JP2012062331A5 - - Google Patents

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次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。なお、トリアルキルインジウムの金属原子の分析は、誘導結合プラズマ発光分析法（ICP-OES法）にて行った。

Claims (5)

  1. 一般式（１）
    Figure 2012062331
     （式中、Ｘは、ハロゲン原子を示す。）
    で示されるトリハロゲノインジウム、一般式（２）
    Figure 2012062331
     （式中、Ｒ１は、炭素原子数１〜６のアルキル基を示す。）
    で示されるトリアルキルアルミニウム及び一般式（３）
    Figure 2012062331
     （式中、Ｒ２は、炭素原子数６〜１２のアルキル基を示す。）
    で示されるトリアルキルアルミニウム１モルに対して０．６〜１．５モルのトリアルキルアミンを３０〜１５０℃で反応させて、副生するアルミニウム−アミン錯体を形成させて高沸点化し、次いで、反応混合物から一般式（４）
    Figure 2012062331
     （式中、Ｒ１は、前記と同義である。）
    で示されるトリアルキルインジウムを８０〜２００℃、０．１〜２０ｋＰａで留出させた後、更に、トリアルキルインジウム１モルに対して０．０５モルから０．５モルのトリアルキルアミンを反応させた後にトリアルキルインジウムを３０〜９０℃、０．１〜１０ｋＰａで昇華又は蒸留させることを特徴とする、高純度トリアルキルインジウムの製法。
  2. トリハロゲノインジウムが、トリクロロインジウムである請求項１記載の高純度トリアルキルインジウムの製法。
  3. トリアルキルアルミニウムが、トリメチルアルミニウム又はトリエチルアルミニウムである請求項１記載の高純度トリアルキルインジウムの製法。
  4. トリアルキルアミンが、トリ-n-オクチルアミンである請求項１記載の高純度トリアルキルインジウムの製法。
  5. トリアルキルインジウムが、トリメチルインジウム又はトリエチルインジウムである請求項１乃至４のいずれか１項に記載の高純度トリアルキルインジウムの製法。
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