JP2012069221A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
書き換え動作(消去および書き込み動作)対象のメモリセルの可変抵抗素子の抵抗状態に拘わらず、当該可変抵抗素子の抵抗状態を抵抗値の最も低い消去状態とするための消去電圧パルスを印加する。その後、書き込み動作対象のメモリセルの可変抵抗素子に対して、可変抵抗素子の抵抗状態を所望の書き込み状態とするための書き込み電圧パルスを印加する。常に消去電圧パルスを印加後に書き込み電圧パルスを印加することで、複数の書き込み電圧パルスが連続して印加されることを避ける。更に、メモリセルアレイを偶数のサブバンクからなる構成とし、一方のサブバンクにおける消去電圧パルスの印加と他方のサブバンクにおける書き込み電圧パルスの印加を交互に行う。
【選択図】 図8
Description
本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置(以降、適宜「本発明装置1」と称す)の概略の回路構成を図1に示す。本発明装置1は、図1に示すように、第1サブバンクSB1及び第2サブバンクSB2の2つのサブバンクを備えて構成されるメモリセルアレイ、書き込み動作、消去動作、および第2書き込み動作を含む各動作の制御を行う制御回路10(10a)、制御回路10(10a)からの指示に基づいて第1サブバンクSB1及び第2サブバンクSB2のワード線WL1〜WLmに電圧を印加する行デコーダDR、制御回路10(10a)からの指示に基づいて第1サブバンクSB1のビット線BL11〜BL1nに電圧を印加する第1列デコーダDC1、及び、制御回路10(10a)からの指示に基づいて第2サブバンクSB2のビット線BL21〜BL2nに電圧を印加する第2列デコーダDC2を備えて構成されている。また、本発明装置1は、本実施形態では、複数の書き込み命令を連続的に実行するバースト機能を備えている。
(2)その後、書き込み動作の場合には(ステップ#202でYES分枝)、書き込み電圧パルス(第1の書き込み電圧パルス)を印加して、書き込み対象の可変抵抗素子の抵抗状態を消去状態から書き込み状態に遷移させる(ステップ#203)。
上記第1実施形態とは異なる本発明装置1の書き込み動作処理方法を以下に示す。本実施形態では、制御回路10の構成が第1実施形態と若干異なっており、ランダム書き換え処理が可能に構成された制御回路10bを備える。
10 制御回路
11 命令制御部
12 バッファ
13 出力制御部
14 バッファ
15 行アドレスバッファ
16 読み出し部
17 比較部
18 バッファ
19 書き込み/消去部
20 動作切り替え制御部
21 サブバンク制御部
100: メモリセルアレイ
BL11〜BL1n,BL21〜BL2n: ビット線
DC1: 第1列デコーダ
DC2: 第2列デコーダ
DR: 行デコーダ
M: メモリセル
R: 可変抵抗素子
SB1: 第1サブバンク
SB2: 第2サブバンク
SL1,SL2: ソース線
T: トランジスタ(電流制限素子)
WL1〜WLm: ワード線
Claims (14)
- 可変抵抗体の両端に電極を担持し、当該両端の間に電気的ストレスを与えることにより、当該両端間の抵抗特性で規定される抵抗状態が二以上の異なる抵抗状態間で遷移し、当該遷移後の一の抵抗状態を情報の記憶に用いる可変抵抗素子を有するメモリセルを、行方向及び列方向に夫々複数配列してなるメモリセルアレイを有する半導体記憶装置であって、
前記メモリセルアレイは、複数のサブバンクに分割され、
前記サブバンクの夫々は、
同一行の前記メモリセル同士を接続する共通のワード線、及び、同一列の前記メモリセル同士を接続する共通のビット線と、
前記サブバンクの前記ワード線に電圧を印加する行デコーダと、
前記サブバンクの前記ビット線に電圧を印加する列デコーダと、を備え、
前記メモリセルアレイ内の複数の選択された前記メモリセルの書き換えにおいて、
前記選択されたメモリセルの前記可変抵抗素子の前記抵抗状態に拘わらず、前記メモリセルの前記可変抵抗素子の前記抵抗状態を抵抗値の最も低い消去状態に遷移させるための消去電圧パルスを前記選択されたメモリセルに印加する消去動作、又は、
前記選択されたメモリセルの前記可変抵抗素子の抵抗状態に拘わらず、前記消去電圧パルスを前記選択されたメモリセルに印加し、前記メモリセルの前記可変抵抗素子の前記抵抗状態を前記消去状態から所定の前記抵抗状態に遷移させるための第1の書き込み電圧パルスを前記選択されたメモリセルに印加する書き込み動作の何れかを、前記選択された前記メモリセルの夫々に対して実行し、
前記複数の選択された前記メモリセルのうち、当該メモリセルの属する前記サブバンクが互いに異なる2つの前記メモリセルに対して、一方の前記メモリセルに対する前記書き込み動作における前記第1の書き込み電圧パルスの印加と、他方の前記メモリセルに対する前記消去動作または前記書き込み動作における前記消去電圧パルスの印加を、同一の動作サイクルで実行するように制御する制御回路を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記消去動作または前記書き込み動作の実行前に、前記選択されたメモリセルの前記可変抵抗素子の前記抵抗状態を読み出す初期検証動作が行われないことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記制御回路は、
前記第1の書き込み電圧パルスを印加後、書き込み対象として選択された前記メモリセルの前記可変抵抗素子の抵抗特性が前記所定の抵抗状態の抵抗分布範囲内にあるか否かを検証する検証動作を実行し、
前記検証動作において、前記選択されたメモリセルの前記可変抵抗素子の抵抗特性が前記所定の抵抗状態の抵抗分布範囲外にある前記メモリセルが検出された場合、
当該抵抗分布範囲外のメモリセルの前記可変抵抗素子の前記抵抗状態に拘わらず、前記消去電圧パルスを当該メモリセルに印加し、当該抵抗分布範囲外のメモリセルの前記可変抵抗素子の前記抵抗状態を前記消去状態から前記所定の抵抗状態に遷移させるための第2の書き込み電圧パルスを当該メモリセルに印加する第2書き込み動作を、
当該抵抗分布範囲外のメモリセルの前記可変抵抗素子の抵抗特性が前記所定の抵抗状態の抵抗分布範囲内になるまで繰り返し実行することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第2書き込み動作が複数回繰り返される場合、
初回の前記第2書き込み動作において、
前記第2の書き込み電圧パルスは、前記第1の書き込み電圧パルスよりも電圧振幅の絶対値が小さいか、又は、前記第1の書き込み電圧パルス印加時よりもパルス印加時に前記可変抵抗素子に流れる電流量が小さくなるように設定され、
2回目以降の前記第2書き込み動作において、前記制御回路は、
前記第2の書き込み電圧パルスの電圧振幅の絶対値、又は、前記第2の書き込みパルス印加時に前記可変抵抗素子に流れる電流量を、前記第2書き込み動作の実行回数を重ねる毎に段階的に大きくしていくことを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイが、第1サブバンク及び第2サブバンクからなる前記サブバンクの一または複数の対を備えて構成され、
前記メモリセルアレイ内の複数の選択された前記メモリセルの書き換えにおいて、
前記制御回路は、
前記第1サブバンク内の前記消去動作または前記書き込み動作の対象として選択された前記メモリセルに前記消去電圧パルスを印加し、前記第2サブバンク内の前記書き込み動作の対象として選択された前記メモリセルに前記第1の書き込み電圧パルスを印加する第1動作サイクルと、
前記第1サブバンク内の前記書き込み動作の対象として選択された前記メモリセルに前記第1の書き込み電圧パルスを印加し、前記第2サブバンク内の前記消去動作または前記書き込み動作の対象として選択された前記メモリセルに前記消去電圧パルスを印加する第2動作サイクルと、を実行可能に構成されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の半導体記憶装置。 - 前記サブバンク対の前記第1サブバンクと前記第2サブバンクの間で、前記行デコーダが共用され、
前記行デコーダは、前記第1サブバンク及び前記第2サブバンク夫々の対応する前記ワード線に同時に電圧を印加し、
前記サブアレイ対内の、前記1サブバンクと前記第2サブバンクで共通の前記ワード線、前記第1サブバンクの前記ビット線、及び、前記第2サブバンクの前記ビット線により選択される複数の前記メモリセルの書き換えにおいて、
前記制御回路は、
前記第1動作サイクルと前記第2動作サイクルとを交互に実行可能に構成されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1動作サイクルと前記第2動作サイクルが、外部クロックに同期して実行されることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルアレイ内の複数の選択された前記メモリセルの書き換えにおいて、
前記制御回路は、
前記複数の選択された前記メモリセルのうち、当該メモリセルの属する前記サブバンクが互いに異なる2つの前記メモリセルに対して、一方の前記メモリセルに対する前記第2書き込み動作における前記第2の書き込み電圧パルスの印加と、他方の前記メモリセルに対する前記消去動作、前記書き込み動作、又は前記第2書き込み動作における前記消去電圧パルスの印加を、同一の動作サイクルで実行することを特徴とする請求項3または4に記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイが、第1サブバンク及び第2サブバンクからなる前記サブバンクの対を備えて構成され、
前記メモリセルアレイ内の複数の選択された前記メモリセルの書き換えにおいて、
前記制御回路は、
前記第1サブバンク内の前記消去動作、前記書き込み動作、又は前記第2書き込み動作の対象として選択された前記メモリセルに前記消去電圧パルスを印加し、前記第2サブバンク内の前記第2書き込み動作の対象として選択された前記メモリセルに前記第2の書き込み電圧パルスを印加する第3動作サイクルと、
前記第1サブバンク内の前記第2書き込み動作の対象として選択された前記メモリセルに前記第2の書き込み電圧パルスを印加し、前記第2サブバンク内の前記消去動作、前記書き込み動作、または前記第2書き込み動作の対象として選択された前記メモリセルに前記消去電圧パルスを印加する第4動作サイクルと、を実行可能に構成されていることを特徴とする請求項8に記載の半導体記憶装置。 - 前記サブバンク対の前記第1サブバンクと前記第2サブバンクの間で、前記行デコーダが共用され、
前記行デコーダは、前記第1サブバンク及び前記第2サブバンク夫々の対応する前記ワード線に同時に電圧を印加し、
前記サブアレイ対内の、前記1サブバンクと前記第2サブバンクで共通の前記ワード線、前記第1サブバンクの前記ビット線、及び、前記第2サブバンクの前記ビット線により選択される複数の前記メモリセルの書き換えにおいて、
前記制御回路は、
前記第3動作サイクルと前記第4動作サイクルとを交互に実行可能に構成されていることを特徴とする請求項9に記載の半導体記憶装置。 - 前記第3動作サイクルと前記第4動作サイクルが、外部クロックに同期して実行されることを特徴とする請求項9または10に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセル毎に、前記可変抵抗素子の前記可変抵抗体の一端の電極と接続する電流制御素子を備え、
前記電流制御素子は、ソース或いはドレインの何れか一方が前記可変抵抗体の一端の電極と接続するトランジスタであることを特徴とする請求項1〜11の何れか一項に記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセル毎に、前記可変抵抗素子の前記可変抵抗体の一端の電極と接続する電流制御素子を備え、
前記電流制御素子は、アノード或いはカソードの何れか一方が前記可変抵抗体の一端の電極と接続するダイオード素子であることを特徴とする請求項1〜11の何れか一項に記載の半導体記憶装置。 - 前記可変抵抗体が、Al、Hf、Ni、Co、Ta、Zr、W、Ti、Cu、V、Zn、Nbの少なくとも何れかの金属の酸化物もしくは酸窒化物を含んでなることを特徴とする請求項1〜13の何れか一項に記載の半導体記憶装置。
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