JP2019062036A - 変調光源 - Google Patents

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Abstract

【課題】複数の波長で発振が生じたり、発振波長が複数の波長間で入れ替わったりすることがなく、ノイズの少ない変調光源を提供する。【解決手段】一方の端部にミラーが設けられている反射型半導体光増幅器と、中心波長を変調する変調器と、前記変調器を透過した光を反射する第１のミラーと、前記反射型半導体光増幅器の前記一方の端部とは反対側の他方の端部と前記変調器との間に設けられた光学フィルタと、入射した光の一部を反射し、他を透過する第２のミラーと、を有し、前記反射型半導体光増幅器、前記光学フィルタ、前記第２のミラーによりファブリペローレーザが形成され、前記第１のミラーは、前記ファブリペローレーザの出力を前記ファブリペローレーザに帰還するものであって、前記ファブリペローレーザにおいて発振した複数の縦モードのうちの１つが選択され、前記変調器において変調され出力されることを特徴とする変調光源により上記課題を解決する。【選択図】 図３

Description

本発明は、変調光源に関するものである。
集積回路のチップ間または、これを搭載するパッケージ間の通信容量は、大規模マルチチップ・パッケージシステム性能を決定づけるものであるため、１０〜１００Ｔｂ／ｓの通信容量を実現するためには、小型で消費電力の低い光送受信器が求められている。このような光送受信器には、光を変調する変調光源が用いられていることから、変調光源においても、小型で消費電力の低いものが求められている。このような変調光源としては、半導体レーザと、リング変調器とにより形成されたものが開示されている（例えば、特許文献１）。
特開２０１６−１３９７４１号公報 特開２０１６−１０２９２６号公報
しかしながら、開示されている変調光源においては、複数の波長で発振が生じたり、発振波長が複数の波長間で入れ替わったりすることによりノイズが生じる場合がある。このように変調光源においてノイズが生じると、通信性能が低下する場合があるため、好ましくない。
よって、複数の波長で発振が生じたり、発振波長が複数の波長間で入れ替わったりすることがなく、ノイズの少ない変調光源が求められている。
１つの態様では、変調光源は、一方の端部にミラーが設けられている反射型半導体光増幅器と、中心波長を変調する変調器と、前記変調器を透過した光を反射する第１のミラーと、前記反射型半導体光増幅器の前記一方の端部とは反対側の他方の端部と前記変調器との間に設けられた光学フィルタと、入射した光の一部を反射し、他を透過する第２のミラーと、を有し、前記反射型半導体光増幅器、前記光学フィルタ、前記第２のミラーによりファブリペローレーザが形成され、前記第１のミラーは、前記ファブリペローレーザの出力を前記ファブリペローレーザに帰還するものであって、前記ファブリペローレーザにおいて発振した複数の縦モードのうちの１つが選択され、前記変調器において変調され出力される。
１つの側面として、複数の波長で発振が生じたり、発振波長が複数の波長間で入れ替わったりすることがなく、ノイズの発生を抑制することができる。
変調光源の構造図 変調光源の説明図 第１の実施の形態における変調光源の構成図 第１の実施の形態における変調光源の説明図 第１の実施の形態における変調光源のヒータによる制御の説明図 第２の実施の形態における変調光源の構成図 第３の実施の形態における変調光源の構成図 第４の実施の形態における変調光源の構成図
実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
〔第１の実施の形態〕
最初に、図１に示す構造の変調光源において生じるノイズについて説明する。図１に示す変調光源は、ＦＰ（Fabry-Perot）レーザ９１０と、光集積回路９２０とを有している。
ＦＰレーザ９１０は、所定の波長間隔を有するＦＰ（Fabry-Perot）モードで発振するレーザであり、例えば、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体材料により形成されている。
