JP2012050071A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. アンテナと、
   整流回路と、を有し、
   前記整流回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１のコイルと、第２のコイルと、第１の容量素子と、を有し、
   前記第１のトランジスタのドレインは、前記第１の容量素子の第１の端子と電気的に接続され、
   前記第１の容量素子の第２の端子は、前記アンテナの第１の端子と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのドレインは、前記アンテナの第２の端子と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースは、前記第１のトランジスタのドレインと電気的に接続され、
   前記第１のコイルは、前記第１のトランジスタのゲートとドレインとの間に電気的に接続され、
   前記第２のコイルは、前記第２のトランジスタのゲートとドレインとの間に電気的に接続され、
   前記第１のコイルは、前記アンテナと重なる領域を有し、
   前記第２のコイルは、前記アンテナと重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１のコイルは、前記第２のコイルと重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   第２の容量素子を有し、
   前記第２の容量素子の第１の端子は、前記第１のトランジスタのソースと電気的に接続され、
   前記第２の容量素子の第２の端子は、前記第２のトランジスタのドレインと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一つにおいて、
   前記第１のコイル、及び前記第２のコイルは、絶縁層を介して前記アンテナと、重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一つにおいて、
   前記第１のトランジスタ、及び前記第２のトランジスタは、酸化物半導体材料を含んで構成されることを特徴とする半導体装置。