JP2012030593A - 記録装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】温度センサから出力された信号に重畳されるノイズ信号を効果的に低減する記録装置を提供する。
【解決手段】温度センサを内蔵した記録ヘッドと、記録ヘッドを制御する制御部と、記録ヘッドと制御部とを接続するフレキシブルケーブルとを含む記録装置であって、フレキシブルケーブルに配線され、記録ヘッドの温度に応じた電圧を生じ、温度センサに接続された第1の信号線と第2の信号線と、制御部に内蔵され、第1の信号線と第2の信号線との電圧差を増幅して該増幅された電圧差を記録ヘッドの温度情報として出力する差動増幅回路と、記録ヘッドにおいて、第1の信号線と第2の信号線のいずれかを抵抗を介して接地することにより、第1の信号線の配線抵抗と第2の信号線の配線抵抗とを整合させる整合回路とを備える。
【選択図】図3

Description

本発明は、記録ヘッドに温度センサを内蔵した記録装置に関する。
半導体集積回路によって構成されるインクジェット記録装置の記録ヘッドにおいては、記録ヘッドの温度上昇に伴って、インク吐出量が増大することが知られている。インクジェット記録装置では、連続印刷時においても記録画像の再現性、色安定性が求められ、記録ヘッドの駆動電圧および駆動パルスを精密に制御する技術が開発されている(特許文献1)。そのような技術により、記録ヘッドに内蔵する温度センサで検出された温度データに基づいて記録装置の信号処理回路で記録ヘッドの駆動条件(駆動電圧および駆動パルス)が調整され、インク吐出量が均一になるように制御される。
しかしながら、記録動作中には記録ヘッドに内蔵する温度センサの出力信号に、記録データ信号等のデジタル信号から高周波ノイズが重畳し、正確な温度を検出することができない。従って、従来、記録ヘッドの駆動条件(駆動電圧および駆動パルス)を制御できる期間が記録動作の間隙(紙端などのインク吐出が行われないタイミング)に限られていた。
特開2007−69575号公報 特開平8−136356号公報 特開2005−147895号公報 特開2002−280556号公報 特許3509623号公報
一般的に、記録ヘッドに内蔵される温度センサ等の温度検出構成において、順バイアスされたPN接合の順方向電圧を検出するダイオード温度センサの構成が用いられる場合が多い。従って、PN接合の順方向電圧の温度特性(−2mV/℃)に伴う微弱な電圧変化を検出する必要があるが、温度センサが搭載された半導体集積回路には、データ信号やクロック信号等のデジタル信号が温度検出信号線に隣接して供給されている。それらのデジタル信号からのノイズが温度検出信号に重畳し、検出温度に誤差が生じてしまう。
特許文献2には、ダイオード温度センサのPN接合を順バイアスする直流バイアス電流(Ibias)を規定の電流範囲とし、ダイオードの動作抵抗を規定の値にすると、検出電圧に生じるオフセットが低減できると記載されている。また、動作抵抗を規定の値にするために、ダイオードと直列に抵抗を配置することが記載されている。しかしながら、サブストレートトランジスタの構造として形成された場合には、直流バイアス電流がサブストレートに流れることになるので、サブストレートの電位が上がりラッチアップが生じる恐れがある。従って、直流バイアス電流をなるべく小さい値にしておく必要がある。更に、ダイオードに直列に抵抗を配置することは、温度変化に伴うダイオードの順方向電圧の検出感度を低下させることになり、S/N低下の方向に働くので望ましくない。
特許文献3には、ダイオード温度センサのアノードと電源との間、および、カソードとGNDとの間に抵抗を配置することが記載されており、抵抗値を等しくすれば重畳されるノイズが低減されると記載されている。しかしながら、半導体集積回路内で順バイアスされたPN接合によって形成するダイオード温度センサは、構造上、トランジスタの形となる。特に、通常のCMOSプロセスを用いた半導体集積回路では、順バイアスされるPN接合を形成できるのはサブストレートトランジスタである。従って、P型基板の場合にはGNDから浮いた状態のダイオード温度センサを作るために特別なプロセスを導入する必要がある。また、特許文献2では、抵抗の具体的な配置位置に関しては特に言及されていない。
特許文献4には、ダイオード温度センサのカソード部と半導体素子のサブストレートとの間、およびアノード部とサブストレートとの間にそれぞれコンデンサを設け、2つのコンデンサの容量値が等しくなるように構成することが記載されている。しかしながら、半導体集積回路内に形成できるコンデンサの容量値は数pF程度と小さく、重畳されるノイズを低減するのに十分とはいえない。
特許文献5には、半導体温度センサの読出信号線に対して、半導体チップ内にRCフィルタを構成してノイズを除去する構成が記載されている。RCフィルタの抵抗は温度センサ素子と直列に接続され、コンデンサは並列に接続される。また、このコンデンサはコンタクトパッド部にゲート酸化膜を挟んで形成されることが記載されている。しかしながら、ダイオード温度センサに重畳されるノイズはダイオードの非線形性のため、上下非対称な電圧波形となり、RCフィルタで平滑しても直流成分がオフセット電圧として発生し、温度検出誤差となってしまう。また、ダイオード温度センサと直列に抵抗を配置することは、温度検出感度を低下させることになり、望ましくない。
本発明の目的は、このような従来の問題点を解決することにある。上記の点に鑑み、本発明は、温度センサから出力された信号に重畳されるノイズ信号を効果的に低減する記録装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る記録装置は、温度センサを内蔵した記録ヘッドと、前記記録ヘッドを制御する制御部と、前記記録ヘッドと前記制御部とを接続するフレキシブルケーブルとを含む記録装置であって、
前記フレキシブルケーブルに配線され、前記記録ヘッドの温度に応じた電圧を生じ、前記温度センサに接続された第1の信号線と第2の信号線と、
前記制御部に内蔵され、前記第1の信号線と前記第2の信号線との電圧差を増幅して該増幅された電圧差を前記記録ヘッドの温度情報として出力する差動増幅回路と、
前記記録ヘッドにおいて、前記第1の信号線と前記第2の信号線のいずれかを抵抗を介して接地することにより、前記第1の信号線の配線抵抗と前記第2の信号線の配線抵抗とを整合させる整合回路とを備えることを特徴とする。
本発明によると、温度センサから出力された信号に重畳されるノイズ信号を効果的に低減することができる。
本実施例における記録ヘッドと制御部とを含む構成を示す図である。 従来における記録ヘッドと制御部とを含む構成を示す図である。 図1の制御部3の構成を示す図である。 図2の制御部3の構成を示す図である。 図3及び図4の伝送線路モデルを示す図である。 検証実験を行った回路モデルを示す図である。 図6に示す回路モデルの等価回路を示す図である。 ノイズ源の正弦波を変化させたときの出力電圧に生じるオフセット電圧の測定結果を示す図である。 ノイズ源として振幅250mVppの正弦波を入力した場合の測定結果を示す図である。 図2に示した構成により検出温度を実測した結果を示す図である。 温度センサの構造を示す図である。 温度センサの構成例を示す図である。 温度センサの他の構成例を示す図である。 バイアス電流源が記録ヘッド内に形成される定電流源回路である場合を示す図である。 図1に示す記録ヘッド及び制御部が搭載されるインクジェット記録装置の斜視図である。 図15に示した記録装置の制御構成を示すブロック図である。 BCの値を変えた場合の入力インピーダンスR、入力インピーダンスRを計算した計算結果を示す図である。
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施例を詳しく説明する。尚、以下の実施例は特許請求の範囲に係る本発明を限定するものでなく、また本実施例で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の解決手段に必須のものとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図1(a)は、本発明に係る実施例における記録ヘッドと制御部とを含む構成を示す図である。本実施例においては、温度センサとしてのPNPトランジスタもしくはNPNトランジスタのエミッタ・ベース間電圧を検出する構成を例として説明する。図1に示す記録ヘッド1は、例えばインクジェット記録装置の記録ヘッドであり、制御部3は、記録ヘッド1の駆動を制御する。温度センサ5は、PNPトランジスタあるいはNPNトランジスタの構造を有する。図1(a)では、温度センサ5はPNPトランジスタとして説明する。図1(b)では、温度センサ5はNPNトランジスタとして説明する。配線部材2は、記録ヘッド1と制御部3とを接続しており、信号伝送線路となるフレキシブルプリント基板(フレキシブルケーブル)等で形成されている。制御部3は、信号処理部12と、温度センサから出力された信号線22、23間の電圧差を増幅する差動増幅回路11とを含む。信号処理部12は、クロック生成ユニット18を備える。このクロック生成ユニット18は、クロック信号を生成する。記録ヘッド1は、信号線21を介して信号処理部12から出力される、画像データおよびヘッド駆動信号等の複数のデジタル信号をロジック回路8で受信して駆動回路10を駆動する。信号線21は、クロック信号やデータ信号を送るための信号線である。その結果、記録ヘッド1に多数設けられたインク吐出ノズルのうち、受信したデータに基づいて定められたノズルからインクが吐出される。
記録ヘッド1は、CMOSプロセスで製造されており、温度センサ5は、図11に示すようなサブストレートPNPトランジスタ構造によって形成されている。第1の信号線22は、トランジスタ5のエミッタ端子に接続され、第2の信号線23は、トランジスタ5のベース端子に接続されている。トランジスタ5のコレクタ端子は、最低電位であるGND配線(VSS配線24)に接続されて接地されている。トランジスタ5のコレクタ端子は、導体7と接続されている。温度センサ5に順方向電流(直流バイアス電流)を供給するために、第1の信号線22と電源Vcc(例えば3.3V)との間に抵抗13を配置する。また、第2の信号線23は、トランジスタ5のベース端子と接続されるとともに、抵抗6を介して導体7と接続される。さらに、第2の信号線23は、制御部3のGNDパターンには接続されずに、抵抗15を介して差動増幅回路11の基準電圧側端子(V+)と接続される。第2の信号線23は、差動増幅回路11の基準電圧側端子の基準電圧を定めるために、抵抗14を介して電源Vccと接続され、基準電圧として、さらに抵抗15を用いてVccが分圧されるように構成される。差動増幅回路11は、第1の信号線22と第2の信号線23との電圧差を増幅して、記録ヘッド1の温度情報Voとして出力する。
ここで、図2を参照して、従来の構成例との違いを説明する。従来は、図2に示すように、第2の信号線23をVSS配線24とは独立して記録ヘッド1から引き出して、制御部3のGNDパターンに接続している。これは、VSS配線24に流れるロジック回路8のリターン電流の有/無、大/小によって生じる電圧変動ノイズを抑制するためである。
従って、図1(a)と図2とを比較して分かるように、第2の信号線23及び抵抗6の構成において従来と異なる。つまり、本実施例においては、差動増幅回路11の+端子に入力される基準電圧Vrefの0V基準を記録ヘッド1の内部GNDとしている。従って、制御部3の電源電圧Vccが、式1に示すように、3つの抵抗6、抵抗14、抵抗15によって分圧される。
Vref=Vcc×(R15+R6)/(R14+R15+R6) ・・・(1)
これに対して、図2に示す構成では、制御部3のGND17が、差動増幅回路11の+端子に入力される基準電圧Vrefの0V基準とされている。
図1(a)に示すように、温度センサ5から、第1の信号線22、第2の信号線23、GND配線(VSS)24が記録ヘッド1から配線部材2を介して、制御部3に接続されている。フレキシブルプリント基板(FPC)等で構成された信号伝送路2には、第1の信号線22及び第2の信号線23と隣接して、データ信号やクロック信号などのデジタル信号21が配線されている。ここで、配線部材2において、デジタル信号21からのノイズが、第1の信号線22及び第2の信号線23に重畳し、制御部3で検出される記録ヘッド1の温度に誤差が生じることが問題とされる。
図2に示した構成により温度に対応した電圧の波形を実測した結果を図10に示す。この電圧波形は、ADコンバータ(信号処理部12)の入力におけるインクジェット記録装置の記録ヘッド1の温度検出波形の測定結果である。この電圧波形は、差動増幅回路11の出力Vを示す。記録ヘッド1に内蔵された温度センサ5の出力を低域通過フィルタである差動増幅回路11で約8倍に増幅し、高周波ノイズを除去された電圧波形を示している。図10に示すように、左右の平坦な区間は記録ヘッド1が動作していない紙端部における期間であり、デジタル信号が休止している期間である。グランド17を基準にすると、左右の平坦な区間は1.5ボルトである。一方、中央部の盛り上がった区間は、記録動作中の期間であり、デジタル信号が動作中の期間である。図10に示されるように、デジタル信号ノイズNが第1の信号線22及び第2の信号線23に重畳する。そのために、電圧レベルが220ミリボルト(mV)分高くなっている。この上昇分の電圧値をオフセット電圧と呼ぶ。この220ミリボルト(mV)の電圧値は、約13度の温度誤差に対応する。この重畳したノイズ電圧Nは温度センサ5の非線形性により上下非対称なノイズ波形となるので、後段の回路によって電圧波形を処理しても、オフセット電圧を取り除くことはできない。
本実施例においては、そのようなオフセット電圧を低減し、デジタル信号が動作中であっても温度検出誤差を1℃程度まで大幅に抑制することができる。以下、本実施例における検出誤差が低減される構成を説明する。
図3、図4は、それぞれ図1、図2の制御部3の構成を示す図である。ノイズが重畳される第1の信号線22及び第2の信号線23の配線抵抗に着目する。図3に示すように、第1の信号線22の温度センサ(トランジスタ)5のエミッタ端子側の入力インピーダンスをR、第2の信号線23の温度センサ(トランジスタ)5のベース端子側の入力インピーダンスをRとする。また、第1の信号線22の差動増幅回路11側の入力インピーダンスをR、第2の信号線23の差動増幅回路11側の入力インピーダンスをRとする。
各部の入力インピーダンスの詳細については後述する。図3及び図4の伝送線路モデルをそれぞれ示したものが、図5(a)及び図5(b)である。信号線21cは、クロック信号を転送するための信号線である。信号線21cは、ノイズ源(クロック生成ユニット)18と接続している。Rは、第1の信号線22の温度センサ(トランジスタ)5のエミッタ端子側の入力インピーダンスである。Rは、第2の信号線23の温度センサ(トランジスタ)5のベース端子側の入力インピーダンスである。Rは、第1の信号線22の制御部3側の入力インピーダンスである。Rは、第2の信号線23の記録ヘッド1側の入力インピーダンスである。以下、ノイズ源18を、配線部材2中を伝送するクロック信号CLKとする。図5(a)及び図5(b)に示すように、クロック信号CLKの記録ヘッド1側の終端部には等価容量コンデンサCiが構成され、等価容量コンデンサCiは記録ヘッドの交流的なグランド電位となる交流グランド25と接続される。インピーダンスR、インピーダンスRは交流グランド25に接続される。一方、ノイズ源18、インピーダンスR、インピーダンスRは交流グランド26に接続される。
ここで、図5(a)と図5(b)の伝送線路モデルについて考える。重畳するノイズ電圧は、ノイズ(クロック信号CLK)を発生させる信号線21cとノイズ被害配線(第1の信号線22、第2の信号線23)との結合インピーダンスと、ノイズ被害配線の両端の負荷インピーダンスによって決定される。ここで、第1の信号線22と第2の信号線23が隣接している場合、信号線21cと第1の信号線22との結合インピーダンスと信号線21cと第2の信号線23との結合インピーダンスは、等しくなる。しかし、第1の信号線22と第2の信号線23とのそれぞれの両端の負荷インピーダンスが異なるために、図10に示した温度検出波形に重畳するノイズ電圧が生じる。
図5(a)に示すモデルにおいては、温度センサ5側の入力インピーダンスRと入力インピーダンスRとの値が等しく、かつ、制御部3側の入力インピーダンスRと入力インピーダンスRとの値が等しい。その結果、制御部3側において発生する第1の信号線22に重畳するノイズ電圧と第2の信号線23に重畳するノイズ電圧とが平衡する。つまり、図1の制御部3内の差動増幅回路11の2つの入力端子に生じるノイズ電圧は、同相ノイズとなるのでキャンセルされる。従って、差動増幅回路11の出力電圧Vに生じるノイズ電圧が低減される。しかしながら、図5(b)に示す従来のモデルにおいては、制御部3側の入力インピーダンスRはゼロである。従って、制御部3側において発生する第1の信号線22に重畳するノイズ電圧と第2の信号線23に重畳するノイズ電圧とが平衡とならない。従って、差動増幅回路11の出力電圧Vは、重畳するノイズ電圧をそのまま増幅して出力してしまう。
以上のように、重畳するノイズを低減するためには、第1の信号線22及び第2の信号線23とノイズ源信号とが干渉する伝送線路において、以下の2つの点を考慮することが重要である。第1点として、第1の信号線22と第2の信号線23とを隣接して配置する。第2点として、伝送路の両端において、第1の信号線22と第2の信号線23との入力インピーダンスを等しくする。但し、入力インピーダンスが完全に等しくなくても、差動増幅回路11の2つの入力端子に生じるノイズの同相成分はキャンセルされるので、ノイズ低減効果は期待できる。従って、インピーダンスの平衡具合は、許容される温度検出誤差に基づいて決定すれば良い。図5(a)に示した伝送線路の終端部の抵抗値は、後述する等価回路モデルによる検証実験の結果に基づいて決定された値である。
図3は、図5(a)に示した伝送線路モデルを実現する回路を示す図である。本実施例においては、温度センサ5を構成するPNPトランジスタのベース・コレクタ間に整合回路となる抵抗RBCを配置する。ベース・コレクタ間に挿入する抵抗RBCには、次の2つの目的がある。一つは、温度センサ5側のカソード入力インピーダンスRをアノード入力インピーダンスRと等しく(整合)するために、温度センサ5のベース端子と、接地されたコレクタ端子との間に抵抗RBCを配置することである。一つは、差動増幅回路11の基準電圧Vrefを設定するための0V基準を記録ヘッド1側のGNDとするために、温度センサ5のベース端子と、接地されたコレクタ端子との間に抵抗RBCを配置することである。これにより、制御部3側の入力インピーダンスRを図5(b)に示すようなゼロではなく、抵抗14(R2)および抵抗15(R3)の値により任意に設定することが可能となる。ここで、PNPトランジスタのベース・コレクタ間に挿入する抵抗RBCは、記録ヘッド1の内部に半導体製造プロセスによって形成されるポリシリコン抵抗や拡散抵抗であっても良い。また、記録ヘッド1の外部に実装される抵抗素子であっても良い。
次に、図3に示す4つの入力インピーダンスR、R、R、Rがどのように決定されるかについて図3を参照しながら詳細に説明する。
入力インピーダンスRは、温度センサ5の直流バイアス電流を供給する抵抗13(R1)と、差動増幅回路11の入力抵抗16(R4)の並列抵抗となる。ここで、R1<<R4の場合には、式(2)で示される。
≒R1 ・・・(2)
また、入力インピーダンスRは、抵抗14(R2)と抵抗15(R3)の直列接続であるので、入力インピーダンスRは、式(3)で示される。
=R2+R3 ・・・(3)
また、入力インピーダンスRは、式(4)で示される。
=re+(rbb+RBC//R)/hfe ・・・(4)
ここで、「RBC//R」は、RBCとRの並列合成抵抗を示す。
また、入力インピーダンスRは、式(5)で示される。
=RBC//{rbb+(re+R)hfe} ・・・(5)
ここで、reはエミッタ抵抗、rbbはベース拡がり抵抗、hfeはエミッタ接地電流増幅率である。エミッタ抵抗reは、ボルツマン定数k、素電荷量q、絶対温度Tで決定される熱電圧Vtとダイオード温度センサのバイアス電流Ibiasとの比であり、式(6)で求められる。
re=Vt/Ibias=(kT/q)/Ibias ・・・(6)
仮に、電流増幅率hfeが十分に大きく(100や200等)、かつ、re<<RBC/hfeの場合には、R≒re、R≒RBCと近似できる。
図3の示す構成において、以下のように、抵抗値を設定する。まず、温度センサ5に流れる直流バイアス電流Ibiasを0.2mAとする。これは、式(7)に示すとおり、抵抗13(R1)によって求められる。
Ibias=(Vcc−Vbe−Vbc)/R1 ・・・(7)
PNPトランジスタのベース・エミッタ間電圧Vbeは約0.65Vである。また、ベース・コレクタ間電圧Vbcは、抵抗6(RBC)、抵抗14(R2)、抵抗15(R3)との分圧比で決定されるが、ほぼ0Vとみなして良い。
従って、抵抗13(R1)は、Vcc=3.3Vとすると、式(8)で示される。
R1=(3.3−0.65)/0.2[mA]≒13[kΩ] ・・・(8)
差動増幅回路11の入力抵抗16(R4)は、R1の影響により増幅率が変化しないように十分大きな値とする。本実施例においては、R4=100[kΩ]とする。従って、入力インピーダンスRは、式(2)からR≒R1=13[kΩ]となる。
次に、差動増幅回路11の基準電圧Vrefを設定する抵抗14(R2)、抵抗15(R3)を以下のように求める。入力インピーダンスRを入力インピーダンスRと揃えるため、式(3)からR=R2+R3=13[kΩ]となる。差動増幅回路11の基準電圧Vref及び電圧増幅率は、出力電圧Vの変動幅が次段の信号処理部12のADコンバータの入力電圧範囲に収まるように決定される。本実施例においては、温度センサ5の順方向電圧、つまりPNPトランジスタのベース・エミッタ間電圧Vbeは、0.7V(0℃)〜0.5V(100℃)となる。これは、温度特性を−2mV/℃、検出温度範囲を0℃〜100℃、25℃における順方向電圧を0.65Vとした場合である。ここで、製造プロセスによるばらつきを±0.05Vとすると、Vbeの変動範囲は、0.45V〜0.75Vとなる。また、ADコンバータの入力電圧範囲が0.5V〜2.75Vに設定されるとすると、電圧増幅率は7.5倍となる。また、基準電圧Vrefは、Vbeの変動範囲0.45v〜0.75vの場合に、7.5倍した結果がADコンバータの入力電圧範囲0.5V〜2.75Vに収まるようにVrefを定めると、Vref=0.72Vとなる。その際の、R2とR3は、R2+R3=13[kΩ]から、分圧比によりR2=10[kΩ]、R3=2.7[kΩ]として求められる。
最後に、温度センサ5のベース・コレクタ間に挿入する抵抗RBCの抵抗値の設定について説明する。上述したように、PNPトランジスタの電流増幅率hfeが十分に大きく、かつre<<RBC/hfeの場合には、R≒re、R≒RBCと近似できる。従って、入力インピーダンスRと入力インピーダンスRとを整合するためには、RBC=reとすれば良い。ここで、エミッタ抵抗reは式(6)から、re≒25.8[mV]/0.2[mA]=130[Ω]となる。従って、RBC=130[Ω]とすれば良い。図5(a)に示した各終端抵抗値は、以上のように設定した場合の例である。
以上においては、電流増幅率hfeが十分に大きい場合に、式(4)及び式(5)がR≒re、R≒RBCと近似できることを説明した。以下、電流増幅率hfeが小さい(5や10等)場合について説明する。
実際に重畳するノイズが問題とされる周波数は、実験検討の結果、100MHz〜150MHzであることが確認されている。そのような周波数においては、トランジスタの電流増幅率hfeは大きく低下し、上述の近似計算が成り立たなくなる。
そこで、入力インピーダンスRの式(4)および入力インピーダンスRの式(5)を用いて、RBCの値を変えた場合の入力インピーダンスR、入力インピーダンスRを計算した。その計算結果を図17に示す。ここで、計算条件として、温度センサ5のバイアス電流Ibias=0.2[mA]、PNPトランジスタのベース拡がり抵抗rbb=50[Ω]、入力インピーダンスR=13[kΩ]である。また、エミッタ抵抗re=130[Ω]である。
図17に示すように、トランジスタの電流増幅率hfeが1、つまり、電流増幅作用がなくなる場合において、RBCが50[Ω]以上の値であれば、入力インピーダンスRと入力インピーダンスRとの値の比率が5倍程度の範囲に収まっている。つまり、ベース・コレクタ間の抵抗RBCは、エミッタ抵抗reに対して等しくなくとも、ある値以上であれば、ノイズ低減に有効であることが図17から推定できる。
そのことを確かめるために、以下のような等価回路モデルにおいて実験検証を行った。検証実験を行った回路モデルを図6に、図6の回路モデルの等価回路を図7に示す。図7に示す等価回路において、インクジェット記録装置の記録ヘッドを取り付けるFPC102およびインクジェット記録装置本体との接続パッドを備えたプリント基板104がノイズ伝播経路とされ、制御部103の差動増幅回路111の出力電圧が測定される。このモデルでは、記録ヘッドの代わりにPNPトランジスタ105、抵抗素子106、およびデジタル信号の終端容量として容量値10pFのコンデンサ109がFPC102上に実装される。さらに、ノイズ源18の信号として、振幅250mVppの正弦波が入力される。そのような条件において、差動増幅回路111の出力電圧Vに生じるオフセット電圧を測定した。ノイズ源18の正弦波を100MHz〜150MHzで変化させたときの出力電圧Vに生じるオフセット電圧を図8に示す。
図8に示すように、ベース・コレクタ間抵抗RBCを変えた場合のオフセット電圧が大きく異なることが確認できる。図8に示すように、オフセット電圧が大きい場合は、図2及び図4に示すような従来の構成とした場合である(図8に示す「RBC_オープン」の場合)。これは、上述したように、伝送線路の両端の入力インピーダンスが第1の信号線22と第2の信号線23とで異なっている場合であり、重畳するノイズの影響を大きく受けていることが確認できる。また、「RBC_ショート」と表示しているものは、回路構成は、図1(a)及び図3と同じであるが、ベース・コレクタ間を直接接続した場合である。これは、伝送線路の入力インピーダンスのうち、RとRだけが等しくなっているが、温度センサ5側の入力インピーダンスRとRは、入力インピーダンスR=0[Ω]となるので、等しくなっていない場合である。しかしながら、RBC=150[Ω]とした場合は、出力電圧Vのオフセットは、理想的にほぼゼロとなった。つまり、伝送線路の両側の入力インピーダンスが第1の信号線22と第2の信号線23とで等しくなった状態では、重畳するノイズはほぼゼロまで低減できることが確認された。
次に、同じ図6の回路モデルを用いて、ベース・コレクタ間の抵抗RBCを0[Ω]から5[kΩ]まで変化させた場合の出力電圧Vのオフセット電圧を測定した。ノイズ源18の信号として振幅250mVppの正弦波(100MHz〜150MHz)を入力した場合の測定結果を図9(a)に示す。図9(a)において、100MHz〜150MHzの周波数範囲でオフセット電圧が最大となった周波数での値を縦軸の値としてプロットしている。また、ノイズ源として振幅3.3V、周波数10MHzの矩形波(立上り/立下り時間を2.5nsと5nsの2通り)を入力した場合の結果を図9(b)に示す。いずれのノイズ源に対しても、ベース・コレクタ間抵抗RBCが50[Ω]以上であると、出力電圧Vのオフセット電圧は大きく低減していることが確認できる。
以上の検証実験結果より、ベース・コレクタ間に挿入する抵抗RBCは、バイアス電流Ibiasによって決定されるエミッタ抵抗reの1/3より大きい値にすると、重畳するノイズにより生じるオフセット電圧をほぼゼロに低減できるといえる。
本実施例においては、ノイズ低減効果を発揮する抵抗RBCの下限値は、エミッタ抵抗reの値に対してその1/3より大きい値としているが、制御部3を搭載したインクジェット記録装置に要求される検出温度の許容誤差に応じて任意に決定しても良い。例えば、図9(a)に示すRBC=13[Ω]に対応するオフセット電圧40[mV]が許容されるのであれば、エミッタ抵抗reの1/10である13[Ω]をRBCの値としても良い。
以上説明した温度センサ5および制御部3は、以下に述べる他の構成においても適用できる。温度センサ5のPN接合に順方向バイアス電流を供給するバイアス電流源は、図14に示すように、記録ヘッド1内に形成される定電流源回路であってもよい。また、温度センサ5はNPNトランジスタで構成されていてもよい。N型半導体を基板(サブストレート)に用いたCMOS半導体プロセスにおいて、順バイアスされたPN接合を形成する最も簡単な構造は、図12(a)に示したサブストレートNPNトランジスタである。サブストレートNPNトランジスタのベース・エミッタ間接合を温度センサ5として用いる構成を図1(b)に示す。第1の信号線22は、トランジスタ5のエミッタ端子と接続される。さらに、第1の信号線22は、制御部3のGNDパターン17と抵抗13を介して接続される。また、第2の信号線23は、差動増幅回路11の基準電圧側端子の基準電圧を定めるために、抵抗14を介してGNDパターン17と接続され、さらに抵抗15および記録ヘッド1内の抵抗6を用いてVDDに接続されるように構成される。
温度センサ5に順方向バイアス電流を供給する抵抗13は、エミッタ端子に接続された第1の信号線22とGND配線24との間に配置される。第1の信号線22および第2の信号線23の両端の入力インピーダンスを等しくするための抵抗6は、第2の信号線23に接続されるベース端子と、電源電圧VDDに接続されるコレクタ端子との間に配置される。
本実施例を適用できる記録ヘッド1の内部に形成される温度センサ5の他の構成例を示す。図12(b)、図12(c)、図13(a)、図13(b)に示したトランジスタ構造は、P型半導体を基板に用いたバイポーラプロセスによって形成されたトランジスタの構成例である。これらに示したトランジスタのPN接合に順方向バイアス電流を供給し、温度センサを構成することができる。これらの例についての制御部3の構成例は図示しないが、図1(a)および図1(b)と同様の制御部3を構成する。
さらに、トランジスタのベース・コレクタ間のPN接合に順バイアスを加えて温度センサ5として利用してもよい。この場合、挿入する抵抗は、ベース・エミッタ間に配置される。これは、つまり、トランジスタのコレクタとエミッタを逆にし、温度センサ5として用いるということである。
以上の実施例においては、温度センサ5が記録ヘッド1の内部に1つだけ搭載された例について説明したが、複数の温度センサ5が記録ヘッド1内に設けられても良い。また、制御部3の入力部にスイッチを構成し、複数の温度センサ5からの信号線を切り替えて制御部3に接続するようにしても良い。
また、さらに、複数の温度センサ5を記録ヘッド1内に設ける場合に、記録ヘッド1のコンタクトパッドおよび信号線を節約するために、PNPトランジスタ構成の温度センサ5の場合にはベース端子から出力される第2の信号線23を1本に共通化しても良い。その場合、第1の信号線22のみを各温度センサ5から別々の配線として取り出すようにしても良い。その場合には、第1の信号線22および第2の信号線23の両端の入力インピーダンスを揃えるために挿入する抵抗は、共通化された第2の信号線23とサブストレートとの間に配置される。抵抗値については、上記の実施例で説明したような抵抗値とすれば良い。
図1(a)および図1(b)に示した構成では、差動増幅回路11を含む制御部3が記録ヘッド1の外部に設けられ、温度センサ5と制御部3との間をFPC等の配線部材で接続された例を示している。しかしながら、差動増幅回路11を含む制御部3は、記録ヘッド1に内蔵されていても良い。その場合には、記録ヘッド1内の温度センサ5と差動増幅回路11との間の配線を伝送線路と考える。また、第1の信号線22および第2の信号線23の両端の入力インピーダンスを揃えるために配置する抵抗6を、温度センサ5を構成するトランジスタのベース・コレクタ間に配置すれば良い。
図15は、図1に示す記録ヘッド1及び制御部3が搭載されるインクジェット記録装置の斜視図を示す図である。
図15に示すように、インクジェット記録装置(以下、記録装置という)は、インクジェット方式に従ってインクを吐出して記録を行なう記録ヘッド151を搭載したキャリッジ152にキャリッジモータM1によって発生する駆動力を伝達機構153より伝え、キャリッジ152を矢印A方向に往復移動させるとともに、例えば、記録紙などの記録媒体Pを給紙機構154を介して給紙し、記録位置まで搬送し、その記録位置において記録ヘッド151から記録媒体Pにインクを吐出することで記録を行なう。
また、記録ヘッド151の状態を良好に維持するためにキャリッジ152を回復装置155の位置まで移動させ、間欠的に記録ヘッド151の吐出回復処理を行う。
記録装置のキャリッジ152には記録ヘッド151を搭載するのみならず、記録ヘッド151に供給するインクを貯留するインクカートリッジ156を装着する。インクカートリッジ156はキャリッジ152に対して着脱自在になっている。
図1に示した記録装置はカラー記録が可能であり、そのためにキャリッジ152にはマゼンタ(M)、シアン(C)、イエロ(Y)、ブラック(K)のインクを夫々、収容した4つのインクカートリッジを搭載している。これら4つのインクカートリッジは夫々独立に着脱可能である。
さて、キャリッジ152と記録ヘッド151とは、両部材の接合面が適正に接触されて所要の電気的接続を達成維持できるようになっている。記録ヘッド151は、記録信号に応じてエネルギーを印加することにより、複数の吐出口からインクを選択的に吐出して記録する。特に、この実施例の記録ヘッド151は、熱エネルギーを利用してインクを吐出するインクジェット方式を採用し、熱エネルギーを発生するために電気熱変換体を備え、その電気熱変換体に印加される電気エネルギーが熱エネルギーへと変換され、その熱エネルギーをインクに与えることにより生じる膜沸騰による気泡の成長、収縮によって生じる圧力変化を利用して、吐出口よりインクを吐出させる。この電気熱変換体は各吐出口のそれぞれに対応して設けられ、記録信号に応じて対応する電気熱変換体にパルス電圧を印加することによって対応する吐出口からインクを吐出する。
図15に示されているように、キャリッジ152はキャリッジモータM1の駆動力を伝達する伝達機構153の駆動ベルト157の一部に連結されており、ガイドシャフト158に沿って矢印A方向に摺動自在に案内支持されるようになっている。従って、キャリッジ152は、キャリッジモータM1の正転及び逆転によってガイドシャフト158に沿って往復移動する。また、キャリッジ152の移動方向(矢印A方向)に沿ってキャリッジ152の絶対位置を示すためのスケール159が備えられている。この実施例では、スケール159は透明なPETフィルムに必要なピッチで黒色のバーを印刷したものを用いており、その一方はシャーシ160に固着され、他方は板バネ(不図示)で支持されている。
また、記録装置には、記録ヘッド151の吐出口(不図示)が形成された吐出口面に対向してプラテン(不図示)が設けられており、キャリッジモータM1の駆動力によって記録ヘッド151を搭載したキャリッジ152が往復移動されると同時に、記録ヘッド151に記録信号を与えてインクを吐出することによって、プラテン上に搬送された記録媒体Pの全幅にわたって記録が行われる。
さらに、記録装置は、記録媒体Pを搬送するために搬送モータM2によって駆動される搬送ローラ161、バネ(不図示)により記録媒体Pを搬送ローラ161に当接するピンチローラ162、ピンチローラ162を回転自在に支持するピンチローラホルダ163、搬送ローラ161の一端に固着された搬送ローラギア164を含む。そして、搬送ローラギア164に中間ギア(不図示)を介して伝達された搬送モータM2の回転により、搬送ローラ161が駆動される。
またさらに、記録ヘッド151によって画像が形成された記録媒体Pを記録装置外ヘ排出するための排出ローラ165を含み、搬送モータM2の回転が伝達されることで駆動されるようになっている。なお、排出ローラ165は記録媒体Pをバネ(不図示)により圧接する拍車ローラ(不図示)により当接する。拍車ホルダ166は、拍車ローラを回転自在に支持する。
またさらに、記録装置には、図1に示されているように、記録ヘッド151を搭載するキャリッジ152の記録動作のための往復運動の範囲外(記録領域外)の所望位置(例えば、ホームポジションに対応する位置)に、記録ヘッド151の吐出不良を回復するための回復装置155が配設されている。
回復装置155は、記録ヘッド151の吐出口面をキャッピングするキャッピング機構167と記録ヘッド151の吐出口面をクリーニングするワイピング機構168を備えており、キャッピング機構167による吐出口面のキャッピングに連動して回復装置内の吸引構成(吸引ポンプ等)により吐出口からインクを強制的に排出させ、それによって、記録ヘッド151のインク流路内の粘度の増したインクや気泡等を除去するなどの吐出回復処理を行う。
また、非記録動作時等には、記録ヘッド151の吐出口面をキャッピング機構167によるキャッピングすることによって、記録ヘッド151を保護するとともにインクの蒸発や乾燥を防止することができる。一方、ワイピング機構168はキャッピング機構167の近傍に配され、記録ヘッド151の吐出口面に付着したインク液滴を拭き取るようになっている。
これらキャッピング機構167及びワイピング機構168により、記録ヘッド151のインク吐出状態を正常に保つことが可能となっている。
図16は、図15に示した記録装置の制御構成を示すブロック図である。
図16に示すように、図1の制御部3に相当する制御部200は、MPU201、後述する制御シーケンスに対応したプログラム、所要のテーブル、その他の固定データを格納したROM202、キャリッジモータM1の制御、搬送モータM2の制御、及び、記録ヘッド151の制御のための制御信号を生成する特殊用途集積回路(ASIC)203、画像データの展開領域やプログラム実行のための作業用領域等を設けたRAM204、MPU201、ASIC203、RAM204を相互に接続してデータの授受を行うシステムバス205、以下に説明するセンサ群からのアナログ信号を入力してA/D変換し、デジタル信号をMPU201に供給するA/D変換器206などで構成される。
また、図16において、210は画像データの供給源となるコンピュータ(或いは、画像読取り用のリーダやデジタルカメラなど)でありホスト装置と総称される。ホスト装置210と本記録装置との間ではインタフェース(I/F)211を介して画像データ、コマンド、ステータス信号等を送受信する。
さらに、スイッチ群220は、電源スイッチ221、プリント開始を指令するためのプリントスイッチ222、及び記録ヘッド151のインク吐出性能を良好な状態に維持するための処理(回復処理)の起動を指示するための回復スイッチ223など、操作者による指令入力を受けるためのスイッチを含む。また、センサ群230は、ホームポジションhを検出するためのフォトカプラなどの位置センサ231、環境温度を検出するために記録装置の適宜の箇所に設けられた温度センサ232等を含む。
さらに、キャリッジモータドライバ240は、キャリッジ152を矢印A方向に往復走査させるためのキャリッジモータM1を駆動させる。また、搬送モータドライバ241は、記録媒体Pを搬送するための搬送モータM2を駆動させる。
ASIC203は、記録ヘッド151による記録走査の際に、ROM202の記憶領域に直接アクセスしながら記録ヘッド151に対して記録素子(吐出ヒータ)の駆動データ(DATA)を転送する。
なお、図15に示す構成は、インクカートリッジ156と記録ヘッド151とが分離可能な構成であるが、これらが一体的に形成されて交換可能なヘッドカートリッジを構成しても良い。

Claims (6)

  1. 温度センサを内蔵した記録ヘッドを制御する制御部と、前記記録ヘッドと前記制御部とを接続するケーブルとを含む記録装置であって、
    前記ケーブルに配線され、前記記録ヘッドの温度に応じた電圧を生じ、前記温度センサに接続された第1の信号線と第2の信号線と、
    前記制御部に内蔵され、前記第1の信号線と前記第2の信号線との電圧差を増幅して該増幅された電圧差を前記記録ヘッドの温度情報として出力する差動増幅回路と、
    前記記録ヘッドにおいて、前記第1の信号線と前記第2の信号線のいずれかを抵抗を介して接地することにより、前記第1の信号線の配線抵抗と前記第2の信号線の配線抵抗とを整合させる整合回路と、
    を備えることを特徴とする記録装置。
  2. 前記温度センサは、PNPトランジスタであって、
    前記第1の信号線は前記トランジスタのベース端子と前記差動増幅回路の一つの入力端子とを接続し、前記第2の信号線は前記トランジスタのエミッタ端子と前記差動増幅回路の他方の入力端子とを接続しており、
    前記抵抗は、接地された前記トランジスタのコレクタ端子と、前記ベース端子との間に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の記録装置。
  3. 温度センサを内蔵した記録ヘッドを制御する制御部と、前記記録ヘッドと前記制御部とを接続するケーブルとを含む記録装置であって、
    前記ケーブルに配線され、前記記録ヘッドの温度に応じた電圧を生じ、前記温度センサに接続された第1の信号線および第2の信号線と、
    前記制御部に内蔵され、前記第1の信号線と前記第2の信号線との電圧差を増幅して該増幅された電圧差を前記記録ヘッドの温度情報として出力する差動増幅回路と、
    前記記録ヘッドにおいて、前記第1の信号線と前記第2の信号線のいずれかを抵抗を介して電源と接続することにより、前記第1の信号線の配線抵抗と前記第2の信号線の配線抵抗とを整合させる整合回路と、
    を備えることを特徴とする記録装置。
  4. 前記温度センサは、NPNトランジスタであって、
    前記第1の信号線は前記トランジスタのベース端子と前記差動増幅回路の一つの入力端子とを接続し、前記第2の信号線は前記トランジスタのエミッタ端子と前記差動増幅回路の他方の入力端子とを接続しており、
    前記抵抗は、電源に接続された前記トランジスタのコレクタ端子と、前記ベース端子との間に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の記録装置。
  5. 前記記録装置は、インクジェット記録装置であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の記録装置。
  6. 温度センサを内蔵した記録ヘッドを制御する制御部と、前記記録ヘッドと前記制御部とを接続するケーブルとを含む記録装置であって、
    前記ケーブルに配線され、前記記録ヘッドの温度に応じた電圧を生じ、前記温度センサに接続された第1の信号線と第2の信号線と、
    前記制御部に内蔵され、前記第1の信号線と前記第2の信号線との電圧差を増幅して該増幅された電圧差を前記記録ヘッドの温度情報として出力する差動増幅回路と、
    前記記録ヘッドにおいて、前記第1の信号線の配線抵抗と前記第2の信号線の配線抵抗とが等しくなるように、前記第1の信号線と前記第2の信号線のいずれかを抵抗を介してグランドと接続する回路と、
    を備えることを特徴とする記録装置。
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