JP2012023179A - 光学モジュールおよび原子発振器 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 74
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 6
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 80
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/137—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity for stabilising of frequency
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/101—Lasers provided with means to change the location from which, or the direction in which, laser radiation is emitted
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03B17/00—Generation of oscillations using radiation source and detector, e.g. with interposed variable obturator
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- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/031—Metal vapour lasers, e.g. metal vapour generation
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
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Abstract
【課題】周波数安定度の高い原子発振器を得ることが可能な光学モジュールを提供する。
【解決手段】光学モジュール２は、量子干渉効果を利用する原子発振器１の光学モジュールであって、中心波長を有する基本波Ｆと、互いに異なる波長を有する第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２と、を含む第１光Ｌ１を発生させる光源１０と、第１光Ｌ１の第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２を選択して透過することによって、第２光Ｌ２を射出する波長選択手段２０と、アルカリ金属ガスを封入し、第２光Ｌ２が照射されるガスセル３０と、ガスセル３０を透過した第２光Ｌ２の強度を検出する光検出手段４０と、を含む。
【選択図】図１
【解決手段】光学モジュール２は、量子干渉効果を利用する原子発振器１の光学モジュールであって、中心波長を有する基本波Ｆと、互いに異なる波長を有する第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２と、を含む第１光Ｌ１を発生させる光源１０と、第１光Ｌ１の第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２を選択して透過することによって、第２光Ｌ２を射出する波長選択手段２０と、アルカリ金属ガスを封入し、第２光Ｌ２が照射されるガスセル３０と、ガスセル３０を透過した第２光Ｌ２の強度を検出する光検出手段４０と、を含む。
【選択図】図１
Description
本発明は、光学モジュールおよび原子発振器に関する。
近年、量子干渉効果のひとつであるＣＰＴ（Coherent Population Trapping）を利用した原子発振器が提案され、装置の小型化や低消費電力化が期待されている。ＣＰＴを利用した原子発振器は、アルカリ金属原子に互いに波長（周波数）の異なる２つの共鳴光を同時に照射すると、２つの共鳴光の吸収が停止する現象（ＥＩＴ現象：Electromagnetically Induced Transparency）を利用した発振器である。例えば、特許文献１には、ＣＰＴを利用した原子発振器として、コヒーレントな光を発する光源と、アルカリ金属原子が封入されたガスセルと、ガスセルを透過した光の強度を検出する受光素子と、を有する光学モジュールを含んで構成された原子発振器が記載されている。
ＣＰＴを利用した原子発振器では、例えば、光源として半導体レーザーが用いられる。光源として半導体レーザーを用いた原子発振器では、例えば、半導体レーザーの駆動電流を変調することによって半導体レーザーから出射される光に側帯波を発生させて、ＥＩＴ現象を発現させている。
しかしながら、駆動電流が変調された半導体レーザーから出射される光には、側帯波だけでなく、ＥＩＴ現象に寄与しない中心波長を有する基本波（搬送波）も含まれる。この基本波がアルカリ金属原子に照射されると、アルカリ金属原子が吸収する光の波長（周波数）が変化して（ＡＣシュタルク効果）、原子発振器の周波数の安定度を低下させる場合がある。
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、周波数安定度の高い原子発振器を得ることが可能な光学モジュールを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記光学モジュールを有する原子発振器を提供することにある。
本発明に係る光学モジュールは、
量子干渉効果を利用する原子発振器の光学モジュールであって、
中心波長を有する基本波と、互いに異なる波長を有する第１側帯波および第２側帯波と、を含む第１光を発生させる光源と、
前記第１光の前記第１側帯波および前記第２側帯波を選択して透過することによって、第２光を射出する波長選択手段と、
前記アルカリ金属ガスを封入し、前記第２光が照射されるガスセルと、
前記ガスセルを透過した前記第２光の強度を検出する光検出手段と、
を含む。
量子干渉効果を利用する原子発振器の光学モジュールであって、
中心波長を有する基本波と、互いに異なる波長を有する第１側帯波および第２側帯波と、を含む第１光を発生させる光源と、
前記第１光の前記第１側帯波および前記第２側帯波を選択して透過することによって、第２光を射出する波長選択手段と、
前記アルカリ金属ガスを封入し、前記第２光が照射されるガスセルと、
前記ガスセルを透過した前記第２光の強度を検出する光検出手段と、
を含む。
このような光学モジュールによれば、波長選択手段が、第１光の基本波の強度を減少または基本波を消滅させることができる。これにより、ＥＩＴ現象に寄与しない基本波がアルカリ金属原子に照射されることを抑制または防止できる。したがって、ＡＣシュタルク効果による周波数変動を抑制することができ、周波数安定度の高い発振器を提供できる。
本発明に係る光学モジュールにおいて、
前記波長選択手段は、エタロンであることができる。
前記波長選択手段は、エタロンであることができる。
このような光学モジュールによれば、波長選択手段を簡易な構成で形成できる。
本発明に係る光学モジュールにおいて、
前記エタロンは、
前記第１光を反射させ、互いに対向する第１ミラーおよび第２ミラーと、
前記第１ミラーと前記第２ミラーとの間に配置された基板と、
を有し、
前記基板の材質は、化合物半導体であることができる。
前記エタロンは、
前記第１光を反射させ、互いに対向する第１ミラーおよび第２ミラーと、
前記第１ミラーと前記第２ミラーとの間に配置された基板と、
を有し、
前記基板の材質は、化合物半導体であることができる。
このような光学モジュールによれば、第１ミラーと第２ミラーとの間の距離を小さくでき、装置の小型化を図ることができる。
本発明に係る光学モジュールにおいて、
さらに、基体を含み、
前記基体の材質は、化合物半導体であり、
前記光源は、半導体レーザーであり、
前記エタロンおよび前記光源は、基体に形成されていることができる。
さらに、基体を含み、
前記基体の材質は、化合物半導体であり、
前記光源は、半導体レーザーであり、
前記エタロンおよび前記光源は、基体に形成されていることができる。
