JP2012021218A - タンタルの回収方法 - Google Patents
タンタルの回収方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012021218A JP2012021218A JP2010162306A JP2010162306A JP2012021218A JP 2012021218 A JP2012021218 A JP 2012021218A JP 2010162306 A JP2010162306 A JP 2010162306A JP 2010162306 A JP2010162306 A JP 2010162306A JP 2012021218 A JP2012021218 A JP 2012021218A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- tantalum
- treated product
- sorting
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
【解決手段】タンタルコンデンサが実装された基板またはタンタルコンデンサを、酸化雰囲気下、400〜500℃の温度で加熱処理して第1の加熱処理物を得る第1の加熱処理工程と、前記得られた第1の加熱処理物を、粉化した第1の加熱処理物であるシリコン化合物と他の成分とに選別する第1の選別工程と、前記選別された他の成分を550℃以上の温度で加熱処理して第2の加熱処理物を得る第2の加熱処理工程と、前記得られた第2の加熱処理物を、粉化した第2の加熱処理物であるタンタル化合物と貴金属とに選別する第2の選別工程とを有する、タンタルの回収方法を提供する。
【選択図】なし
Description
ところが、当該電子基板には従来の銅精錬工程では回収できない有価金属が含有されている。具体的には、当該電子基板においてコンデンサとして使用されているタンタル(Ta)がある。当該有価金属を含むコンデンサは、他種のコンデンサに比べて小型で、漏れ電流が少なく、その上、安定性が高い。その為、タンタルコンデンサは、パソコン、携帯電話等の小型のエレクトロニクス製品の電子基板には多数が実装されている。
そして、当該状況は、スクラップの電子基板から分別されたタンタルコンデンサや不良品のタンタルコンデンサといったスクラップのタンタルコンデンサを集めてタンタルの回収を行う場合も同様であった。
本発明は、上述の状況の下でなされたものであり、その解決しようとする課題は、タンタルコンデンサを実装したスクラップの電子基板、または、スクラップのタンタルコンデンサから、高い効率をもってタンタルを回収できる方法を提供することである。
当該研究の結果、回収された粉体の加熱処理物中のタンタル品位が10%程度に留まるのは、スクラップの電子基板またはスクラップのタンタルコンデンサを、550℃以上に加熱すると、タンタル焼結体のみならず、当該コンデンサを構成するシリコン製のモールド部も共に粉化して、粉体の加熱処理物となる為であることに想到した。
ここで、本発明者らは、さらに研究を継続し、タンタルコンデンサを構成するシリコン製のモールド部の粉化温度と、タンタル焼結体の粉化温度とが異なることに想到した。具体的には、スクラップのタンタルコンデンサを400〜500℃で加熱処理すると、シリコン製のモールド部分は粉化するが、タンタル焼結体は粉化しないことに想到したものである。
以上のことから、本発明者らは、タンタルコンデンサを実装したスクラップの電子基板またはスクラップのコンデンサを、まず400〜500℃で加熱処理してシリコン製のモールド部を粉化することで除去し、次に、550℃以上で加熱することで、タンタル焼結体を粉化して貴金属から分離することで、タンタルを高効率で回収出来るという構成に想到し、本発明を完成した。
タンタルコンデンサが実装された基板またはタンタルコンデンサからの、タンタルの回収方法であって、
タンタルコンデンサが実装された基板またはタンタルコンデンサを、酸化雰囲気下、400〜500℃の温度で加熱処理して第1の加熱処理物を得る第1の加熱処理工程と、
前記得られた第1の加熱処理物を、当該第1の加熱処理物の長軸長さにより選別する第1の選別工程と、
前記選別された他の成分を550℃以上の温度で加熱処理して第2の加熱処理物を得る第2の加熱処理工程と、
前記得られた第2の加熱処理物を、当該第2の加熱処理物の長軸長さにより選別する第2の選別工程と、を有することを特徴とするタンタルの回収方法である。
第1および第2の選別工程での選別基準を、第1および第2の加熱処理物の0.1mm〜1mmの長軸長さとすることを特徴とする第1の発明に記載のタンタルの回収方法である。
前記基板が貴金属を含み、第2の加熱処理物の長軸長さによる選別により、タンタルと貴金属を選別することを特徴とする第1または第2の発明のいずれかに記載のタンタルの回収方法である。
貴金属が、金、銀、銅及びパラジウムから選択される少なくとも1種であることを特徴とする第3の発明に記載のタンタルの回収方法である。
タンタルコンデンサが実装された基板を破砕した後、加熱処理することを特徴とする第1から第4の発明のいずれかに記載のタンタルの回収方法である。
具体的には、第1(400〜500℃)の加熱処理工程、第1の選別(篩い分け等)工程、第2(550℃以上)の加熱処理工程、第2の選別(篩い分け等)工程、とを有し、必要に応じて、さらに破砕工程、分離精製工程、などを有してなる。
本発明に用いられるスクラップの電子基板としては、タンタルコンデンサが実装されたものが用いられる。当該電子基板は、使用されなくなった通信機器、音響機器、OA機器、家電製品の廃棄物から回収される。回収される電子基板としては、タンタルコンデンサが実装されていれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、パソコンの制御基板(マザーボード、ドーターボード)、携帯電話の制御基板、などが挙げられる。
