JP2012042393A - はんだ接合部の非破壊による劣化診断方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 はんだ接合部を含む電子部品の劣化を非破壊で診断する。
【解決手段】 はんだ接合部を含む電子部品を加熱しながら、電子部品の熱分布のデータ画像を経時的に計測する。熱分布のデータ画像から、N(R)・RD=C…(1)(但し、式中、N(R)は被覆に必要な立方体の数、Rは立方体の一辺の長さ、Dはフラクタル次元、及びCは定数(対象立体の体積)を表す)に基づいてフラクタル解析を行い、フラクタル次元を求める。その後、フラクタル次元の経時変化を評価する。
【選択図】図1
Description
はんだ接合部を含む電子部品を加熱しながら、該電子部品の熱分布のデータ画像を経時的に計測し、
該熱分布のデータ画像から、下記式(1)に基づいてフラクタル次元を求め、
N(R)・RD=C…(1)
(但し、式中、N(R)は被覆に必要な立方体の数、Rは立方体の一辺の長さ、Dはフラクタル次元、及びCは定数(対象立体の体積)を表す。)
該フラクタル次元の経時変化を評価することを含むはんだ接合部の非破壊による劣化診断方法が提供される。
(但し、式中、N(R)は被覆に必要な立方体の数、Rは立方体の一辺の長さ、Dはフラクタル次元、及びCは定数(対象立体の体積)を表す。)
その後、フラクタル次元の経時変化を評価する。
ここで用いられるフラクタル次元は、分布形状の複雑さを表わす指標で、温度分布では2〜3次元で表現することができる。
図2と同様の構成を有する半導体パワー素子を用意し、各々、熱疲労試験として、Δt 70℃で1万回のON−OFFサイクルを実施した。
図2と同様の構成を有する半導体パワー素子を用意し、各々、熱疲労試験として、Δt 70℃で1万回のON−OFFサイクルを実施した。
図2と同様の構成を有する半導体パワー素子を用意し、各々、熱疲労試験として、Δt 70℃で1万回のON−OFFサイクルを実施した。
Claims (3)
- はんだ接合部を含む電子部品を加熱しながら、該電子部品の熱分布のデータ画像を経時的に計測し、
該熱分布のデータ画像から、下記式(1)に基づいてフラクタル次元を求め、
N(R)・RD=C…(1)
(但し、式中、N(R)は被覆に必要な立方体の数、Rは立方体の一辺の長さ、Dはフラクタル次元、及びCは定数(対象立体の体積)を表す。)
該フラクタル次元の経時変化を評価することを含む、
はんだ接合部の非破壊による劣化診断方法。 - 前記フラクタル次元の経時変化の評価は、はんだ接合部毎に、フラクタル次元の経時変化及びその立ち上がりを比較して差を求めることを含む請求項1に記載の方法。
- 前記差が最も大きいものを最大亀裂発生部として特定することを含む請求項1または2に記載の方法。
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