JP2017152698A - 光電子モジュール - Google Patents

光電子モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2017152698A
JP2017152698A JP2017037155A JP2017037155A JP2017152698A JP 2017152698 A JP2017152698 A JP 2017152698A JP 2017037155 A JP2017037155 A JP 2017037155A JP 2017037155 A JP2017037155 A JP 2017037155A JP 2017152698 A JP2017152698 A JP 2017152698A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wafer
light emitting
optical
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017037155A
Other languages
English (en)
Inventor
ラドマン,ハルトムート
Rudmann Hartmut
ビーチ,アレクサンダー
Bietsch Alexander
ウェステンホーファー,ズザンネ
Westenhoefer Susanne
グブザー,ジーモン
Gubser Simon
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Sensors Singapore Pte Ltd
Original Assignee
Heptagon Micro Optics Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heptagon Micro Optics Pte Ltd filed Critical Heptagon Micro Optics Pte Ltd
Publication of JP2017152698A publication Critical patent/JP2017152698A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/04Systems determining the presence of a target
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4811Constructional features, e.g. arrangements of optical elements common to transmitter and receiver
    • G01S7/4813Housing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/173Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)

Abstract

【課題】光の干渉および相互干渉を減少させることを補助することができ、信号対雑音比を向上させることができる光電子モジュールを提供する。【解決手段】光学式近接センサモジュール1は、基板Pと、基板の第1の表面上に搭載される発光素子とを含み、発光素子は第1の波長の光を放出するように動作可能であり、光学式近接センサモジュール1はさらに、基板の第1の表面上に搭載される光検知器を含み、光検知器は第1の波長の光を検知するように動作可能である。モジュール1は、基板Pに対して実質的に平行に取り付けられる光学部材Oと、基板と光学部材との間に取り付けられる分離部材Sとを含む。分離部材Sは、発光素子および光検知器を囲み得るとともに、基板から光学部材Oへ延在し、発光素子と光検知器とを互いに分離する壁部分を含み得る。分離部材Sは、たとえば、カーボンブラックなどの色素を含有する不透明ポリマー材料から構成され得る。【選択図】図1

