JP2012074368A5 - - Google Patents

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  1. 電体板を有するプラズマ室と、導波路と、水素供給部と、電界形成部と、を有し、
    前記誘電体板は、前記導波路と前記プラズマ室の間を仕切る機能と、前記導波路から伝播されたマイクロ波を表面波に変換する機能と、を有し、
    前記プラズマ室は、前記水素供給部から供給され前記表面波に接する水素を、プラズマ化する機能を有し、
    前記電界形成部は、前記プラズマ化した水素の負イオンを、電界により加速させる機能を有することを特徴とするイオンドーピング装置。
  2. 誘電体板を有するプラズマ室と、導波路と、水素供給部と、引き出し電極を有する電界形成部と、を有し、
    前記誘電体板は、前記導波路と前記プラズマ室の間を仕切る機能と、前記導波路から伝播されたマイクロ波を表面波に変換する機能と、を有し、
    前記プラズマ室は、前記水素供給部から供給され前記表面波に接する水素を、プラズマ化する機能を有し、
    前記電界形成部は、前記プラズマ化した水素の負イオンを、電界により加速させる機能を有し、
    前記誘電体板と前記引き出し電極との距離は20mm以上200mm以下であることを特徴とするイオンドーピング装置。
  3. 誘電体板においてマイクロ波を表面波に変換し
    水素を前記表面波によりプラズマ化し、
    前記プラズマ化した水素の負イオンを、電界により加速させ、ドーピングされる対象物に添加することを特徴とするイオンドーピング方法。
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US9384937B2 (en) * 2013-09-27 2016-07-05 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. SiC coating in an ion implanter
JP2016225356A (ja) * 2015-05-27 2016-12-28 東京エレクトロン株式会社 半導体素子の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0106497B1 (en) * 1982-09-10 1988-06-01 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Ion shower apparatus
JPH05259124A (ja) * 1992-03-12 1993-10-08 Kojundo Chem Lab Co Ltd 半導体装置の製造法
US6161498A (en) * 1995-09-14 2000-12-19 Tokyo Electron Limited Plasma processing device and a method of plasma process
JP3217274B2 (ja) * 1996-09-02 2001-10-09 株式会社日立製作所 表面波プラズマ処理装置
JP3127892B2 (ja) * 1998-06-30 2001-01-29 日新電機株式会社 水素負イオンビーム注入方法及び注入装置
JP2000068227A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Nissin Electric Co Ltd 表面処理方法および装置
JP2000100790A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Canon Inc プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
DE60128302T2 (de) * 2000-08-29 2008-01-24 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Plasmafeste Quartzglas-Haltevorrichtung
JP2005129666A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Canon Inc 処理方法及び装置
JP2008016404A (ja) * 2006-07-10 2008-01-24 Micro Denshi Kk マイクロ波プラズマ装置

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