JP2012008535A - 液晶表示装置 - Google Patents
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-
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Abstract
【解決手段】フレーム反転駆動する液晶表示装置であって、液晶素子及び液晶素子の第1の電極に印加する電圧を制御するトランジスタを有する画素を複数有し、走査線は、行方向に配置された画素が有するトランジスタのゲートに電気的に接続され、コモン線は、行方向に配置された画素が有する液晶素子の第2の電極に電気的に接続されている。第1のフレーム期間において、複数の走査線を順次選択するのに同期して、複数のコモン線に順次、第1の電位が保持され、第1のフレーム期間と隣り合う第2のフレーム期間において、複数の走査線を順次選択するのに同期して、複数のコモン線に順次、第1の電位とは異なる第2の電位が保持される。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、コモン線駆動回路に設けられるシフトレジスタに関して、リセット用パルス出力回路と、セット用パルス出力回路と、当該リセット用パルス出力回路及びセット用パルス出力回路を有するシフトレジスタの一例を図1〜図10、図22を参照して説明する。
本実施の形態では、コモン線駆動回路に設けられるシフトレジスタであって、上記実施の形態1とは異なるシフトレジスタの構成について、以下に説明する。
本実施の形態では、コモン線駆動回路に設けられるシフトレジスタであって、上記実施の形態1〜2とは異なるシフトレジスタの構成について、図13〜図15を参照して説明する。本実施の形態では、コモン線駆動回路に第1のシフトレジスタと第2のシフトレジスタを設ける例を示す。
本実施の形態では、上記実施の形態1の図22で示した液晶表示装置が有する駆動回路の構成について、図16を用いて具体的に説明する。
上記実施の形態1の図22に示す液晶表示装置は、交流駆動させることによって、液晶素子の劣化(焼き付き)を抑制することができる。
本実施の形態では、液晶表示装置が有する表示パネルの画素の構成の一例について、図19を用いて説明する。
本実施の形態では、本明細書で開示する液晶表示装置に適用できるトランジスタの構成の一例について、図20を用いて説明する。図20は、トランジスタの断面構造を示している。
本明細書で開示する液晶表示装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用等のモニタ、デジタルカメラやデジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機等の大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について、図21を用いて説明する。
20 セット用パルス出力回路
30 リセット用パルス出力回路
40 リセット用パルス出力回路
50 セット用パルス出力回路
100 リセット初期化信号線
101 第1の信号線
102 第2の信号線
103 第3の信号線
104 第4の信号線
105 第5の信号線
106 第6の信号線
111 第1の配線
112 第2の配線
201 第1の入力端子
202 第2の入力端子
203 第3の入力端子
204 第4の入力端子
205 第5の入力端子
206 第1の出力端子
221 トランジスタ
222 トランジスタ
223 トランジスタ
224 トランジスタ
225 トランジスタ
226 トランジスタ
227 トランジスタ
228 トランジスタ
229 トランジスタ
231 第1の電源線
232 第2の電源線
233 第3の電源線
234 第4の電源線
235 第5の電源線
236 第6の電源線
237 第7の電源線
238 第8の電源線
301 第6の入力端子
302 第7の入力端子
303 第8の入力端子
304 第9の入力端子
305 第2の出力端子
306 第3の出力端子
310 トランジスタ
311 トランジスタ
312 トランジスタ
313 トランジスタ
314 トランジスタ
315 トランジスタ
316 トランジスタ
317 トランジスタ
318 トランジスタ
319 トランジスタ
329 第9の電源線
330 第10の電源線
331 第11の電源線
332 第12の電源線
333 第13の電源線
334 第14の電源線
335 第15の電源線
336 第16の電源線
337 第17の電源線
338 第18の電源線
361 容量素子
362 容量素子
401 第1の期間
402 第2の期間
403 第3の期間
404 第4の期間
405 第5の期間
406 第6の期間
1201 第1の入力端子
1202 第2の入力端子
1203 第3の入力端子
1204 第4の入力端子
1206 第1の出力端子
1211 トランジスタ
1212 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1215 トランジスタ
1216 トランジスタ
1217 トランジスタ
1218 トランジスタ
1221 第1の電源線
1222 第2の電源線
1223 第3の電源線
1224 第4の電源線
1225 第5の電源線
1226 第6の電源線
1227 第7の電源線
1311 第1の配線
1312 第2の配線
1411 第1の配線
1412 第2の配線
1501 第1の期間
1502 第2の期間
1503 第3の期間
1504 第4の期間
1505 第5の期間
1506 第6の期間
1507 第7の期間
1508 第8の期間
1509 第9の期間
1510 第10の期間
1611 シフトレジスタ
1612 第1のラッチ回路
1613 第2のラッチ回路
1614 シフトレジスタ
1615 バッファ
1617 バッファ
1618 シフトレジスタ
1619 バッファ
1701 画素
1708 液晶素子
1709 トランジスタ
1801 画素
1808 液晶素子
1809 トランジスタ
1901a ソース電極層
1901b ドレイン電極層
1903 ゲート電極層
1904 容量配線層
1905 トランジスタ
1907 絶縁膜
1909 層間膜
1910 透明電極層
1911 透明電極層
1912 ゲート絶縁層
1913 半導体層
1915 容量素子
1916 コモン線
1918 第1の基板
1919 第2の基板
2000 基板
2001 ゲート電極層
2002 ゲート絶縁層
2003 酸化物半導体層
2005a ソース電極層
2005b ドレイン電極層
2007 絶縁層
2009 保護絶縁層
2010 トランジスタ
2020 トランジスタ
2027 絶縁層
2030 トランジスタ
2036a 配線層
2036b 配線層
2037 絶縁層
2040 トランジスタ
2100 筐体
2101 筐体
2102 表示部
2103 表示部
2104 蝶番
2105 電源入力端子
2106 操作キー
2107 スピーカ
2111 筐体
2112 表示部
2121 筐体
2122 表示部
2123 スタンド
2131 筐体
2132 表示部
2133 操作ボタン
2134 外部接続ポート
2135 スピーカ
2136 マイク
2137 操作ボタン
2201 画素
2202 画素部
2203 信号線駆動回路
2204 走査線駆動回路
2205 コモン線駆動回路
2206 FPC
2207 基板
2208 液晶素子
2209 トランジスタ
2300 画素
2301 トランジスタ
2302 液晶素子
2303 保持容量
2304 信号線
2305 走査線
2306 コモン線
2307 容量線
2311 反転駆動期間
2312 非反転駆動期間
Claims (12)
- フレーム反転駆動する液晶表示装置であって、
前記液晶表示装置は、
マトリクス状に配置された複数の画素と、
複数のコモン線と、
複数の走査線と、を有し、
前記複数の画素の各々は、液晶素子と、前記液晶素子の第1の電極に印加する電圧を制御するトランジスタと、を有し、
前記複数の走査線の各々は、前記複数の画素のうち、行方向に配置された画素が有するトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記複数のコモン線の各々は、前記複数の画素のうち、行方向に配置された画素が有する液晶素子の第2の電極に電気的に接続され、
第1のフレーム期間において、前記複数の走査線を順次選択するのに同期して、前記複数のコモン線に順次第1の電位が保持され、
前記第1のフレーム期間と隣り合う第2のフレーム期間において、前記複数の走査線を順次選択するのに同期して、前記複数のコモン線に順次第2の電位が保持され、
前記第1の電位と前記第2の電位とは異なることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記複数のコモン線が保持する電位を供給するシフトレジスタを有し、
前記シフトレジスタは、リセット用パルス出力回路と、セット用パルス出力回路と、を有することを特徴とする液晶表示装置。 - ゲートライン反転駆動する液晶表示装置であって、
前記液晶表示装置は、
マトリクス状に配置された複数の画素と、
複数の第1のコモン線と、
複数の第2のコモン線と、
複数の走査線と、を有し、
前記複数の画素の各々は、液晶素子と、前記液晶素子の第1の電極に印加する電圧を制御するトランジスタと、を有し、
前記複数の走査線の各々は、前記複数の画素のうち、行方向に配置された画素が有するトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記複数の第1のコモン線の各々は、前記複数の画素のうち、奇数行の行方向に配置された画素が有する液晶素子の第2の電極に電気的に接続され、
前記複数の第2のコモン線の各々は、前記複数の画素のうち、偶数行の行方向に配置された画素が有する液晶素子の第2の電極に電気的に接続され、
第1のフレーム期間において、前記複数の走査線を順次選択するのに同期して、前記複数の第1のコモン線に順次第1の電位が保持される動作と、前記複数の第2のコモン線に順次第2の電位が保持される動作と、が交互に行われ、
前記第1のフレーム期間と隣り合う第2のフレーム期間において、前記複数の走査線を順次選択するのに同期して、前記複数の第1のコモン線に順次前記第2の電位が保持される動作と、前記複数の第2のコモン線に順次前記第1の電位が保持される動作と、が交互に行われ、
前記第1の電位と前記第2の電位とは異なることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3において、
前記複数の第1のコモン線が保持する電位を供給する第1のシフトレジスタと、
前記複数の第2のコモン線が保持する電位を供給する第2のシフトレジスタと、を有し、
前記第1のシフトレジスタと前記第2のシフトレジスタの各々は、リセット用パルス出力回路と、セット用パルス出力回路と、を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項2又は請求項4において、
前記リセット用パルス出力回路は、第1のトランジスタ乃至第9のトランジスタと、第1の入力端子乃至第5の入力端子と、出力端子と、第1の電源線乃至第8の電源線と、を有し、
前記リセット用パルス出力回路において、
前記第1のトランジスタは、第1の端子が前記第1の電源線と接続され、第2の端子が前記第5のトランジスタの第1の端子と接続され、ゲートが前記第4の入力端子と接続され、
前記第2のトランジスタは、第1の端子が前記第5のトランジスタの第1の端子と接続され、第2の端子が前記第2の電源線と接続され、ゲートが前記第4のトランジスタのゲートと接続され、
前記第3のトランジスタは、第1の端子が前記第2の入力端子と接続され、第2の端子が前記出力端子と接続され、ゲートが前記第5のトランジスタの第2の端子と接続され、
前記第4のトランジスタは、第1の端子が前記出力端子と接続され、第2の端子が前記第3の電源線と接続され、
前記第5のトランジスタは、ゲートが前記第4の電源線と接続され、
前記第6のトランジスタは、第1の端子が前記第5の電源線と接続され、第2の端子が前記第4のトランジスタのゲートと接続され、ゲートが前記第3の入力端子と接続され、
前記第7のトランジスタは、第1の端子が前記第6の電源線と接続され、第2の端子が前記第4のトランジスタのゲートと接続され、ゲートが前記第1の入力端子と接続され、
前記第8のトランジスタは、第1の端子が前記第7の電源線と接続され、第2の端子が前記第4のトランジスタのゲートと接続され、ゲートが前記第5の入力端子と接続され、
前記第9のトランジスタは、第1の端子が前記第4のトランジスタのゲートと接続され、第2の端子が前記第8の電源線と接続され、ゲートが前記第4の入力端子と接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項5において、
前記リセット用パルス出力回路において、前記第1のトランジスタ乃至前記第9のトランジスタは、Nチャネル型のトランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項2又は請求項4において、
前記リセット用パルス出力回路は、第1のトランジスタ乃至第8のトランジスタと、第1の入力端子乃至第4の入力端子と、出力端子と、第1の電源線乃至第7の電源線と、を有し、
前記リセット用パルス出力回路において、
前記第1のトランジスタは、第1の端子が前記第1の電源線と接続され、第2の端子が前記第5のトランジスタの第1の端子と接続され、ゲートが前記第4の入力端子と接続され、
前記第2のトランジスタは、第1の端子が前記第5のトランジスタの第1の端子と接続され、第2の端子が前記第2の電源線と接続され、ゲートが前記第4のトランジスタのゲートと接続され、
前記第3のトランジスタは、第1の端子が前記第2の入力端子と接続され、第2の端子が前記出力端子と接続され、ゲートが前記第5のトランジスタの第2の端子と接続され、
前記第4のトランジスタは、第1の端子が前記出力端子と接続され、第2の端子が前記第3の電源線と接続され、
前記第5のトランジスタは、ゲートが前記第4の電源線と接続され、
前記第6のトランジスタは、第1の端子が前記第5の電源線と接続され、第2の端子が前記第4のトランジスタのゲートと接続され、ゲートが前記第3の入力端子と接続され、
前記第7のトランジスタは、第1の端子が前記第6の電源線と接続され、第2の端子が前記第4のトランジスタのゲートと接続され、ゲートが前記第1の入力端子と接続され、
前記第8のトランジスタは、第1の端子が前記第4のトランジスタのゲートと接続され、第2の端子が前記第7の電源線と接続され、ゲートが前記第4の入力端子と接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項7において、
前記リセット用パルス出力回路において、前記第1のトランジスタ乃至前記第8のトランジスタは、Nチャネル型のトランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項2及び請求項4乃至請求項8のいずれか一項において、
前記セット用パルス出力回路は、第1のトランジスタ乃至第10のトランジスタと、第1の容量素子と、第2の容量素子と、第1の入力端子乃至第4の入力端子と、第1の出力端子と、第2の出力端子と、第1の電源線乃至第10の電源線と、を有し、
前記セット用パルス出力回路において、
前記第1のトランジスタは、第1の端子が前記第1の電源線と接続され、第2の端子が前記第1の出力端子と接続され、
前記第2のトランジスタは、第1の端子が前記第1の出力端子と接続され、第2の端子が前記第2の電源線と接続され、
前記第3のトランジスタは、第1の端子が前記第2の入力端子と接続され、第2の端子が前記第2の出力端子と接続され、ゲートが前記第1のトランジスタのゲートと接続され、
前記第4のトランジスタは、第1の端子が前記第2の出力端子と接続され、第2の端子が前記第3の電源線と接続され、ゲートが前記第2のトランジスタのゲートと接続され、
前記第5のトランジスタは、第1の端子が前記第6のトランジスタの第1の端子と接続され、第2の端子が前記第1のトランジスタのゲートと接続され、ゲートが前記第4の電源線と接続され、
前記第6のトランジスタは、第2の端子が前記第5の電源線と接続され、ゲートが前記第2のトランジスタのゲートと接続され、
前記第7のトランジスタは、第1の端子が前記第6の電源線と接続され、第2の端子が前記第6のトランジスタの第1の端子と接続され、ゲートが前記第3の入力端子と接続され、
前記第8のトランジスタは、第1の端子が前記第7の電源線と接続され、第2の端子が前記第2のトランジスタのゲートと接続され、ゲートが前記第1の入力端子と接続され、
前記第9のトランジスタは、第1の端子が前記第8の電源線と接続され、第2の端子が前記第2のトランジスタのゲートと接続され、ゲートが前記第4の入力端子と接続され、
前記第10のトランジスタは、第1の端子が前記第2のトランジスタのゲートと接続され、第2の端子が前記第9の電源線と接続され、ゲートが前記第3の入力端子と接続され、
前記第1の容量素子は、一方の端子が前記第1のトランジスタのゲートと接続され、他方の端子が前記第1の出力端子と接続され、
前記第2の容量素子は、一方の端子が前記第2のトランジスタのゲートと接続され、他方の端子が前記第10の電源線と接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項9において、
前記セット用パルス出力回路において、前記第1のトランジスタ乃至前記第10のトランジスタは、Nチャネル型のトランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、
前記液晶素子が有する液晶層に、ブルー相を示す液晶材料を用いることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の液晶表示装置を具備する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011104237A JP5766012B2 (ja) | 2010-05-21 | 2011-05-09 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010117010 | 2010-05-21 | ||
JP2010117010 | 2010-05-21 | ||
JP2011104237A JP5766012B2 (ja) | 2010-05-21 | 2011-05-09 | 液晶表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012008535A true JP2012008535A (ja) | 2012-01-12 |
JP2012008535A5 JP2012008535A5 (ja) | 2014-06-19 |
JP5766012B2 JP5766012B2 (ja) | 2015-08-19 |
Family
ID=44972139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011104237A Expired - Fee Related JP5766012B2 (ja) | 2010-05-21 | 2011-05-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8928645B2 (ja) |
JP (1) | JP5766012B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP5775357B2 (ja) | 2010-05-21 | 2015-09-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
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2011
- 2011-05-09 JP JP2011104237A patent/JP5766012B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-17 US US13/109,496 patent/US8928645B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5766012B2 (ja) | 2015-08-19 |
US8928645B2 (en) | 2015-01-06 |
US20110285688A1 (en) | 2011-11-24 |
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