基板に対する前記良否検査が終了した中間時点における当該回路基板の不良率が予め規定された第１基準率以上のときに当該中間時点以後の前記良否検査における検査条件を前記第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する第１処理、および前記中間時点における前記回路基板の不良率が前記第１基準率よりも低い値に予め規定された第２基準率以下のときに当該中間時点以後の前記良否検査における検査条件を前記第１検査条件よりも基準が低い第３検査条件に変更する第２処理の少なくとも一方を行う回路基板検査装置。
前記第１検査条件、前記第２検査条件および前記第３検査条件として、前記導体パターンに対して供給する前記検査用信号の供給時間が規定され、
前記第２検査条件における前記供給時間が前記第１検査条件における前記供給時間よりも長い時間に規定され、前記第３検査条件における前記供給時間が前記第１検査条件における前記供給時間よりも短い時間に規定されている請求項１記載の回路基板検査装置。
前記第１検査条件、前記第２検査条件および前記第３検査条件として、前記導体パターンに対して供給する前記検査用信号の信号レベルが規定され、
前記第２検査条件における前記信号レベルが前記第１検査条件における前記信号レベルよりも高いレベルに規定され、前記第３検査条件における前記信号レベルが前記第１検査条件における前記信号レベルよりも低いレベルに規定されている請求項１または２記載の回路基板検査装置。
前記第１検査条件、前記第２検査条件および前記第３検査条件として、前記検査用信号を供給して前記物理量を測定する処理を前記導体パターン１つ当りに対して実行する回数が規定され、
前記第２検査条件における前記回数が前記第１検査条件における前記回数よりも多い回数に規定され、前記第３検査条件における前記回数が前記第１検査条件における前記回数よりも少ない回数に規定されている請求項１から３のいずれかに記載の回路基板検査装置。
前記検査部は、前記変更後の検査条件を新たな前記第１検査条件として、前記第１処理および前記第２処理の少なくとも一方を行う請求項１から４のいずれかに記載の回路基板検査装置。
回路基板の導体パターンに対する検査用信号の供給に伴って生じる物理量を測定してその測定値に基づいて当該回路基板の良否を検査する良否検査を予め決められた第１検査条件で実行する回路基板検査方法であって、
同種類の複数の前記回路基板に対して前記良否検査を実行する際に、前記複数の回路基板のうちの一部の回路基板に対する前記良否検査が終了した中間時点における当該回路基板の不良率が予め規定された第１基準率以上のときに当該中間時点以後の前記良否検査における検査条件を前記第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する第１処理、および前記中間時点における前記回路基板の不良率が前記第１基準率よりも低い値に予め規定された第２基準率以下のときに当該中間時点以後の前記良否検査における検査条件を前記第１検査条件よりも基準が低い第３検査条件に変更する第２処理の少なくとも一方を行う回路基板検査方法。