JP2015519545A5 - - Google Patents

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  1. 光学式近接センサモジュールであって、
    基板と、
    前記基板の第1の表面上に搭載される発光素子とを備え、前記発光素子は第1の波長の光を放出するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、
    前記基板の前記第1の表面上に搭載される光検知器を備え、光検知器は前記第1の波長の光を検知するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、
    前記基板に対して実質的に平行に取り付けられる光学部材を備え、前記光学部材は、前記第1の波長の光を透過する第1および第2の透明部分を含み、前記光学部材はさらに、前記第1の波長の入射光を実質的に減衰または遮断する遮断部分を含み、前記第1の透明部分は前記発光素子の上方に取り付けられ、前記第2の透明部分は前記光検知器の上方に取り付けられ、光学式近接センサモジュールはさらに、
    カーボンブラックを含有する不透明ポリマー材料から構成される分離部材を備え、前記分離部材は、前記基板と前記光学部材との間に接触して取り付けられ、前記分離部材は前記発光素子および前記光検知器を囲み、前記分離部材は、前記基板から前記光学部材へ延在するとともに前記発光素子と前記光検知器とを互いに分離する壁部分を含む、光学式近接センサモジュール。
  2. 前記ポリマー材料は、アクリレート、ポリウレタン、またはシリコーン材料を含む、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
  3. 前記カーボンブラックは、前記ポリマー材料に埋め込まれる、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
  4. 前記分離部材は熱硬化ポリマー材料から構成される、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
  5. 前記分離部材は、前記発光素子によって放出された光の波長において少なくとも0.015/μmの吸収係数を有する、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
  6. 前記発光素子に結合される第1の電気接触部と前記光検知器に結合される第2の電気接触部とを含み、前記第1および第2の電気接触部は前記モジュールの外部に電気的に接続される、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
  7. 前記発光素子から放出される光が前記第1の透明部分を通過するように、および前記第1の透明部分を通過し、前記モジュールの外側に位置する表面で反射し、前記第2の透明部分を通過する光の少なくとも一部が前記光検知器に検知されるように、前記発光素子、前記光学部材、および前記光検知器が配置され、前記検知される光の量は、前記モジュールの外側に位置する前記表面と前記光学部材との距離に依存する、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
  8. 前記光学部材の前記第1の透明部分に取り付けられる第1のパッシブ光学部品と、
    前記光学部材の前記第2の透明部分に取り付けられる第2のパッシブ光学部品とを含み、
    前記第1のパッシブ光学部品は前記発光素子の上方に取り付けられ、前記第2のパッシブ光学部品は前記光検知器の上方に取り付けられる、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
  9. 前記第1および第2のパッシブ光学部品の各々はレンズを含む、請求項8に記載の光学式近接センサモジュール。
  10. 前記発光素子は発光ダイオードを含み、前記光検知器はフォトダイオードを含む、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
  11. 前記発光ダイオードは赤外光または近赤外光を放出し、前記フォトダイオードは赤外光または近赤外光を検知する、請求項10に記載の光学式近接センサモジュール。
  12. 前記分離部材は前記発光素子によって放出される光を実質的に透過しない、請求項10に記載の光学式近接センサモジュール。
  13. 前記ポリマー材料はエポキシを含む、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
  14. 前記エポキシ材料は少なくとも0.7%のカーボンブラックを含有する、請求項13に記載の光学式近接センサモジュール。
  15. 前記エポキシ材料は少なくとも0.8%のカーボンブラックを含有し、前記分離部材は前記発光素子によって放出された光を実質的に透過しない、請求項13に記載の光学式近接センサモジュール。
  16. 前記エポキシ材料中のカーボンブラックの量は十分大きく、前記発光素子によって放出された光の波長で前記壁部分を通る光の伝達は0.1%以下である、請求項13に記載の光学式近接センサモジュール。
  17. 前記エポキシ材料中のカーボンブラックの量は十分大きく、前記発光素子によって放出された光の波長で前記壁部分を通る光の伝達は0.00015%以下である、請求項13に記載の光学式近接センサモジュール。
  18. 前記エポキシ材料中のカーボンブラックの量は十分大きく、前記発光素子によって放出された光の波長での前記壁部分における光の吸収率は少なくとも3である、請求項13に記載の光学式近接センサモジュール。
  19. 光学式近接センサモジュールであって、
    基板と、
    前記基板の第1の表面上に搭載される発光素子とを備え、前記発光素子は第1の波長の光を放出するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、
    前記基板の前記第1の表面上に搭載される光検知器を備え、前記光検知器は前記第1の波長の光を検知するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、
    前記基板に対して実質的に平行に取り付けられる光学部材を備え、前記光学部材は、前記第1の波長の光を透過する第1および第2の透明部分を含み、前記光学部材はさらに、前記第1の波長の入射光を実質的に減衰または遮断する遮断部分を含み、前記第1の透明部分は前記発光素子の上方に取り付けられ、前記第2の透明部分は前記光検知器の上方に取り付けられ、光学式近接センサモジュールはさらに、
    色素を含有する不透明ポリマー材料から構成される分離部材を備え、前記分離部材は、前記基板と前記光学部材との間に接触して取り付けられ、前記分離部材は前記発光素子および前記光検知器を囲み、前記分離部材は、前記基板から前記光学部材へ延在するとともに前記発光素子と前記光検知器とを互いに分離する壁部分を含み、前記分離部材中の色素の量は十分に大きく、前記発光素子によって放出された光の前記第1の波長で前記壁部分を通る光の伝達は0.1%以下である、光学式近接センサモジュール。
  20. 移動通信装置であって、
    プロセッサと、
    メモリと、
    ディスプレイと、
    通信インターフェイスと、
    トランシーバと、
    光学式近接センサモジュールとを含み、光学式近接センサモジュールは、
    基板と、
    前記基板の第1の表面上に搭載される発光素子とを含み、前記発光素子は第1の波長の光を放出するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、
    前記基板の前記第1の表面上に搭載される光検知器を含み、前記光検知器は前記第1の波長の光を検知するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、
    前記基板に対して実質的に平行に取り付けられる光学部材を含み、前記光学部材は、前記第1の波長の光を透過する第1および第2の透明部分を含み、前記光学部材はさらに、前記第1の波長の入射光を実質的に減衰または遮断する遮断部分を含み、前記第1の透明部分は前記発光素子の上方に取り付けられ、前記第2の透明部分は前記光検知器の上方に取り付けられ、光学近接モジュールはさらに、
    色素を含有する不透明ポリマー材料から構成される分離部材を含み、前記分離部材は、前記基板と前記光学部材との間に接触して取り付けられ、前記分離部材は前記発光素子および前記光検知器を囲み、前記分離部材は、前記基板から前記光学部材へ延在するとともに前記発光素子と前記光検知器とを互いに分離する壁部分を含み、前記分離部材中の色素の量は十分に大きく、前記第1の波長で前記壁部分を通る光の伝達は0.1%以下である、移動通信装置。
  21. 前記色素はカーボンブラックである、請求項20に記載の移動通信装置。
  22. 前記ポリマー材料は少なくとも0.7%のカーボンブラックを含有する、請求項20に記載の移動通信装置。
  23. 前記ポリマー材料中の色素の量は十分に大きく、前記発光素子によって放出された光の波長での前記壁部分における光の吸収率は少なくとも3である、請求項20に記載の移動通信装置。
  24. 前記分離部材は、前記発光素子によって放出された光の波長において少なくとも0.015/μmの吸収係数を有する、請求項20に記載の移動通信装置。
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