JP2012042274A - センサチップ、センサデバイスおよびセンサチップの製造方法 - Google Patents
センサチップ、センサデバイスおよびセンサチップの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012042274A JP2012042274A JP2010182268A JP2010182268A JP2012042274A JP 2012042274 A JP2012042274 A JP 2012042274A JP 2010182268 A JP2010182268 A JP 2010182268A JP 2010182268 A JP2010182268 A JP 2010182268A JP 2012042274 A JP2012042274 A JP 2012042274A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance element
- substrate
- sensor
- sensor chip
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】基板に形成されたセンサ回路と、前記基板に形成された第1抵抗素子と、前記第1抵抗素子と直列に接続されて前記基板に形成され、前記第1抵抗素子と異なる温度係数を有する第2抵抗素子と、前記第1抵抗素子と前記第2抵抗素子との接続点の電位を出力するパッドならびに前記センサ回路の出力を出力するパッドと、備えたセンサチップが提供される。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の一実施形態に係るセンサチップをパッケージングしたセンサデバイスの側面図である。図1(a)において、センサデバイス100は、プリント基板などの基板101の上に、制御IC102が配置された構成となっている。また、制御ICの上に、本発明の一実施形態に係るセンサチップ103が配置された構成となっている。制御IC102は、センサチップ103から得られる信号を増幅する増幅回路を備える。また、制御IC102は、温度補償などの温度補償回路を有していてもよい。そのために、センサチップ103と制御IC102とを接続する配線105が設けられている。また、制御IC102と基板101とを接続する配線104も設けられている。
ピエゾ抵抗素子の不純物拡散領域と、配線に用いる金属材料などの導電材料との接続抵抗を下げるために、不純物が拡散された領域の両端またはその近傍に達するコンタクトの底部付近に、さらに高濃度に不純物が拡散された領域が形成される場合がある。
Claims (10)
- 基板に形成されたセンサ回路と、
前記基板に形成された第1抵抗素子と、
前記第1抵抗素子と直列に接続されて前記基板に形成され、前記第1抵抗素子と異なる温度係数を有する第2抵抗素子と、
前記第1抵抗素子と前記第2抵抗素子との接続点の電位を出力するパッドならびに前記センサ回路の出力を出力するパッドと、
を備えたセンサチップ。 - 前記第1抵抗素子および第2抵抗素子は、前記基板の導電型とは異なる不純物が前記基板に拡散されて形成されたピエゾ抵抗素子であり互いに不純物の拡散濃度が異なり、
前記センサ回路は、基板の可撓部に形成されたピエゾ抵抗素子を有することを特徴とする請求項1に記載のセンサチップ。 - 前記第1抵抗素子および2抵抗素子は、前記可撓部に連結する前記基板の枠部に形成されていることを特徴とする請求項2に記載のセンサチップ。
- 前記第1抵抗素子は、配線と接触する部分として、前記部分以外の前記第1抵抗素子の部分におけるよりも不純物の拡散濃度が高い高濃度拡散領域を有し、
前記第2抵抗素子の不純物の拡散濃度は前記高濃度拡散領域と実質的に同じであることを特徴とする請求項2または3に記載のセンサチップ。 - 電源電圧を供給するための2つの電源パッドを備え、
前記センサ回路と、直接接続された前記第1抵抗素子および前記第2抵抗素子と、が並列に前記2つの電源パッドに接続されている請求項1記載のセンサチップ。 - センサチップと制御ICとを備えたセンサデバイスであって、
前記センサチップは、
第1基板に形成されたセンサ回路と、
前記第1基板に形成された第1抵抗素子と、
前記第1抵抗素子と直列に接続されて前記第1基板に形成され、前記第1抵抗素子と異なる温度係数を有する第2抵抗素子と、
前記第1抵抗素子と前記第2抵抗素子との接続点の電位を出力するパッドならびに前記センサ回路の出力を出力するパッドとを有し、
前記制御ICは、
前記センサ回路の出力を増幅する増幅回路を有するセンサデバイス。 - 前記制御ICは第2基板上に配置され、前記センサチップは前記制御IC上に配置されていることを特徴とする請求項6に記載のセンサデバイス。
- 前記制御ICと前記センサチップとは並列して第2基板上に配置されていることを特徴とする請求項6に記載のセンサデバイス。
- 基板にセンサ回路を形成し、
前記基板に第1抵抗素子を形成し、
前記基板に前記第1抵抗素子と異なる温度係数を有する第2抵抗素子を形成し、
前記第1抵抗素子と前記第2抵抗素子とを直列に接続し、
前記第1抵抗素子と前記第2抵抗素子との接続点の電位を出力するパッドならびに前記センサ回路の出力を出力するパッドとを前記基板に形成することを特徴とするセンサチップの製造方法。 - 前記第1抵抗素子と前記第2抵抗素子とは、不純物の拡散濃度が異なるピエゾ抵抗素子であり、
前記第1抵抗素子の配線と接触する部分に、前記部分以外の前記第1抵抗素子の部分におけるよりも不純物の拡散濃度が高い高濃度拡散領域を形成するとともに、前記第2抵抗素子を形成することを特徴とする請求項9に記載のセンサチップの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010182268A JP5434846B2 (ja) | 2010-08-17 | 2010-08-17 | センサチップ、センサデバイスおよびセンサチップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010182268A JP5434846B2 (ja) | 2010-08-17 | 2010-08-17 | センサチップ、センサデバイスおよびセンサチップの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012042274A true JP2012042274A (ja) | 2012-03-01 |