前記タンタルコンデンサには、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えばチップコンデンサであることが好ましい。
一方、前記電子基板は、通常、金、銀、銅、パラジウム等の貴金属を含有しており、後述するように、加熱処理物の長軸長さによりタンタルと貴金属を選別することができる。
本発明に用いられるスクラップのコンデンサとしては、上記電子基板から剥がされて集められたタンタルコンデンサや、タンタルコンデンサの製造工程で発生した不良品のタンタルコンデンサなどが挙げられる。
前記タンタルが実装されたスクラップの電子基板は、必要に応じ前処理として、適当な大きさに破砕を行うことが好ましい。当該破砕の処理方法は、特に制限がなく、目的に応じて適宜選択することが出来る。例えば、一軸又は二軸の破砕機やシュレッダー、などを用いて処理を行うことが出来る。なお、電子基板を細かく粉砕せず、破砕の水準に留めることで、貴金属が微細画分へ混入することを回避出来る。従って、粉砕処理は、二軸破砕機等による粗砕程度に留めることが好ましい。
スクラップのタンタルコンデンサのみ処理する場合は、当該破砕工程を省略することもできる。
破砕後の破砕物を、400〜500℃で加熱(焼却)処理して第1の加熱処理物を得る。当該第1の加熱処理に用いる装置は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば電気炉、ロータリーキルン、などを用いて行うことができる。
当該第1の加熱処理は酸化雰囲気下で行う。これは、タンタルコンデンサを構成していたシリコン製のモールド部の粉化に酸素が必要だからである。ここで「酸化雰囲気」とは、大気雰囲気(酸素21%含有)、または、大気以上の酸素濃度を有した雰囲気のことをいう。
当該第1の加熱処理の温度を400〜500℃とすることで、タンタルコンデンサを構成していたシリコン製のモールド部は粉化するが、タンタルコンデンサを構成していたタンタル焼結体は粉化しない。
当該第1の加熱処理の時間は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、5分間〜60分間が好ましい。また、当該第1の加熱処理の際の圧力は、コストの面から特に制御が必要ない大気圧下であることが好ましい。
前記第1の加熱処理後、得られた第1の加熱処理物から、粉化した第1の加熱処理物(粉化されたモールド部であるシリコン化合物)を、当該第1の加熱処理物の他の部分から選別し除去する。当該選別方法としては、長軸長さにより選別することができれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば篩い、サイクロン、機械分級機等の物理的選別が好ましい。これらの中でも、篩いによる選別が特に好ましい。物理的選別は水分が存在しないので、乾式精錬には適するからである。
選別基準は、長軸長さが一定値を超えるものとそれ以下のものとで分けることを意味し、好ましくは長軸長さ0.1mm〜1mmを基準に選別することがよい。特に0.1mm〜0.5mmがより好ましい。
当該選別により、長軸長さが1mm以下の部分である粉化した第1の加熱処理物を分離除去することで、粉化したモールド部であるシリコン化合物を除去することが出来る。これにより、後工程におけるタンタル品位が高まる。そこで、上述した第1の加熱処理工程の温度を調整して、当該長軸長を有する粉化した第1の加熱処理物が得られる条件を求めれば良い。
ここで、粉化した第1の加熱処理物の長軸長さとは、当該粉化した第1の加熱処理物を上方から平面視した際における最大の長さを意味する。
粉化した第1の加熱処理物の長軸長さは、例えば篩目が異なる篩を複数用意して、各篩の通過量、残存量により質量平均長さを求める方法、拡大写真を撮影し、スケール等により実測する方法などにより測定することができる。
第1の選別工程により得られた第1の加熱処理物の他の部分を、550℃以上で加熱(焼却)処理する。当該加熱処理装置も、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば電気炉、ロータリーキルン、などを用いて行うことができる。
当該第2の加熱(焼却)処理も酸化雰囲気下で行う。これは、タンタルコンデンサ内部のタンタル焼結体の粉化に酸素が必要だからである。
当該第2の加熱処理の温度は、550℃以上であり、600℃以上が好ましく、上限は基板等の銅が溶融しない1100℃以下が好ましい。当該加熱温度が550℃以上あれば、タンタルの酸化反応速度が確保でき、短時間でタンタルコンデンサ内部のタンタル焼結体が十分に粉化する。
タンタルコンデンサ内部のタンタル焼結体は、酸化マンガン(MnO2)及び酸化タンタル(Ta2O5)層に覆われた金属タンタル粒子により形成されており、低温ではこの酸化物層が保護層となり粒子内部まで酸化しないが、500℃〜600℃にかけて酸化速度が急激に上昇し、酸化物層の亀裂を伴う酸化が始まるため、焼結体の破壊が進む。
当該第2の加熱処理の時間は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、5分間〜60分間が好ましい。当該第2の加熱処理の際の圧力は、コストの面から、特に制御が必要ない大気圧下であることが好ましい。
前記第2の加熱処理後、得られた第2の加熱処理物の長軸長さによりタンタルを貴金属と選別する。当該選別方法としても、長軸長さにより選別することができれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば篩い、サイクロン、機械分級機等の物理的選別が好ましい。これらの中でも、篩いによる選別が特に好ましい。選別基準は、前記第1の選別工程と同様である。
当該選別により、長軸長さが1mm以下の部分である粉化した第2の加熱処理物を分離し、これからタンタルの回収を行う。長軸長さが1mmを超える第2の加熱処理物の他の部分には、実質的にタンタルは含まれておらず、金、銀、銅、パラジウム等の貴金属が含有されているので、貴金属を効率よく回収するのに有利である。
これによりタンタル品位が高まる。そこで、上述した第2加熱処理の温度を調整して、当該長軸長を有する粉化した第2の加熱処理物が得られる条件を求めれば良い。
得られた粉化した第2の加熱処理物から、タンタルを分離精製する方法しては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えばフッ酸溶解及び溶媒抽出による湿式法や、塩化揮発による乾式法、などが挙げられる。
(1)第1の加熱処理工程
タンタルコンデンサー5gをるつぼに入れ、400℃に保持した電気炉内に挿入し、第1の加熱処理を1時間実施した。電気炉内には大気を流通させることで、酸素濃度21%の雰囲気を維持した。
当該第1の加熱熱処理後、得られた第1の加熱処理物(コンデンサー残渣)を炉から取り出し、空冷した。そして、当該第1の加熱処理物の外観によって、第1の加熱処理物の粉化部分(モールド部)、および、第1の加熱処理物の粉化部分以外の部分(焼結体)の状態を確認した。すると、タンタルコンデンサーにおけるシリコンモールド部の一部のみが粉化していることが確認出来た。
次に、当該第1の加熱処理物を目開き0.5mmの篩にて篩分けした。このときの第1の篩上は4.14gであり、当初のタンタルコンデンサー5gに対する第1の篩上の比率は:4.14g/5g=0.83g/gであった。同様に、第1の篩下は0.45gであり、当初のタンタルコンデンサー5gに対する第1の篩下の比率は:0.45g/5g=0.09g/gであった。
第1の篩上4.14gをるつぼに入れ、600℃に保持した電気炉内に挿入し、第2の熱処理を1時間実施した。電気炉内には大気を流通させることで、酸素濃度21%の雰囲気を維持した。
当該第2の加熱処理後、得られた第2の加熱処理物を炉から取り出し空冷した。当該第2の加熱処理物をその外観によって、第2の加熱処理物の粉化部分、および、第2の加熱処理物の粉化部分以外の部分の状態を確認した。次に、当該第2の加熱処理物を目開き0.5mmの篩にて篩分けした。このときの第2の篩上は0.70gであり、当初のタンタルコンデンサー量5gに対する第2の篩上の比率は:0.70g/5g=0.14g/gであった。同様に、第2の篩下は3.45gであり、当初のタンタルコンデンサー量5gに対する第2の篩下の比率は:3.45g/5g=0.69g/gであった。
得られた第2の篩下から、湿式法にてタンタル分を分離精製して採取した。一方、得られた第2の篩上から金、銀、銅、パラジウム等の貴金属を分離精製して採取した。
ここで、第1の篩下におけるシリコン濃度を蛍光X線分析装置で測定したところ28.8質量%であった。
第2の篩下におけるタンタル濃度、シリコン濃度を蛍光X線分析装置で測定したところタンタル濃度は49.4質量%、シリコン濃度は10.2質量%であった。
以上の結果を表1に示す。
第1の加熱処理温度を450℃とした以外は、実施例1と同様の操作、および観察を行って、実施例2に係る第1の篩下、第2の篩上、および、第2の篩下を得、分析を行った。これらの結果を表1に示す。
第1の加熱処理温度を500℃とした以外は、実施例1と同様の操作および観察を行って、実施例3に係る第1の篩下、第2の篩上、および、第2の篩下を得、分析を行った。これらの結果を表1に示す。
第1の加熱処理温度を350℃とした以外は、実施例1と同様の操作および観察を行って、比較例1に係る第1の篩下、第2の篩上、および、第2の篩下を得、分析を行った。これらの結果を表1に示す。
第1の加熱処理温度を450℃とし、大気と窒素とを混合して雰囲気の酸素濃度を8.4%とした以外は、実施例1と同様の操作および観察を行って、比較例2に係る第1の篩下、第2の篩上、および、第2の篩下を得、分析を行った。これらの結果を表1に示す。
第1の加熱処理温度を500℃とし、大気と窒素とを混合して雰囲気の酸素濃度を8.4%とした以外は、実施例1と同様の操作および観察を行って、比較例3に係る第1の篩下、第2の篩上、および、第2の篩下を得、分析を行った。これらの結果を表1に示す。
第1の加熱処理温度を600℃とし、大気と窒素とを混合して雰囲気の酸素濃度を2.5%とした以外は、実施例1と同様の操作および観察を行って、比較例4に係る第1の篩下、第2の篩上、および、第2の篩下を得、分析を行った。これらの結果を表1に示す。
表1の結果から明らかなように実施例1〜3に係る第2の篩下においては、タンタルの濃度が高く、シリコンの濃度は低いことが判明した。従って、当該第2の篩下からタンタルを抽出することで、タンタルコンデンサを実装したスクラップの電子基板、または、スクラップのタンタルコンデンサから、高い効率をもってタンタルを回収できることが判明した。
Claims (5)
- タンタルコンデンサが実装された基板またはタンタルコンデンサからの、タンタルの回収方法であって、
タンタルコンデンサが実装された基板またはタンタルコンデンサを、酸化雰囲気下、400〜500℃の温度で加熱処理して第1の加熱処理物を得る第1の加熱処理工程と、
前記得られた第1の加熱処理物を、当該第1の加熱処理物の長軸長さにより選別する第1の選別工程と、
前記選別された他の成分を550℃以上の温度で加熱処理して第2の加熱処理物を得る第2の加熱処理工程と、
前記得られた第2の加熱処理物を、当該第2の加熱処理物の長軸長さにより選別する第2の選別工程と、を有することを特徴とするタンタルの回収方法。 - 第1および第2の選別工程での選別基準を、第1および第2の加熱処理物の0.1mm〜1mmの長軸長さとすることを特徴とする請求項1に記載のタンタルの回収方法。
- 前記基板が貴金属を含み、第2の加熱処理物の長軸長さによる選別により、タンタルと貴金属を選別することを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のタンタルの回収方法。
- 貴金属が、金、銀、銅及びパラジウムから選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項3に記載のタンタルの回収方法。
- タンタルコンデンサが実装された基板を破砕した後、加熱処理することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のタンタルの回収方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010162306A JP5570334B2 (ja) | 2010-07-16 | 2010-07-16 | タンタルの回収方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010162306A JP5570334B2 (ja) | 2010-07-16 | 2010-07-16 | タンタルの回収方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012021218A true JP2012021218A (ja) | 2012-02-02 |
JP5570334B2 JP5570334B2 (ja) | 2014-08-13 |
Family
ID=45775701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010162306A Active JP5570334B2 (ja) | 2010-07-16 | 2010-07-16 | タンタルの回収方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5570334B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015072338A1 (ja) | 2013-11-14 | 2015-05-21 | オムロン株式会社 | データ構造、ライブラリ作成装置、電子機器分析装置、ライブラリ提供システム |
CN111945102A (zh) * | 2019-05-14 | 2020-11-17 | 核工业理化工程研究院 | 一种在金属钽表面制备氧化膜的方法及其应用 |
CN114015884A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-02-08 | 中南大学 | 废旧钽电容器中回收钽、镍、银的方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6473028A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-17 | Tosoh Corp | Recovering method for high purity tantalum from scrap tantalum |
JPS6475632A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Tosoh Corp | Recovering method for tantalum from scrap tantalum |
JP2002316822A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | タンタル/ニオブ含有の炭化物系原料からのタンタル/ニオブの回収方法 |
JP2007231365A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Nikko Kinzoku Kk | ルテニウムータンタル合金からルテニウムとタンタルを分離する方法 |
JP2009195901A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-09-03 | Dowa Eco-System Co Ltd | 家庭用電気器具の分解処理方法 |
JP2009221514A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Dowa Eco-System Co Ltd | 電子基板からのタンタルの回収方法 |
JP2010214352A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | タンタルコンデンサのリサイクル方法 |
-
2010
- 2010-07-16 JP JP2010162306A patent/JP5570334B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6473028A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-17 | Tosoh Corp | Recovering method for high purity tantalum from scrap tantalum |
JPS6475632A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Tosoh Corp | Recovering method for tantalum from scrap tantalum |
JP2002316822A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | タンタル/ニオブ含有の炭化物系原料からのタンタル/ニオブの回収方法 |
JP2007231365A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Nikko Kinzoku Kk | ルテニウムータンタル合金からルテニウムとタンタルを分離する方法 |
JP2009195901A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-09-03 | Dowa Eco-System Co Ltd | 家庭用電気器具の分解処理方法 |
