JP2012054303A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5150690B2 (ja) * 2010-09-16 2013-02-20 株式会社東芝 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5637795B2 (ja) 2010-10-05 2014-12-10 株式会社東芝 装置
US9472450B2 (en) * 2012-05-10 2016-10-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Graphene cap for copper interconnect structures
JP5755618B2 (ja) 2012-09-06 2015-07-29 株式会社東芝 半導体装置
JP5851369B2 (ja) 2012-09-10 2016-02-03 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP5972735B2 (ja) 2012-09-21 2016-08-17 株式会社東芝 半導体装置
KR101910579B1 (ko) 2012-10-29 2018-10-22 삼성전자주식회사 튜너블 배리어를 구비한 그래핀 스위칭 소자
JP5813678B2 (ja) 2013-02-15 2015-11-17 株式会社東芝 半導体装置
JP2015032662A (ja) 2013-08-01 2015-02-16 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP6162555B2 (ja) 2013-09-18 2017-07-12 株式会社東芝 半導体装置、超伝導装置およびその製造方法
JP2016063095A (ja) 2014-09-18 2016-04-25 株式会社東芝 配線及びその製造方法
JP2016063096A (ja) 2014-09-18 2016-04-25 株式会社東芝 グラフェン配線とその製造方法
JP2016171245A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP2017050419A (ja) 2015-09-02 2017-03-09 株式会社東芝 半導体装置とその製造方法
JP2017050503A (ja) 2015-09-04 2017-03-09 株式会社東芝 半導体装置とその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3129577B2 (ja) * 1993-06-11 2001-01-31 ローム株式会社 半導体集積回路用配線およびその配線の形成方法
JP2006120730A (ja) 2004-10-19 2006-05-11 Fujitsu Ltd 層間配線に多層カーボンナノチューブを用いる配線構造及びその製造方法
US7732859B2 (en) * 2007-07-16 2010-06-08 International Business Machines Corporation Graphene-based transistor
KR101443222B1 (ko) * 2007-09-18 2014-09-19 삼성전자주식회사 그라펜 패턴 및 그의 형성방법
JP5353009B2 (ja) * 2008-01-08 2013-11-27 富士通株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
US7772059B2 (en) * 2008-01-16 2010-08-10 Texas Instruments Incorporated Method for fabricating graphene transistors on a silicon or SOI substrate
US8467224B2 (en) * 2008-04-11 2013-06-18 Sandisk 3D Llc Damascene integration methods for graphitic films in three-dimensional memories and memories formed therefrom
JP5470779B2 (ja) * 2008-09-03 2014-04-16 富士通株式会社 集積回路装置の製造方法
JP5395542B2 (ja) 2009-07-13 2014-01-22 株式会社東芝 半導体装置
KR101129930B1 (ko) 2010-03-09 2012-03-27 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 및 그의 형성 방법

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