JP2012003080A - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012003080A
JP2012003080A JP2010138591A JP2010138591A JP2012003080A JP 2012003080 A JP2012003080 A JP 2012003080A JP 2010138591 A JP2010138591 A JP 2010138591A JP 2010138591 A JP2010138591 A JP 2010138591A JP 2012003080 A JP2012003080 A JP 2012003080A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
region
pixels
lens
pixel set
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP2010138591A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisashi Goto
尚志 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Corp filed Critical Olympus Corp
Priority to JP2010138591A priority Critical patent/JP2012003080A/ja
Priority to US13/134,513 priority patent/US8749696B2/en
Priority to CN2011101594465A priority patent/CN102289131A/zh
Publication of JP2012003080A publication Critical patent/JP2012003080A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/28Systems for automatic generation of focusing signals
    • G02B7/34Systems for automatic generation of focusing signals using different areas in a pupil plane
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B9/00Exposure-making shutters; Diaphragms
    • G03B9/02Diaphragms
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60Control of cameras or camera modules
    • H04N23/67Focus control based on electronic image sensor signals
    • H04N23/672Focus control based on electronic image sensor signals based on the phase difference signals
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/134Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/703SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
    • H04N25/704Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B2217/00Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor
    • G03B2217/005Blur detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14623Optical shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses

Abstract

【課題】小型又は少ない画素集合から、高い精度の測距信号を得ることのできる撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子は、2次元に配列された複数の画素を有し、複数の画素によって、少なくとも、第1画素集合と第2画素集合の二つの画素集合が形成され、射出瞳が想定され、射出瞳に、その光軸と直交する面内で互いに直交する2つの直線で区切られた4つの分割領域を設定し、第1画素集合の画素は、4つの分割領域の一つに面積重心がある第1瞳領域からの光束を受光する構成であり、光軸に関して、第1瞳領域の面積重心のある分割領域に対称な分割領域に第2瞳領域の面積重心があり、第2画素集合の画素は、第2瞳領域に面積重心がある光束を受光する構成であり、第1画素集合からの信号と第2画素集合からの信号を前記2つの直線の方向の少なくとも一方で比較し、デフォーカス情報を取得する。
【選択図】図2