JP2009221514A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Dowa Eco-System Co Ltd | 電子基板からのタンタルの回収方法 |
JP2010214352A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | タンタルコンデンサのリサイクル方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015072338A1 (ja) | 2013-11-14 | 2015-05-21 | オムロン株式会社 | データ構造、ライブラリ作成装置、電子機器分析装置、ライブラリ提供システム |
CN111945102A (zh) * | 2019-05-14 | 2020-11-17 | 核工业理化工程研究院 | 一种在金属钽表面制备氧化膜的方法及其应用 |
CN114015884A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-02-08 | 中南大学 | 废旧钽电容器中回收钽、镍、银的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5570334B2 (ja) | 2014-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6050222B2 (ja) | 電気・電子部品屑の処理方法 | |
Santos et al. | Purification of metallurgical grade silicon by acid leaching | |
JP5058859B2 (ja) | 廃プリント基板の処理方法 | |
JP5651462B2 (ja) | リチウムイオン二次電池からの有価物の回収方法、及び有価物を含有する回収物 | |
Tanısalı et al. | Precious metals recovery from waste printed circuit boards by gravity separation and leaching | |
JP5270934B2 (ja) | 電子基板からのタンタルの回収方法 | |
JP2012079630A (ja) | リチウムイオン二次電池からの有価物の回収方法、及び有価物を含有する回収物 | |
KR101230869B1 (ko) | Pcb기판의 유가금속 및 부품 회수장치와 이를 이용한 회수방법 | |
JP5010706B2 (ja) | タンタルの回収方法 | |
WO2017037625A1 (en) | A method and process of recovering metal values from waste monolithic ceramic capacitors | |
RU2502813C1 (ru) | Способ переработки отходов электронной и электротехнической промышленности | |
JP5570334B2 (ja) | タンタルの回収方法 | |
EP3802890A1 (en) | Hydrometallurgical method for the recovery of base metals and precious metals from a waste material | |
JP6228843B2 (ja) | 銅製錬における電気・電子部品屑の処理方法 | |
JP5570335B2 (ja) | ニオブの回収方法 | |
JP7076178B2 (ja) | 電子・電気機器部品屑の処理方法 | |
JP2011046983A (ja) | 携帯用または小型の電気電子機器からの有価金属回収方法 | |
WO2017046687A1 (en) | A process of recovering metal values from chips of waste printed circuit boards (pcbs) | |
JP2017190529A (ja) | 銅製錬における電気・電子部品屑の処理方法 | |
JP5423230B2 (ja) | 高品位ロジウム粉の回収方法 | |
Fan et al. | Experimental Study on Smelting of Waste Smartphone PCBs Based on Al 2 O 3-FeO x-SiO 2 Slag System | |
Barnwal et al. | Comparison of different routes for recovery of metals from electronic scrap | |
JP2017154134A (ja) | プリント基板屑の粉砕方法及びプリント基板屑からの有価金属の回収方法 | |
KR101817079B1 (ko) | 귀금속 광석의 선광과정에서 발생하는 폐슬러지로부터 백금족 금속 회수방법 | |
JP2019151863A (ja) | 銅製錬ダストからスズを回収する方法とスズ回収物。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130515 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140617 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140624 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5570334 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |