JP2011525239A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- 半導体エレメント(1)を有する光電スイッチにおいて、
前記半導体エレメント(1)は、
・支持体(2)と、
・該支持体(2)の上面(21)に設けられ電磁放射を検出する少なくとも1つの検出半導体チップ(4)と、
・該支持体(2)の上面(21)に設けられ電磁放射を送出する少なくとも2つの送出半導体チップ(3)と、
・該支持体(2)の上面(21)に設けられ、該検出半導体チップ(4)によって受信される電磁放射および/または該送出半導体チップ(3)によって放出される電磁放射の角度領域を制限する、少なくとも1つの方向選択素子(5)
とを有し、
前記検出半導体チップ(4)によって受信される電磁放射の主放射軸(V)は、前記送出半導体チップ(3)によって放出される電磁放射の主放射軸(U)に対して傾斜しており、
前記方向選択素子は、前記検出半導体チップによって検出される電磁放射を透過しない材料から成るバリア(5)によって形成されていることを特徴とする、光電スイッチ。 - 前記主放射軸(U,V)は相互に、15°以上45°以下の角度で傾斜する、請求項1記載の光電スイッチ。
- ・前記バリア(5)は、前記検出半導体チップ(4)から離隔されており、
・前記バリア(5)は次のように成形されている、すなわち、該バリア(5)および前記検出半導体チップ(4)が前記支持体(2)の上面(21)に垂直に平行投影された場合に、該バリア(5)の投影面と該検出半導体チップ(4)の投影面とが少なくとも部分的に重なり合うように成形されている、請求項1または2記載の光電スイッチ。 - 前記バリア(5)は、前記送出半導体チップ(3)と前記検出半導体チップ(4)との間に設けられている、請求項1から3までのいずれか1項記載の光電スイッチ。
- 前記バリア(5)は接着材によって前記支持体(2)の上面(21)に取り付けられている、請求項1から4までのいずれか1項記載の光電スイッチ。
- 前記支持体(2)の上面(21)に配置される前記検出半導体チップ(4)は少なくとも2つである、請求項1から5までのいずれか1項記載の光電スイッチ。
- 前記検出半導体チップ(4)の主放射軸(V)の方向は相互に平行である、請求項1から6までのいずれか1項記載の光電スイッチ。
- 前記送出半導体チップ(3)は、振幅変調された放射パルスまたは振幅変調されない放射パルスを時分割多重方式で送出する、請求項1から7までのいずれか1項記載の光電スイッチ。
- 前記バリア(5)はL字形および/またはアーチ形および/または斜行するように成形されている、請求項1から8までのいずれか1項記載の光電スイッチ。
- 前記半導体チップ(3,4)のうち少なくとも1つの上方で行われる電磁放射の導波を改善するための少なくとも1つの光学的素子(7)が、該半導体チップ(3,4)の放射経路に配置される、請求項1から9までのいずれか1項記載の光電スイッチ。
- 前記検出半導体チップ(4)は、特殊用途集積回路であるか、またはフォトトランジスタであるか、またはフォトダイオードであるか、またはフォトレジスタである、請求項1から10までのいずれか1項記載の光電スイッチ。
- 前記送出半導体チップ(3)はレーザダイオードであるか、またはLEDである、請求項1から11までのいずれか1項記載の光電スイッチ。
- 前記送出半導体チップ(3)は、相互に異なる波長を有する電磁放射を送出する、請求項1から12までのいずれか1項記載の光電スイッチ。
- 請求項1から13までのいずれか1項記載の光電スイッチによってオブジェクトを検出する方法であって、
前記検出半導体チップ(4)において検出された電磁放射の強度を、後置接続された評価ユニットにおいて評価し、
前記電磁放射の強度の大きさに基づいて、前記オブジェクトと前記半導体エレメント(1)との間の間隔を推定する方法において、
・前記半導体エレメント(1)において、前記検出半導体チップ(4)を少なくとも2つ使用して電磁放射の検出を行い、
・前記評価ユニットにおいて、前記少なくとも2つの検出半導体チップ(4)の強度を評価し、
・検出された前記電磁放射の強度に基づき、前記送出半導体チップ(3)に対する前記オブジェクトの相対位置を求める
ことを特徴とする方法。 - 別の送出半導体チップ(3)および/または別の検出半導体チップ(4)を使用して、前記オブジェクトを検出する分解能を上昇させ、
前記半導体チップ(3,4)の放射経路において光学的素子(7)を使用して、オブジェクトを検出する感度を上昇させる、請求項14記載の方法。
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