ＦＰレーザ９１０は、光導波路９１１、ＦＰレーザ９１０の一方の端部９１０ａに設けられたミラーとなる反射膜９１２、ＦＰレーザ９１０の他方の端部９１０ｂに設けられた反射膜９１３を有している。反射膜９１２は高い反射率で光を反射するミラーであり、反射膜９１３は、反射膜９１２よりも反射率が低く、入射した光の一部を透過するミラーである。
光集積回路９２０は、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板等を加工することにより形成されており、リング変調器９３０が設けられている。リング変調器９３０は、リング共振器９３１、変調電極９３２及び９３３、ヒータ９３４等が設けられている。リング共振器９３１は、リング状の光導波路により形成されており、リング共振器９３１の内側には変調電極９３２が設けられており、外側には変調電極９３３が設けられている。リング変調器９３０においては、変調電極９３２と変調電極９３３との間に、電圧を印加することにより、リング共振器９３１における共振波長を変化させることができ、これにより、光変調をすることができる。
波長調整電極となるヒータ９３４は、リング共振器９３１の上、下、内周沿いまたは外周沿い、リング共振器９３１を局所的に温めることができるよう、リング共振器９３１の形状に対応して設けられている。ヒータ９３４の一方の端部には一方のヒータ電極９３４ａが設けられており、他方の端部には他方のヒータ電極９３４ｂが設けられている。ヒータ９３４では、ヒータ電極９３４ａとヒータ電極９３４ｂとの間に電流を流すことにより、リング共振器９３１が形成されている部分を加熱することができるため、リング共振器９３１の温度を変化させて、共振波長を調整することができる。
また、リング共振器９３１は、第１の光導波路９２１と第２の光導波路９２２との間に設けられている。言い換えるならば、リング共振器９３１の近傍であって、リング共振器９３１を介し、相互に対向する位置に第１の光導波路９２１及び第２の光導波路９２２が設けられている。第１の光導波路９２１の一方の端部９２１ａには、ＦＰレーザ９１０の他方の端部９１０ｂから出射された光が入射しており、他方の端部９２１ｂからは、リング変調器９３０により変調された変調出力光が出射される。第２の光導波路９２２の一方の端部９２２ａは、回折格子により形成されたＤＢＲ（distributed Bragg reflector）ミラー９２３が形成されており、他方の端部９２２ｂからは、リング変調器９３０により変調された変調出力光が出射される。尚、第１の光導波路９２１、第２の光導波路９２２及びリング共振器９３１は、シリコンにより形成されている。
第１の光導波路９２１は、一方の端部９２１ａと他方の端部９２１ｂとの間の領域においてリング共振器９３１と最も近接している。第２の光導波路９２２は、一方の端部９２２ａと他方の端部９２２ｂとの間の領域において、リング共振器９３１と最も近接している。
図１に示す構造の変調光源では、ＦＰレーザ９１０を動作させることにより、図２（ａ）示すような複数の縦モードが出現するＦＰモードで発振する。この発振は、ファブリペロー（Fabry-Perot：ＦＰ）発振と呼ばれており、ファブリペロー発振におけるピーク間における波長の間隔は、例えば、１ｎｍである。
ＦＰレーザ９１０において、ＦＰモードで発振したレーザの一部は、ＦＰレーザ９１０の他方の端部９１０ｂより反射膜９１３を透過し出射され、光集積回路９２０における第１の光導波路９２１の一方の端部９２１ａに入射する。第１の光導波路９２１に入射した光は、第１の光導波路９２１内を他方の端部９２１ｂに向かって伝播するが、リング共振器９３１と近接している部分においては、リング共振器９３１の共振波長と同じ波長の光は、リング共振器９３１に伝播する。リング共振器９３１に伝播した光は、更に、第２の光導波路９２２と近接している部分において、第２の光導波路９２２に伝播し、第２の光導波路９２２の一方の端部９２２ａに設けられているＤＢＲミラー９２３により反射される。このように、ＤＢＲミラー９２３により反射された光は、今まで伝播した方向とは逆に伝播する。従って、ＤＢＲミラー９２３は、リング変調器９３０を通った波長の光のみをＦＰレーザ９１０における誘導放出の種光（シード光）としてフィードバック（帰還）させている。このようなシード光は、図２（ｂ）に示すように、リング共振器９３１における共振波長に対応して、所定の波長間隔において発生し、例えば、シード光の波長間隔は約１９ｎｍである。