このような光学モジュールによれば、エタロンおよび光源が同じ基体に形成されているため、装置の小型化を図ることができる。
本発明に係る光学モジュールにおいて、
前記エタロンの前記基板は、前記基体側から順に形成された第１層、第２層、および第３層を有し、
前記第１層の屈折率および前記第３層の屈折率は、前記第２層の屈折率より小さく、
前記第２層は、前記第１光を伝播させることができる。
前記エタロンの前記基板は、前記基体側から順に形成された第１層、第２層、および第３層を有し、
前記第１層の屈折率および前記第３層の屈折率は、前記第２層の屈折率より小さく、
前記第２層は、前記第１光を伝播させることができる。
このような光学モジュールによれば、基板を光導波路とすることができる。したがって、波長選択手段から射出される第２光のビーム径を制御することができ、第２光をガスセルに効率よく照射することができる。
本発明に係る光学モジュールにおいて、
前記光源は、端面発光型レーザーであることができる。
前記光源は、端面発光型レーザーであることができる。
このような光学モジュールによれば、端面発光型レーザーを構成する層の膜厚の制御によって、光源（端面発光型レーザー）と波長選択手段との間のアライメントができる。さらに、例えば、同じ基体に形成された波長変換手段に第１光を入射させるための光学素子が不要となる。したがって、光源と波長選択手段との間のアライメント精度を向上させることができる。
本発明に係る光学モジュールにおいて、
前記光源は、面発光型レーザーであることができる。
前記光源は、面発光型レーザーであることができる。
このような光学モジュールによれば、面発光型レーザーは、端面発光型レーザーと比べて、ゲインを生じさせるための電流が少ないため、低消費電力化を図ることができる。
本発明に係る光学モジュールにおいて、
前記波長選択手段は、ファイバーグレーティングであることができる。
前記波長選択手段は、ファイバーグレーティングであることができる。
このような光学モジュールによれば、ファイバーグレーティングは、変形が容易であるため、設計の自由度を向上できる。
本発明に係る原子発振器は、
本発明に係る光学モジュールを含む。
本発明に係る光学モジュールを含む。
このような原子発振器は、本発明に係る光学モジュールを含むため、ＡＣシュタルク効果による周波数変動を抑制することができ、周波数安定度を高めることができる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
まず、本実施形態に係る光学モジュールおよび原子発振器について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る原子発振器は、本実施形態に係る光学モジュールを含む。図１は、本実施形態に係る原子発振器１の機能ブロック図である。
原子発振器１は、光学モジュール２と、制御手段５０と、を含む。
光学モジュール２は、光源１０と、波長選択手段２０と、ガスセル３０と、光検出手段４０と、を含む。
光源１０は、中心波長（中心周波数）を有する基本波Ｆと、互いに異なる波長を有する第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２と、を含む第１光Ｌ１を発生させる。
波長選択手段２０は、第１光Ｌ１の第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２を選択して透過することによって第２光Ｌ２を射出する。
ガスセル３０は、アルカリ金属ガスを封入しており、ガスセル３０には、第２光Ｌ２が照射される。
光検出手段４０は、ガスセル３０を透過した第２光Ｌ２の強度を検出する。
制御手段５０は、光検出手段４０の検出結果に基づいて、第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２の波長（周波数）差が、ガスセル３０に封入されたアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数に等しくなるように制御する。具体的には、制御手段５０は、光検出手段４０の検出結果に基づいて、変調周波数ｆｍを有する検出信号を発生させる。そして、光源１０は、この変調信号に基づいて所定の周波数ｆ０を有する基本波Ｆを変調して、周波数ｆ１＝ｆ０＋ｆｍを有する第１側帯波Ｗ１、および周波数ｆ２＝ｆ０−ｆｍを有する第２側帯波Ｗ２を発生させる。
図２（Ａ）は、アルカリ金属原子のΛ型３準位モデルと第１側帯波Ｗ１及び第２側帯波Ｗ２の関係を示す図である。図２（Ｂ）は、光源１０において発生する第１光Ｌ１の周波数スペクトラムを示す図である。
図２（Ｂ）に示すように、光源１０において発生する第１光Ｌ１は、中心周波数ｆ０（＝ｖ／λ０：ｖは光の速度、λ０はレーザー光の中心波長）を有する基本波Ｆと、中心周波数ｆ０に対して上側サイドバンドに周波数ｆ１を有する第１側帯波Ｗ１と、中心周波数ｆ０に対して下側サイドバンドに周波数ｆ２を有する第２側帯波Ｗ２と、を含む。第１側帯波Ｗ１の周波数ｆ１は、ｆ１＝ｆ０＋ｆｍであり、第２側帯波Ｗ２の周波数ｆ２は、ｆ２＝ｆ０−ｆｍである。
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、第１側帯波Ｗ１の周波数ｆ１と第２側帯波Ｗ２の周波数ｆ２との周波数差が、アルカリ金属原子の基底準位１と基底準位２のエネルギー差ΔＥ１２に相当する周波数と一致している。したがって、アルカリ金属原子は、周波数ｆ１を有する第１側帯波Ｗ１と周波数ｆ２を有する第２側帯波Ｗ２によってＥＩＴ現象を起こす。
ここで、ＥＩＴ現象について説明する。アルカリ金属原子と光との相互作用は、Λ型３準位系モデルで説明できることが知られている。図２（Ａ）に示すように、アルカリ金属原子は２つの基底準位を有し、基底準位１と励起準位とのエネルギー差に相当する波長（周波数ｆ１）を有する第１側帯波Ｗ１、あるいは基底準位２と励起準位とのエネルギー差に相当する波長（周波数ｆ２）を有する第２側帯波Ｗ２を、それぞれ単独でアルカリ金属原子に照射すると、光吸収が起きる。ところが、図２（Ｂ）に示すように、このアルカリ金属原子に、周波数差ｆ１−ｆ２が基底準位１と基底準位２のエネルギー差ΔＥ１２に相当する周波数と正確に一致する第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２を同時に照射すると、２つの基底準位の重ね合わせ状態、即ち量子干渉状態になり、励起準位への励起が停止して第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２がアルカリ金属原子を透過する透明化現象（ＥＩＴ現象）が起きる。このＥＩＴ現象を利用し、第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２との周波数差ｆ１−ｆ２が基底準位１と基底準位２のエネルギー差ΔＥ１２に相当する周波数からずれた時の光吸収挙動の急峻な変化を検出し制御することで、高精度な発振器をつくることができる。
図３は、波長選択手段２０から射出された第２光Ｌ２の周波数スペクトラムを示す図である。
第２光Ｌ２は、第１光Ｌ１と比べて、基本波Ｆが消滅または基本波Ｆの強度が減少した光である。図３の例では、第２光Ｌ２は、中心周波数ｆ０に対して上側サイドバンドに周波数ｆ１を有する第１側帯波Ｗ１、および中心周波数ｆ０に対して下側サイドバンドに周波数ｆ２を有する第２側帯波Ｗ２のみを有している。このように、光学モジュール２では、波長選択手段２０によって、基本波Ｆの強度を減少または基本波Ｆを消滅させることができる。
以下、本実施形態の原子発振器のより具体的な構成について説明する。
図４は、原子発振器１の構成を示す図である。
原子発振器１は、図４に示すように、光学モジュール２と、電流駆動回路１５０と、変調回路１６０と、を含む。
光学モジュール２は、半導体レーザー１１０と、波長選択素子１２０と、ガスセル１３０と、光検出器１４０と、を含む。
半導体レーザー１１０は、中心波長を有する基本波Ｆと、互いに異なる波長を有する第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２と、を含む第１光Ｌ１を発生させる。半導体レーザー１１０が出射するレーザー光（第１光Ｌ１）は、電流駆動回路１５０が出力する駆動電流によって中心周波数ｆ０（中心波長λ０）が制御され、変調回路１６０の出力信号（変調信号）によって変調がかけられる。すなわち、電流駆動回路１５０による駆動電流に、変調信号の周波数成分を有する交流電流を重畳することにより、半導体レーザー１１０が出射する第１光Ｌ１に変調をかけることができる。これにより、第１光Ｌ１には、第１側帯波Ｗ１、および第２側帯波Ｗ２が生成される。半導体レーザー１１０において発生する光は、可干渉性を有するため、量子干渉効果を得るために好適である。
