JP2015144194A - 固体撮像素子および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】像面位相差オートフォーカスにおいて良好な位相差特性を得る。【解決手段】固体撮像素子は、半導体基板に形成される光電変換部と、半導体基板に積層される絶縁層の内部に配置され、瞳位置を境界として略片側半分を遮光する遮光膜と、遮光膜により遮光されない部分である開口部分を通過する光を偏光する偏光構造物とを有する位相差画素を備える。本技術は、例えば、像面位相差オートフォーカスを備えた固体撮像素子に適用できる。【選択図】図２

Description

本開示は、固体撮像素子および電子機器に関し、特に、像面位相差オートフォーカスにおいて良好な位相差特性を得ることができるようにした固体撮像素子および電子機器に関する。
近年、撮像面に配置された位相差画素により２つの位相差画像を撮像し、それらの位相差画像のズレの差に基づいてピント位置までの距離を検出することにより、フォーカスを自動的に合わせる像面位相差ＡＦ（Auto Focus）を備えた撮像装置が実用化されている。
例えば、特許文献１には、少なくとも２つの視差画像を出力するように、光電変換素子の少なくとも一部のそれぞれに一対一に対応して設けられた開口マスクを備える撮像素子が開示されている。
特開２０１２−２１２９７８号公報
ところで、像面位相差ＡＦでは、撮像面に配置された位相差画素において瞳が完全に分割されるような構成とすることで、理想的な位相差特性を得ることができる。しかしながら、固体撮像素子において、瞳分割面が光電変換領域に一致するように位相差画素を構成することは困難であるため、瞳分割面と光電変換領域との間に間隔が設けられてしまうことによって、瞳分割面を通過した光が回折、反射、または吸収されることになる。これにより、従来の固体撮像素子では、理想的な位相差特性を得ることは困難であり、位相差特性が低下するため、オートフォーカスの精度が低下することがあった。
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、像面位相差オートフォーカスにおいて良好な位相差特性を得ることができるようにするものである。
本開示の一側面の固体撮像素子は、半導体基板に形成され、光電変換を行う光電変換部と、前記半導体基板に積層される絶縁層の内部に配置され、瞳位置を境界として略片側半分を遮光する遮光膜と、前記遮光膜により遮光されない部分である開口部分を通過する光を偏光する偏光構造物とを有する位相差画素を備える。
本開示の一側面の電子機器は、半導体基板に形成され、光電変換を行う光電変換部と、前記半導体基板に積層される絶縁層の内部に配置され、瞳位置を境界として略片側半分を遮光する遮光膜と、前記遮光膜により遮光されない部分である開口部分を通過する光を偏光する偏光構造物とを有する位相差画素を有する固体撮像素子を備える。
本開示の一側面においては、位相差画素において、半導体基板に積層される絶縁層の内部に配置され、瞳位置を境界として略片側半分を遮光する遮光膜により遮光されない部分である開口部分を通過する光が偏光構造物により偏光されて、半導体基板に形成される光電変換部において光電変換が行われる。
本開示の一側面によれば、像面位相差オートフォーカスにおいて良好な位相差特性を得ることができる。
本技術を適用した固体撮像素子の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。 位相差画素の断面的な構成例を示す図である。 偏光構造物による偏光方向について説明する図である。 偏光方向と光の漏れの関係を説明する図である。 偏光方向と光の漏れの関係を説明する図である。 無効領域に配置される位相差画素を示す図である。 欠陥扱いされる画素について説明する図である。 欠陥扱いされる画素について説明する図である。 電子機器の構成例を示すブロック図である。
以下、本技術を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本技術を適用した固体撮像素子の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
図１において、固体撮像素子１１は、画素領域１２、垂直駆動回路１３、カラム信号処理回路１４、水平駆動回路１５、出力回路１６、および制御回路１７を備えて構成される。
画素領域１２には、複数の画素１８が行列状に配置されており、それぞれの画素１８は、水平信号線を介して垂直駆動回路１３に接続されるとともに、垂直信号線を介してカラム信号処理回路１４に接続される。複数の画素１８は、図示しない光学系を介して照射される光の光量に応じた画素信号をそれぞれ出力し、それらの画素信号から、画素領域１２に結像する被写体の画像が構築される。
