JP2012074368A - イオンドーピング装置およびイオンドーピング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】誘電体板を外壁の一部とするプラズマ室に水素を導入し、マイクロ波により当該誘電体板に表面波を発生させると、水素の負イオンの生成されやすい領域ができる。当該負イオンは分子量1のものしか生成されないため、質量分離をせずとも、電界をかけることにより同一質量のイオンのみを対象物に添加できる。
【選択図】図1
Description
本実施の形態においては、本発明の一実施形態に係るドーピング装置を、図1を用いて説明する。
本実施の形態においては、本発明の一実施形態に係るドーピング装置を、図2を用いて説明する。
102 誘電体板
103 プラズマ室
104 電極
105 加速電極
106 ドーピング室
107 基板
108 ステージ
109 水素供給部
201 ラジアルラインスロットアンテナ
301 導波管
302 金属板
303 誘電体板
304 金属板
Claims (9)
- マイクロ波を伝播させる導波路と、
前記マイクロ波を表面波に変換する誘電体板と、
前記誘電体板を外壁の一部とするプラズマ室と、
前記プラズマ室に水素を供給する水素供給部と、
前記プラズマ室で前記表面波により前記水素から生じる負イオンに対し、速度を与える電界形成部とを有し、
前記誘電体板は、前記導波路と前記プラズマ室の間を仕切るものであることを特徴とするイオンドーピング装置。 - 請求項1において、
前記誘電体板の耐熱温度は、1300K以上であることを特徴とするイオンドーピング装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記誘電体板は、石英ガラスまたはアルミナであることを特徴とするイオンドーピング装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記誘電体板の大きさは、直径300mmまたは直径450mmの円を覆うもの、またはそれ以上であることを特徴とするイオンドーピング装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記電界形成部は、引き出し電極を有することを特徴とするイオンドーピング装置。 - 請求項5において、
前記誘電体板と前記引き出し電極との距離は20mm以上200mm以下であることを特徴とするイオンドーピング装置。 - 請求項5または請求項6において、
前記電界形成部は、加速電極を有することを特徴とするイオンドーピング装置。 - 請求項5または請求項6において、
前記電界形成部は、ドーピングされる対象物に電位を与える電位付与部を有することを特徴とするイオンドーピング装置。 - 導波路を介してマイクロ波を誘電体板に供給することにより前記誘電体板に表面波を発生させ、
前記表面波に接する水素をプラズマとし、電界をかけることにより前記プラズマとなった前記水素の負イオンを加速させ、
ドーピングされる対象物に添加することを特徴とするイオンドーピング方法。
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