図２（Ｂ）に示すように、第１光Ｌ１は、中心周波数ｆ０（＝ｖ／λ０：ｖは光の速度、λ０は第１光Ｌ１の中心波長）を有する基本波Ｆと、中心周波数ｆ０に対して上側サイドバンドに周波数ｆ１を有する第１側帯波Ｗ１と、中心周波数ｆ０に対して下側サイドバンドに周波数ｆ２を有する第２側帯波Ｗ２と、を含む。第１側帯波Ｗ１の周波数ｆ１は、ｆ１＝ｆ０＋ｆｍであり、第２側帯波Ｗ２の周波数ｆ２は、ｆ２＝ｆ０−ｆｍである。
波長選択素子１２０は、第１光の第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２を選択して透過する。すなわち、波長選択素子１２０は、第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２に対する透過率が大きく、基本波Ｆに対する透過率が小さい。これにより、波長選択素子１２０に入射した第１光Ｌ１の基本波Ｆの強度を減少または基本波Ｆを消滅させて、第２光Ｌ２として射出することができる。すなわち、第２光Ｌ２は、第１光Ｌ１と比べて、基本波Ｆの強度が減少または基本波Ｆが消滅している。図３の例では、第２光Ｌ２は、中心周波数ｆ０に対して上側サイドバンドに周波数ｆ１を有する第１側帯波Ｗ１、および中心周波数ｆ０に対して下側サイドバンドに周波数ｆ２を有する第２側帯波Ｗ２のみを有している。
波長選択素子１２０は、後述するように、エタロンであってもよいし、ファイバーグレーティングであってもよい。
ガスセル１３０は、容器中に気体状のアルカリ金属原子（ナトリウム（Ｎａ）原子、ルビジウム（Ｒｂ）原子、セシウム（Ｃｓ）原子等）が封入されたものである。ガスセル１３０には、第２光Ｌ２が照射される。
このガスセル１３０に対して、アルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数（波長）を有する２つの光波（第１側帯波および第２側帯波）が照射されると、アルカリ金属原子がＥＩＴ現象を起こす。例えば、アルカリ金属原子がセシウム原子であれば、Ｄ１線における基底準位１と基底準位２のエネルギー差に相当する周波数が９．１９２６３・・・ＧＨｚなので、周波数差が９．１９２６３・・・ＧＨｚの２つの光波が照射されるとＥＩＴ現象を起こす。
光検出器１４０は、ガスセル１３０を透過した第２光Ｌ２を検出し、検出した光の量に応じた信号強度の信号を出力する。光検出器１４０の出力信号は電流駆動回路１５０および変調回路１６０に入力される。光検出器１４０は、フォトダイオードであってもよい。
電流駆動回路１５０は、光検出器１４０の出力信号に応じた大きさの駆動電流を発生して半導体レーザー１１０に供給し、第１光Ｌ１の中心周波数ｆ０（中心波長λ０）を制御する。
半導体レーザー１１０、波長選択素子１２０、ガスセル１３０、光検出器１４０、電流駆動回路１５０を通るフィードバックループにより第１光の中心周波数ｆ０（中心波長λ０）が微調整されて安定する。
変調回路１６０は、光検出器１４０の出力信号に応じた変調周波数ｆｍを有する変調信号を発生させる。この変調信号は、光検出器１４０の出力信号が最大になるように変調周波数ｆｍが微調整されながら半導体レーザー１１０に供給される。半導体レーザー１１０が出射するレーザー光は、変調信号により変調がかけられ、第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２を発生させる。
なお、半導体レーザー１１０、波長選択素子１２０、ガスセル１３０、光検出器１４０は、それぞれ図１の光源１０、波長選択手段２０、ガスセル３０、光検出手段４０に対応する。また、電流駆動回路１５０、変調回路１６０は、図１の制御手段５０に対応する。
このような構成の原子発振器１において、半導体レーザー１１０が発生させる第１光Ｌ１の第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２の周波数差がガスセル１３０に含まれるアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数と正確に一致しなければ、アルカリ金属原子がＥＩＴ現象を起こさないため、第１側帯波Ｗ１と照射光Ｗ２の周波数に応じて光検出器１４０の検出量は極めて敏感に変化する。そのため、半導体レーザー１１０、波長選択素子１２０、ガスセル１３０、光検出器１４０、および変調回路１６０を通るフィードバックループにより、第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２との周波数差がアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数と極めて正確に一致するようにフィードバック制御がかかる。その結果、変調周波数は極めて安定した周波数になるので、変調信号を原子発振器１の出力信号（クロック出力）とすることができる。
図５は、光学モジュール２の要部（半導体レーザー１１０および波長選択素子１２０）を模式的に示す断面図である。
光学モジュール２は、図５に示すように、さらに、基体１７０を含む。半導体レーザー１１０および波長選択素子１２０は、基体１７０に形成されている。このように半導体レーザー１１０および波長選択素子１２０がモノリシックに形成されることにより、装置の小型化を図ることができる。
基体１７０の材質は、化合物半導体である。具体的には、基体１７０の材質は、例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等のIII-V族半導体や、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ等のII-VI族半導体である。ここでは、基体１７０の材質が第１導電型（例えばｎ型）ＧａＡｓである場合について説明する。
半導体レーザー１１０は、第１半導体層１１２と、活性層１１４と、第２半導体層１１６と、を含む面発光型レーザーである。
第１半導体層１１２は、基体１７０上に形成されている。第１半導体層１１２は、例えば、ｎ型（第１導電型）Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）半導体ミラーである。
活性層１１４は、第１半導体層１１２上に形成されている。活性層１１４は、例えば、ＧａＡｓウェル層とＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
第２半導体層１１６は、例えば、ｐ型（第２導電型）Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とを交互に積層したＤＢＲ半導体ミラーである。
ｐ型の第２半導体層１１６、不純物がドーピングされていない活性層１１４、およびｎ型の第１半導体層１１２により、ｐｉｎダイオードが形成される。
第１電極１１８は、基体１７０の下面に形成されている。第１電極１１８は、基体１７０を介して、第１半導体層１１２と電気的に接続されている。第１電極１１８は、半導体レーザー１１０を駆動するための一方の電極である。
第２電極１１９は、第２半導体層１１６の上面に形成されている。第２電極１１９は、第２半導体層１１６と電気的に接続されている。第２電極１１９は、半導体レーザー１１０を駆動するための他方の電極である。
第１電極１１８と第２電極１１９とで、ｐｉｎダイオードに順方向の電圧を印加すると、活性層１１４において、電子と正孔との再結合が起こり、該再結合による発光が生じる。そこで生じた光が第２半導体層１１６と第１半導体層１１２との間を往復する際に誘導放出が起こり、光の強度が増幅される。光利得が光損失を上まわると、レーザー発振が起こり、第２半導体層１１６の上面からレーザー光（第１光Ｌ１）が出射される。半導体レーザー１１０から出射された光Ｌ１は、プリズム１８０で反射されて、波長選択素子１２０に入射する。プリズム１８０は、第１光Ｌ１の進行方向を変えて、第１光Ｌ１を波長選択素子１２０に入射させるための光学素子である。