Description

本発明は、撮像装置に関するものである。
従来の位相差AFは、一組の画素集合からの信号から一方向の位相差信号しか得ることが出来なかった。一方、被写体によらず精度の高いデフォーカス量を算出するためには二方向の位相差信号を得ることが望ましいとされている。
特許文献1では、位相差AF用光学系が配置され、一つの像領域に対して、二方向の位相差信号を得る構成が開示されている。この構成をとる従来の位相差AFは、二組の画素集合を配置し、それぞれから異なる方向の位相差信号を得ている。
また、特許文献2、3では、画像形成用信号取得用の撮像素子に位相差AFのための信号を出力する測距用画素を配置した提案がされている。
特開2000−9990号公報 特開2000−156823号公報 特開2008−40087号公報
しかしながら、特許文献1記載の撮像装置では、1つの開口部に対して、4つのレンズ及び4つのセンサを配置した構成となっており、高い測距精度と小型化の両立が難しかった。
また、特許文献2、3記載の装置では、一つの像点に対して一方向の位相差信号しか得ることのできない構成となっている。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、小型又は少ない画素集合から、高い精度の測距信号を得ることのできる撮像装置を提供することを目的としている。また、本発明に係る撮像装置は、画素集合を形成している画素が、画像形成に充分な、多くの光量を受光できることを目的としている。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る撮像装置は、撮影レンズが装着可能な、又は、撮影レンズが固定された、撮像装置において、撮像素子を備え、撮像素子は2次元に配列された複数の画素を有し、複数の画素によって、少なくとも、第1画素集合と第2画素集合の二つの画素集合が形成され、射出瞳が想定され、射出瞳に、その光軸と直交する面内で互いに直交する2つの直線で区切られた4つの分割領域を設定し、第1画素集合の画素は、4つの分割領域の一つに面積重心がある第1瞳領域からの光束を受光する構成であり、光軸に関して、第1瞳領域の面積重心のある分割領域に対称な分割領域に第2瞳領域の面積重心があり、第2画素集合の画素は、第2瞳領域に面積重心がある光束を受光する構成であり、第1画素集合からの信号と第2画素集合からの信号を前記2つの直線の方向の少なくとも一方で比較し、デフォーカス情報を取得することを特徴としている。
本発明に係る撮像装置において、第1画素集合及び第2画素集合は、画像形成のための撮像素子内に配置されることが好ましい。
本発明に係る撮像装置においては、第1画素集合及び第2画素集合から、画像形成のための信号を得ることが好ましい。
本発明に係る撮像装置において、第1瞳領域と第2瞳領域は、少なくともそれぞれ、面積重心のある分割領域とその隣接する2つの分割領域内にあり、第1瞳領域と第2瞳領域は、隣接する領域内で重複部があることが好ましい。
本発明に係る撮像装置において、2つの直線は、撮像素子の1辺に対して水平方向の直線及び垂直方向の直線であることが好ましい。
本発明に係る撮像装置は、小型又は少ない画素集合から、高い精度の測距信号を得ることができる、という効果を奏する。
撮像装置の基本構成を示す図である。 想定される射出瞳内の第1瞳領域と第2瞳領域の基本構成を示した平面図である。 撮像素子の画素の配置例を示す平面図である。 第1実施形態に係る撮像装置の概略構成を示す図である。 第1実施形態における撮像素子の画素の配置及び遮光手段による遮光領域を重ねて示す平面図である。 第1実施形態における画素及び遮光手段の配置を示す断面図である。 第1実施形態の第1変形例における画素及び遮光手段の配置を示す断面図である。 比較例としての画素における遮光部と透明部の配置例を示す平面図である。 第1実施形態の第2変形例における撮像素子の画素の配置及び遮光手段による遮光領域を重ねて示す平面図である。 第1実施形態の第2変形例におけるカラーフィルタの配置と撮像素子の画素の配置を重ねて示す平面図である。 第1実施形態の第2変形例における画素、遮光手段、及びカラーフィルタの配置を示す断面図である。 第1実施形態の第3変形例における画素、遮光手段、及びカラーフィルタの配置を示す断面図である。 第2実施形態に係る画素及び遮光手段の配置を示す断面図である。 図13に示す画素を光軸の方向から見た平面図である。 第2実施形態における撮像素子の画素の配置を示す平面図である。 第3実施形態に係る撮像装置の概略構成を示す図である。 第3実施形態における、第1遮光手段と、想定される射出瞳内の第1瞳領域と第2瞳領域と、の関係を示した平面図である。 第3実施形態における撮像素子の画素と第2遮光手段を重ねて示す平面図である。 第3実施形態に係る画素及び第2遮光手段の配置を示す断面図である。 第4実施形態に係る一眼レフレックスカメラの構成を示す概念図である。 第4実施形態のAF光学系の構成を示す図である。 (a)は第1画素集合用の第1撮像面を示す平面図、(b)は第2画素集合用の第2撮像面を示す平面図である。 第5実施形態に係る撮像装置の概略構成を示す図である。 第5実施形態に係る遮光手段を光軸の方向から開口絞りと重ねて示す図であって、遮光部が光軸の左上にある状態を示す図である。 第5実施形態に係る遮光手段を光軸の方向から開口絞りと重ねて示す図であって、遮光部が光軸の右下にある状態を示す図である。 第6実施形態に係る撮像装置の概略構成を示す図である。 第6実施形態に係る撮像素子に遮光手段を重ねて示す平面図であって、遮光手段の下部の画素2行分が撮像素子と重なっていない状態を示す図である。 第6実施形態に係る撮像素子に遮光手段を重ねて示す平面図であって、遮光手段の上部の画素2行分が撮像素子と重なっていない状態を示す図である。 画素の構成を示す断面図であって、図27に示す状態に対応する図である。 画素の構成を示す断面図であって、図28に示す状態に対応する図である。 第6実施形態の撮像装置の処理の流れを示すフローチャートである。 第6実施形態のレンズ交換式のカメラシステムの構成をより詳細に示すブロック図である。 第6実施形態の撮像装置の処理の流れを示すフローチャートである。 第6実施形態のレンズ一体型のカメラの構成をより詳細に示すブロック図である。
以下に、本発明に係る撮像装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
まず、実施形態の説明に先立って、本発明に係る撮像装置による作用、効果について説明する。
本発明に係る撮像装置は、撮影レンズが装着可能な、又は、撮影レンズが固定された、撮像装置において、撮像素子を備え、撮像素子は2次元に配列された複数の画素を有し、複数の画素によって、少なくとも、第1画素集合と第2画素集合の二つの画素集合が形成され、射出瞳面が想定され、射出瞳に、その光軸と直交する面内で互いに直交する2つの直線で区切られた4つの分割領域を設定し、第1画素集合の画素は、4つの分割領域の一つに面積重心がある第1瞳領域からの光束を受光する構成であり、光軸に関して、第1瞳領域の面積重心のある分割領域に対称な分割領域に第2瞳領域の面積重心があり、第2画素集合の画素は、第2瞳領域に面積重心がある光束を受光する構成であり、第1画素集合からの信号と第2画素集合からの信号を前記2つの直線の方向の少なくとも一方で比較し、デフォーカス情報を取得することを特徴としている。
このような構成により、1組の異なる瞳領域からの光束で、二つの方向の位相差情報を取得することができる。
本発明に係る撮像装置において、第1画素集合及び第2画素集合は、画像形成のための撮像素子内に配置されることが好ましい。
これにより、一つの像領域に対して2方向の位相差情報を取得できるので、測距精度を高くできる。また、少ない測距用画素で2方向の位相差情報を取得できるので、画質と測距精度を両立できる。
本発明に係る撮像装置においては、第1画素集合及び第2画素集合から、画像形成のための信号を得ることが好ましい。
これによって、少ない測距用画素で2方向の位相差情報を取得できるので、実質的に測距用画素を密に配置でき、十分な光量を得ることができるので、画像形成のための信号をえることができる。
本発明に係る撮像装置において、第1瞳領域と第2瞳領域は、少なくともそれぞれ、面積重心のある分割領域とその隣接する2つの分割領域内にあり、第1瞳領域と第2瞳領域は、隣接する領域内で重複部があることが好ましい。
この構成により、瞳を分割せず、瞳領域の一部を重ねることで、充分な光量を受光できる。また、光量を十分受光できることにより、デフォーカス算出精度を向上させることができる。更に、第1画素集合及び第2画素集合を、画像形成のための撮像素子内に配置することにより、第1画素集合と第2画素集合からも画像形成に必要な信号を取得できる。
本発明に係る撮像装置において、2つの直線は、撮像素子の1辺に対して水平方向の直線及び垂直方向の直線であることが好ましい。
この構成により、水平線及び垂直線が撮像素子の辺に対して水平方向の直線、及び垂直方向の直線の場合、位相差情報を算出する実質的画素ピッチを小さくできるため素子の小型化が可能となる。
(基本構成)
まず、射出瞳に設定する分割領域、この分割領域の1つに面積重心がある瞳領域の基本構成について説明する。
図1は、撮像装置の基本構成を示す図である。図2は、想定される射出瞳14内の第1瞳領域と第2瞳領域の基本構成を示した平面図である。図3は、撮像素子13の画素の配置例を示す平面図である。
図1に示すように、撮影レンズ12の光軸11上に、デフォーカス検出用画素を有する撮像素子13が配置されている。また、光軸11上に射出瞳14が想定されている。射出瞳14は、撮像素子13の構成から設定される場合と、撮影レンズ12の構成から設定される場合がある。
図2に示すように、射出瞳14は、光軸11を中心とする水平線14a及び垂直線14bによって区切られた、4つの分割領域5LU、5RU、5LS、5RSからなる。第1瞳領域及びその面積重心は左上の分割領域5LUにあり、第2瞳領域及びその面積重心は右下の分割領域5RSにある(図2)。別言すると、光軸11に関して、第1瞳領域の面積重心のある分割領域に対称な分割領域に、第2瞳領域の面積重心が存在する。
なお、ここにおける水平線、垂直線とは、本実施形態においては撮像素子の1辺に対して水平方向の直線、及び垂直方向の直線としている。しかし、この2つの直線は、これに限定されるものでなく、光軸と直交する面内で互いに直交する2つの直線であればよい。
また、図2に示す例では、簡単のため、第1瞳領域を左上の分割領域5LUに一致させ、第2瞳領域は右下の分割領域5RSに一致させているが、面積重心を変えずに、これ以外の配置としてもよい。例えば、第1瞳領域を3つの分割領域5LU、5RU、5LSに配置し、第2瞳領域を3つの分割領域5RU、5LS、5RSに配置してもよい。この場合、第1瞳領域と第2瞳領域は、右上の分割領域5RUと左下の分割領域5LS内で重複する。
撮像素子13は、光軸11に直交する面内において、互いに直交する第1方向A1と第2方向B1に対して2次元に配列された複数の画素を有する。図3に示す撮像素子13の配置例では、第1瞳領域に対応する複数の画素6Lと、第2瞳領域に対応する複数の画素6Rと、が市松模様に配置されている。複数の画素6Lは、第1瞳領域からの光束を受光する第1画素集合を形成し、複数の画素6Rは、第2瞳領域からの光束を受光する第2画素集合を形成している。ここで、撮像素子13における第1方向A1は、射出瞳14における水平線14aに対応し、第2方向B1は垂直線14bに対応する。
デフォーカス情報の取得は、第1画素集合からの信号と第2画素集合からの信号を、第1方向A1と第2方向B1の少なくとも一方で比較することによって取得する。例えば、同一行の複数の画素に対応する、第1瞳領域と第2瞳領域を比較して位相差情報を検出する場合は、それぞれの瞳領域の面積重心を水平線に投影した位置を瞳領域の面積重心として算出すればよい。一方、例えば、同一列の複数の画素に対応する、第1瞳領域と第2瞳領域を比較して位相差情報を検出する場合は、それぞれの瞳領域の面積重心を垂直線に投影した位置を瞳領域の重心として算出すればよい。
ここでは、第1画素集合と第2画素集合を撮像素子の画素位置で分けているが、時分割でわけても良い。
上述の従来の撮像装置では、右側、左側、上側、下側の4つの画素集合を備え、第1方向(水平方向)の位相差情報を得る場合は、左側と右側の画素集合からの情報を用い、第2方向(垂直方向)の位相差情報を得る場合には下側と上側の画素集合からの情報を用いる。このような構成の従来の撮像装置に対して、第1実施形態の画素集合の構成画素数2倍になるため、測距精度を向上させることができる。
また、時分割で画素数を増やす場合、第1実施形態の撮像装置では、従来の撮像装置に対して2倍の時間露光ができるため、各画素集合は4倍の時間露光可能となる。これにより、測距精度を高めることができる。
なお、上述の従来の撮像装置は、一眼レフ用の構成であり、4分割することで、撮像素子の面積が大きくなり好ましくない。
(第1実施形態)
図4は、第1実施形態に係る撮像装置の概略構成を示す図である。図5は、第1実施形態における撮像素子120の画素の配置及び遮光手段110による遮光領域111を重ねて示す平面図である。図6は、第1実施形態における画素及び遮光手段の配置を示す断面図である。
図4に示すように、第1実施形態に係る撮像装置は、撮影レンズ102の光軸101上に、デフォーカス検出用画素を有する撮像素子120が配置されている。図5に示すように、撮像素子120は、互いに直交する第1方向A1と第2方向B1において2次元配列された複数の画素を有する。この複数の画素は、同一面積の光電変換領域を備え、市松模様状に配置した、第1画素集合121と第2画素集合122を有する。
撮像素子120の物体側近傍には、射出瞳を想定するための遮光手段110が配置されている。この遮光手段110は、例えば遮光フィルタであって、撮像素子120の各画素に対して、撮像素子120の第1方向A1に対応する線と第2方向B1に対応する線で区切られた、4つの分割領域をそれぞれ設定する。遮光手段110は、入射光を遮る遮光領域111と、入射光が透過する透明領域112と、を備える。
図6に示すように、各画素の光電変換面123に対応するように、オンチップレンズ108及び遮光手段110が配置されている。光電変換面123とオンチップレンズ108の間には、各光電変換面123の光電変換領域を規定する遮光部材124が設けられている。遮光手段110の遮光領域111と透明領域112を分割する線は、オンチップレンズ108の光軸108a上に配置されている。また、光軸108aは、各画素及び光電変換面123の中心を通る。
図5に示すように、第1画素集合121を構成する各画素は、画素の左上が遮光領域111で覆われており、それ以外の部分には、第1瞳領域としての透明領域112を透過し
た光を受光する。したがって、これらの画素に対応して、4つの分割領域の一つである、画素の右下に第1瞳領域の面積重心が存在する。
また、第2画素集合122を構成する各画素は、画素の右下が遮光領域111で覆われており、それ以外の部分には、第2瞳領域としての透明領域112を透過した光を受光する。したがって、これらの画素に対応して、4つの分割領域の一つである、画素の左上に第2瞳領域の面積重心が存在する。
以上の構成においては、第1画素集合121と第2画素集合122からの信号を上下方向(第2方向B1)へ比較すると、射出瞳を上下に分割した位相差情報が得られ、左右方向(第1方向A1)に比較すると射出瞳を左右に分割した位相差情報を得られる。
例えば、第1画素集合121の画素L03F02、L04F03、L03F04、L04F05、L03F06、L04F07、L03F08、L04F09の順に得られる信号波形を左側画像とし、第2画素集合122のL04F02、L03F03、L04F04、L03F05、L04F06、L03F07、L04F08、L03F09の順に得られる信号波形を右側画像とし、これらから左右像の位相差を算出し、この値をもとに撮影レンズのデフォーカス量を求めることができる。
ここで、特定の画素を示すときに、行番号L01〜16と列番号F01〜16を並べて表している。例えば、L01の行のうち、F01の列に対応する画素を「L01F01」で表す。
また、第1画素集合121のL04F03、L05F02、L06F03、L07F02、L08F03、L09F02、L10F03、L11F02の順に得られる信号波形を下側画像とし、第2画素集合122のL04F02、L05F03、L06F02、L07F03、L08F02、L09F03、L10F02、L11F03の順に得られる信号波形を上側画像とし、これらから上下像の位相差を算出し、この値をもとに撮影レンズのデフォーカス量を求めることができる。
なお、遮光手段110に代えて減光手段を用いてもよい。減光手段としては、所謂NDフィルタと同じような構成でよい。この構成は、特に光吸収型のフィルタであると、反射によるフレアーが発生せず好ましい。
また、減光手段を用いると、画素の受光できる光量が増えるため、画像形成に有利となり画質が向上する。さらに、光量増加は、位相差量算出精度も向上させるため、デフォーカス量を高い精度で算出できる。
第1実施形態の遮光手段110は、図6に示すように、画素のオンチップレンズ108の近傍の物体側に配置していたが、これに代えて、図7に示すように、遮光手段110を画素のオンチップレンズ108の近傍の光電変換面123側に配置してもよい。ここで、図7は、第1実施形態の第1変形例における画素及び遮光手段の配置を示す断面図である。
遮光領域は、図5に示す遮光領域111のような、画素の1/4にあたる左上又は右下の領域に限定されない。この場合、入射光量の面積重心が画素の中心線を通る位相差検出方向の線上から外れていればよい。例えば、画素の中心から右上、左上、右下、左下の何れかの周辺部まで遮光領域を持つのが好ましい。
これに対して、図8(a)のように、画素130の中心130aを越えて遮光部131を広げると、透明部132が小さくなるため画素の受光量が少なくなる。また、図8(b)のように、画素130の中心130aを残して、周辺部を透明部132にするとデフォーカス検出精度が劣化する。さらに、図8(c)のように、透明部132を画素の周辺部のみにすると撮影レンズのF値を大きくしたときにデフォーカス検出が困難になる。
ここで、図8は、比較例としての画素130における遮光部131と透明部132の配置例を示す平面図である。
図9は、第1実施形態の第2変形例における撮像素子150の画素の配置及び遮光手段140による遮光領域141を重ねて示す平面図である。図10は、第1実施形態の第2変形例におけるカラーフィルタ160の配置と撮像素子150の画素の配置を重ねて示す平面図である。図11は、第1実施形態の第2変形例における画素、遮光手段、及びカラーフィルタの配置を示す断面図である。なお、第1実施形態と同様の部材には同じ参照符号を付してその詳細な説明は省略する。
第2変形例の撮像装置においては、カラーフィルタ160を用いてカラー画像を取得できるように構成している。第2変形例の撮像素子150は、第1実施形態の撮像素子120と同様に、互いに直交する第1方向A1と第2方向B1において2次元配列された複数の画素を有する。
カラーフィルタ160は、撮像素子150の各画素に対応する位置に、R(赤)、G(緑)、B(青)を配置している。具体的には、L01F01画素を緑色のフィルタG、L01F02画素を赤色のフィルタR、L02F01を青色フィルタB、L02F02を緑色フィルタGとし、以下横方向及び縦方向に、これらの2×2の組合せパターンを繰り返している。
撮像素子150の複数の画素は、第1画素集合151と第2画素集合152を有する。各画素集合を構成する画素における、遮光領域141及び透明領域142の配置、並びに、瞳領域の面積重心は、第1実施形態の第1画素集合121と第2画素集合122と同様である。
上述のカラーフィルタ160の2×2の組合せパターンを構成する4つの画素は、同一種類の画素集合が設定され、となりの組合せパターンに対して異なる種類の画素集合が設定される。例えば、L01F01、L01F02、L02F01、L02F02の4画素は、第1画素集合151であり、この右隣のL01F03、L01F04、L02F03、L02F04の4画素は、第2画素集合152である。
図11に示すように、遮光手段140を画素のオンチップレンズ108の近傍の物体側に配置し、オンチップレンズ108の光電変換面153側近傍にカラーフィルタ160を配置している。遮光手段140の遮光領域141と透明領域142を分割する線は、オンチップレンズ108の光軸108a上に配置されている。
図12は、第1実施形態の第3変形例における画素、遮光手段、及びカラーフィルタの配置を示す断面図である。なお、第1実施形態又は第2変形例と同様の部材には同じ参照符号を付してその詳細な説明は省略する。
図12は、遮光手段140とカラーフィルタ160の配置関係の別の例を示したもので、遮光手段140とカラーフィルタ160を画素のオンチップレンズ108の近傍の光電変換面153側に順に配置している。このように構成することにより、画素間のクロストークの影響を小さくできる。なお、遮光手段140とカラーフィルタ160の順序はこの逆でもよい。このように構成することで、カラー画像が取得できる。
(第2実施形態)
図13は、第2実施形態に係る画素及び遮光手段の配置を示す断面図である。図14は、図13に示す画素を光軸の方向から見た平面図である。図15は、第2実施形態における撮像素子250の画素の配置を示す平面図である。ここで、図13は、図14の8画素のうちの1行分に対応している。図14においては、マイクロレンズの図示を省略している。
図13は並びあう画素の断面の概略図であるが、光電変換領域の面積は同じであり、それぞれの重心位置の間隔と画素ピッチの間隔が異なっている。
第1実施形態の撮像装置では、撮像素子120のオンチップレンズ108の近傍に遮光手段110を配置することによって、第1瞳領域と第2瞳領域を構成していたが、第2実施形態では、撮像素子250の光電変換領域近傍に遮光手段を配置することによって、第1瞳領域と第2瞳領域を構成している。
画素を4分割し、この図では、左上か右下を遮光部材又はNDフィルタを配置している。
図13、図14において、マイクロレンズ211、212、213、214は、撮像素子250(センサー)の各画素に対応するように配置されている。マイクロレンズ211、212、213、214の間隔は画素ピッチに従うが、撮影レンズの射出瞳位置を考慮して、中心から周辺に向けて画素ピッチより狭い間隔で配置されてもよい。なお、図13に図示していない、画素と対応するマイクロレンズとの関係も同様である。