垂直駆動回路１３は、画素領域１２に配置される複数の画素１８の行ごとに順次、それぞれの画素１８を駆動（転送や、選択、リセットなど）するための駆動信号を、水平信号線を介して画素１８に供給する。カラム信号処理回路１４は、複数の画素１８から垂直信号線を介して出力される画素信号に対してCDS(Correlated Double Sampling：相関２重サンプリング)処理を施すことにより、画像信号のアナログディジタル変換を行うとともにリセットノイズを除去する。
水平駆動回路１５は、画素領域１２に配置される複数の画素１８の行ごとに順次、カラム信号処理回路１４から画素信号を出力させるための駆動信号を、カラム信号処理回路１４に供給する。出力回路１６は、水平駆動回路１５の駆動信号に従ったタイミングでカラム信号処理回路１４から供給される画素信号を増幅し、後段の画像処理回路に出力する。
制御回路１７は、固体撮像素子１１の内部の各ブロックの駆動を制御する。例えば、制御回路１７は、各ブロックの駆動周期に従ったクロック信号を生成して、それぞれのブロックに供給する。
このように構成される固体撮像素子１１において、像面位相差ＡＦを実現するために、画素領域１２の一部に、画像の撮像だけに用いられる通常の画素１８に替えて、位相差画像を取得するための位相差画素１９が複数個所に配置される。
図１には、複数個所に配置される位相差画素１９のうちの、一対の位相差画素１９Ｌおよび１９Ｒが図示されており、例えば、右側半分が遮光された位相差画素１９Ｒと、左側半分が遮光された位相差画素１９Ｌとが、１つの画素１８を挟んで配置される。そして、画素領域１２の複数個所に配置された位相差画素１９Ｌにより撮像された位相差画像と、画素領域１２の複数個所に配置された位相差画素１９Ｒにより撮像された位相差画像とのズレの差に基づいて、像面位相差ＡＦが制御される。なお、以下適宜、位相差画素１９Ｌおよび１９Ｒを区別する必要がない場合、単に、位相差画素１９と称する。
図２には、位相差画素１９の断面的な構成例が示されている。
図２に示すように、位相差画素１９は、半導体基板２１に形成される光電変換部２２、半導体基板２１に積層される絶縁層２３の内部に配置される遮光膜２４、絶縁層２３に積層される偏光構造物２５、および、偏光構造物２５に積層されるオンチップレンズ２６を備えて構成される。
半導体基板２１は、高純度シリコンの単結晶が薄くスライスされたシリコンウェハである。光電変換部２２は、位相差画素１９に照射される光のうち、遮光膜２４により遮光されない光を受光して光電変換を行い、その光の光量に応じた電荷を発生する。絶縁層２３は、半導体基板２１の受光面側を絶縁する。遮光膜２４は、例えば、遮光性を備えた金属製の膜により形成され、固体撮像素子１１に光を集光する光学系の瞳位置を境界として位相差画素１９の略片側半分の領域を遮光し、これにより、位相差画素１９における瞳分割が行われる。
偏光構造物２５は、位相差画素１９に照射される光を偏光する。なお、位相差画素１９以外の通常の画素１８は、位相差画素１９の偏光構造物２５に替えて、例えば、３原色のカラーフィルタが積層されて構成されており、画素１８ごとに対応する色の光を受光する。オンチップレンズ２６は、位相差画素１９に照射される光を集光する。
このように位相差画素１９は構成されており、位相差画素１９に照射される光は、オンチップレンズ２６により集光されて、偏光構造物２５によって所定の偏光方向に偏光される。そして、その偏光された光の一部が、遮光膜２４によって遮光される一方、遮光膜２４により遮光されない部分である開口部分２７を通過した光が、光電変換部２２において光電変換される。
ここで、図３を参照して、偏光構造物２５による偏光方向について説明する。図３には、位相差画素１９を平面的に見たときの偏光構造物２４および偏光構造物２５が示されている。
図３に示されている位相差画素１９は、平面的に見て略正方形の形状とされており、その右側半分に遮光膜２４が設けられる一方、位相差画素１９の左側半分が開口部分２７とされている。従って、開口部分２７は、図３における上下方向を長手方向とした矩形形状とされる。
また、偏光構造物２５は、複数本の金属ワイヤが所定間隔で平行に配置されて構成され、図３の例では、偏光構造物２５を構成する金属ワイヤは、開口部分２７の長手方向に沿って配置されている。従って、位相差画素１９に照射される光は、偏光構造物２５によって開口部分２７の長手方向に沿った方向に偏光される。つまり、図３に示す位相差画素１９の偏光構造物２５の偏光方向は、開口部分２７の長手方向となる。
ここで、位相差画素１９に照射される光が、開口部分２７を通過して光電変換部２２に到達するまでの間隔において回折または反射してしまい、位相差画素１９の外側に漏れ出すことによって、像面位相差ＡＦの位相差特性が低下する要因となっていた。ところで、一般的に、偏光方向が揃っている光は、その偏光方向に対して直交する方向への光の漏れが抑制されるという特性を有している。固体撮像素子１１は、このような偏光による特性を利用して、位相差特性の低下を抑制することができる。即ち、光漏れを積極的に抑制したい隣接の画素１８の方向に対して、光の振動が小さくなる（直交する）方向となるように偏光方向を設定することで、隣接の画素１８への光の進行を抑制し光漏れを軽減させるころができる。
なお、位相差画素１９において光を偏光するための偏光構造物２５の構造としては、ワイヤグリッドを用いた構造、または、偏光シートを用いた構造のどちらでもよい。
ここで、図３に示すように、開口部分２７の長手方向に沿って偏光するように偏光構造物２５が配置されている位相差画素１９を、以下適宜、第１の位相差画素１９−１と称する。これに対し、開口部分２７の長手方向に対して直交する方向に偏光するように偏光構造物２５が配置されている位相差画素１９を、以下適宜、第２の位相差画素１９−２と称する。
例えば、図４には、第１の位相差画素１９−１における偏光方向と光の漏れとの関係が示されており、図５には、第２の位相差画素１９−２における偏光方向と光の漏れとの関係が示されている。
図４では、第１の位相差画素１９−１の偏光方向が黒塗りの矢印で示されている。そして、上述した偏光特性によって、開口部分２７を通過した光は、偏光方向に沿った実線の白抜きの矢印方向（図の上下方向）への光漏れに対して、破線の白抜きの矢印方向（図の左右方向）への光漏れが抑制されることになる。
同様に、図５では、第２の位相差画素１９−２において、偏光構造物２５による偏光方向は黒塗りの矢印で示すように、開口部分２７の長手方向に対する直交方向とされる。そして、上述した偏光特性によって、開口部分２７を通過した光は、偏光方向に沿った実線の白抜きの矢印方向（図の左右方向）への光漏れに対して、破線の白抜きの矢印方向（図の上下方向）への光漏れが抑制されることになる。
このように、固体撮像素子１１では、開口部分２７を通過する光に対して偏光構造物２５により適切な偏光方向を設定することで、光漏れの発生を抑制することができる。従って、固体撮像素子１１では、開口部分２７および光電変換部２２の間に間隔が設けられることによる光の回折または反射による影響を軽減することができる。これにより、固体撮像素子１１では、デモザイクの精度を向上させることができるとともに、光漏れの抑制される側に隣接する画素１８を欠陥扱いすることが回避される。
なお、固体撮像素子１１において、光電変換部２２よりも上側に遮光膜２４が配置されていれば、その間隔がどのように設定されていてもよいが、光電変換部２２のより近くに遮光膜２４が配置されている方が好ましい。
また、固体撮像素子１１では、第１の位相差画素１９−１および第２の位相差画素１９−２のように任意の方向に偏光方向を設定することができるが、少なくとも１方向に偏光方向が設定された位相差画素１９を設けることで、位相差特性を向上させることができる。
また、固体撮像素子１１では、画素領域１２の外周近傍に設けられる無効領域に位相差画素１９を配置することができる。
即ち、図６に示すように、画素領域１２は、その中央部分に、画像を構築するのに用いる画素１８が配置された有効領域３１が設けられ、有効領域３１の外側が無効領域とされる。そして、この無効領域を活用し、例えば、画素領域１２の上辺および下辺にそれぞれ一列に一対の位相差画素１９Ｌおよび１９Ｒを１画素ごとに配置することができる。
なお、図６では、有効領域３１に配置される画素１８において青色のカラーフィルタが配置される位置に位相差画素１９Ｌおよび１９Ｒが配置される構成例が示されている。これ以外にも、例えば、緑色または赤色のカラーフィルタが配置される位置に位相差画素１９Ｌおよび１９Ｒが配置されるような構成としてもよい。
次に、図７および図８を参照して、欠陥扱いされる画素１８について説明する。図７では、室内での撮像の際に欠陥扱いされる画素１８に対して×印が図示されており、図８では、室外での撮像の際に欠陥扱いされる画素１８に対して×印が図示されている。
図７および図８に示すように、光漏れを抑制させたい方向に選択的に第１の位相差画素１９−１または第２の位相差画素１９−２を配置することができる。例えば、画角の中央近傍では、横方向に隣接する画素１８の欠陥扱いを回避するため、第１の位相差画素１９−１が配置される。一方、画角の端近傍では、位相差画素１９の横方向に隣接する画素１８の欠陥扱いを回避することを諦め、縦方向に隣接する画素１８の欠陥扱いを回避して精度の向上を図るために、第２の位相差画素１９−２が配置される。
また、室内では光が非偏光状態であるため、一対の第１の位相差画素１９Ｌ−１および１９Ｒ−１を選択する。一方、室外では縦偏光が多いことより、一対の第２の位相差画素１９Ｌ−２および１９Ｒ−２を選択する。このように、固体撮像素子１１では、画素領域１２の周辺には位相差画素１９を密に配置することで、位相差検出に用いる偏光方向の位相差画素１９を選択可能として使い分けることができる。
以上のように構成される固体撮像素子１１は、偏光方向に関わらず位相差画素１９から出力される信号のピークがシャープになるので、像面位相差ＡＦによる合焦精度を向上させることができる。これにより、例えば、コントラストＡＦとの併用を避けることができ、より高速にフォーカスを合わせることができる。
また、偏光構造物２５による偏光を行わない位相差画素を有する固体撮像素子では、多様な偏光方向の光が混在することで反射率がランダムになることより、総じて光強度が平均化する方向に働くため、位相差画素から出力される信号のピーク検出が不利であった。
これに対し、固体撮像素子１１では、位相差画素１９において偏光方向が揃うことによって、位相差画素１９から出力される信号の最大値および最小値の差分が大きいため、差分を増幅するようなゲインを掛ける必要がない。このため、固体撮像素子１１は、このゲインを掛けるような構成よりも、位相差特性を向上させることができる。
なお、本実施の形態の固体撮像素子１１は、CCD（Charge Coupled Device）およびCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサのどちらにも適用することができる。また、本実施の形態の固体撮像素子１１は、半導体基板に対して配線層が積層される表面から光が照射される表面照射型のCMOSイメージセンサ、および、表面に対して反対側となる裏面に対して光が照射される裏面照射型のCMOSイメージセンサのどちらにも適用することができる。さらに、本実施の形態の固体撮像素子１１は、画素領域１２に配置される複数の画素１８の光電変換部から略同一のタイミングで電荷が読み出されるグローバルシャッタ機能を備えたCMOSイメージセンサに適用することができる。
なお、上述したような各実施の形態の固体撮像素子１１は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
図９は、電子機器に搭載される撮像装置の構成例を示すブロック図である。
図９に示すように、撮像装置１０１は、光学系１０２、撮像素子１０３、信号処理回路１０４、モニタ１０５、メモリ１０６、および環境判断部１０７を備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。
光学系１０２は、１枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの像光（入射光）を撮像素子１０３に導き、撮像素子１０３の受光面（センサ部）に結像させる。
撮像素子１０３としては、上述した実施の形態の固体撮像素子１１が適用される。撮像素子１０３には、光学系１０２を介して受光面に結像される像に応じて、一定期間、電子が蓄積される。そして、撮像素子１０３に蓄積された電子に応じた信号が信号処理回路１０４に供給される。
信号処理回路１０４は、撮像素子１０３から出力された画素信号に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路１０４が信号処理を施すことにより得られた画像（画像データ）は、モニタ１０５に供給されて表示されたり、メモリ１０６に供給されて記憶（記録）されたりする。また、信号処理回路１０４は、撮像素子１０３の位相差画素１９により撮像される位相差画像に基づいて光学系１０２を制御し、フォーカスを自動的に合わせる処理を行うことができる。
環境判断部１０７は、信号処理回路１０４から出力される画像を解析して、室内および室外のいずれで撮像を行っているのか撮像装置１０１の外部環境を判断する。そして、環境判断部１０７は、撮像装置１０１の外部環境が室内および室外のどちらであるか示す判断結果を信号処理回路１０４に通知し、信号処理回路１０４は、その判断結果に従って、像面位相差ＡＦに使用する位相差画素１９を適切に選択することができる。
このように構成されている撮像装置１０１では、上述した実施の形態の固体撮像素子１１を適用することによって、良好な位相差特性を得ることができる結果、例えば、オートフォーカスの精度を向上させることができる。
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
半導体基板に形成され、光電変換を行う光電変換部と、
前記半導体基板に積層される絶縁層の内部に配置され、瞳位置を境界として略片側半分を遮光する遮光膜と、
前記遮光膜により遮光されない部分である開口部分を通過する光を偏光する偏光構造物と
を有する位相差画素
を備える固体撮像素子。
（２）
前記偏光構造物は、前記開口部分の長手方向に沿った方向に光を偏光する
上記（１）に記載の固体撮像素子。
（３）
前記偏光構造物は、前記開口部分の長手方向に対して直交する方向に光を偏光する
上記（１）に記載の固体撮像素子。
（４）
前記位相差画素は、複数の画素が行列状に配置された画素領域の中央部分において画像を構築するのに用いられる画素が配置された有効領域の外周近傍に設けられる無効領域に配置される
上記（１）から（３）までのいずれかに記載の固体撮像素子。
（５）
画角の中央部には、前記有効領域以外の方向に偏光する偏光構造物を有する位相差画素が配置される
上記（４）に記載の固体撮像素子。
（６）
画角の端近傍には、所定方向に光を偏光する一対の第１の位相差画素と、前記所定方向に対して直交する方向に光を偏光する一対の第２の位相差画素とが配置される
上記（１）から（５）までのいずれかに記載の固体撮像素子。
（７）
前記位相差画素が、画像を構築するのに用いられる画素において緑色のカラーフィルタが配置される位置に配置される
上記（１）から（６）までのいずれかに記載の固体撮像素子。
（８）
前記位相差画素が、画像を構築するのに用いられる画素において赤色のカラーフィルタが配置される位置に配置される
上記（１）から（６）までのいずれかに記載の固体撮像素子。
（９）
前記位相差画素が、画像を構築するのに用いられる画素において青色のカラーフィルタが配置される位置に配置される
上記（１）から（６）までのいずれかに記載の固体撮像素子。
（１０）
半導体基板に形成され、光電変換を行う光電変換部と、
前記半導体基板に積層される絶縁層の内部に配置され、瞳位置を境界として略片側半分を遮光する遮光膜と、
前記遮光膜により遮光されない部分である開口部分を通過する光を偏光する偏光構造物と
を有する位相差画素を有する固体撮像素子
を備える電子機器。
（１１）
前記固体撮像素子が有する前記位相差画素により撮像される位相差画像に基づいてフォーカスを合わせる処理を行う信号処理部
をさらに備える上記（１０）に記載の電子機器。
（１２）
所定方向に光を偏光する第１の位相差画素と、前記所定方向に対して直交する方向に光を偏光する第２の位相差画素とを有し、
前記信号処理部は、室内での撮影時には前記第１の位相差画素から出力される信号を用い、室外での撮影時には前記第１の位相差画素から出力される信号を用いる選択を行う
上記（１０）または（１１）に記載の電子機器。
（１３）
前記偏光構造物は、前記開口部分の長手方向に沿った方向に光を偏光する
上記（１０）から（１２）までのいずれかに記載の電子機器。
（１４）
前記偏光構造物は、前記開口部分の長手方向に対して直交する方向に光を偏光する
上記（１０）から（１２）までのいずれかに記載の電子機器。
（１５）
前記位相差画素は、複数の画素が行列状に配置された画素領域の中央部分において画像を構築するのに用いられる画素が配置された有効領域の外周近傍に設けられる無効領域に配置される
上記（１０）から（１４）までのいずれかに記載の電子機器。
（１６）
画角の中央部には、前記有効領域以外の方向に偏光する偏光構造物を有する位相差画素が配置される
上記（１５）に記載の電子機器。
（１７）
画角の端近傍には、所定方向に光を偏光する一対の第１の位相差画素と、前記所定方向に対して直交する方向に光を偏光する一対の第２の位相差画素とが配置される
上記（１０）から（１６）までのいずれかに記載の電子機器。
（１８）
前記位相差画素が、画像を構築するのに用いられる画素において緑色のカラーフィルタが配置される位置に配置される
上記（１０）から（１７）までのいずれかに記載の電子機器。
（１９）
前記位相差画素が、画像を構築するのに用いられる画素において赤色のカラーフィルタが配置される位置に配置される
上記（１０）から（１７）までのいずれかに記載の電子機器。
（２０）
前記位相差画素が、画像を構築するのに用いられる画素において青色のカラーフィルタが配置される位置に配置される
上記（１０）から（１７）までのいずれかに記載の電子機器。
なお、本実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
１１ 固体撮像素子， １２ 画素領域， １３ 垂直駆動回路， １４ カラム信号処理回路， １５ 水平駆動回路， １６ 出力回路， １７ 制御回路， １８ 画素， １９ 位相差画素， ２１ 半導体基板， ２２ 光電変換部， ２３ 絶縁層， ２４ 遮光膜， ２５ 偏光構造物， ２６ オンチップレンズ， ２７ 開口部分， １０１ 撮像装置， １０２ 光学系， １０３ 撮像素子， １０４ 信号処理回路， １０５ モニタ， １０６ メモリ， １０７ 環境判断部

Claims (20)

  1. 半導体基板に形成され、光電変換を行う光電変換部と、
    前記半導体基板に積層される絶縁層の内部に配置され、瞳位置を境界として略片側半分を遮光する遮光膜と、
    前記遮光膜により遮光されない部分である開口部分を通過する光を偏光する偏光構造物と
    を有する位相差画素
    を備える固体撮像素子。
  2. 前記偏光構造物は、前記開口部分の長手方向に沿った方向に光を偏光する
    請求項１に記載の固体撮像素子。
  3. 前記偏光構造物は、前記開口部分の長手方向に対して直交する方向に光を偏光する
    請求項１に記載の固体撮像素子。
  4. 前記位相差画素は、複数の画素が行列状に配置された画素領域の中央部分において画像を構築するのに用いられる画素が配置された有効領域の外周近傍に設けられる無効領域に配置される
    請求項１に記載の固体撮像素子。
  5. 画角の中央部には、前記有効領域以外の方向に偏光する偏光構造物を有する位相差画素が配置される
    請求項４に記載の固体撮像素子。
  6. 画角の端近傍には、所定方向に光を偏光する一対の第１の位相差画素と、前記所定方向に対して直交する方向に光を偏光する一対の第２の位相差画素とが配置される
    請求項５に記載の固体撮像素子。
  7. 前記位相差画素が、画像を構築するのに用いられる画素において緑色のカラーフィルタが配置される位置に配置される
    請求項１に記載の固体撮像素子。
  8. 前記位相差画素が、画像を構築するのに用いられる画素において赤色のカラーフィルタが配置される位置に配置される
    請求項１に記載の固体撮像素子。
  9. 前記位相差画素が、画像を構築するのに用いられる画素において青色のカラーフィルタが配置される位置に配置される
    請求項１に記載の固体撮像素子。
  10. 半導体基板に形成され、光電変換を行う光電変換部と、
    前記半導体基板に積層される絶縁層の内部に配置され、瞳位置を境界として略片側半分を遮光する遮光膜と、
    前記遮光膜により遮光されない部分である開口部分を通過する光を偏光する偏光構造物と
    を有する位相差画素を有する固体撮像素子
    を備える電子機器。
  11. 前記固体撮像素子が有する前記位相差画素により撮像される位相差画像に基づいてフォーカスを合わせる処理を行う信号処理部
    をさらに備える請求項１０に記載の電子機器。
  12. 所定方向に光を偏光する第１の位相差画素と、前記所定方向に対して直交する方向に光を偏光する第２の位相差画素とを有し、
    前記信号処理部は、室内での撮影時には前記第１の位相差画素から出力される信号を用い、室外での撮影時には前記第１の位相差画素から出力される信号を用いる選択を行う
    請求項１１に記載の電子機器。
  13. 前記偏光構造物は、前記開口部分の長手方向に沿った方向に光を偏光する
    請求項１０に記載の電子機器。
  14. 前記偏光構造物は、前記開口部分の長手方向に対して直交する方向に光を偏光する
    請求項１０に記載の電子機器。
  15. 前記位相差画素は、複数の画素が行列状に配置された画素領域の中央部分において画像を構築するのに用いられる画素が配置された有効領域の外周近傍に設けられる無効領域に配置される
    請求項１０に記載の電子機器。
  16. 画角の中央部には、前記有効領域以外の方向に偏光する偏光構造物を有する位相差画素が配置される
    請求項１５に記載の電子機器。
  17. 画角の端近傍には、所定方向に光を偏光する一対の第１の位相差画素と、前記所定方向に対して直交する方向に光を偏光する一対の第２の位相差画素とが配置される
    請求項１６に記載の電子機器。
  18. 前記位相差画素が、画像を構築するのに用いられる画素において緑色のカラーフィルタが配置される位置に配置される
    請求項１０に記載の電子機器。
  19. 前記位相差画素が、画像を構築するのに用いられる画素において赤色のカラーフィルタが配置される位置に配置される
    請求項１０に記載の電子機器。
  20. 前記位相差画素が、画像を構築するのに用いられる画素において青色のカラーフィルタが配置される位置に配置される
    請求項１０に記載の電子機器。
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