Description

関連出願との相互参照
本件出願は、2012年4月5日に出願された米国仮出願第61/620,605号の優先権の利益を主張するものである。その出願の内容は、引用によりここに援用される。
技術分野
本開示は、光学式近接センサモジュールなどの光電子モジュールに関する。
背景
近接センサは、対象物の位置または場所を検知するために使用される。光学センサ、誘導センサ、および容量センサなどを含む、様々なタイプの近接センサが利用可能である。
光学式近接センサは、たとえば、センサの付近における対象物の有無を検知する反射技術を採用し得る。典型的な技術は、発光ダイオード(LED)および光学検知器を使用するものであり、LEDから放出される光が対象物に反射して検知器に戻るように構成されている。光源は、光が光検知器による検知に適したものとなるように選択され得る。したがって、たとえば、光源は、光検知器が最良に検知することができ、他の近隣の光源によって生成されそうにない周波数の光を生成し得る。
小さな光学式近接を設計する際には、多くの場合、電気的な干渉、光の相互干渉、および信号対雑音比に係る問題に対処する必要がある。たとえば、光学式近接センサにおける光の干渉には様々な潜在的な原因があり、その原因には、外的なもの(たとえば、日光、屋内の照明、意図されない標的)および内的なもの(たとえば、近接センサの下位構成部品間における光の干渉)が含まれる。外的な干渉は、信号処理の一部として抑制または減少させることができる。他方、内的な干渉は、特に近接センサが透明または半透明のカバーの後ろに搭載され、カバーで反射した光の強度の大きさが対象の信号と同様になり得る適用例においては、管理がより難しい。
概要
光電子モジュールが開示される。この光電子モジュールは、一部の施行例において、光の干渉および相互干渉を減少させることを補助することができ、信号対雑音比を向上させることができる。
たとえば、一局面において、光学式近接センサモジュールは、基板と、基板の第1の表面上に搭載される発光素子とを含み、発光素子は第1の波長の光を放出するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、基板の第1の表面上に搭載される光検知器を含み、光検知器は第1の波長の光を検知するように動作可能である。モジュールは、基板に対して実質的に平行に取り付けられる光学部材と、分離部材とを含み、分離部材は、基板と光学部材との間に取り付けられる。
一部の施行例において、発光素子は、発光ダイオードを含み、光検知器は、フォトダイオードを含む。一部の施行例において、発光ダイオードは、赤外光または近赤外光を放出し得て、フォトダイオードは、赤外光または近赤外光を検知し得る。
一部の施行例において、光学部材は、第1の波長の光を透過する第1および第2の透明部分と、第1の波長の入射光を実質的に減衰または遮断する遮断部分とを含む。第1の透明部分は、発光素子の上方に取り付けられ得て、第2の透明部分は、光検知器の上方に取り付けられ得る。
分離部材は、発光素子および光検知器を囲み得るとともに、基板から光学部材へ延在して発光素子と光検知器とを互いに分離する壁部分を含み得る。
一部の施行例において、発光素子から放出される光が第1の透明部分を通過するように、および第1の透明部分を通過し、モジュールの外側に位置する表面で反射し、第2の透明部分を通過する光の少なくとも一部が光検知器に検知されるように、発光素子、光学部材、および光検知器が配置され、検知される光の量は、モジュールの外側に位置する表面と光学部材との距離に依存する。
好ましくは、分離部材は、発光素子によって放出された光を実質的に透過しない。一部の施行例において、たとえば、分離部材は、熱硬化エポキシ材料などの不透明ポリマー材料から構成される。
分離部材は、たとえば、色素を含有するエポキシまたは他のポリマー材料(たとえば、アクリレート、ポリウレタン、シリコーン材料)から構成され得る。一部の施行例において、分離部材中の色素の量は十分に大きく、第1の波長で壁部分を通る光の伝達は0.1%以下である。
一部の適用例において、分離部材は、カーボンブラックを含有するエポキシまたは他のポリマー材料から構成され、カーボンブラックは、一部の場合においてエポキシまたは他のポリマー材料に埋め込まれ得る。たとえば、エポキシまたは他のポリマー材料は、少なくとも0.7%のカーボンブラックもしくはそれ以上を含有し得る。一部の適用例において、エポキシまたは他のポリマー材料中のカーボンブラックの量は十分に大きくなり得て、発光素子によって放出された光の波長で壁部分を通る光の伝達は0.1%以下であり、一部の場合においては、これよりも相当に小さい。エポキシまたは他のポリマー材料中のカーボンブラックの量は十分に大きくなり得て、発光素子によって放出される光の波長で壁部分を通る光の吸収率は少なくとも3となる。同様に、分離部材は、発光素子によって放出される光の波長において少なくとも0.015/μmの吸収係数を有し得る。
また、本開示は、複数の光学式近接センサモジュールを作製する方法についても記載する。
加えて、移動通信装置が開示され、この移動通信装置は、上に記載した、または以下により詳細に記載される光学式近接センサモジュールを含む。
1つ以上の施行例についての詳細は、添付の図面および以下の記載において述べられる。他の局面、特徴、および利点は、明細書および図面、ならびに請求項から明らかとなるであろう。
