JP2012049281A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、素子領域と、素子領域の周囲に設けられた周辺領域とを有し、素子領域に、ゲート電極と、ゲート電極から絶縁された半導体領域を有する半導体素子が形成された半導体基板と、半導体基板の周辺領域の表面側に形成され、半導体基板から絶縁されると共にゲート電極に電気的に接続されているゲート配線と、ゲート配線と離間した位置で半導体基板の素子領域の表面に形成され、前記半導体領域に電気的に接続されている表面電極と、表面電極の表面側に形成されている金属ブロックと、を備えている。この半導体装置では、表面電極の平面方向の周縁の少なくとも一部には、スリットが設けられている。
【選択図】 図1
Description
上記の実施例では、表面電極の周縁全体に同じ幅、同じ間隔でスリットが形成されている場合を例示して説明したが、これに限定されない。
101,201,301,401,501 周辺領域
105,205,305,405,505 ゲート配線
103a〜103c,203a〜203c,303a〜303c、403a〜403c、509c 素子領域
107a〜107c,207a〜207c,307a〜307c,407a〜407c,507c Al電極
109a〜109c,309a〜309c、409a〜409c,509c Ni電極
111,211,311,411,511 半導体基板
113,213,313,413,513 金属ブロック
121,221,521 コレクタ層
123,223,523 バッファ層
125,225,525 ドリフト層
127,227,527 ボディ層
129,229,529 エミッタ層
131,231,531 トレンチゲート
133,233,533 裏面電極
135,235,535 保護層
137,237,537 絶縁膜
150a〜150c,250a〜250c,450a〜450c スリット部
151a〜151c,251a〜251c,351a〜351c,353a〜353c,451a〜451c 櫛歯
152a〜152c,252a〜252c,352a〜352c,354a〜354c,452a〜452c スリット
350a〜350c 第1スリット部
355a〜355c 第2スリット部
Claims (6)
- 素子領域と、素子領域の周囲に設けられた周辺領域とを有し、素子領域に、ゲート電極と、ゲート電極から絶縁された半導体領域を有する半導体素子が形成された半導体基板と、
半導体基板の周辺領域の表面側に形成され、半導体基板から絶縁されると共にゲート電極に電気的に接続されているゲート配線と、
ゲート配線と離間した位置で半導体基板の素子領域の表面に形成され、前記半導体領域に電気的に接続されている表面電極と、
表面電極の表面側に形成されている金属ブロックと、を備えており、
表面電極の平面方向の周縁の少なくとも一部には、スリットが設けられている、半導体装置。 - 表面電極に設けられたスリットは、半導体基板の素子領域の表面側に形成されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板は、複数の素子領域を有しており、各素子領域の表面には表面電極が形成されており、
少なくとも一つの表面電極は、半導体基板の周縁に沿って伸びる第1スリット部と、隣接する表面電極の周縁に沿って伸びる第2スリット部を有しており、
第1スリット部と第2スリット部のそれぞれには、表面電極の周縁に沿って配置された複数のスリットが形成されており、
第1スリット部のスリットの間隔は、第2スリット部のスリットの間隔よりも小さい、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 半導体基板は、複数の素子領域を有しており、各素子領域の表面には表面電極が形成されており、
少なくとも一つの表面電極は、半導体基板の周縁に沿って伸びる第1スリット部と、隣接する表面電極の周縁に沿って伸びる第2スリット部を有しており、
第1スリット部と第2スリット部のそれぞれには、表面電極の周縁に沿って配置されたスリットが形成されており、
第1スリット部のスリットの幅は、第2スリット部のスリットの幅よりも大きい、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 半導体基板は、複数の素子領域を有しており、各素子領域の表面には表面電極が形成されており、
少なくとも一つの表面電極では、半導体基板の周縁に沿って伸びる部分にはスリットが配置されており、隣接する表面電極の周縁に沿って伸びる部分には、スリットが形成されていない、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 表面電極は、Al電極であるか、Al電極の表面にNi電極を積層した積層電極である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
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