JP5434846B2 JP5434846B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=45898783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010182268A Expired - Fee Related JP5434846B2 (ja) | 2010-08-17 | 2010-08-17 | センサチップ、センサデバイスおよびセンサチップの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5434846B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7123319B2 (ja) | 2018-11-13 | 2022-08-23 | 大日本印刷株式会社 | キャップ本体およびキャップ |
JP7080159B2 (ja) | 2018-11-30 | 2022-06-03 | 株式会社吉野工業所 | 不正開封防止キャップ |
JP7168426B2 (ja) | 2018-11-30 | 2022-11-09 | 株式会社吉野工業所 | 安全キャップ及び安全キャップ付き容器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006098321A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Hitachi Metals Ltd | 半導体型3軸加速度センサ |
WO2009016994A1 (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Alps Electric Co., Ltd. | ブリッジ回路出力電圧のオフセット調整回路 |
JP2009293982A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Denso Corp | 物理量センサの信号処理装置 |
-
2010
- 2010-08-17 JP JP2010182268A patent/JP5434846B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006098321A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Hitachi Metals Ltd | 半導体型3軸加速度センサ |
WO2009016994A1 (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Alps Electric Co., Ltd. | ブリッジ回路出力電圧のオフセット調整回路 |
JP2009293982A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Denso Corp | 物理量センサの信号処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5434846B2 (ja) | 2014-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005351901A (ja) | 複合センサ及びその製造方法 | |
KR100580440B1 (ko) | 도핑된 반도체층을 배선으로 사용한 반도체 가속도 센서 | |
JP5434846B2 (ja) | センサチップ、センサデバイスおよびセンサチップの製造方法 | |
JP4431475B2 (ja) | 半導体型3軸加速度センサ | |
JP4589605B2 (ja) | 半導体多軸加速度センサ | |
JP4839826B2 (ja) | センサモジュール | |
JP2010256234A (ja) | 加速度センサ | |
JP3938199B1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置 | |
JP5475946B2 (ja) | センサモジュール | |
JP5093070B2 (ja) | 加速度センサ及びそれを用いた半導体装置 | |
JP2007173757A (ja) | センサエレメント | |
JP5221940B2 (ja) | 半導体素子の実装構造 | |
JP2010008123A (ja) | センサモジュール | |
JP2010032389A (ja) | 物理量センサ及びその製造方法 | |
JP5067295B2 (ja) | センサ及びその製造方法 | |
JP5191030B2 (ja) | 半導体歪みゲージ | |
JP2009047650A (ja) | センサ装置およびその製造方法 | |
JP4466344B2 (ja) | 加速度センサ | |
JP5069410B2 (ja) | センサエレメント | |
JP4816065B2 (ja) | センサモジュールの製造方法 | |
JP4000168B2 (ja) | センサ装置 | |
JP5732763B2 (ja) | Esd保護素子を備える半導体装置およびesd保護素子を備える半導体装置の製造方法 | |
JP4000169B2 (ja) | チップサイズパッケージ | |
JP2008157825A (ja) | センサ装置 | |
JP2007171057A (ja) | 加速度センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130613 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130820 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5434846 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |