JP2012054319A - リードフレーム、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体チップを搭載する板状のダイパッド2と、ダイパッド2の周囲に間隔をあけて配される枠体部5と、枠体部5からダイパッド2に向けて延びて、ダイパッド2と枠体部5とを連結する連結リード6と、枠体部5からダイパッド2に向けて延びて、枠体部5に連結されると共にダイパッド2に対して間隔をあけて配される端子板3,4とを備え、連結リード6の幅寸法を前記端子板3,4の幅寸法よりも小さく設定した半導体装置製造用のリードフレーム1を提供する。
【選択図】図1
Description
しかしながら、この屈曲加工を施す際には、端子板201,202の他端部とモールド樹脂205との境界に大きな応力が発生するため、この境界部分における端子板201,202とモールド樹脂205との密着性が低下してしまう。この場合、密着性が低下した端子板201とモールド樹脂205との間に水分が浸入して半導体チップ203まで到達するという虞が高まり、結果として、半導体装置の電気的な信頼性が低下する、という問題がある。
特に、半導体装置が大電流で駆動する必要のある半導体チップ203を備える場合には、端子板201,202を太く(端子板の延在方向に直交する断面積を大きく)設定する必要があることから、前述した水分浸入の虞がさらに高まる。
詳細に説明すれば、リードフレームは、平板状の導電性板材にプレス加工やエッチング加工を施すことで得られる。このため、一対の端子板の一端部が枠体部や端子板の他端部よりも低く位置するように、一対の端子板を折り曲げる折曲加工を施すと、一対の端子板の一端部同士が互いに離れるように端子板の延在方向に移動してしまう。この場合、少なくとも一方の端子板の一端部は、ダイパッドに対しても前記延在方向に離れるように移動することになる。
したがって、ダイパッドに搭載された半導体チップと一方の端子板の一端部とを電気接続する接続子の長さを短く設定して、接続子の電気抵抗を小さく抑えることができ、その結果として、半導体装置を省電力で駆動させることができる。
この場合には、リードフレームにより半導体装置を製造する際に、連結リードの中途部分がモールド樹脂から突出するようにモールド樹脂を形成することで、製造後の半導体装置において、連結リードと端子板とがモールド樹脂の外面に対して互いに異なる方向に露出あるいは突出させることができる。したがって、モールド樹脂の外側において連結リードと端子板との間で電気的な短絡が生じることを確実に防止して、半導体装置の電気的な信頼性をさらに向上させることができる。
この製造方法によれば、一つの半導体装置の製造に要するダイパッド、連結リード及び端子板のユニットを同一のリードフレームに複数形成した場合、屈曲工程においては、複数の半導体装置が同一の枠体部に支持された状態で、複数の端子板の屈曲加工を一度にまとめて実施することが可能となる。また、屈曲工程において、複数の半導体装置が同一の枠体部に支持されていることで、複数の半導体装置を治具等により個別に支持する必要がないため、半導体装置の製造効率の向上を図ることができる。
また、複数の半導体装置をリードフレームの枠体部に支持した状態で、各半導体装置のモールド樹脂から突出する端子板の屈曲加工を実施できるため、半導体装置の製造効率の向上も図ることができる。
以下、図1〜5を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
この実施形態に係るリードフレームは、図5に示すように、ヒートシンク7、絶縁性板材8、複数の端子板3,4、半導体チップ9及びボンディングワイヤ(接続子)10をモールド樹脂11で封止した構成の半導体装置100の製造に使用するものである。
図1,2に示すように、リードフレーム1は、銅板をはじめとする導電性板材に、半導体チップ9を搭載する板状のダイパッド2、半導体チップ9に電気接続するための複数の端子板3,4、これらダイパッド2及び複数の端子板3,4の周囲に配されて複数の端子板3,4を一体に連結する枠体部5、及び、ダイパッド2と枠体部5とを連結する連結リード6を形成して大略構成されている。このリードフレーム1は、導電性板材にプレス加工やエッチング加工等を施すことで得られる。
枠体部5は、平面視矩形状の内縁を有する外枠部51、及び、外枠部51の内縁と複数の端子板3,4とを接続する複数のタイバー52を備えて構成されている。
すなわち、各端子板3,4は、タイバー52に接続される平板状の基端板部(他端部)31,41と、基端板部31,41よりも外枠部51内縁の内側に配されると共に基端板部31,41に対して枠体部5の厚さ方向にずれて低く位置する先端板部(一端部)32,42と、枠体部5の厚さ方向に延びて基端板部31,41及び先端板部32,42を相互に連結する平板状の段差板部33,43とを一体に形成して構成されている。
各端子板3,4の先端板部32,42は、半導体装置100において、ボンディングワイヤ10によって半導体チップ9に電気接続され、段差板部33,43と共にモールド樹脂11によって封止されるインナーリード部をなす部分である。一方、基端板部31,41は、モールド樹脂11から外側に突出して半導体チップ9を外部に電気接続するためのアウターリード部をなす部分である(図3,5参照)。
なお、枠体部5のタイバー52は、この基端板部31,41の幅方向(導電性板材の面方向に沿って端子板3,4の長手方向に直交する方向)の両側端に接続されており、これによって、各端子板3,4が外枠部51に連結されている。
ここで、一対の端子板3,4の基端板部31,41は、端子板3,4の延在方向に配列されている。一方、一対の端子板3,4の先端板部32,42は、後述するダイパッド2の周囲に間隔をあけて隣り合うように配置されている。
さらに詳細に説明すれば、一対の端子板3,4のうち第一端子板(他方の端子板)3の先端板部32は、平面視で第一端子板3の基端板部31とダイパッド2との間に配されている。一方、第二端子板(一方の端子板)4の先端板部42は、平面視で第二端子板4の基端板部41に対して端子板3,4の幅方向にずれて位置しており、ダイパッド2に対して端子板3,4の幅方向に間隔をあけて配されている。そして、第二端子板4の先端板部42の幅寸法は、第一端子板3の先端板部32よりも小さく設定されている。
より具体的に説明すれば、一方のユニットの第一端子板3と他方のユニットの第二端子板4とが、端子板3,4の幅方向に間隔をあけて隣り合うように配置されている。また、二つの第二端子板4の先端板部42が、二つのダイパッド2をその配列方向から挟み込むようにして、端子板3,4の幅方向に配列されている。すなわち、二つの第二端子板4の先端板部42同士の間隔は、端子板3,4の幅方向に隣り合う第一端子板3及び第二端子板4の基端板部31,41同士の間隔よりも広く設定されている。さらに、二つの連結リード6は、枠体部5から互いに逆向きに延びており、それぞれ端子板3,4の幅方向に隣り合う第一端子板3と第二端子板4との間に配置されている。
この折曲工程では、一対の端子板3,4の先端板部32,42同士が、互いに離れるように端子板3,4の延在方向に移動する。また、ダイパッド2は、第一端子板3の先端板部32と同じ方向に移動するため、第一端子板3の先端板部32に対して離間することは無いが、第二端子板4の先端板部42に対して端子板3,4の延在方向に離れることになる。ただし、第二端子板4の先端板部42はダイパッド2に対して端子板3,4の幅方向に配列されているため、端子板3,4の幅方向に沿うダイパッド2と第二端子板4の先端板部42との間隔は、折曲工程を実施しても変化しない。
半導体装置100を製造する際には、はじめに、上記構成のリードフレーム1を用意する(フレーム準備工程)。
次いで、図3,5に示すように、ヒートシンク7の上面7aに、絶縁性板材8、リードフレーム1を順次重ねて配置し、さらに、ダイパッド2の上面2aに半導体チップ9を重ねて配置する(積層工程)。
この積層工程では、セラミックス等の電気絶縁性を有する絶縁性板材8を接合剤によりヒートシンク7の上面7aに固定すればよい。なお、ヒートシンク7は、半導体チップ9において生じた熱を効率よく放熱する役割を果たすものである。このヒートシンク7は、少なくとも銅(Cu)、タングステン、モリブデン等の放熱性の高い材料によって形成されていればよいが、例えばこれに加えてNiメッキを施したものでもよい。
なお、ヒートシンク7と絶縁性板材8との接合、及び、絶縁性板材8と複数の先端板部32,42との接合に使用する各接合剤は、導電性あるいは電気絶縁性のいずれであっても構わない。
なお、この積層工程では、例えば、ヒートシンク7、絶縁性板材8、リードフレーム1及び半導体チップ9を順番に重ねた状態で、リフローにより半田を溶融、固化させることで、ヒートシンク7、絶縁性板材8、リードフレーム1及び半導体チップ9を一体に固定してもよい。
この状態においては、ダイパッド2及び第一端子板3に接合されるボンディングワイヤ10Aの両端が、端子板3,4の延在方向に配列されている。また、半導体チップ9及び第二端子板4の先端板部42に接合されるボンディングワイヤ10Bの両端が、端子板3,4の幅方向に配列されている。言い換えれば、このボンディングワイヤ10Bは、ダイパッド2及び第二端子板4の先端板部42の配列方向に延びている。
なお、この工程においては、図示例のように、端子板3,4と外枠部51及び連結リード6とを接続するタイバー52のみを切り落としてもよいが、例えばこのタイバー52を外枠部51から切り落とさずに、端子板3,4の基端板部31,41とタイバー52とを切断して分離するだけでもよい。
最後に、モールド樹脂11の外側に位置する枠体部5及び連結リード6の基端部61を、モールド樹脂11内に埋設された連結リード6の先端部62及び段差部63から切り離す(第二切断工程)ことで、半導体装置100の製造が完了する。
そして、ヒートシンク7の下面7bがモールド樹脂11の外側に露出しているため、通電によって半導体チップ9において生じた熱は、主にダイパッド2、絶縁性板材8及びヒートシンク7に伝えられ、ヒートシンク7の下面7bから外部に放熱することができる。
以上のことから、これらボンディングワイヤ10の長さを短く設定してその電気抵抗を小さく抑えることができ、その結果として、半導体装置100を省電力で駆動することが可能となる。
次に、図6を参照して本発明の第二実施形態について説明する。
この実施形態に係るリードフレームは、図6に示すように、第一実施形態のリードフレーム1と比較して、連結リード6の形状のみが異なっている。
この実施形態のリードフレーム16では、平面視で、連結リード6の段差部(中途部分)63が、連結リード6の基端部61側から先端部62側に向けて、端子板3,4の幅方向に延在している。すなわち、連結リード6の段差部63の延在方向は、端子板3,4の延在方向に直交しており、この段差部63によって、連結リード6の基端部61と先端部62とが端子板3,4の幅方向にずれて位置している。また、連結リード6の先端部62が、基端部61よりも端子板3,4の近くに配されている。
そして、本実施形態のリードフレーム16により製造された半導体装置では、端子板3,4と連結リード6とがモールド樹脂11に対して互いに異なる方向に突出あるいは露出するため、モールド樹脂11の外側において端子板3,4と連結リード6との間で電気的な短絡が生じることを確実に防止して、半導体装置の電気的な信頼性をさらに向上させることができる。
また、連結リード6の段差部63のみが端子板3,4の幅方向に交差することに限らず、例えば連結リード6全体の延在方向が端子板3,4の幅方向に交差してもよい。
例えば、上記実施形態では、第一端子板3の先端板部32が、その基端板部41とダイパッド2との間に配されるとしたが、例えば第二端子板4の先端板部42と同様に、基端板部31に対して幅方向にずれて位置し、ダイパッド2に対して端子板3,4の幅方向に配列されてもよい。この場合、これら一対の端子板3,4の先端板部32,42は、これらの間にダイパッド2が配されるように、基端板部31,41に対して互いに逆向きにずれて位置することが好ましい。
さらに、上記実施形態の半導体装置100では、モールド樹脂11の外側に突出する基端板部31,41がモールド樹脂11の上面11aに沿うように屈曲されているが、例えばモールド樹脂11の外面から離れるように突出していても構わない。言い換えれば、半導体装置100の製造方法は、例えば屈曲工程を備えていなくても構わない。
また、半導体チップ9と端子板3,4との電気接続には、ボンディングワイヤ10を用いるとしたが、例えば導電性を有する帯板状に形成された接続板(接続子)を用いてもよい。
また、半導体装置100は、ヒートシンク7を備えているが、例えば備えていなくても構わない。
また、半導体チップ9は、その上面9a及び下面9bの両方に電極を有するとしたが、少なくともダイパッド2に搭載されればよく、例えば上面9aのみに複数の電極を有してもよい。この場合には、例えばボンディングワイヤ10や接続板等の接続子により複数の端子板3,4と半導体チップ9とを電気接続すればよい。
2 ダイパッド
3 第一端子板(他方の端子板)
31 基端板部(他端部)
32 先端板部(一端部)
33 段差板部
4 第二端子板(一方の端子板)
41 基端板部(他端部)
42 先端板部(一端部)
43 段差板部
44 凹部
5 枠体部
6 連結リード
61 基端部(他端部)
62 先端部(一端部)
63 段差部(中途部分)
9 半導体チップ
10,10A,10B ボンディングワイヤ(接続子)
11 モールド樹脂
11a 上面(外面)
11c 側面(外面)
100 半導体装置
Claims (7)
- 半導体チップを搭載する板状のダイパッドと、当該ダイパッドの周囲に間隔をあけて配される枠体部と、当該枠体部から前記ダイパッドに向けて延びて、前記ダイパッドと前記枠体部とを連結する連結リードと、前記枠体部から前記ダイパッドに向けて延びて、当該枠体部に連結されると共に前記ダイパッドに対して間隔をあけて配される端子板とを備え、
前記連結リードの幅寸法が、前記端子板の幅寸法よりも小さく設定されていることを特徴とするリードフレーム。 - 前記端子板が、前記枠体部から前記ダイパッドに向けて互いに逆向きに延びるように一対形成され、
前記ダイパッドと、当該ダイパッド側に位置する少なくとも一方の端子板の延在方向の一端部とが、前記端子板の幅方向に配列されていることを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。 - 少なくとも前記連結リードの中途部分の延在方向が、前記端子板の延在方向と異なっていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のリードフレーム。
- 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のリードフレームを用意するフレーム準備工程と、
半導体チップを前記ダイパッドに搭載する搭載工程と、
前記半導体チップと、前記ダイパッド側に位置する前記端子板の延在方向の一端部とを電気接続する接続工程と、
前記半導体チップ、前記ダイパッド、前記端子板の一端部、及び、前記ダイパッド側に位置する前記連結リードの延在方向の一端部をモールド樹脂により封止し、前記端子板及び連結リードの他端部を当該モールド樹脂の外側に突出させる樹脂封止工程と、
前記端子板の他端部を前記枠体部から切り離す第一切断工程と、
前記枠体部及び前記連結リードの他端部を前記連結リードの一端部から切り離す第二切断工程と、を備え、
少なくとも前記フレーム準備工程、前記搭載工程、前記接続工程、前記樹脂封止工程及び前記第一切断工程が順番に実施され、
前記第二切断工程が、前記樹脂封止工程の後から前記第一切断工程の後までの間に実施されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第一切断工程の後から前記第二切断工程の後までの間に、前記端子板の他端部が前記モールド樹脂の外面に沿って配されるように、前記端子板の他端部を当該端子板の一端部に対して屈曲する屈曲工程を実施することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記屈曲工程が、前記第一切断工程の後から前記第二切断工程の前までの間に実施されることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項4から請求項6のいずれか1項に記載の製造方法によって製造される半導体装置であって、
前記半導体チップ、前記ダイパッド、前記端子板の一端部及び前記連結リードが、前記モールド樹脂内に埋設され、
前記端子板の他端部が、前記モールド樹脂の外方に突出し、
前記連結リードが、前記モールド樹脂の外面から外方に露出するものの、突出していないことを特徴とする半導体装置。
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