図１に示す構造の変調光源は、ファブリペローモードのうち、シード光が存在するモードの発振を強めるものである。しかしながら、図２に示すように、ファブリペロー発振波長領域内に、複数のシード光に対応する波長が存在している場合、ファブリペロー発振波長領域内の１つの波長にのみフィードバックをかけることは困難である。このため、シード光が複数の波長に分散し、複数の波長においてフィードバックがかかり、この結果、複数の波長で発振したり、発振波長が、これらの波長間において入れ替わることにより、ノイズが発生する場合がある。このようなノイズが発生すると、変調出力光等の品質の低下を招くため好ましくはない。
（変調光源）
次に、本実施の形態における変調光源について説明する。本実施の形態における変調光源は、図３に示すように、反射型ＳＯＡ（Semiconductor Optical Amplifier：半導体光増幅器）１０、光集積回路２０とを有している。
反射型ＳＯＡ１０は、化合物半導体材料により形成されている。反射型ＳＯＡ１０は、光学利得導波路１１を有しており、反射型ＳＯＡ１０の一方の端部１０ａにはミラー１２は設けられているが、反射型ＳＯＡ１０の他方の端部１０ｂにはミラーは設けられていない。尚、本願においては、光学利得導波路１１は、反射型ＳＯＡ１０における光導波路と記載する場合がある。
本実施の形態においては、反射型ＳＯＡ１０はＩｎＰ基板の上に形成されており、光学利得導波路１１は、ＩｎＧａＡｓＰにより活性層により形成されている。光学利得導波路１１は、ＧａＡｓやＧａＮ、或いは、これらにＩｎやＰ等を加えた化合物半導体により形成してもよく、量子井戸や量子ドットのような微細構造により形成してもよい。
光集積回路２０は、ＳＯＩ基板等を加工することにより形成されており、ミラー２３、リング変調器３０、ミラー４０、光学フィルタ５０等が設けられている。尚、本願においては、ミラー２３を第１のミラーと記載し、ミラー４０を第２のミラーと記載する場合がある。
リング変調器３０は、リング共振器３１、変調電極３２及び３３、ヒータ３４等が設けられている。リング共振器３１は、半径が約５μｍのリング状の光導波路により形成されており、リング共振器３１の内側には変調電極３２が設けられており、外側には変調電極３３が設けられている。リング変調器３０においては、変調電極３２と変調電極３３との間に、電圧を印加することにより、リング共振器３１における共振波長を変化させることができる。このように、リング変調器３０においては、変調電極３２と変調電極３３との間に印加される電圧を変化させることにより、中心波長を変調し、出力ポートより出力される出力光の強度変調を行うことができる。
本実施の形態においては、第１の光導波路２１の他方の端部２１ｂ、または、第２の光導波路２２の他方の端部２２ｂが出力ポートとなる。リング共振器３１を形成しているリング状の光導波路には、Ｐ型ドーピング領域及びＮ型ドーピング領域が形成されている。従って、変調電極３２及び変調電極３３により、Ｐ型ドーピング領域とＮ型ドーピング領域との間に逆バイアス電圧または順バイアス電圧を印加することにより、リング共振器３１における屈折率を変化させて、共振波長を変調することができる。
波長調整電極となるヒータ３４は、リング共振器３１の上、下、内周沿いまたは外周沿い、リング共振器３１を局所的に温めることができるよう、リング共振器３１の形状に対応して形成されている。ヒータ３４の一方の端部には一方のヒータ電極３４ａが設けられており、他方の端部には他方のヒータ電極３４ｂが設けられている。ヒータ電極３４ａとヒータ電極３４ｂとの間に電流を流すことによりヒータ３４により、リング共振器３１が形成されている部分を加熱することができる。このようにして、リング共振器３１の温度を変化させることにより、共振波長を調整することができる。
また、リング共振器３１は、第１の光導波路２１と第２の光導波路２２との間に設けられている。言い換えるならば、リング共振器３１の近傍であって、リング共振器３１を介し、相互に対向する位置に第１の光導波路２１及び第２の光導波路２２が設けられている。第１の光導波路２１の一方の端部２１ａには、反射型ＳＯＡ１０の他方の端部１０ｂから出射された光が入射しており、他方の端部２１ｂからは、リング変調器３０により変調された変調出力光が出射される。第２の光導波路２２の一方の端部２２ａは、入射した光を高い反射率で反射するミラー２３が設けられており、他方の端部２２ｂからは、リング変調器３０により変調された変調出力光が出射される。尚、第１の光導波路２１、第２の光導波路２２及びリング共振器３１は、シリコンにより形成されている。
第１の光導波路２１は、一方の端部２１ａより、他方の端部２１ｂに向かって、光学フィルタ５０、ミラー４０の順に配置されており、ミラー４０と他方の端部２１ｂとの間の領域においてリング共振器３１と最も近接している。第２の光導波路２２は、一方の端部２２ａと他方の端部２２ｂとの間の領域において、リング共振器３１と最も近接している。ミラー４０は、ミラー１２よりも反射率が低く、入射した光の一部を透過する。光学フィルタ５０は、所定の波長の光を透過するフィルタであり、図４（ａ）に示すような半値幅Δλｆの透過率の分布を有している。この光学フィルタ５０の半値幅Δλｆは、後述するシード光の波長間隔と略同じである。
本実施の形態における変調光源では、反射型ＳＯＡ１０と光集積回路２０における光学フィルタ５０、ミラー４０によりＦＰレーザ６０が形成される。従って、反射型ＳＯＡ１０を動作させると、ミラー１２とミラー４０との間においてＦＰモードで発振するが、ミラー１２とミラー４０との間には、光学フィルタ５０が設けられているため、図４（ｂ）に示すように、ファブリペロー発振の範囲が制限され狭くなる。
ＦＰレーザ６０においてＦＰモードで発振した光の一部はミラー４０を透過し、光集積回路２０の第１の光導波路２１内を他方の端部２１ｂに向かって伝播する。このように、第１の光導波路２１内を伝播する光のうち、リング共振器３１の共振波長と同じ波長の光は、第１の光導波路２１とリング共振器３１とが近接している部分において、リング共振器３１に伝播する。更に、リング共振器３１に伝播した光は、第２の光導波路２２と近接している部分において、第２の光導波路２２に伝播し、第２の光導波路２２の一方の端部２２ａに設けられているミラー２３により反射される。ミラー２３により反射された光は、今まで辿った光路とは逆の方向に伝播する。従って、ミラー２３は、リング変調器３０を透過した波長の光のみをＦＰレーザ６０における誘導放出の種光（シード光）としてフィードバック（帰還）させている。このようなシード光は、図４（ｃ）に示すように、リング共振器３１における共振波長に対応して、所定の波長間隔において発生し、例えば、シード光の波長間隔は１９ｎｍである。
上記のように、光学フィルタ５０の半値幅は、シード光の波長間隔と略同じであるため、複数のシード光のうち１つを選択して増幅することができる。このように増幅された光は、第１の光導波路２１の他方の端部２１ｂ、または、第２の光導波路２２の他方の端部２２ｂを出力ポートとして出力される。
従って、本実施の形態における変調光源では、図４に示すように、ファブリペロー発振波長領域内に存在するシード光の波長は１つであるため、ファブリペロー発振波長領域内の１つの波長にのみフィードバックをかけることができる。これにより、複数の波長で発振したり、発振波長が、これらの波長間において入れ替わることを防ぐことができ、ノイズが発生することを抑制し、ノイズの少ない良好な変調出力光を得ることができる。尚、光学フィルタ５０における透過分布の半値幅Δλｆは、シード光の波長間隔と略同じであることが好ましいが、ＦＰモードで発振したレーザの縦モードの間隔よりも広く、シード光の波長間隔の２倍未満であってもよい。この場合においても、ファブリペロー発振波長領域内の１つの波長にのみフィードバックをかけることが可能であるからである。
（波長調節機構）
本実施の形態においては、図５に示すように、第２の光導波路２２の他方の端部２２ｂより出力された光を検出する光パワーモニタ用光検出器７１と、波長コントローラ７２等により形成された波長調節機構を有するものであってもよい。光パワーモニタ用光検出器７１は、フォトダイオード等により形成されており、波長コントローラ７２は、光パワーモニタ用光検出器７１において検出された光パワーに基づき、リング変調器３０における共振波長が所定の波長となるように制御する。具体的には、波長コントローラ７２よりヒータ３４に電流を供給し、リング変調器３０が所定の温度となるように加熱して、波長を調節する。
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態における変調光源は、第１の実施の形態における光学フィルタ５０としての機能とミラー４０としての機能を有するＤＢＲミラー１５０を用いた構造のものであり、図６に示すように、反射型ＳＯＡ１０、光集積回路１２０とを有している。
反射型ＳＯＡ１０では、反射型ＳＯＡ１０の一方の端部１０ａに設けられたミラー１２は誘電体多層膜等の誘電体により形成されている。また、反射型ＳＯＡ１０の他方の端部１０ｂには光を反射しない反射防止膜１３が誘電体等により形成されている。
光集積回路１２０には、第１の光導波路２１の一方の端部２１ａの側に、ＤＢＲミラー１５０が設けられている。ＤＢＲミラー１５０は、回折格子等により形成されており、第１の実施の形態における光学フィルタ５０としての機能とミラー４０としての機能の双方の機能を有するものであり、所定の波長の光を反射することができる。また、ミラー２３は、ＤＢＲミラーにより形成されている。尚、ＤＢＲミラー１５０は、ＳＯＩ基板におけるシリコン層を加工することにより形成したものの方が、反射型ＳＯＡ１０等に形成したものよりも精度が良い。
本実施の形態における変調光源では、反射型ＳＯＡ１０と光集積回路１２０におけるＤＢＲミラー１５０によりＦＰレーザ１６０が形成される。従って、反射型ＳＯＡ１０を動作させることにより、ミラー１２とＤＢＲミラー１５０との間においてＦＰモードで発振するが、ＤＢＲミラー１５０は、所定の反射特性を有しているため、図４（ｂ）に示すように、ファブリペロー発振の範囲が制限され狭くなる。
これにより、本実施の形態における変調光源は、第１の実施の形態と同様に、ファブリペロー発振波長領域内に存在するシード光の波長を１つにすることができるため、ファブリペロー発振波長領域内の１つの波長にのみフィードバックをかけることができる。従って、複数の波長で発振したり、発振波長が、これらの波長間において入れ替わることを防ぐことができ、ノイズが発生することを抑制し、ノイズの少ない良好な変調出力光を得ることができる。
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態における変調光源は、図７に示すように、反射型ＳＯＡ１０、光集積回路２２０とを有している。本実施の形態における変調光源は、第１の実施の形態における光学フィルタ５０を第２のリング共振器２５０により形成し、ミラー４０をＤＢＲミラー２４０により形成した構造のものである。
光集積回路２２０には、第３の光導波路２２３が設けられており、第３の光導波路２２３と第１の光導波路２１との間には、双方の光導波路に近接して、第２のリング共振器２５０が設けられている。また、第１の光導波路２１の一方の端部２１ａには、ＤＢＲミラー２４０が設けられている。
本実施の形態における変調光源では、反射型ＳＯＡ１０の他方の端部１０ｂより出射した光は、第３の光導波路２２３の一方の端部２２３ａに入射している。よって、反射型ＳＯＡ１０と光集積回路２２０における第２のリング共振器２５０、ＤＢＲミラー２４０によりＦＰレーザ２６０が形成される。従って、反射型ＳＯＡ１０を動作させると、ミラー１２とＤＢＲミラー２４０との間においてＦＰモードで発振するが、第２のリング共振器２５０は、所定の透過特性を有しているため、図４（ｂ）に示すように、ファブリペロー発振の範囲が制限され狭くなる。
これにより、本実施の形態における変調光源には、第１の実施の形態と同様に、ファブリペロー発振波長領域内に存在するシード光の波長を１つにすることができるため、ファブリペロー発振波長領域内の１つの波長にのみフィードバックをかけることができる。よって、複数の波長で発振したり、発振波長が、これらの波長間において入れ替わることを防ぐことができ、ノイズが発生することを抑制し、ノイズの少ない良好な変調出力光を得ることができる。
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
〔第４の実施の形態〕
次に、第４の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第２の実施の形態において、光集積回路１２０に設けられていたＤＢＲミラー１５０を反射型ＳＯＡに設けた構造のものである。従って、本実施の形態における変調光源は、図８に示すように、ＤＢＲレーザ３１０と、光集積回路３２０とを有している。具体的には、ＤＢＲレーザ３１０は、第２の実施の形態における反射型ＳＯＡ１０の他方の端部１０ｂの側にＤＢＲミラー１５０を設けることにより形成されている。また、光集積回路３２０は、ＤＢＲミラー１５０が設けられていないことを除き、第２の実施の形態における光集積回路１２０と同様のものである。
本実施の形態においては、ＤＢＲレーザ３１０を動作させると、ミラー１２とＤＢＲミラー１５０との間においてＦＰモードで発振するが、ＤＢＲミラー１５０は、所定の反射特性を有している。このため、図４（ｂ）に示すように、ファブリペロー発振の範囲が制限され狭くなる。これにより、本実施の形態における変調光源は、第２の実施の形態等と同様に、ファブリペロー発振波長領域内に存在するシード光の波長を１つにすることができるため、ファブリペロー発振波長領域内の１つの波長にのみフィードバックをかけることができる。従って、複数の波長で発振したり、発振波長が、これらの波長間において入れ替わることを防ぐことができ、ノイズが発生することを抑制し、ノイズの少ない良好な変調出力光を得ることができる。
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
一方の端部にミラーが設けられている反射型半導体光増幅器と、
中心波長を変調する変調器と、
前記変調器を透過した光を反射する第１のミラーと、
前記反射型半導体光増幅器の前記一方の端部とは反対側の他方の端部と前記変調器との間に設けられた光学フィルタと、
入射した光の一部を反射し、他を透過する第２のミラーと、
を有し、
前記反射型半導体光増幅器、前記光学フィルタ、前記第２のミラーによりファブリペローレーザが形成され、
前記第１のミラーは、前記ファブリペローレーザの出力を前記ファブリペローレーザに帰還するものであって、
前記ファブリペローレーザにおいて発振した複数の縦モードのうちの１つが選択され、前記変調器において変調され出力されることを特徴とする変調光源。
（付記２）
前記光学フィルタ及び前記第２のミラーは、ＤＢＲミラーにより一体で形成されていることを特徴とする付記１に記載の変調光源。
（付記３）
前記変調器、前記第１のミラー、前記光学フィルタ及び前記第２のミラーは、同一基板上に形成されていることを特徴とする付記１または２に記載の変調光源。
（付記４）
前記光学フィルタの透過分布の半値幅は、前記複数の縦モードの波長間隔よりも大きく、前記変調器を形成している共振器の共振波長の波長間隔の２倍未満であることを特徴とする付記１から３のいずれかに記載の変調光源。
（付記５）
前記変調器は、リング共振器を含むリング変調器であって、
前記リング共振器の共振波長を変化させる変調電極が設けられていることを特徴とする付記１から４のいずれかに記載の変調光源。
（付記６）
前記リング共振器に近接する第１の光導波路及び第２の光導波路を有し、
前記第１の光導波路の一方の端部には、前記反射型半導体光増幅器から出力された光が入射し、
前記第２の光導波路の一方の端部には、前記第１のミラーが設けられており、他方の端部は、前記変調器において変調された出力光が出力される出力ポートであることを特徴とする付記５に記載の変調光源。
（付記７）
前記リング共振器に近接する第１の光導波路及び第２の光導波路を有し、
前記第１の光導波路の一方の端部には、前記反射型半導体光増幅器から出力された光が入射し、他方の端部は、前記変調器において変調された出力光が出力される出力ポートであり、
前記第２の光導波路の一方の端部には、前記第１のミラーが設けられていることを特徴とする付記５に記載の変調光源。
（付記８）
一方の端部にミラーが設けられており他方の端部にＤＢＲミラーが設けられている半導体レーザと、
中心波長を変調する変調器と、
前記変調器を透過した光を反射する第１のミラーと、
を有し、
前記ＤＢＲミラーは、入射した光の一部を反射し、他を透過するものであり、
前記第１のミラーは、前記半導体レーザの出力を前記半導体レーザに帰還するものであって、
前記半導体レーザにおいて発振した複数の縦モードのうちの１つが選択され、前記変調器において変調され出力されることを特徴とする変調光源。
（付記９）
前記変調器は、リング共振器を含むリング変調器であって、
前記リング共振器の共振波長を変化させる変調電極が設けられていることを特徴とする付記８に記載の変調光源。
（付記１０）
前記リング共振器に近接する第１の光導波路及び第２の光導波路を有し、
前記第１の光導波路の一方の端部には、前記半導体レーザから出力された光が入射し、
前記第２の光導波路の一方の端部には、前記第１のミラーが設けられており、他方の端部は、前記変調器において変調された出力光が出力される出力ポートであることを特徴とする付記９に記載の変調光源。
（付記１１）
前記リング共振器に近接する第１の光導波路及び第２の光導波路を有し、
前記第１の光導波路の一方の端部には、前記半導体レーザから出力された光が入射し、他方の端部は、前記変調器において変調された出力光が出力される出力ポートであり、
前記第２の光導波路の一方の端部には、前記第１のミラーが設けられていることを特徴とする付記９に記載の変調光源。
１０ 反射型ＳＯＡ
１１ 光学利得導波路
１２ ミラー
２０ 光集積回路
２１ 第１の光導波路
２２ 第２の光導波路
２３ ミラー
３０ リング変調器
３１ リング共振器
３２ 変調電極
３３ 変調電極
３４ ヒータ
４０ ミラー
５０ 光学フィルタ
７１ 光パワーモニタ用光検出器
７２ 波長コントローラ

Claims (7)

  1. 一方の端部にミラーが設けられている反射型半導体光増幅器と、
    中心波長を変調する変調器と、
    前記変調器を透過した光を反射する第１のミラーと、
    前記反射型半導体光増幅器の前記一方の端部とは反対側の他方の端部と前記変調器との間に設けられた光学フィルタと、
    入射した光の一部を反射し、他を透過する第２のミラーと、
    を有し、
    前記反射型半導体光増幅器、前記光学フィルタ、前記第２のミラーによりファブリペローレーザが形成され、
    前記第１のミラーは、前記ファブリペローレーザの出力を前記ファブリペローレーザに帰還するものであって、
    前記ファブリペローレーザにおいて発振した複数の縦モードのうちの１つが選択され、前記変調器において変調され出力されることを特徴とする変調光源。
  2. 前記光学フィルタ及び前記第２のミラーは、ＤＢＲミラーにより一体で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の変調光源。
  3. 前記光学フィルタの透過分布の半値幅は、前記複数の縦モードの波長間隔よりも大きく、前記変調器を形成している共振器の共振波長の波長間隔の２倍未満であることを特徴とする請求項１または２に記載の変調光源。
  4. 前記変調器は、リング共振器を含むリング変調器であって、
    前記リング共振器の共振波長を変化させる変調電極が設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の変調光源。
  5. 前記リング変調器は、前記リング共振器に近接する第１の光導波路及び第２の光導波路を有し、
    前記第１の光導波路の一方の端部には、前記反射型半導体光増幅器から出力された光が入射し、
    前記第２の光導波路の一方の端部には、前記第１のミラーが設けられており、他方の端部は、前記変調器において変調された出力光が出力される出力ポートであることを特徴とする請求項４に記載の変調光源。
  6. 前記リング共振器に近接する第１の光導波路及び第２の光導波路を有し、
    前記第１の光導波路の一方の端部には、前記反射型半導体光増幅器から出力された光が入射し、他方の端部は、前記変調器において変調された出力光が出力される出力ポートであり、
    前記第２の光導波路の一方の端部には、前記第１のミラーが設けられていることを特徴とする請求項４に記載の変調光源。
  7. 一方の端部にミラーが設けられており他方の端部にＤＢＲミラーが設けられている半導体レーザと、
    中心波長を変調する変調器と、
    前記変調器を透過した光を反射する第１のミラーと、
    を有し、
    前記ＤＢＲミラーは、入射した光の一部を反射し、他を透過するものであり、
    前記第１のミラーは、前記半導体レーザの出力を前記半導体レーザに帰還するものであって、
    前記半導体レーザにおいて発振した複数の縦モードのうちの１つが選択され、前記変調器において変調され出力されることを特徴とする変調光源。
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