光学モジュール２において、波長選択素子１２０は、エタロンである。波長選択素子１２０は、第１ミラー１２１と、第２ミラー１２２と、第１ミラー１２１と第２ミラー１２２との間に配置された基板１２３と、を含む。
波長選択素子１２０は、干渉作用により、入射した光のうち、所定波長の光（第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２）を透過する。第１ミラー１２１と第２ミラー１２２との間の基板１２３に光が入射すると、干渉作用により、基板１２３の長さ（第１ミラー１２１と第２ミラー１２２との間の距離）Ｄおよび基板１２３の屈折率に応じた波長の光が選択的に波長選択素子１２０を透過する。波長選択素子１２０は、第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２に対する透過率が大きく、基本波Ｆに対する透過率が小さい。これにより、波長選択素子１２０に入射した光Ｌ１の基本波Ｆの強度を減少または基本波Ｆを消滅させることができる。したがって、波長選択素子１２０は、例えば、第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２のみを含む第２光Ｌ２を射出することができる。
第１ミラー１２１と第２ミラー１２２は、基板１２３を介して、互いに対向している。第１ミラー１２１および第２ミラー１２２は、例えば、Ｔａ２Ｏ５膜とＳｉＯ２膜とを交互に積層した多層膜からなる。
基板１２３は、基体１７０上に形成されている。基板１２３は、基体１７０側から順に形成された、第１層１２４、第２層１２６、および第３層１２８を有している。基板１２３は、第１層１２４の屈折率および第３層１２８の屈折率は、第２層１２６の屈折率より小さい。したがって、第１層１２４および第３層１２８は、クラッド層として機能し、第２層は、第１光Ｌ１を伝播させるコア層として機能する。すなわち、基板１２３は、第１光Ｌ１を伝搬させる光導波路である。光学モジュール２では、基板１２３が光導波路であるため、波長選択素子から射出される光Ｌ２のビーム径を制御することができ、ガスセル１３０に光を効率よく照射することができる。
第１層１２４および第３層１２８の材質は、例えば、ＡｌＧａＡｓであり、第２層１２６の材質は、例えば、ＧａＡｓである。
基板１２３の材質は、特に限定されず、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等のIII-V族半導体や、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ等のII-VI族半導体であってもよい。基板１２３の材質として、例えば、ＧａＡｓを用いた場合、フリースペクトラルレンジを９．２ＧＨｚ、半値全幅を０．３ＧＨｚ程度とすると、基板１２３の長さＤは２８．５ｍｍ程度である。エタロンの基板の材質として一般的なＳｉＯ２を用いた場合、基板の長さは、７０．６６ｍｍ程度である。このように、基板１２３の材質として、屈折率の大きい化合物半導体を用いることで、基板１２３の長さＤを短くすることができる。
なお、基板１２３は、光導波路を形成しなくてもよい。基板１２３は、複数の層１２４，１２６，１２８を有さずに、単層であってもよい。
ここでは、波長変換素子１２０がエタロンである場合について説明したが、波長変換素子１２０は、光ファイバーのコアに長手方向に周期的な屈折率変化を与えたファイバーグレーティングであってもよい。ファイバーグレーティングは、光ファイバーを用いているため、変形が容易であり、設計の自由度を向上できる。
光学モジュール２および原子発振器１は、例えば、以下の特徴を有する。
光学モジュール２によれば、波長選択素子１２０が、第１光Ｌ１の基本波Ｆの強度を減少または基本波Ｆを消滅させることができる。これにより、ＥＩＴ現象に寄与しない基本波Ｆがアルカリ金属原子に照射されることを抑制または防止できる。したがって、ＡＣシュタルク効果による周波数変動を抑制することができ、周波数安定度の高い発振器を提供できる。
光学モジュール２によれば、波長選択素子１２０が、エタロンである。したがって、簡易な構成で波長選択素子を形成できる。また、波長選択素子（エタロン）１２０の基板１２３の材質が化合物半導体である。したがって、基板１２３の材質をＳｉＯ２とした場合と比べて、基板１２３の長さＤを短くすることができ、装置の小型化を図ることができる。
光学モジュール２によれば、波長選択素子（エタロン）１２０および半導体レーザー（光源）１１０が基体１７０に形成されている。このように波長選択素子１２０と半導体レーザー１１０を基体１７０にモノリシックに形成することにより、装置の小型化を図ることができる。
光学モジュール２によれば、上述のように、波長選択素子（エタロン）１２０の基板１２３が光導波路である。したがって、波長選択素子１２０から射出される光Ｌ２のビーム径を制御することができ、ガスセル１３０に効率よく光を照射することができる。
光学モジュール２によれば、光源１０が面発光型レーザーである。面発光型レーザーは、端面発光型レーザーと比べて、ゲインを生じさせるための電流が少ないため、低消費電力化を図ることができる。
原子発振器１によれば、光学モジュール２を有している。したがって、上述のように、周波数安定度の高めることができる。
なお、上述した実施形態は一例であって、これらに限定されるわけではない。
例えば、上述した図５に示す半導体レーザー１１０は、面発光型レーザーであったが、半導体レーザーは、端面発光型レーザーであってもよい。図６は、端面発光型レーザーを用いた光学モジュール２Ｄの要部を模式的に示す断面図である。以下、図６に示す光学モジュール２Ｄにおいて、上述した図５に示す光学モジュール２の構成と同様の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。
第１半導体層１１２は、基体１７０上に形成されている。第１半導体層１１２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）ＡｌＧａＡｓ層などを用いることができる。
活性層１１４は、第１半導体層１１２上に形成されている。活性層１１４は、例えば、ＧａＡｓウェル層とＡｌＧａＡｓバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
第２半導体層１１６は、活性層１１４上に形成されている。第２半導体層１１６としては、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＡｓ層などを用いることができる。
例えば、ｐ型の第２半導体層１１６、不純物がドーピングされていない活性層１１４、およびｎ型の第１半導体層１１２により、ｐｉｎダイオードが構成される。第２半導体層１１６および第１半導体層１１２の各々は、活性層１１４よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１１４は、光を増幅する機能を有する。第１半導体層１１２および第２半導体層１１６は、活性層１１４を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。
半導体レーザー１１０では、第１電極１１８と第２電極１１９との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１１４において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、光強度が増幅される。光利得が光損失を上まわると、レーザー発振が起こり、レーザー光が生じ、活性層１１４の側面からレーザー光（第１光Ｌ１）が出射される。
半導体レーザー１１０として端面発光型レーザーを用いることで、半導体レーザー１１０の各層１１２，１１４，１１６の積層方向に対して垂直にレーザー光を出射することができる。したがって、各層１１２，１１４，１１６の膜厚の制御によって、半導体レーザー１１０と波長選択素子１２０との間のアライメントができる。さらに、例えば、同じ基体１７０上に形成された波長変換素子１２０にレーザー光を入射させるためのプリズム等の光学素子が不要となる。したがって、半導体レーザー１１０と波長選択素子１２０との間のアライメント精度を向上させることができる。
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
１ 原子発振器、２ 光学モジュール、１０ 光源、２０ 波長選択手段、
３０ ガスセル、４０ 光検出手段、５０ 制御手段、１１０ 半導体レーザー、
１１２ 第１半導体層、１１４ 活性層、１１６ 第２半導体層、１１８ 第１電極、
１１９ 第２電極、１２０ 波長選択素子、１２１ 第１ミラー、１２２ 第２ミラー、
１２３ 基板、１２４ 第１層、１２６ 第２層、１２８ 第３層、１３０ ガスセル、
１４０ 光検出器、１５０ 電流駆動回路、１６０ 変調回路、１７０ 基体、
１８０ プリズム
３０ ガスセル、４０ 光検出手段、５０ 制御手段、１１０ 半導体レーザー、
１１２ 第１半導体層、１１４ 活性層、１１６ 第２半導体層、１１８ 第１電極、
１１９ 第２電極、１２０ 波長選択素子、１２１ 第１ミラー、１２２ 第２ミラー、
１２３ 基板、１２４ 第１層、１２６ 第２層、１２８ 第３層、１３０ ガスセル、
１４０ 光検出器、１５０ 電流駆動回路、１６０ 変調回路、１７０ 基体、
１８０ プリズム
Claims (9)
- 量子干渉効果を利用する原子発振器の光学モジュールであって、
中心波長を有する基本波と、互いに異なる波長を有する第１側帯波および第２側帯波と、を含む第１光を発生させる光源と、
前記第１光の前記第１側帯波および前記第２側帯波を選択して透過することによって、第２光を射出する波長選択手段と、
前記アルカリ金属ガスを封入し、前記第２光が照射されるガスセルと、
前記ガスセルを透過した前記第２光の強度を検出する光検出手段と、
を含む、光学モジュール。 - 請求項１において、
前記波長選択手段は、エタロンである、光学モジュール。 - 請求項２において、
前記エタロンは、
前記第１光を反射させ、互いに対向する第１ミラーおよび第２ミラーと、
前記第１ミラーと前記第２ミラーとの間に配置された基板と、
を有し、
前記基板の材質は、化合物半導体である、光学モジュール。 - 請求項３において、
さらに、基体を含み、
前記基体の材質は、化合物半導体であり、
前記光源は、半導体レーザーであり、
前記エタロンおよび前記光源は、基体に形成されている、光学モジュール。 - 請求項４において、
前記エタロンの前記基板は、前記基体側から順に形成された第１層、第２層、および第３層を有し、
前記第１層の屈折率および前記第３層の屈折率は、前記第２層の屈折率より小さく、
前記第２層は、前記第１光を伝播させる、光学モジュール。 - 請求項４または５において、
前記光源は、端面発光型レーザーである、光学モジュール。 - 請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記光源は、面発光型レーザーである、光学モジュール。 - 請求項１において、
前記波長選択手段は、ファイバーグレーティングである、光学モジュール。 - 請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光学モジュールを含む、原子発振器。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010159505A JP5699467B2 (ja) | 2010-07-14 | 2010-07-14 | 光学モジュールおよび原子発振器 |
| KR1020110044952A KR101336453B1 (ko) | 2010-07-14 | 2011-05-13 | 광학 모듈 및 원자 발진기 |
| CN201110150422.3A CN102394646B (zh) | 2010-07-14 | 2011-05-26 | 光学模块和原子振荡器 |
| CN201610246819.5A CN105933002B (zh) | 2010-07-14 | 2011-05-26 | 光学模块和原子振荡器 |
| US13/162,916 US8476983B2 (en) | 2010-07-14 | 2011-06-17 | Optical module and atomic oscillator |
| TW104125478A TWI574511B (zh) | 2010-07-14 | 2011-07-11 | 光學模組及原子振盪器 |
| TW100124483A TWI501560B (zh) | 2010-07-14 | 2011-07-11 | 光學模組及原子振盪器 |
| EP11173564.3A EP2407834B1 (en) | 2010-07-14 | 2011-07-12 | Optical module and atomic oscillator |
| KR1020120105713A KR101658264B1 (ko) | 2010-07-14 | 2012-09-24 | 광학 모듈 및 원자 발진기 |
| US13/909,388 US9054638B2 (en) | 2010-07-14 | 2013-06-04 | Optical module and atomic oscillator |
| KR1020160115477A KR101690467B1 (ko) | 2010-07-14 | 2016-09-08 | 광학 모듈 및 원자 발진기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010159505A JP5699467B2 (ja) | 2010-07-14 | 2010-07-14 | 光学モジュールおよび原子発振器 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013011894A Division JP5700056B2 (ja) | 2013-01-25 | 2013-01-25 | 光学モジュールおよび原子発振器 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012023179A true JP2012023179A (ja) | 2012-02-02 |
| JP2012023179A5 JP2012023179A5 (ja) | 2013-08-08 |
| JP5699467B2 JP5699467B2 (ja) | 2015-04-08 |
Family
ID=44800390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010159505A Active JP5699467B2 (ja) | 2010-07-14 | 2010-07-14 | 光学モジュールおよび原子発振器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8476983B2 (ja) |
| EP (1) | EP2407834B1 (ja) |
| JP (1) | JP5699467B2 (ja) |
| KR (3) | KR101336453B1 (ja) |
| CN (2) | CN102394646B (ja) |
| TW (2) | TWI574511B (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012199492A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | 光学モジュール及び原子発振器 |
| JP2013123068A (ja) * | 2013-01-25 | 2013-06-20 | Seiko Epson Corp | 光学モジュールおよび原子発振器 |
| US8836437B2 (en) | 2011-03-14 | 2014-09-16 | Seiko Epson Corporation | Optical module for atomic oscillator and atomic oscillator |
| JP2015079831A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および原子発振器 |
| US9054638B2 (en) | 2010-07-14 | 2015-06-09 | Seiko Epson Corporation | Optical module and atomic oscillator |
| JP2015119145A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザーおよび原子発振器 |
| JP2015119142A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザーおよび原子発振器 |
| JP2015119147A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザーおよび原子発振器 |
| JP2015119146A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザーおよび原子発振器 |
| JP2015119138A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザーおよび原子発振器 |
| JP2018190868A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 日本電信電話株式会社 | 光源装置 |
| CN109799695A (zh) * | 2017-11-17 | 2019-05-24 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 用于毫米波分子光谱电池的气密密封包装 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014053842A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-20 | Seiko Epson Corp | 量子干渉装置の製造方法、量子干渉装置、電子機器及び原子セルモジュール |
| US9116510B1 (en) * | 2012-12-06 | 2015-08-25 | The Boeing Company | Micro atomic and inertial measurement unit on a chip system |
| DE102013209751B3 (de) * | 2013-05-27 | 2014-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Laserspektrometer und Verfahren zum Betreiben eines Laserspektrometers |
| JP6323649B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2018-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザーおよび原子発振器 |
| CN103986062B (zh) * | 2014-05-04 | 2017-09-12 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 单光束饱和吸收稳频光学装置 |
| GB2532221B (en) * | 2014-11-11 | 2016-11-16 | Ibm | Equipment enclosure air flow control system |
| CN104767119B (zh) * | 2015-03-24 | 2017-09-12 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 中心频率可调谐的半导体激光器稳频装置和稳频方法 |
| JP2017084936A (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-18 | セイコーエプソン株式会社 | 光源および原子発振器 |
| FR3072512B1 (fr) * | 2017-10-17 | 2021-06-11 | Thales Sa | Oscillateur radiofrequence ameliore |
| KR102233366B1 (ko) * | 2018-09-21 | 2021-03-30 | 한국표준과학연구원 | 원자 주파수 표준기용 공진기 및 이를 포함하는 물리부 |
| CN114447752A (zh) * | 2020-11-05 | 2022-05-06 | 中国科学院微电子研究所 | 波长可选择激光系统 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388883A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体集積化光源 |
| JPH0353575A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-07 | Canon Inc | 波長安定半導体レーザ |
| JP2006245179A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光周波数安定化装置 |
| JP2008251945A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 周波数安定化光源 |
| JP2009141048A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Epson Toyocom Corp | 光学系及び原子発振器 |
| JP2009194418A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器 |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3546622A (en) * | 1965-10-29 | 1970-12-08 | Lockheed Aircraft Corp | Laser having controlled frequency translation |
| US3363193A (en) * | 1966-02-18 | 1968-01-09 | Varian Associates | Adjustable frequency atomic frequency standard |
| US3720882A (en) * | 1970-08-03 | 1973-03-13 | Research Corp | Parametric frequency conversion |
| US4733397A (en) * | 1985-08-12 | 1988-03-22 | Electrical Power Research Institute, Inc. | Resonant cavity optical modulator |
| US6222424B1 (en) * | 1999-11-18 | 2001-04-24 | Kernco, Inc. | Optically pumped atomic frequency standard |
| US6201821B1 (en) | 2000-06-05 | 2001-03-13 | Agilent Technologies, Inc. | Coherent population trapping-based frequency standard having a reduced magnitude of total a.c. stark shift |
| US6363091B1 (en) | 2000-06-05 | 2002-03-26 | Agilent Technologies, Inc | Coherent population trapping-based method for generating a frequency standard having a reduced magnitude of total a.c. stark shift |
| US6472943B1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-10-29 | Telefonaktie Bolaget L.M. Ericsson | Oscillating circuit and method for calibrating same |
| US6806784B2 (en) | 2001-07-09 | 2004-10-19 | The National Institute Of Standards And Technology | Miniature frequency standard based on all-optical excitation and a micro-machined containment vessel |
| US6570459B1 (en) | 2001-10-29 | 2003-05-27 | Northrop Grumman Corporation | Physics package apparatus for an atomic clock |
| US6762869B2 (en) * | 2002-04-09 | 2004-07-13 | California Institute Of Technology | Atomic clock based on an opto-electronic oscillator |
| US6900702B2 (en) | 2002-08-14 | 2005-05-31 | Honeywell International Inc. | MEMS frequency standard for devices such as atomic clock |
| US7098744B2 (en) * | 2002-12-18 | 2006-08-29 | Hrl Laboratories, Llc | Method and apparatus for generating two frequencies having a frequency separation equal to the atomic frequency of an atomic species |
| US6993058B2 (en) | 2003-04-28 | 2006-01-31 | Agilent Technologies, Inc. | Coherent population trapping detector |
| US20050073690A1 (en) | 2003-10-03 | 2005-04-07 | Abbink Russell E. | Optical spectroscopy incorporating a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) |
| US7378913B2 (en) * | 2003-11-26 | 2008-05-27 | Kernco, Inc. | Optically excited atomic frequency standard |
| US7791790B2 (en) | 2005-11-04 | 2010-09-07 | Panasonic Corporation | Wavelength converter |
| US8805136B2 (en) | 2006-05-08 | 2014-08-12 | Photonics On-Fiber Devices, Inc. | On-fiber tunable Bragg gratings for DWDM applications |
| JP4720635B2 (ja) | 2006-06-14 | 2011-07-13 | エプソントヨコム株式会社 | 原子発振器、受動形原子発振器、原子発振器の温度制御方法及び受動形原子発振器の温度制御方法 |
| US7457495B2 (en) | 2006-10-05 | 2008-11-25 | Harris Corporation | Method of filtering optical signals with a capillary waveguide tunable optical device |
| TWI341138B (en) * | 2006-10-16 | 2011-04-21 | Corning Inc | Wavelength control in wavelength selective, phase, and gain regions of semiconductor lasers |
| US7773883B1 (en) * | 2007-05-04 | 2010-08-10 | Vello Systems, Inc. | Single-fiber optical ring networks based on optical double sideband modulation |
| JP2009049623A (ja) | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器 |
| JP2009089116A (ja) | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器用の光学モジュール |
| JP2009129955A (ja) | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Epson Toyocom Corp | 光学系及び原子発振器 |
| JP2009164331A (ja) | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器および発振デバイス |
| JP2009182562A (ja) | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Epson Toyocom Corp | 光学系及び原子発振器 |
| JP4952603B2 (ja) | 2008-02-05 | 2012-06-13 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器 |
| JP5568019B2 (ja) * | 2008-02-07 | 2014-08-06 | ガン，ラハブ | 原子共振器を使用した周波数発生のためのデバイス、システム、および方法 |
| JP2010147967A (ja) | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器およびその周波数安定化方法 |
| US8237514B2 (en) * | 2009-02-06 | 2012-08-07 | Seiko Epson Corporation | Quantum interference device, atomic oscillator, and magnetic sensor |
| CN101656537B (zh) * | 2009-07-21 | 2012-04-04 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 | 多脉冲干涉Ramsey-CPT条纹的制备方法及装置 |
| JP5589166B2 (ja) * | 2009-11-12 | 2014-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器 |
| JP5699467B2 (ja) | 2010-07-14 | 2015-04-08 | セイコーエプソン株式会社 | 光学モジュールおよび原子発振器 |
| JP5910808B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2016-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器用の光学モジュールおよび原子発振器 |
| JP5910807B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2016-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器用の光学モジュールおよび原子発振器 |
| JP6056118B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2017-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 光学モジュール及び原子発振器 |
-
2010
- 2010-07-14 JP JP2010159505A patent/JP5699467B2/ja active Active
-
2011
- 2011-05-13 KR KR1020110044952A patent/KR101336453B1/ko active IP Right Grant
- 2011-05-26 CN CN201110150422.3A patent/CN102394646B/zh active Active
- 2011-05-26 CN CN201610246819.5A patent/CN105933002B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-17 US US13/162,916 patent/US8476983B2/en active Active
- 2011-07-11 TW TW104125478A patent/TWI574511B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-07-11 TW TW100124483A patent/TWI501560B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-07-12 EP EP11173564.3A patent/EP2407834B1/en not_active Not-in-force
-
2012
- 2012-09-24 KR KR1020120105713A patent/KR101658264B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-06-04 US US13/909,388 patent/US9054638B2/en active Active
-
2016
- 2016-09-08 KR KR1020160115477A patent/KR101690467B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388883A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体集積化光源 |
| JPH0353575A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-07 | Canon Inc | 波長安定半導体レーザ |
| JP2006245179A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光周波数安定化装置 |
| JP2008251945A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 周波数安定化光源 |
| JP2009141048A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Epson Toyocom Corp | 光学系及び原子発振器 |
| JP2009194418A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9054638B2 (en) | 2010-07-14 | 2015-06-09 | Seiko Epson Corporation | Optical module and atomic oscillator |
| US8836437B2 (en) | 2011-03-14 | 2014-09-16 | Seiko Epson Corporation | Optical module for atomic oscillator and atomic oscillator |
| JP2012199492A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | 光学モジュール及び原子発振器 |
| US8830005B2 (en) | 2011-03-23 | 2014-09-09 | Seiko Epson Corporation | Optical module for atomic oscillator and atomic oscillator |
| JP2013123068A (ja) * | 2013-01-25 | 2013-06-20 | Seiko Epson Corp | 光学モジュールおよび原子発振器 |
| JP2015079831A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および原子発振器 |
| JP2015119145A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザーおよび原子発振器 |
| JP2015119142A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザーおよび原子発振器 |
| JP2015119147A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザーおよび原子発振器 |
| JP2015119146A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザーおよび原子発振器 |
| JP2015119138A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザーおよび原子発振器 |
| JP2018190868A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 日本電信電話株式会社 | 光源装置 |
| CN109799695A (zh) * | 2017-11-17 | 2019-05-24 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 用于毫米波分子光谱电池的气密密封包装 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8476983B2 (en) | 2013-07-02 |
| US20120013411A1 (en) | 2012-01-19 |
| JP5699467B2 (ja) | 2015-04-08 |
| CN105933002B (zh) | 2018-11-27 |
| KR20120126035A (ko) | 2012-11-20 |
| TWI501560B (zh) | 2015-09-21 |
| TW201203868A (en) | 2012-01-16 |
| EP2407834A1 (en) | 2012-01-18 |
| CN102394646B (zh) | 2016-05-18 |
| KR101658264B1 (ko) | 2016-09-20 |
| CN105933002A (zh) | 2016-09-07 |
| KR101336453B1 (ko) | 2013-12-04 |
| US20130265113A1 (en) | 2013-10-10 |
| EP2407834B1 (en) | 2014-08-13 |
| KR20160111350A (ko) | 2016-09-26 |
| US9054638B2 (en) | 2015-06-09 |
| KR20120007442A (ko) | 2012-01-20 |
| CN102394646A (zh) | 2012-03-28 |
| TW201543820A (zh) | 2015-11-16 |
| TWI574511B (zh) | 2017-03-11 |
| KR101690467B1 (ko) | 2016-12-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130624 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130624 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150106 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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