JP2012054472A - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置し、前記液処理系の単位ブロック群は、反射防止膜用の単位ブロックと、レジスト膜用の単位ブロックと、上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層された現像用の単位ブロックと、から構成され、液処理系の各単位ブロックで液処理モジュールは基板の搬送路の左右両側に配置されるように装置を構成する。
【選択図】図1
Description
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
f)前記インターフェイスブロック側の加熱ブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記上層膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
g)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
h)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
i)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
j)前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、その後上層膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、更にインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
前記反射防止膜用の単位ブロックにて基板に反射防止膜形成用の薬液を塗布する工程と、
前記薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
前記加熱処理された基板をレジスト膜用の単位ブロックに受け渡してレジスト液を塗布する工程と、
前記レジスト液が塗布された基板をキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
前記加熱処理された基板を上層膜用の単位ブロックに受け渡して上層膜形成用の薬液を塗布する工程と、
前記薬液が塗布された基板をインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、を備えたことを特徴とする。
(1)インターフェイスブロック側の加熱系ブロックの上下搬送機構は、反射防止膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージから基板を受け取り、加熱処理後の基板をレジスト膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージに受け渡す上下搬送機構と、上層膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージから基板を受け取る上下搬送機構と、に分割されている。
(2)前記レジスト膜用の単位ブロック及び上層膜用の単位ブロックは、各々に主搬送機構が備えられる構成に代えて、主搬送機構が共通化され、
前記制御部は、上層膜を基板に形成しないときには、レジスト膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を上層膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージを介してインターフェイスブロック側の加熱系ブロックに受け渡して加熱処理するように制御する。
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、互いに上下に積層され、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
f)前記インターフェイスブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
g)前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
h)前記レジスト膜用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
i)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
j)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
k)前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
を備えたことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
本発明に係る塗布、現像装置1について説明する。図1は、本発明の塗布、現像装置1の概略側面図を示している。この塗布、現像装置1ではキャリアブロックS1、処理ブロックS20、洗浄ブロックS5、インターフェイスブロックS6が直線状に接続されており、インターフェイスブロックS6には、液浸露光を行う露光装置S7が接続されている。処理ブロックS20は、キャリアブロックS1側から洗浄ブロックS5側に向けて配列された前方側加熱系ブロックS2と、液処理ブロックS3と、後方側加熱ブロックS4とにより構成される。
続いて図10を参照しながら塗布、現像装置1の処理ブロックの第2の実施形態について、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。図10の処理ブロックS30の第2の液処理単位ブロックB2の搬送領域R1と、第3の液処理単位ブロックB3の搬送領域R1とは仕切られておらず、互いに開放されている。そしてメインアームA2が第2の液処理単位ブロックB2と第3の液処理単位ブロックB3とで共有されており、第2の液処理単位ブロックB2と第3の液処理単位ブロックB3との間を昇降できるように構成されている。これらのような構成を除いて処理ブロックS30は、既述の処理ブロックS20と同様に構成されている。
第3の実施形態の塗布、現像装置1に設けられる処理ブロックS40は、図11に示されるように、液処理単位ブロックB3と加熱処理単位ブロックC2とを備えていない。このような違いを除いて処理ブロックS40は第1の実施形態の処理ブロックS20と同様に構成されている。ウエハWは第1の実施形態と同様の経路で反射防止膜形成モジュール→受け渡しモジュールTRS11→加熱モジュールCHP→受け渡しモジュールTRS12の順で搬送された後、レジスト膜形成モジュールCOT1、COT2でレジスト膜が形成される。然る後、ウエハWはメインアームA2により受け渡しモジュールTRS12へ搬送され、さらに第1の加熱処理単位ブロックC1のメインアームD1に受け渡される。その後、加熱モジュールCHPに搬送されて加熱処理された後、洗浄ブロックS5へ搬送される。これ以降、ウエハWは第1の実施形態と同様の搬送経路で搬送される。処理ブロックをこのような構成としても第1の実施形態と同様の効果がある。
(1)液処理系の単位ブロック群は、反射防止膜用の単位ブロックと、レジスト膜用の単位ブロックと、上層膜用の単位ブロックと、を下からこの順に積層することに限らず、上からこの順に積層するようにしてもよい。
(2)既述の図1の実施形態は、加熱系のブロックを、液処理系の単位ブロック群のキャリアブロックS1側及びインターフェイスブロックS6側に分散させた構成であるが、図13に示すように加熱系のブロックを、液処理系の単位ブロック群のキャリアブロックS1側だけに設けてもよいし、あるいは図14に示すように液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロックS6側だけに設けてもよい。図13、図14に記載されている鎖線71は、ウエハWの流れを示している。
従って本発明は、これらの変形例までも含めてその特徴を表現するならば、
イ)処理ブロックは、液処理系の単位ブロック群のキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側のうちの少なくとも一方に加熱系のブロックを配置したことと、
ロ)加熱系のブロックは、互いに上下に積層した複数の加熱モジュールと、これら複数の加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ハ)反射防止膜用の単位ブロック、レジスト膜用の単位ブロック及び上層膜用の単位ブロックごとに設けられ、各単位ブロックの主搬送機構と前記上下搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための受け渡しステージと、
ニ)反射防止膜用の単位ブロック、レジスト膜用の単位ブロック及び上層膜用の単位ブロック間の基板の搬送は、前記ハ)に記載した受け渡しステージを介して前記上下搬送機構により行われること、
ホ)前記加熱モジュールは塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて塗布された塗布膜を加熱処理するためのものであること、
を備えているということができる。
BCT 反射防止膜形成モジュール
B1〜B5 液処理単位ブロック
COT レジスト膜形成モジュール
DEV 現像モジュール
D1〜D3 メインアーム
F1、F2 メインアーム
TCT 保護膜形成モジュール
S1 キャリアブロック
S2 前方側加熱ブロック
S3 液処理ブロック
S4 後方側加熱ブロック
S5 洗浄ブロック
S6 インターフェイスブロック
S7 露光装置
W ウエハ
1 塗布、現像装置
51 制御部
Claims (7)
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
f)前記インターフェイスブロック側の加熱ブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記上層膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
g)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
h)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
i)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
j)前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、その後上層膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、更にインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - インターフェイスブロック側の加熱系ブロックの上下搬送機構は、反射防止膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージから基板を受け取り、加熱処理後の基板をレジスト膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージに受け渡す上下搬送機構と、上層膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージから基板を受け取る上下搬送機構と、に分割されている請求項1記載の塗布、現像装置。
- 前記レジスト膜用の単位ブロック及び上層膜用の単位ブロックは、各々に主搬送機構が備えられる構成に代えて、主搬送機構が共通化され、
前記制御部は、上層膜を基板に形成しないときには、レジスト膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を上層膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージを介してインターフェイスブロック側の加熱系ブロックに受け渡して加熱処理するように制御することを特徴とする請求項1または2記載の塗布、現像装置。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、互いに上下に積層され、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
f)前記インターフェイスブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
g)前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
h)前記レジスト膜用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
i)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
j)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
k)前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
f)前記インターフェイスブロック側の加熱ブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記上層膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
g)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
h)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
i)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
j)前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、その後上層膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、更にインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えた塗布、現像装置を用い、
前記反射防止膜用の単位ブロックにて基板に反射防止膜形成用の薬液を塗布する工程と、
前記薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
前記加熱処理された基板をレジスト膜用の単位ブロックに受け渡してレジスト液を塗布する工程と、
前記レジスト液が塗布された基板をキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
前記加熱処理された基板を上層膜用の単位ブロックに受け渡して上層膜形成用の薬液を塗布する工程と、
前記薬液が塗布された基板をインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、互いに上下に積層され、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
f)前記インターフェイスブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
g)前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
h)前記レジスト膜用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
i)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
j)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
k)前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
を用い、
反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。 - 塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項5または6記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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