JP2012059334A

JP2012059334A - マスターモールドの製造方法およびマスターモールドの切取り加工方法

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Publication number: JP2012059334A
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Inventors: Kotaro Tashiro; 幸太郎田代; Katsuhiro Nishimaki; 克洋西牧
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Abstract

【課題】マスターモールドの製造方法およびマスターモールドの切取り加工方法において、平坦性の高いマスターモールドの製造或いは切取り加工を可能とする。
【解決手段】表面に転写情報に対応する凹凸パターンを有するマスターモールドの製造方法および切取り加工方法において、凹凸パターンを一方の面に有する金属盤１を作製し、金属盤１の他方の面上にフォトレジスト５を設け、金属盤１のモールド領域２０の外周に外側から接する環状の外周切取り領域２２に対応する部分のフォトレジスト５を当該部分だけ除去し、残ったフォトレジスト５をマスクとして金属盤１のエッチングを行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、所定の微細な凹凸パターンを表面に有するマスターモールドの製造方法、およびマスターモールドの原盤からの切取り加工方法に関するものである。

近年、２次元的または３次元的なパターン転写を効率的に行う磁気転写方法およびナノインプリント方法が開発されている。磁気転写は、磁気記録媒体の製造で行われる転写技術であり、微細な磁化パターンを表面に有する磁気転写用マスターディスクをスレーブ媒体（被転写媒体ともいう。）に密着させた状態で、転写用磁界を印加して、磁化パターンに対応した情報（例えばサーボ信号）をスレーブ媒体に転写する技術である。一方、ナノインプリントは、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）やビットパターンドメディア（ＢＰＭ）等の製造で行われる転写技術であり、微細な凹凸パターンを表面に有するナノインプリント用マスター担体を熱可塑性樹脂、光硬化樹脂等に押し当て、その凹凸パターンを樹脂に転写する技術である。このような技術によれば、上記のようなマスターモールド（上記マスターディスクや上記マスター担体を含む）をスレーブ媒体に押し付けて、２次元的または３次元的なパターンを一括的に転写することができ、ナノレベルの微細パターンを容易にかつ低コストに形成することが可能である。

例えば、磁気転写方法に使用されるマスターディスクとしては、特許文献１のように、基板の表面に転写情報に対応する凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンの表面に磁性層を被覆したものが通常使用されている。そして、このマスターディスクは、転写情報を凹凸パターンで形成した原版上に、電鋳により電鋳層から成る金属盤を積層して、表面に凹凸パターンを有する金属盤を形成する電鋳工程、金属盤を原版上から剥離する剥離工程、並びに、剥離した金属盤を所定のサイズおよび形状に打ち抜きする切取り工程を経た後、凹凸パターンの面に磁性層を被覆することにより製造されるのが一般的である。

しかし、上記のような工程によって製造された従来のマスターモールドにおいて、上記のような打ち抜きによる切取り加工時に発生した局所的な変形により、反りや歪みを生じてしまうという問題がある。そして、マスターモールドに反りや歪みがありその平坦性が低いと、マスターモールドとスレーブ媒体との良好な密着状態を実現できず、高精度なパターン転写を行えないという密着性の問題を引き起こす。

例えばマスターディスクの平坦性が低い場合には、マスターディスクをスレーブ媒体に押し付けても、適切にスレーブ媒体に接触することができない凸部が存在することになり、磁化パターンを正常に転写することができないという問題が生じる。一方、例えばマスター担体の平坦性が低い場合には、マスター担体をスレーブ媒体に押し付けた際に、スレーブ媒体のレジスト層の凹部の底に形成される残膜の厚さが不均一になってしまうという問題が生じる。したがって、この一括転写する上記のような方法において、パターン転写を精度良く行うためには、マスターモールドの平坦性が極めて重要である。

そこで、かかる問題を解決する手段として、スレーブ媒体との密着性を良くするために、マスターモールドの裏面に緩衝材（クッション材）を設けたり、密着圧力を高めたり、真空吸引によりマスターモールドとスレーブ媒体との密着面のエアーを排除したりすることが行われている。

特許第４１５１０７７号公報

しかしながら、これらの対策によっても、ある程度は密着性を向上させることができるものの密着性の問題を完全に解決するには至っていない。例えば、密着圧力を高めると、マスターモールドの凹凸パターンを破損したり予期しない変形を発生させたりする可能性があり、マスターモールドの耐久性能の低下、および転写信号配置の真円度の悪化を招く恐れがある。したがって、この問題を本質的に解決するためには、マスターモールドの切取り加工時に生じる反りや歪みを低減してマスターモールド自体の平坦性を上げる必要がある。

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、マスターモールドの製造方法およびマスターモールドの切取り加工方法において、マスターモールドの切取り加工時に生じる反りや歪みを低減することにより、平坦性の高いマスターモールドの切取り加工を可能とするマスターモールドの製造方法およびマスターモールドの切取り加工方法を提供することを目的とするものである。

上記課題を解決するために、本発明に係るマスターモールドの製造方法は、
表面に転写情報に対応する凹凸パターンを有するマスターモールドの製造方法において、
凹凸パターンを一方の面に有する金属盤を作製し、
金属盤の一方の面上に保護膜を設け、
金属盤の他方の面上にフォトレジストを設け、
金属盤のモールド領域の外周に外側から接する環状の外周切取り領域に対応する部分のフォトレジストを当該部分だけ除去し、
残ったフォトレジストをマスクとして金属盤のエッチングを行い、
フォトレジストを除去し、保護膜を剥離することを特徴とするものである。

本明細書において、金属盤のうちのある領域が「環状」であるとは、当該領域が他の所定領域の周りを取り囲む形状を有することを意味する。この場合、その形状は円形状および矩形状を含むものとする。
「モールド領域」とは、金属盤から切り取られることによりマスターモールドとなるように設定された金属盤の領域を意味する。
「外周切取り領域」とは、金属盤からマスターモールドを切り取るためにエッチングされるように設定された金属盤の領域を意味する。
金属盤上のある領域に「対応する部分のフォトレジストを当該部分だけ除去し」とは、当該領域に対応する部分のフォトレジストの除去に関して、フォトレジストを除去した部分の幅が当該領域の幅と対応するように、当該領域に対応する部分のフォトレジストのみを除去することを意味する。

さらに、本発明に係るマスターモールドの製造方法において、外周切取り領域に対応する部分のフォトレジストを除去するとともに、外周切取り領域から外側に離れかつ外周切取り領域を取り囲む金属盤の応力分断領域に対応する部分のフォトレジストを当該部分だけ除去することが好ましい。

本明細書において、「応力分断領域」とは、外周切取り領域より外側の所定部分で応力を分断するためにエッチングされるように設定された金属盤の領域を意味する。

さらに、応力分断領域の形状は環状であり、応力分断領域の幅は０．５〜１０ｍｍであることが好ましい。この場合、外周切取り領域の形状は円環状であり、応力分断領域の形状は、外周切取り領域と同心の円環状であることが好ましい。

さらに、エッチングはウェットエッチングであることが好ましく、この場合、ウェットエッチングは、エッチング溶液として塩化鉄（III）溶液を用いるものであることが好ましい。

さらに、外周切取り領域に対応する部分のフォトレジストを除去するとともに、金属盤のモールド領域の内周に内側から接する環状の内周切取り領域に対応する部分のフォトレジストを当該部分だけ除去することもできる。

本明細書において、「内周切取り領域」とは、マスターモールドの内周の形状を形成するためにエッチングされるように設定された金属盤の領域を意味する。

そして、本発明に係るマスターモールドの切取り加工方法は、
表面に転写情報に対応する凹凸パターンを有するマスターモールドの切取り加工方法において、
凹凸パターンを一方の面に有する金属盤を作製し、
金属盤の一方の面上に保護膜を設け、
金属盤の他方の面上にフォトレジストを設け、
金属盤のモールド領域の外周に外側から接する環状の外周切取り領域に対応する部分のフォトレジストを当該部分だけ除去し、
残ったフォトレジストをマスクとして金属盤のエッチングを行うことを特徴とするものである。

さらに、本発明に係るマスターモールドの切取り加工方法において、外周切取り領域に対応する部分のフォトレジストを除去するとともに、外周切取り領域から外側に離れかつ外周切取り領域を取り囲む金属盤の応力分断領域に対応する部分のフォトレジストを当該部分だけ除去することが好ましい。

本発明に係るマスターモールドの製造方法およびマスターモールドの切取り加工方法は、特に、凹凸パターンを一方の面に有する金属盤を作製し、金属盤の一方の面上に保護膜を設け、金属盤の他方の面上にフォトレジストを設け、金属盤のモールド領域の外周に外側から接する環状の外周切取り領域に対応する部分のフォトレジストを当該部分だけ除去し、残ったフォトレジストをマスクとして金属盤のエッチングを行っている。これにより、マスターモールドの切取り加工時において、従来行われている打ち抜き加工に比べて、マスターモールドに与える外力を低減することができるため、切取り加工時に発生しやすい変形を抑えることができる。この結果、反りや歪みを低減し、平坦性の高いマスターモールドの製造或いは切取り加工が可能となる。

磁気転写用のマスターディスクの第１の実施形態の製造方法および切取り加工方法の一部の工程を示す概略断面図である。磁気転写用のマスターディスクの部分拡大斜視図である。磁気転写用のマスターディスクの全体構成を示す平面図である。第１の実施形態に関して、金属盤におけるディスク領域（モールド領域）、内周切取り領域および外周切取り領域の位置関係および形状を示す概念図。（ａ）は、金属盤のうち最も外側の領域が反り上がった状態の金属盤を示す概略断面図である。（ｂ）は、図５ａにおいて反り上がった部分Ａの拡大断面図である。磁気転写用のマスターディスクの第２の実施形態の製造方法および切取り加工方法の一部の工程を示す概略断面図である。第２の実施形態に関して、金属盤におけるディスク領域（モールド領域）、内周切取り領域、外周切取り領域および応力分断領域の位置関係および形状を示す概念図。

以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。なお、視認しやすくするため、図面中の各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。

「マスターモールドの製造方法および切取り加工方法の第１の実施形態」
図１は、磁気転写用のマスターモールド（マスターディスク）の本実施形態の製造方法および切取り加工方法の一部の工程を示す概略断面図である。マスターディスク１０の本実施形態の切取り加工方法は、図１に示すように、凹凸パターンを一方の面に有する金属盤１を作製して用意し、金属盤１の上記一方の面上に保護膜２を設け（図１ａ）、金属盤１の他方の面上にフォトレジスト５を設け、金属盤１の内周切取り領域２１および外周切取り領域２２に対応する部分のフォトレジスト５を電子線により露光し、露光した部分のフォトレジスト５を現像により除去し（図１ｂ）、残ったフォトレジスト５をマスクとしてウェットエッチングにより、内周切取り領域２１および外周切取り領域２２の金属盤１をエッチングするものである（図１ｃ）。そして、マスターディスク１０の本実施形態の製造方法は、上記の切取り加工方法を実施し、その後に、フォトレジスト５をすべて除去し（図１ｄ）、保護膜２を剥離するものである（図１ｅ）。ただし、実際にマスターディスク１０の製造および切取り加工を行う場合には、ハンドリング操作の便宜を考慮して、金属盤１はハンドリング用の部材に固定するのが通常であるが、図１においてはこのハンドリング用の部材の図示は省略している。

（マスターディスク）
図２に示すように、本実施形態の製造方法により製造されるマスターディスク１０は、金属製のマスター基板１２と磁性層１４とで構成されている。マスター基板１２は表面に磁気転写情報に対応した微細な凹凸パターンＰを有しており、この凹凸面に磁性層１４が被覆形成されてなる。なお、図には示さないが、磁性層１４の上に保護層や潤滑層を設ける態様が好ましい。

微細な凹凸パターンＰの凸部は、平面視で長方形であり、トラック方向（ディスクの円周方向であり、図２の矢印方向）の長さＡと、トラック幅方向（ディスクの半径方向）の長さＬ、並びに突起の高さ（厚さ）Ｈの値は、記録密度や記録信号波形等により適宜設計される。例えば、長さＡが８０ｎｍに、長さＬが２００ｎｍに設定される。ハードディスク装置に用いられる磁気ディスクのサーボ信号の場合、この微細な凹凸パターンＰは、トラック方向の長さＡに比べてトラック幅方向の長さＬの方が長く形成される。例えば、トラック幅方向の長さＬが０．０５〜２０μｍ、トラック方向の長さＡが０．０５〜５μｍであることが好ましい。この範囲でトラック幅方向の方が長いパターンを選ぶことが、サーボ信号の情報を担持するパターンとしては好ましい。凸部パターンの高さＨ（凹部パターンの深さ）は、２０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、３０〜６００ｎｍの範囲がより好ましい。

また、図３に示すように、マスターディスク１０の全体形状は、中心孔１６を有する円盤状のディスクに形成されており、内周部１７ａおよび外周部１７ｂを除く片面の円環状領域１８に図２のような凹凸パターンＰが形成される。

なお、マスターディスク１０において、マスター基板１２がＮｉ等を主体とした強磁性体の場合には、このマスター基板１２のみで磁気転写が可能であり、磁性層１４は被覆しなくてもよい。しかし、より良好な磁気転写が行えるという観点から、転写特性のよい磁性層１４を設けることが好ましい。

（金属盤）
金属盤１は、その一方の面に磁気転写情報に対応した凹凸パターンを有し、当該凹凸パターンを含む部分を所定のサイズおよび形状に切り取ることによりマスターディスクを製造するための原盤である。金属盤１は、例えば表面に凹凸パターンを有する石英基板或いはシリコンウェハを用いて、当該凹凸パターンのある面に電鋳によって電鋳層を形成し、この電鋳層を剥離することにより得られる。なお、磁性層を形成する場合において、磁性層は、金属盤１に対する切取り加工工程の前に形成してもよいし、その後に形成してもよい。つまり、磁性層が切取り加工工程の前に形成された場合には、磁性層付きの金属盤１から所望の領域を切り取ることにより、切り取られた部分がそのままマスターディスクとなる。一方、磁性層が切取り加工工程の後に形成された場合には、金属盤１から切り取られた部分（前述のマスター基板）の凹凸パターン面上に磁性層を形成することにより、マスターディスクが得られる。さらに、具体的には金属盤１として例えばＮｉ電鋳層を用いることができる。金属盤１の２次元的な形状は、特に限定されず、例えば円形状、矩形状等である。

（保護膜）
保護膜２は、金属盤１からマスターディスク１０を製造する工程或いは切取り加工を行う工程中、金属盤１の表面に形成された凹凸パターンを破損やゴミの付着から保護するものである。保護膜２は、図１に示すように、例えば金属盤１に接着する部分の接着層３と保護膜に所望の強度または厚さを付与する支持層４とから構成することができる。保護膜２または接着層３の材料は、樹脂等から適宜選択することが好ましい。

（フォトレジストの成膜、露光および現像）
フォトレジストの成膜は、特に限定されず、スピンコートにより塗布する方法や、レジストシートを貼り付ける方法等により行うことができる。フォトレジストの露光は、設定された内周切取り領域２１および外周切取り領域２２に対応する部分のフォトレジストに対して行われる。その他フォトレジストの成膜、露光および現像については、特に限定されず、通常行われる手法によって実施することができる。

（内周切取り領域および外周切取り領域）
図４は、本実施形態に関して、金属盤１におけるディスク領域２０、内周切取り領域２１および外周切取り領域２２の位置関係および形状を示す概念図である。ディスク領域２０とは、最終的にマスターディスク１０となるように設定された金属盤１の領域（モールド領域）を意味する。また、内周切取り領域２１および外周切取り領域２２は、図４に示すように、金属盤１からマスターディスク１０を切り取るためエッチングされるように設定された金属盤１の領域である。或いは、内周切取り領域２１および外周切取り領域２２とは、ディスク領域２０とその他の領域２３または２５との境界に沿って、当該その他の領域２３および２５内において所定の幅を持って伸びた領域ということもできる。詳細には、マスターディスクが図３のような円環状である場合には、例えば図１および図４中の内周切取り領域２１は、ディスク領域２０（マスターディスク）の円環状を規定する内周円３０に内側から接する円環状の領域であり、当該内周円３０からその内側に所定の幅を有している。一方、例えば図１および図４中の外周切取り領域２２は、ディスク領域２０（マスターディスク）の円環状を規定する外周円３１に外側から接する円環状の領域であり、当該外周円３１からその外側に所定の幅を有している。この場合、内周切取り領域２１の外径Ｌ１がディスク領域２０の内径Ｒｉ（図３）と一致し、外周切取り領域２２の内径Ｌ２がディスク領域２０の外径Ｒｏ（図３）と一致することになる。また、ディスク領域２０の円環状並びに内周切取り領域２１および外周切取り領域２２の円環状は同心となる。

内周切取り領域２１および外周切取り領域２２に対応する部分のフォトレジストを当該部分だけ除去し（図１ｂ）、当該内周切取り領域２１および外周切取り領域２２の金属盤１をエッチングすることにより（図１ｃ）、金属盤１からマスターディスク１０が切り取られる。切取り領域の位置、形状および幅（環状のリング部分の幅）は、製造するマスターディスクのサイズおよび形状並びにエッチング条件等により適宜設定される。例えば、２．５インチの磁気記録媒体に磁気転写を行うためのマスターディスクを製造する場合には、内周切取り領域２１の外径Ｌ１は約２４ｍｍと設定され、外周切取り領域２２の内径Ｌ２は約６５ｍｍと設定される。また、これら切取り領域の幅は、０．５〜１０ｍｍであることが好ましい。当該幅の下限値は、露光・現像プロセスの不安定性（マージン不足）によるレジスト非除去部（ブリッジ）の発生を抑制する観点から決まり、当該幅の上限値は、エッチング後の保護膜の接着面の露出面積が多い場合、機械的強度不足による保護膜の剥離が発生することがあり、これを防止する観点から決まる。

エッチングにより金属盤１からマスターディスク１０を切り取ることにより、マスターディスク１０に与える外力を低減することができて、製造時或いは加工時に発生しやすい変形を抑えることができる。

（エッチング）
エッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよいが、加工時間低減の観点から、ウェットエッチングが好ましい。さらに、ウェットエッチングの場合にはエッチングが等方的に進みやすいため、エッチング液に指向性を付与したスプレー式のウェットエッチングであることが好ましい。エッチング条件は、エッチング対象である金属盤１の材質等に基づいて適宜設定される。例えば、金属盤１がＮｉ電鋳物である場合には、ウェットエッチングは、エッチング溶液として塩化鉄(III)溶液を用いることが好ましい。

以上のように、本発明に係るマスターモールドの製造方法およびマスターモールドの切取り加工方法は、特に、凹凸パターンを一方の面に有する金属盤を作製し、金属盤の一方の面上に保護膜を設け、金属盤の他方の面上にフォトレジストを設け、金属盤のモールド領域の外周に外側から接する環状の外周切取り領域に対応する部分のフォトレジストを当該部分だけ除去し、残ったフォトレジストをマスクとして金属盤のエッチングを行っている。これにより、マスターモールドの切取り加工時において、従来行われている打ち抜き加工に比べて、マスターモールドに与える外力を低減することができるため、切取り加工時に発生しやすい変形を抑えることができる。この結果、反りや歪みを低減し、平坦性の高いマスターモールドの製造或いは切取り加工が可能となる。

「マスターモールドの製造方法および切取り加工方法の第２の実施形態」
マスターモールドの製造方法および切取り加工方法の第２の実施形態について説明する。本実施形態は、第１の実施形態とほぼ同様の構成であるが、外周切取り領域２２よりも外周側に応力分断領域を設定する点で第１の実施形態と異なる。したがって、その他第１の実施形態と同様の構成要素についての詳細な説明は、特に必要のない限り省略する。

第１の実施形態では、内周切取り領域２１および外周切取り領域２２のみを設定したマスターディスク１０の切取り加工について説明した。しかしながら、第１の実施形態の方法では、図５ａに示すように、金属盤１のうち最も外側の領域２５が反り上がるという現象が生じる場合がある。このような現象は、金属盤１が電鋳物である場合に顕著に現れる。これは、電鋳物が持つ内部応力が切取り加工によって分断されて、平坦面を保っていた均衡が壊されることにより、分断された部分自身が有する内部応力によって当該部分が変形せしめられるためと考えられる。

このような現象が生じた場合には、図５ｂに示すように、保護膜２が金属盤１の変形に追随できず、外周切取り領域２２の近傍で保護膜２と金属盤１の凹凸パターン面との間に隙間２７が生じることが問題となる。このような隙間２７の存在は、金属盤のエッチング工程、レジスト除去工程または洗浄工程等において、エッチャント、レジスト剥離液または洗浄水等が入り込む原因となり、金属盤１の凹凸パターン面を汚染する原因となるため好ましくない。

そこで、第２の実施形態では、上記のような不都合を回避するための手段について説明する。

図６は、磁気転写用のマスターディスクの本実施形態の製造方法および切取り加工方法の一部の工程を示す概略断面図である。マスターディスク１０の本実施形態の切取り加工方法は、金属盤１上にフォトレジスト５を設けるまでは第１の実施形態と同様の工程を行い、その後図６に示すように、金属盤１上の内周切取り領域２１および外周切取り領域２２並びに応力分断領域２４に対応する部分のフォトレジスト５を電子線により露光し、露光した部分のフォトレジスト５を現像により除去し（図６ａ）、残ったフォトレジスト５をマスクとしてウェットエッチングにより、内周切取り領域２１および外周切取り領域２２並びに応力分断領域２４の金属盤１をエッチングするものである（図６ｂ）。そして、マスターディスク１０の本実施形態の製造方法は、上記の切取り加工方法を実施し、その後に、フォトレジスト５を除去し（図６ｃ）、保護膜２を剥離するものである（図６ｄ）。

（応力分断領域）
図７は、本実施形態に関して、金属盤１におけるディスク領域２０、内周切取り領域２１および外周切取り領域２２並びに応力分断領域２４の位置関係および形状を示す概念図である。応力分断領域２４は、図７に示すように、外周切取り領域２２より外側の所定部分で応力を分断し、前述した反り上がりの影響がディスク領域にまで及ぶことを防止するためにエッチングされるように設定された金属盤１の領域である。本実施形態において、応力分断領域２４は、図７に示すように、外周切取り領域２２の円環状より外側に所定の距離離されかつ所定の幅を有する円環状を有している。このような応力分断領域２４を設定し、当該領域の金属盤１をエッチングした場合、図６ｂに示すように、応力分断領域２４より外側の領域２５ｂが反り上がったとしても、外周切取り領域２２と応力分断領域２４との間の領域２５ａを挟んでいるため、反り上がりの影響はディスク領域２０には及ばなくなる。これにより、エッチャント等が隙間２７に入り込み、金属盤１の凹凸パターン面を汚染するという問題を回避することができる。

応力分断領域２４は、反り上がりのディスク領域２０への影響を効果的に回避する観点から、外周切取り領域２２との距離（本実施形態においては、外周切取り領域２２の外径と応力分断領域２４の内径との差の半分）が５〜２０ｍｍとなるように設定することが好ましい。また、応力分断領域２４の幅（環状のリング部分の幅）は、０．５〜１０ｍｍであることが好ましい。当該幅の下限値および上限値は、前述した切取り領域の幅と同様の理由による。応力分断領域２４の形状は、特に制限されるものではなく、反り上がりのディスク領域２０への影響を回避することができれば、矩形でもよい。しかし、均等に応力を分断する観点から、ディスク領域２０および内周切取り領域２１および外周切取り領域２２の形状に対応して、適宜選択された形状とすることが好ましい。例えば、２．５インチの磁気記録媒体に磁気転写を行うためのマスターディスクを製造する場合には、内周切取り領域２１、外周切取り領域２２、および応力分断領域２４を同心円環状とし、内周切取り領域２１の外径Ｌ１は約２４ｍｍと設定され、外周切取り領域２２の内径Ｌ２は約６５ｍｍと設定され、この場合、応力分断領域２４はその内径が約８０ｍｍとなるように設定されることが好ましい。また、応力分断領域２４は、１つだけではなく、必要な場合には複数設けてもよい。

以上のように、本実施形態に係るマスターディスクの製造方法およびマスターディスクの切取り加工方法も、特に、凹凸パターンを一方の面に有する金属盤を作製し、金属盤の一方の面上に保護膜を設け、金属盤の他方の面上にフォトレジストを設け、金属盤のモールド領域の外周に外側から接する環状の外周切取り領域に対応する部分のフォトレジストを当該部分だけ除去し、残ったフォトレジストをマスクとして金属盤のエッチングを行っている。これにより、本実施形態に係る発明も第１の実施形態と同様の効果を奏する。

さらに、本実施形態に係るマスターディスクの製造方法およびマスターディスクの切取り加工方法においては、反り上がりの影響がディスク領域にまで及ぶことを防止するために応力分断領域を設け、当該領域の金属盤もエッチングしている。これにより、反り上がりに起因して生じる隙間にエッチャント等が入り込み、金属盤の凹凸パターン面を汚染するという問題を回避することができる。

（設計変更）
第１および第２の実施形態では、マスターモールドとして磁気転写用のマスターディスクについて説明したが、本願発明はこれに限られず、ナノインプリント用のマスター担体についても適用できる。なお、本願発明をマスターディスクに適用する場合には、ディスクの形状を円環状にする必要があるため、ディスクの中央に中心孔１６を設けたが、ナノインプリント用のマスター担体に適用する場合には、このような中心孔を設けなくてもよい場合がある。

１金属盤
２保護膜
３接着層
４支持層
５フォトレジスト
１０マスターディスク
１２マスター基板
１４磁性層
１６中心孔
１７ａマスターディスクの内周部
１７ｂマスターディスクの外周部
１８マスターディスクの円環状領域（データ記録領域）
２０モールド領域（ディスク領域）
２１内周切取り領域
２２外周切取り領域
２３、２５切取り加工後の残余領域
２４応力分断領域
２７保護膜と金属盤の凹凸パターン面との隙間
３０モールド領域（ディスク領域）の内周円
３１モールド領域（ディスク領域）の外周円
Ｌ１内周切取り領域の外径
Ｌ２外周切取り領域の内径
Ｒｉマスターディスクの内径
Ｒｏマスターディスクの外径

Claims

表面に転写情報に対応する凹凸パターンを有するマスターモールドの製造方法において、
前記凹凸パターンを一方の面に有する金属盤を作製し、
該金属盤の前記一方の面上に保護膜を設け、
前記金属盤の他方の面上にフォトレジストを設け、
前記金属盤のモールド領域の外周に外側から接する環状の外周切取り領域に対応する部分の前記フォトレジストを該部分だけ除去し、
残った前記フォトレジストをマスクとして前記金属盤のエッチングを行い、
前記フォトレジストを除去し、前記保護膜を剥離することを特徴とするマスターモールドの製造方法。
前記外周切取り領域に対応する部分の前記フォトレジストを除去するとともに、前記外周切取り領域から外側に離れかつ該外周切取り領域を取り囲む前記金属盤の応力分断領域に対応する部分の前記フォトレジストを該部分だけ除去することを特徴とする請求項１に記載のマスターモールドの製造方法。
前記応力分断領域の形状が環状であり、
前記応力分断領域の幅が０．５〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項２に記載のマスターモールドの製造方法。
前記外周切取り領域の形状が円環状であり、
前記応力分断領域の形状が、該外周切取り領域と同心の円環状であることを特徴とする請求項３に記載のマスターモールドの製造方法。
前記エッチングがウェットエッチングであることを特徴とする請求項１から４いずれかに記載のマスターモールドの製造方法。
前記ウェットエッチングが、エッチング溶液として塩化鉄（III）溶液を用いるものであることを特徴とする請求項５に記載のマスターモールドの製造方法。
前記外周切取り領域に対応する部分の前記フォトレジストを除去するとともに、前記金属盤のモールド領域の内周に内側から接する環状の内周切取り領域に対応する部分の前記フォトレジストを該部分だけ除去することを特徴とする請求項１から６いずれかに記載のマスターモールドの製造方法。
表面に転写情報に対応する凹凸パターンを有するマスターモールドの切取り加工方法において、
前記凹凸パターンを一方の面に有する金属盤を作製し、
該金属盤の前記一方の面上に保護膜を設け、
前記金属盤の他方の面上にフォトレジストを設け、
前記金属盤のモールド領域の外周に外側から接する環状の外周切取り領域に対応する部分の前記フォトレジストを該部分だけ除去し、
残った前記フォトレジストをマスクとして前記金属盤のエッチングを行うことを特徴とするマスターモールドの切取り加工方法。
前記外周切取り領域に対応する部分の前記フォトレジストを除去するとともに、前記外周切取り領域から外側に離れかつ該外周切取り領域を取り囲む前記金属盤の応力分断領域に対応する部分の前記フォトレジストを該部分だけ除去することを特徴とする請求項８に記載のマスターモールドの切取り加工方法。
前記応力分断領域の形状が環状であり、
前記応力分断領域の幅が０．５〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項９に記載のマスターモールドの切取り加工方法。
前記外周切取り領域の形状が円環状であり、
前記応力分断領域の形状が、該外周切取り領域と同心の円環状であることを特徴とする請求項１０に記載のマスターモールドの切取り加工方法。
前記エッチングがウェットエッチングであることを特徴とする請求項８から１１いずれかに記載のマスターモールドの切取り加工方法。
前記ウェットエッチングが、エッチング溶液として塩化鉄（III）溶液を用いるものであることを特徴とする請求項１２に記載のマスターモールドの切取り加工方法。
前記外周切取り領域に対応する部分の前記フォトレジストを除去するとともに、前記金属盤のモールド領域の内周に内側から接する環状の内周切取り領域に対応する部分の前記フォトレジストを該部分だけ除去することを特徴とする請求項８から１３いずれかに記載のマスターモールドの切取り加工方法。