図14に示す画素は、光電変換面221、222、223、224、225、226、227、228をそれぞれ備える。それぞれの画素において、マイクロレンズと光電変換面との間であって光電変換面近傍には、遮光部材231、232、233、234、235、236、237、238(遮光手段)がそれぞれ配置されている。これらの遮光部材は、例えば遮光フィルタであって、撮像素子250の各画素に対して、撮像素子250の第1方向A1に対応する線と第2方向B1に対応する線で区切られた、4つの分割領域をそれぞれ設定する。また、遮光部材は、入射光を遮る遮光領域230aと、入射光が透過する透明領域230bと、を備える。
なお、図13においては、遮光部材231、232、233、234、235、236、237、238が同一平面上に構成されているが、同一画素内において同一平面上に構成させなくてもよい。
各画素の光電変換領域は、想定する撮影レンズ、対応するマイクロレンズ、遮光部材、及び、光電変換面の関係で定まる。
各マイクロレンズは、その光軸201、202、203、204、205、206、207、208が、対応する画素の画素中心を通るように配置されている。
250は、互いに直交する第1方向A1と第2方向B1において2次元配列された複数の画素を有する。この複数の画素は、同一面積の光電変換領域を備え、市松模様状に配置した、第1画素集合251と第2画素集合252を有する。
第1画素集合251を構成する各画素は、光電変換領域において、画素の左上が遮光領域230aで覆われており、それ以外の部分には、第1瞳領域としての透明領域230bを透過した光を受光する。したがって、これらの画素においては、4つの分割領域の一つである、画素の右下に第1瞳領域の面積重心が存在する。ここで、図14において、第1画素集合を構成する画素は、光電変換面221、223、226、228を有する画素である。
また、第2画素集合252を構成する各画素は、光電変換領域において、画素の右下が遮光領域230aで覆われており、それ以外の部分には、第2瞳領域としての透明領域230bを透過した光を受光する。したがって、これらの画素においては、4つの分割領域の一つである、画素の左上に第2瞳領域の面積重心が存在する。ここで、図14において、第2画素集合を構成する画素は、光電変換面222、224、225、227を有する画素である。
以上のように構成することで、第1画素集合と第2画素集合からの信号を上下方向へ比較すると射出瞳を上下に分割した位相差情報が得られ、左右方向に比較すると射出瞳を左右に分割した位相差情報を得られる。例えば、第1画素集合のL03F02、L04F03、L03F04、L04F05、L03F06、L04F07、L03F08、L04F09の順に得られる信号波形を左側画像とし、第2画素集合のL04F02、L03F03、L04F04、L03F05、L04F06、L03F07、L04F08、L03F09の順に得られる信号波形を右側画像とし、これらの画像から左右像の位相差を算出し、この値をもとに撮影レンズのデフォーカス量を求めることができる。
また、第1画素集合のL04F03、L05F02、L06F03、L07F02、L08F03、L09F02、L10F03、L11F02の順に得られる信号波形を下側画像とし、第2画素集合のL04F02、L05F03、L06F02、L07F03、L08F02、L09F03、L10F02、L11F03の順に得られる信号波形を上側画像とし、これらの画像から上下像の位相差を算出し、この値をもとに撮影レンズのデフォーカス量を求めることができる。
また、第2実施形態においても、図9に示したように第1画素集合及び第2画素集合を配置し、図10に示すカラーファイルタを用いることにより、第1実施形態の場合と同様の考え方でカラー画像を得ることができる。
なお、その他の構成、作用、効果については、第1実施形態と同様である。
(第3実施形態)
図16は、第3実施形態に係る撮像装置の概略構成を示す図である。図17は、第1遮光手段361と、想定される射出瞳14内の第1瞳領域と第2瞳領域と、の関係を示した平面図である。図18は、第3実施形態における撮像素子303の画素と第2遮光手段362を重ねて示す平面図である。また、図18は、第2遮光手段362及び撮像素子303を光軸方向にみた図である。
図16に示すように、撮影レンズ系302の光軸301上に、デフォーカス検出用画素を有する撮像素子303が配置されている。また、撮影レンズ系302は、開口絞り304と、その近傍に配置された第1遮光手段361と、を有する。さらに、撮像素子303の物体側近傍には、第2遮光手段362が配置されている。
なお、第1減光手段361は撮影レンズ系内の開口絞り304の近傍に配置するのが望ましいが、これに限るものでなく、撮像素子303から所定の距離の位置、別言すると撮影装置で想定した射出瞳に対応する位置、に配置してもよい。
図17に示すように、第1遮光手段361は、光軸301を中心とする水平線361a及び垂直線361bによって区切られた、4つの偏光領域(分割領域)63LU、63RU、63RS、63LSを備える。左上の第1偏光領域63LUは第1瞳領域及びその面積重心に対応し、右下の第2偏光領域63RSは第2瞳領域及びその面積重心に対応している。左上の偏光領域63LUと右下の偏光領域63RSは、90度異なる偏光方向の光束を減光又は遮光する構成であり、光軸301に関して、第1瞳領域の面積重心のある分割領域に対称な分割領域に、第2瞳領域の面積重心が存在する。
第2遮光手段362も、第1遮光手段361と同様の構成である。すなわち、光軸301を中心とする水平線及び垂直線によって区切られた、4つの偏光領域(分割領域)を備え、その1つの第1偏光領域363(図19)は第1瞳領域及びその面積重心に対応し、光軸301に関して対称の位置の第2偏光領域364(図19)が第2瞳領域及びその面積重心に対応している。ここで、図19は、第3実施形態に係る画素及び第2遮光手段362の配置を示す断面図である。
第1遮光手段361の偏光領域において減光又は遮光する光束の偏光方向と、第2遮光手段362の偏光領域において減光又は遮光する光束の偏光方向と、は互いに90度異なる。例えば、第1遮光手段361の偏光領域においてS偏光を遮光する場合、第2遮光手段362の偏光領域においてはP偏光を遮光する。
図18に示すように、撮像素子303は、互いに直交する第1方向A1と第2方向B1において2次元配列された複数の画素を有する。この複数の画素は、同一面積の光電変換領域を備え、市松模様状に配置した、第1画素集合306Lと第2画素集合306Rを有する。また、第1偏光領域63LUと第2偏光領域63RSは、撮像素子303上の第1画素集合306Lの各画素と第2画素集合306Rの各画素に対応するように、配置されている。
第1遮光手段361と第2遮光手段362は、遮光領域と透明領域が、撮像素子303の各画素に対応して市松模様状(図18)になるように、それぞれ配置されている。第1偏光手段の遮光領域と第2偏光手段362の遮光領域は、それぞれ同じ偏光方向の光束を遮光するように配置されている。
以上のように構成することによって、第1画素集合306Lと第2画素集合306Rからの信号を上下方向へ比較すると射出瞳を上下に分割した位相差情報が得られ、左右方向に比較すると射出瞳を左右に分割した位相差情報を得られる。
例えば、第1画素集合306LのL03F02、L04F03、L03F04、L04F05、L03F06、L04F07、L03F08、L04F09の順に得られる信号波形を左側画像とし、第2画素集合のL04F02、L03F03、L04F04、L03F05、L04F06、L03F07、L04F08、L03F09の順に得られる信号波形を右側画像とし、これらから左右像の位相差を算出し、この値をもとに撮影レンズのデフォーカス量を求めることができる。
また、第1画素集合のL04F03、L05F02、L06F03、L07F02、L08F03、L09F02、L10F03、L11F02の順に得られる信号波形を下側画像とし、第2画素集合のL04F02、L05F03、L06F02、L07F03、L08F02、L09F03、L10F02、L11F03の順に得られる信号波形を上側画像とし、これらから上下像の位相差を算出し、この値をもとに撮影レンズのデフォーカス量を求めることができる。
また、第3実施形態においても、図9に示したように第1画素集合及び第2画素集合を配置し、図10に示すカラーフィルタを用いることにより、第1実施形態の場合と同様の考え方でカラー画像を得ることができる。カラー画像を得るために、第2遮光手段362と撮像素子303は、図19に示すように配置することが好ましい。オンチップレンズ308の光電変換部323側近傍に第2遮光手段362の第1偏光領域363又は第2偏光領域364が配置され、その光電変換部323側近傍にカラーフィルタ350が配置されている。なお、第2遮光手段362はオンチップレンズ308の物体側近傍に配置してもよい。
なお、その他の構成、作用、効果については、第1実施形態と同様である。
(第4実施形態)
図20は、第4実施形態に係る一眼レフレックスカメラの構成を示す概念図である。図21は、第4実施形態のAF光学系の構成を示す図である。図22(a)は、第1画素集合用の第1撮像面417を示す平面図、(b)は第2画素集合用の第2撮像面418を示す平面図である。
第4実施形態は、本発明の撮像装置を一眼レフレックスカメラに適用した実施形態である。
図20は、一眼レフレックスカメラでファインダー観察とAF測距するときの状態を示している。光軸(光線の進行方向)401は、撮影レンズ402を通り、ハーフミラーで構成されるメインミラー404に達する。ここで反射された光線は、焦点板405、ペンタプリズム406、及び接眼レンズ407を経て、撮影者の瞳(不図示)に入射し、ファインダー機能を果たす。
なお、撮影時には、メインミラー404とサブミラー408を撮影光路から退避させることによって、画像形成用の撮像素子403上に被写体像を投影することができる。
一方、メインミラー404を透過した光は、サブミラー408で反射し、以下に説明するAF光学系に入射する。
即ち、サブミラー408で反射した光は、視野絞り409、コンデンサーレンズ410、反射面411を経て、瞳分割絞り412に入射する。瞳分割絞り412に入射した光は、第1画素集合用の光束と第2画素集合用の光束に分離され、セパレーターレンズ413を経てAF用撮像面414に入射する。瞳分割絞り412は、撮影レンズ402内の想定射出瞳と共役関係になるように構成される。
撮影レンズ402内の射出瞳には、光軸401を中心とする水平線及び垂直線で区切られた4つの分割領域が設定されている。第1瞳領域は、4つの分割領域の1つに面積重心があり、第2瞳領域は、光軸401に関して第1瞳領域の面積重心のある分割領域に対称な分割領域に面積重心がある。
図21に示すように、瞳分割絞り412には、光軸401に対して左上側に配置した第1開口部415と、光軸401に対して右下側に配置した第2開口部416と、が配置されている。第1開口部415には、第1画素集合用光束が通過し、第2開口部416には、第2画素集合用光束が通過する。
図21に示すように、AF用撮像面414には、光軸401に対し左上側に配置した第1撮像面417と、光軸401に対し右下側に配置した第2撮像面418と、が配置されている。第1撮像面417は、2次元に複数の画素(第1画素集合)が配列され、第1瞳領域からの第1画素集合用光束を受光する。第2撮像面418は、第1撮像面417と同様に、2次元に複数の画素(第2画素集合)が配列され、第2瞳領域からの第2画素集合用光束を受光する。
図22(a)に示す第1撮像面417と図22(b)に示す第2撮像面418の互いに対応する位置の画素からの出力信号を第1方向A1で比較すると左右方向の位相差が算出でき、第2方向B1で比較すると上下方法の位相差が算出できる。よって、これらの情報から撮影レンズ402のデフォーカス量を検知することができる。
第4実施形態においては、第1画素集合と第2画素集合を、AF用撮像面414の面内で第1撮像面417と第2撮像面418に分離したものを示したが、これに代えて撮像面は共通化して時分割で分離をしても良い。この場合は、2回の時分割で2方向の位相差を検出できるので、測距時間を短くし、動体に対する測距精度を向上させることができる。
なお、その他の構成、作用、効果については、第1実施形態と同様である。
(第5実施形態)
図23は、第5実施形態に係る撮像装置の概略構成を示す図である。図24は、遮光手段511を光軸501の方向から開口絞り504と重ねて示す図であって、遮光部512が光軸501の左上にある状態を示す図である。図25は、遮光手段511を光軸501の方向から開口絞り504と重ねて示す図であって、遮光部512が光軸501の右下にある状態を示す図である。
第5実施形態は、時分割して第1瞳領域と第2瞳領域を生成する撮像装置の実施形態である。
図23に示すように、撮影レンズ系502の光軸501上には撮像素子503が配置されている。撮影レンズ系502は、開口絞り504と、その物体側近傍に配置された遮光手段511と、を備える。
なお、遮光手段511は、図23に示すように、撮影レンズ系502内の開口絞り504の近傍に配置されているのが望ましいが、これに限るものではない。
図24、図25に示すように、遮光手段511は、入射光を遮光する遮光部512と、入射光が透過する透明部513と、を備える。この遮光部512は、光軸501に直交する面内で遮光手段511を移動することにより、光軸501を挟んだ2つの位置をとることができる。この2つの位置は、光軸501を中心とする水平線521と垂直線522で区切られた4つの分割領域のうち、光軸501に関して対称な左上の領域と右下の領域内にある。遮光手段511は、図示しない駆動源により、図24で示すように遮光部512が光軸501の左上にある状態と、図25で示すように遮光部512が光軸501の右下にある状態と、のいずれかになるように駆動される。これら2つの状態を切り換える手段は、2つの位置を結ぶ方向に遮光手段511を移動させるほか、遮光手段511を光軸501を中心に回転させても良いし、液晶やエレクトロクロミック等を用いて、電気的に透過状態と減光又は遮光状態を切り換えるものでも良い。
図24に示す状態では、光軸501の右下の領域に面積重心がある第1瞳領域からの光束が、撮像素子503の第1画素集合を形成する複数の画素に受光される。図25に示す状態では、光軸501の左上の領域に面積重心がある第2瞳領域からの光束が、撮像素子503の第2画素集合を形成する複数の画素に受光される。これら2つの状態を時分割で実現することにより、位相差情報の検出が可能となり、画面上の各部位でのデフォーカス量が算出される。また、図24と図25でそれぞれ記録画像用の画像形成を行うことができる。特に、遮光部512を光軸501近くに位置させることで、図24と図25の状態から生成される記録用画像(撮影画像)はほぼ同じになり、動画等でこの二つの状態を混合して使うことができる。
(第6実施形態)
図26は、第6実施形態に係る撮像装置の概略構成を示す図である。図27は、撮像素子651に遮光手段652を重ねて示す平面図であって、遮光手段652の下部の画素2行分が撮像素子651と重なっていない状態を示す図である。図28は、撮像素子651に遮光手段652を重ねて示す平面図であって、遮光手段652の上部の画素2行分が撮像素子651と重なっていない状態を示す図である。図29は、画素の構成を示す断面図であって、図27に示す状態に対応する図である。図30は、画素の構成を示す断面図であって、図28に示す状態に対応する図である。
第6実施形態は、時分割して第1瞳領域と第2瞳領域を生成する撮像装置の実施形態である。
第6実施形態の撮像装置は、図26に示すように、撮影レンズ602の光軸601上に撮像素子651が配置されている。この撮像素子651の各画素の光電変換面660に対応する位置にオンチップレンズ655がそれぞれ配置されている。オンチップレンズ655の物体側近傍には、射出瞳を想定するための遮光手段652が配置されている。この遮光手段652は減光手段でもよい。
遮光手段652は、例えば遮光フィルタであって、撮像素子651の各画素に対して、撮像素子651の第1方向A1に対応する線と第2方向B1に対応する線で区切られた、4つの分割領域をそれぞれ設定する。遮光手段652は、入射光を遮光する遮光領域653と、入射光が透過する透明領域654と、を備える。
撮像素子651の複数の画素は、左上が遮光領域653で覆われている第1画素集合661と、右下が遮光領域653で覆われている第2画素集合662と、で構成される。図27、図28に示す状態では、第1画素集合661と第2画素集合662が4画素単位で市松模様に構成されている。
第1画素集合661を構成する各画素は、画素の左上が遮光領域653で覆われており、それ以外の部分には、第1瞳領域としての透明領域654を透過した光を受光する。したがって、これらの画素に対応して、4つの分割領域の一つである、画素の右下に第1瞳領域の面積重心が存在する。
また、第2画素集合662を構成する各画素は、画素の右下が遮光領域653で覆われており、それ以外の部分には、第2瞳領域としての透明領域654を透過した光を受光する。したがって、これらの画素に対応して、4つの分割領域の一つである、画素の左上に第2瞳領域の面積重心が存在する。
ここで、図9に示したように第1画素集合及び第2画素集合を配置し、図10に示すカラーファイルタを用いることにより、第1実施形態の場合と同様の考え方でカラー画像を得ることができる。
図27に示す状態では、撮像素子651の左上の4画素が第2画素集合662となる。図27の状態に対して遮光手段652を上へ2行分ずらした図28に示す状態では、撮像素子651の左上の4画素が第1画素集合661となる。したがって、図27の状態で第1画素集合661であった画素は、図28の状態では第2画素集合662となり、第2画素集合662であった画素は第1画素集合となる。
図27の状態から図28の状態への切り換えは、不図示の駆動手段によって遮光部材を移動させてもよいし、撮像素子を移動させてもよい。また、これらを移動させる駆動手段は、手振れ防止の為の駆動システムと兼用しても良い。
以上の構成によれば、図27と図28の状態における、同一の画素からの出力を比較することにより、位相差情報を取得することができる。
なお、全画素が第1画素集合661である状態と、全画素が第2画素集合662である状態と、を時分割で形成してもよい。
次に、第6実施形態の撮像装置としてレンズ交換式のカメラシステムを用いた場合の処理の流れについて説明する。図31は、第6実施形態の撮像装置の処理の流れを示すフローチャートである。図32は、第6実施形態のレンズ交換式のカメラシステム(撮像装置)の構成をより詳細に示すブロック図である。
まず、図32に示す、レンズ交換式のカメラシステムで、カメラボディ(カメラ本体)700のボディマウント/レンズマウント結合部701に交換レンズ800が装着されると、カメラボディ700側でレンズの装着が検知される(ステップS011)。
次に、交換レンズ800内のレンズ情報記録部806に記憶された、繰り出し量情報、収差情報等がカメラボディ700内のレンズ情報記録部703へ転送、記録される(ステップS021)。
使用者がレリーズボタン(シャッターボタン)702を半押しにする等の操作をすることにより測距開始の指示信号がカメラコントローラ710へ出力される(ステップS031)。このとき、測距部位を設定する処理をいれてもよい。この測距部位の設定は使用者がマニュアルで設定してもよいし、カメラであらかじめ設定された規則に従い設定しても良い。
ステップS031により、撮像素子721の各画素が光電変換を実施する(ステップS041)。このとき、必要に応じて選択的に光電変換する画素を設定しても良い。
光電変換された信号は、ADC(アナログデジタル変換回路)722によりデジタル信号に変換され、前処理部717へ出力される。前処理部717では、画像処理部715、711での処理に適した形式に変換処理される。また、撮像素子721は、カメラコントローラ710によって制御されたTG(タイミングジェネレータ)からの出力にしたがって動作する。
ステップS031により、交換レンズ800のズーム状態算出部812に記憶されたフォーカスレンズ位置情報がカメラボディ700内のレンズ状態記録部704へ転送、記録される(ステップS051)。ここで、交換レンズ800がズームレンズの場合、フォーカスレンズ位置情報に加えて焦点距離の状態の情報を転送しても良い。フォーカスレンズ位置情報は、ズームレンズ群位置検出部804が検出した、フォーカスレンズ801を含む撮影レンズ系802の位置情報に基づいて、ズーム状態算出部812が所定の方法により算出した情報である。
ステップS041で実施された光電変換により、画像処理部711は、測距部位の第1画素集合661の光電変換情報を取得し、A像を形成する(ステップS061)。このとき、ステップS021で取得した収差情報を加味してもよい。
ステップS061で取得した光電変換情報を用いて、画像処理部712は、水平方向の位相差情報を取得するためのAH像を形成(ステップS062)するとともに、垂直方向の位相差情報を取得するためのAV像を形成する(ステップS063)。
また、ステップS041で実施された光電変換により、画像処理部711は、測距部位の第2画素集合662の光電変換情報を取得し、B像を形成する(ステップS071)。
さらに、画像処理部712は、ステップS071で取得した光電変換情報を用いて、水平方向の位相差情報を取得するためのBH像を形成(ステップS072)するとともに、垂直方向の位相差情報を取得するためのBV像を形成する(ステップS073)。
つづいて、位相差量算出部713は、AH像とBH像から位相差量SHを算出(ステップS081)し、AV像とBV像から位相差量SVを算出する(ステップS082)。さらに、位相差量算出部713は、位相差量SH、SVより、デフォーカス量を算出する位相差量SDを算出する(ステップS101)。位相差量SDは、位相差量SHと位相差量SVの平均値でもよいし、AV像、BV像、AH像、及びBH像のコントラスト値等から精度の高いと判断される位相差量SH、SVの値を採用してもよいし、マニュアルで定めても良い。
レンズ駆動量算出部714は、ステップS101で算出した位相差量SDが所定量内である場合、合焦状態と判断し、所定量を超えていると非合焦状態と判断する(ステップS111)。ここで、所定量は、最小錯乱円径から算出される像面深度から設定してもよいし、撮影レンズからの情報を参照しても良い。
ステップS111で位相差量SDが所定量を超えていると判断した場合(ステップS111でNO)、位相差量SDと、レンズ情報記録部703に記録した繰り出し量情報と、レンズ状態記録部704に記録したフォーカスレンズ位置等の情報と、から、レンズ駆動量算出部714は、レンズ繰り出し量D1を算出する(ステップS121)。繰り出し量D1の算出方法は、従来の位相差AFと同じ方法を使用できる。なお、繰り出し量D1は、繰り出し方向の量であってもよいし、フォーカスレンズ801を駆動するフォーカスレンズ駆動部803(モータ)の駆動パルス等の制御値であっても良い。
カメラコントローラ710は、ステップS121で算出された繰り出し量D1の情報を交換レンズ800のレンズコントローラ810へ転送する。転送された繰り出し量D1に基づいて、フォーカスレンズ制御部811は、フォーカスレンズ駆動部803によりフォーカスレンズ801を繰り出し量D1だけ駆動させる(ステップS131)。このとき、フォーカスレンズ制御部811は、フォーカスレンズ位置検出部805が検出したフォーカスレンズ801の位置情報に基づいてフォーカスレンズ駆動部803を制御する。なお、カメラコントローラ710とレンズコントローラ810との間の通信は、カメラコントローラ710内の通信制御部718によって制御される。
ステップS131でフォーカスレンズ801を駆動した後は、ステップS041、S051のステップに戻り、カメラコントローラ710は、合焦状態になったどうかを確認する。
一方、ステップS111で、レンズ駆動量算出部714が、位相差量SDは所定量以内であると判断した場合(ステップS111でYES)、撮像素子721の各画素で光電変換が行われる(ステップS141)。画像処理部715は、光電変換した信号に基づいて、画像形成を行う(ステップS151)。すなわち、715は撮影画像を生成する。形成された画像は、圧縮部716で所定の形式で圧縮され、画像記録部731(画像記録手段)に記録される(ステップS161)。また、圧縮された画像は、画像表示部732に表示される。
ステップS151においては、画像形成のほか、レンズ情報記録部703に記録された情報で画像全体に適した画像処理を行っても良い。
画像記録部731は、カメラボディ700内に設けたメモリでも良いし、カメラボディ700に装着された外部メモリでもよい。
以上のとおり、図31においては、ステップS131の後にステップS041、ステップS051に戻り、位相差量SDが所定量以内(ステップS111でYES)になったところでステップS141に進むことにしている。これに対して、AFスピードを優先する場合は、ステップS131の後、ステップS041、ステップS051にもどることなく、直接ステップS141に進んでも良い。また、ステップS131の後にステップS041、ステップS051にもどる場合でも、ステップS111での判断が規定回数を超えたらステップS141に進んで確実に撮影画像を得るようにしても良い。
次に、第6実施形態の撮像装置としてレンズ一体型のカメラを用いた場合の処理の流れについて、図33、図34を参照して説明する。図33は、撮像装置の処理の流れを示すフローチャートである。図34は、レンズ一体型のカメラ(撮像装置)の構成をより詳細に示すブロック図である。
まず、図33に示すフローが始まる前に、カメラボディ900のレンズ情報記録部903には、繰り出し量情報、収差情報等のデータが格納される。
例えば動画像を撮影する場合、使用者がレリーズボタン902を半押しにするなどの操作をすることにより、測距開始の指示信号がカメラコントローラ910へ出力される(ステップS1031)。
撮影レンズのフォーカスレンズ位置情報をレンズ状態記録部974に記録する。撮影レンズがズームレンズの場合、加えて焦点距離の状態を記憶しても良い(ステップS1051)。撮像素子の各画素が光電変換を実施する(ステップS1041)。光電変換された信号は、ADC(アナログデジタル変換回路)922によりデジタル信号に変換され、前処理部917へ出力される。前処理部917では、画像処理部915、911での処理に適した形式に変換処理される。また、撮像素子971は、カメラコントローラ910によって制御されたTG(タイミングジェネレータ)からの出力にしたがって動作する。
ステップS1041で実施された光電変換に基づいて、画像処理部915は、画像形成を行う(ステップS1151)。形成された画像は、圧縮部916で所定の形式で圧縮され、画像記録部931(画像記録手段)に記録される(ステップS1161)。また、圧縮された画像は、画像表示部732に表示される。
なお、ここでは動画撮影を前提として説明しているが、図33に示すステップは、静止画の場合にも適用できる。
ステップS1031により、レンズ部950のズーム状態算出部962に記憶されたフォーカスレンズ位置情報がレンズ状態記録部974へ転送、記録される。ここで、レンズ部950がズームレンズの場合、フォーカスレンズ位置情報に加えて焦点距離の状態の情報を転送しても良い。フォーカスレンズ位置情報は、ズームレンズ群位置検出部954が検出した、フォーカスレンズ951を含む撮影レンズ系952の位置情報に基づいて、ズーム状態算出部962が所定の方法により算出した情報である。
一方、ステップS1041で実施された光電変換により、画像処理部912は、測距部位の第1画素集合661の光電変換情報を取得し、A像を形成する(ステップS1061)。このとき、測距部位の設定は、使用者がマニュアルで設定してもよいし、カメラであらかじめ設定された規則に従い設定しても良い。
さらに、ステップS1061で取得した光電変換情報を用いて、画像処理部912は、水平方向の位相差情報を取得するためのAH像を形成(ステップS1062)するとともに、垂直方向の位相差情報を取得するためのAV像を形成する(ステップS1063)。
また、ステップS1041で実施された光電変換により、画像処理部912は、測距部位の第2画素集合662の光電変換情報を取得し、B像を形成する(ステップS1072)。さらに、画像処理部912は、ステップS1071で取得した光電変換情報を用いて、水平方向の位相差情報を取得するためのBH像を形成(ステップS1072)するとともに、垂直方向の位相差情報を取得するためのBV像を形成する(ステップS1073)。
次に、位相差量算出部913は、AH像とBH像から位相差量SHを算出(ステップS1081)し、AV像とBV像から位相差量SVを算出する(ステップS1082)。さらに、位相差量算出部913は、位相差量SH、SVより、デフォーカス量を算出する位相差量SDを算出する(ステップS1101)。位相差量SDは、位相差量SHと位相差量SVの平均値でもよいし、AV像、BV像、AH像、及びBH像のコントラスト値等から精度の高いと判断される位相差量SH、SVの値を採用してもよいし、マニュアルで定めても良い。
つづいて、位相差量SDと、レンズ情報記録部903に記録した繰り出し量情報と、レンズ状態記録部974に記録したフォーカスレンズ位置等の情報と、から、914は、レンズ繰り出し量D1を算出する(ステップS1121)。繰り出し量D1の算出方法は、従来の位相差AFと同じ方法を使用できる。なお、繰り出し量D1は繰り出し方向の量であってもよいし、フォーカスレンズ951を駆動するフォーカスレンズ駆動部952(モーター)の駆動パスル等の制御値であっても良い。また、動画においては、移動速度を考慮して駆動量を決定しても良い。
カメラコントローラ910は、ステップS1121で算出された繰り出し量D1の情報をレンズ部950のレンズコントローラ960へ転送する。転送された繰り出し量D1に基づいて、フォーカスレンズ制御部961は、フォーカスレンズ駆動部952によりフォーカスレンズ951を繰り出し量D1だけ駆動させる(ステップS1131)。このとき、制御部961は、フォーカスレンズ位置検出部955が検出したフォーカスレンズ951の位置情報に基づいて駆動部952を制御する。
フォーカスレンズ951の駆動後、カメラボディ900上のスイッチ等の操作により撮影終了指示があった場合(ステップS1171でYES)、撮影を終了する(ステップS1181)。撮影終了指示がなければ(ステップS1171でNO)、ステップS1041のステップに戻り、光電変換の実施以降の処理を行う。
なお、ステップS1041からステップS1131までの処理は、ステップS1151、S1161を複数回行うサイクルで一回進む形態としても良い。
また、条件によっては、これらのフローにコントラストAFのフローをいれてもよい。
なお、その他の作用、効果、変形例については、上述のレンズ交換式のカメラシステムの場合と同様である。
以上のように、本発明に係る撮像装置は、高い測距精度と小型化の両立が必要な撮像装置に有用である。
11 光軸
12 撮影レンズ
13 撮像素子
14 射出瞳
14a 水平線
14b 垂直線
63LU 第1偏光領域
63RS 第2偏光領域
63RU、63LS 偏光領域
101 光軸
102 撮影レンズ
108 オンチップレンズ
108a 光軸
110 遮光手段
111 遮光領域
112 透明領域
120 撮像素子
121 第1画素集合
122 第2画素集合
123 光電変換面
124 遮光部材
130 画素
130a 中心
131 遮光部
132 透明部
140 遮光手段
141 遮光領域
142 透明領域
150 撮像素子
151 第1画素集合
152 第2画素集合
153 光電変換面
160 カラーフィルタ
201、202、203、204、205、206、207、208 光軸
211、212、213、214 マイクロレンズ
221、222、223、224、225、226、227、228 光電変換面
230a 遮光領域
230b 透明領域
231、232、233、234、235、236、237、238 遮光部材
250 撮像素子
251 第1画素集合
252 第2画素集合
301 光軸
302 撮影レンズ系
303 撮像素子
304 開口絞り
306L 第1画素集合
306R 第2画素集合
308 オンチップレンズ
323 光電変換部
350 カラーフィルタ
361 第1遮光手段
361a 水平線
361b 垂直線
362 第2遮光手段
363 第1偏光領域
364 第2偏光領域
401 光軸
402 撮影レンズ
403 撮像素子
414 AF用撮像面
415 第1開口部
416 第2開口部
417 第1撮像面
418 第2撮像面
501 光軸
502 撮影レンズ系
503 撮像素子
504 開口絞り
511 遮光手段
512 遮光部
513 透明部
521 水平線
522 垂直線
601 光軸
602 撮影レンズ
651 撮像素子
652 遮光手段
653 遮光領域
654 透明領域
655 オンチップレンズ
660 光電変換面
661 第1画素集合
662 第2画素集合
700 カメラボディ
703 レンズ情報記録部
704 レンズ状態記録部
710 カメラコントローラ
711、712、715 画像処理部
713 位相差量算出部
714 レンズ駆動量算出部
721 撮像素子
800 レンズ
801 フォーカスレンズ
802 撮影レンズ系
803 フォーカスレンズ駆動部
804 ズームレンズ群位置検出部
805 フォーカスレンズ位置検出部
806 レンズ情報記録部
810 レンズコントローラ
811 フォーカスレンズ制御部
812 ズーム状態算出部
900 カメラボディ
903 レンズ情報記録部
910 カメラコントローラ
911、912、915 画像処理部
913 位相差量算出部
950 レンズ部
951 フォーカスレンズ
952 撮影レンズ系
953 フォーカスレンズ駆動部
954 ズームレンズ群位置検出部
955 フォーカスレンズ位置検出部
956 レンズ情報記録部
960 レンズコントローラ
961 フォーカスレンズ制御部
962 ズーム状態算出部
971 撮像素子
974 レンズ状態記録部
5LU、5RU、5RS、5RU 分割領域
6L、6R 画素
A1 第1方向
B1 第2方向

Claims (5)

  1. 撮影レンズが装着可能な、又は、撮影レンズが固定された、撮像装置において、
    撮像素子を備え、
    前記撮像素子は2次元に配列された複数の画素を有し、
    前記複数の画素によって、少なくとも、第1画素集合と第2画素集合の二つの画素集合が形成され、
    射出瞳が想定され、
    前記射出瞳に、その光軸と直交する面内で互いに直交する2つの直線で区切られた4つの分割領域を設定し、
    前記第1画素集合の画素は、前記4つの分割領域の一つに面積重心がある第1瞳領域からの光束を受光する構成であり、
    前記光軸に関して、前記第1瞳領域の前記面積重心のある分割領域に対称な分割領域に第2瞳領域の面積重心があり、
    前記第2画素集合の画素は、前記第2瞳領域に面積重心がある光束を受光する構成であり、
    前記第1画素集合からの信号と前記第2画素集合からの信号を前記2つの直線の方向の少なくとも一方で比較し、デフォーカス情報を取得することを特徴とする撮像装置。
  2. 前記第1画素集合及び前記第2画素集合は、画像形成のための撮像素子内に配置されることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  3. 前記第1画素集合及び前記第2画素集合から、画像形成のための信号を得ることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の撮像装置。
  4. 前記第1瞳領域と前記第2瞳領域は、少なくともそれぞれ、前記面積重心のある分割領域とその隣接する2つの分割領域内にあり、第1瞳領域と前記第2瞳領域は、前記隣接する領域内で重複部があることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の撮像装置。
  5. 前記2つの直線は、前記撮像素子の1辺に対して水平方向の直線及び垂直方向の直線であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の撮像装置。
JP2010138591A 2010-06-17 2010-06-17 撮像装置 Ceased JP2012003080A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010138591A JP2012003080A (ja) 2010-06-17 2010-06-17 撮像装置
US13/134,513 US8749696B2 (en) 2010-06-17 2011-06-08 Image pickup apparatus having an exit pupil with divided areas
CN2011101594465A CN102289131A (zh) 2010-06-17 2011-06-14 摄像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010138591A JP2012003080A (ja) 2010-06-17 2010-06-17 撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012003080A true JP2012003080A (ja) 2012-01-05

Family

ID=45328325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010138591A Ceased JP2012003080A (ja) 2010-06-17 2010-06-17 撮像装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8749696B2 (ja)
JP (1) JP2012003080A (ja)
CN (1) CN102289131A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013114891A1 (ja) * 2012-02-03 2013-08-08 パナソニック株式会社 撮像装置および撮像システム
JP2014135452A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Fujifilm Corp 固体撮像装置
JP2014135451A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Fujifilm Corp 固体撮像装置
WO2016194501A1 (ja) * 2015-06-03 2016-12-08 ソニー株式会社 固体撮像素子、撮像装置、及び、固体撮像素子の製造方法
US9538067B2 (en) 2014-08-05 2017-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Imaging sensor capable of detecting phase difference of focus

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8908070B2 (en) * 2010-06-18 2014-12-09 Fujifilm Corporation Solid state imaging device and digital camera
US8836825B2 (en) * 2011-06-23 2014-09-16 Panasonic Corporation Imaging apparatus
KR101853817B1 (ko) * 2011-07-20 2018-05-02 삼성전자주식회사 촬상 소자
KR101773168B1 (ko) * 2011-07-21 2017-09-12 삼성전자주식회사 위상차이 촬상 소자에 의한 초점 조절 장치 및 방법
EP2762942B1 (en) * 2011-09-28 2016-11-23 Fujifilm Corporation Solid-state image capture element, image capture device, and focus control method
CN109246400B (zh) * 2012-03-30 2021-02-19 株式会社尼康 拍摄元件及拍摄装置
CN105075235B (zh) * 2013-03-27 2018-07-06 富士胶片株式会社 图像处理装置、摄像装置以及图像处理方法
JP2015012127A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
JP6300471B2 (ja) * 2013-08-28 2018-03-28 キヤノン株式会社 撮像装置の駆動方法、撮像システムの駆動方法
JP6033454B2 (ja) * 2013-09-27 2016-11-30 富士フイルム株式会社 画像処理装置、撮像装置、画像処理方法及び画像処理プログラム
JP2015144194A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
US9794468B2 (en) * 2014-12-02 2017-10-17 Canon Kabushiki Kaisha Image sensor, image capturing apparatus, focus detection apparatus, image processing apparatus, and control method of image capturing apparatus using pupil division in different directions
TWI551846B (zh) 2015-04-22 2016-10-01 原相科技股份有限公司 感測元件及光學測距系統
CN106200882B (zh) * 2015-04-30 2019-05-10 原相科技股份有限公司 感测元件及光学测距系统
US10148864B2 (en) 2015-07-02 2018-12-04 Pixart Imaging Inc. Imaging device having phase detection pixels and regular pixels, and operating method thereof
US9978154B2 (en) * 2015-07-02 2018-05-22 Pixart Imaging Inc. Distance measurement device base on phase difference and distance measurement method thereof
CN106352847B (zh) * 2015-07-14 2019-04-30 原相科技股份有限公司 基于相位差的距离测量装置及距离测量方法
TWI565323B (zh) 2015-09-02 2017-01-01 原相科技股份有限公司 分辨前景的成像裝置及其運作方法、以及影像感測器
CN106534721B (zh) * 2015-09-14 2019-08-27 原相科技股份有限公司 分辨前景的成像装置及其运作方法
US11885884B2 (en) 2019-03-11 2024-01-30 Lg Innotek Co., Ltd. Camera module
WO2020250774A1 (ja) * 2019-06-11 2020-12-17 富士フイルム株式会社 撮像装置
CN110797360B (zh) * 2019-10-08 2022-03-29 芯盟科技有限公司 像素排列结构
JP7373592B2 (ja) * 2020-01-31 2023-11-02 富士フイルム株式会社 レンズ装置、撮像装置、撮像方法、撮像プログラム、及び記録媒体
CN114070967B (zh) * 2020-08-06 2024-02-02 深圳市万普拉斯科技有限公司 一种镜头模组及其相位对焦方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007317951A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Nikon Corp 光検出素子および撮像装置
JP2008015157A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Nikon Corp 撮像装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000009990A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Canon Inc 自動焦点検出装置及びこの装置を備えた撮像装置
JP3592147B2 (ja) 1998-08-20 2004-11-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置
CN1189774C (zh) * 1998-08-26 2005-02-16 中国科学院光电技术研究所 光学波前传感器
JP2005303409A (ja) * 2004-04-07 2005-10-27 Canon Inc 固体撮像装置
JP5133533B2 (ja) 2006-08-04 2013-01-30 株式会社ニコン 撮像装置
JP4867552B2 (ja) * 2006-09-28 2012-02-01 株式会社ニコン 撮像装置
JP4961993B2 (ja) * 2006-12-18 2012-06-27 株式会社ニコン 撮像素子、焦点検出装置および撮像装置
EP2181349B1 (en) * 2007-08-06 2019-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus
US8279318B2 (en) * 2007-12-14 2012-10-02 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus and display control method for the same
JP5225151B2 (ja) * 2008-03-11 2013-07-03 キヤノン株式会社 撮像装置及び画像処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007317951A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Nikon Corp 光検出素子および撮像装置
JP2008015157A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Nikon Corp 撮像装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9658463B2 (en) 2012-02-03 2017-05-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Imaging device and imaging system
JPWO2013114891A1 (ja) * 2012-02-03 2015-05-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置および撮像システム
WO2013114891A1 (ja) * 2012-02-03 2013-08-08 パナソニック株式会社 撮像装置および撮像システム
JP2014135452A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Fujifilm Corp 固体撮像装置
JP2014135451A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Fujifilm Corp 固体撮像装置
US9538067B2 (en) 2014-08-05 2017-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Imaging sensor capable of detecting phase difference of focus
WO2016194501A1 (ja) * 2015-06-03 2016-12-08 ソニー株式会社 固体撮像素子、撮像装置、及び、固体撮像素子の製造方法
CN107615484A (zh) * 2015-06-03 2018-01-19 索尼公司 固态成像装置、成像设备和固态成像装置的制造方法
US10672813B2 (en) 2015-06-03 2020-06-02 Sony Corporation Solid-state imaging device, imaging apparatus, and manufacturing method of solid-state imaging device with pixels that include light shielding portions
JPWO2016194501A1 (ja) * 2015-06-03 2018-03-22 ソニー株式会社 固体撮像素子、撮像装置、及び、固体撮像素子の製造方法
KR20180015134A (ko) * 2015-06-03 2018-02-12 소니 주식회사 고체 촬상 소자, 촬상 장치, 및, 고체 촬상 소자의 제조 방법
CN107615484B (zh) * 2015-06-03 2021-12-14 索尼公司 固态成像装置、成像设备和固态成像装置的制造方法
US11437419B2 (en) 2015-06-03 2022-09-06 Sony Corporation Light shields for solid-state imaging devices and imaging apparatuses
KR102537009B1 (ko) * 2015-06-03 2023-05-26 소니그룹주식회사 고체 촬상 소자, 촬상 장치, 및, 고체 촬상 소자의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20110310280A1 (en) 2011-12-22
CN102289131A (zh) 2011-12-21
US8749696B2 (en) 2014-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012003080A (ja) 撮像装置
US9742984B2 (en) Image capturing apparatus and method of controlling the same
US8730373B2 (en) Image forming apparatus
JP5791349B2 (ja) 撮像装置及びその制御方法
JP5361535B2 (ja) 撮像装置
JP5169499B2 (ja) 撮像素子および撮像装置
US20130335533A1 (en) Image pickup unit, image pickup device, picture processing method, diaphragm control method, and program
US9083879B2 (en) Focus detection apparatus, control method thereof, and image pickup apparatus
US11297271B2 (en) Image sensor and image capture apparatus
JP2012234152A (ja) 撮像装置及びその制御方法
CN103843318A (zh) 摄像设备及其控制方法
JP2022000695A (ja) 撮像装置
US10404905B2 (en) Image sensor and image capturing apparatus
JP2017188633A (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP5757699B2 (ja) 撮像装置
JP6234094B2 (ja) 焦点検出装置および撮像装置
JP2009162845A (ja) 撮像素子、焦点検出装置および撮像装置
JP6136566B2 (ja) 撮像装置および中間アダプタ
JP5726502B2 (ja) 撮像装置
JP2013040994A (ja) 撮像装置
JP2008242474A (ja) 焦点検出方法
JP2018026604A (ja) 撮像装置および撮像装置システム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130517

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140131

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20140304

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140305

AA92 Notification that decision to refuse application was cancelled

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971092

Effective date: 20140318