光電子モジュールを示す断面図である。 図1のモジュールの構成要素を示す様々な断面図である。 図1に示されるような複数のモジュールを製造するためのウエハスタックを形成するためのウエハを示す断面図である。 図1の複数のモジュールを製造するためのウエハスタックを示す断面図である。 構造化された表面を有する半仕上げ部品を示す断面図である。 光学式近接センサを有する携帯電話の例を示す図である。 携帯電話のさらなる詳細を示す図である。
詳細な説明
図1に示されるように、光電子モジュール1は、少なくとも1つのアクティブ光学部品と少なくとも1つのパッシブ光学部品とを含み得る。アクティブ光学部品の例としては、フォトダイオード、イメージセンサ、LED、OLED、またはレーザーチップなどの、光感知部品または発光部品が含まれる。パッシブ光学部品の例としては、レンズ、プリズム、ミラー、または光学系(たとえば、開口紋り、イメージスクリーン、または支持体などの機械要素を含み得るパッシブ光学部品の集合)などの、屈折および/または回折および/または反射によって光の方向を変える光学部品が含まれる。図2は、図1のモジュールの構成要素の様々な横概略断面図を示し、これらの横断面のおおよその位置は、図1においてs1からs5および破線によって示される。s4およびs5については、視線の方向が矢印によって示される。
モジュール1は、縦方向(すなわち、図1におけるz方向)に互いに積まれた複数の構成要素(P,S,O,B)を含む。縦(z)方向に対して垂直なx−y面(図2を参照)における方向は、横方向という。
モジュール1は、基板Pと、分離部材Sと、光学部材Oと、バッフル部材Bとを含み、これらは互いに積まれている。基板Pは、たとえば、プリント回路板アセンブリである。PCBアセンブリのプリント回路板(PCB)は、インタポーザという。PCBの上には、光を放出するための放出部材E(たとえば、赤外光または近赤外光を放出するための発光ダイオードなどを含む光送信器ダイ)、および放出部材Eによって放出される周波数/波長(または周波数/波長の範囲)の光を検知するための検知部材D(たとえば、赤外光または近赤外光を検知するためのフォトダイオードなどを含む光受信器ダイ)が搭載される。概して、光は電磁放射をいい、たとえば、電磁スペクトルの赤外部分、可視部分、または紫外部分における電磁放射含み得る。
放出部材Eおよび検知部材Dの電気接触部は、はんだボール7が取り付けられるモジュール1の外側に電気的に接続される。一部の施行例は、4つの電気接触部を含み、2つが放出部材E用であり、2つが検知部材D用である。はんだボール7を設ける代わりに、一部の施行例は、後にはんだボールが設けられ得るPCB上に接続パッドを含む。したがって、モジュール1は、たとえば、表面実装技術(SMT)を使用し、他の電子部品に隣接してプリント回路基板9上に搭載され得る。プリント回路基板9は、手持ち通信装置などの電子装置10の構成要素であり得る。たとえば、装置10は、スマートフォンまたは他の携帯電話であり得る。モジュール1は、このような用途に特に適している。なぜなら、モジュール1は特に小さいサイズを有するように製造され得るためである。
分離部材Sは2つの開口4を有し、放出部材Eがその一方に配置され、検知部材Dが他方に配置される。この方法により、放出部材Eおよび検知部材Dは、横方向において分離部材Sによって囲まれる。開口は実質的に円形で示されるが、一部の施行例においては他の形状を有してもよい。
分離部材Sは、いくつかの役割を果たし得る。分離部材Sは、基板Pと光学部材Oとの間の(縦方向に延在する)距離が良好に規定されるように確保し得て、これにより、放出部材Eから光学部材Oを介した光路、およびモジュール1の外側から光学部材Oを介して検知部材Dへ向かう光路を良好に規定することを補助する。また、分離部材Sは、検知部材Dによって概ね検知可能な光を実質的に透過させないことにより、およびモジュール1の外側壁の部分を形成することにより、本来検知部材Dによって検知されるべきではない光から検知部材Dを保護し得る。また、分離部材Sは、検知部材Dによって概ね検知可能な光を実質的に透過させないことにより、および放出部材Eと検知部材Dとの間に壁を形成することにより、放出部材Eと検知部材Dとの間の光の相互干渉を減少させるように、検知部材Dに到達すべきでない放出部材Eから放出される光から検知部材Dを保護し得る。この方法によって、モジュール1の内側で反射した光、および放出部材Eから生じる迷光が検知部材Dに到達しないように防止され得る。一部の施行例において、分離部材Sは、たとえば、エポキシ樹脂、アクリレート、ポリウレタン、およびシリコーン材料などの硬化することが可能な(たとえば、硬化可能な)ポリマー材料である、不透明なポリマー材料からなる。分離部材は、たとえば、カーボンブラックを含有するエポキシからなり得る。
最大の感度および検知範囲を実現するために、放出部材(たとえば、LED)Eと検知部材(たとえば、フォトダイオード)Dとの距離を近くすることが重要となり得る。しかしながら、内部での相互干渉によるセンサの誤反応およびダイナミックレンジの減少を回避するために、受信器の近くに位置する放出器には、分離壁またはカバーによるIR有効光学絶縁(IR-effective optical insulation)が必要である。分離部材Sは、放出部材Eと検知部材Dとを互いに分離する縦壁分割部分12を有し、内部における光の相互干渉の減少を補助し得る。
光学部材Oは、遮断部分bと2つの透明部分tとを含み、透明部分tの一方は、放出部材Eから放出される光がモジュール1から出ることを可能とし、他方は、光がモジュール1の外側からモジュール1に入って検知部材Dに到達することを可能とする。
遮断部分bは、たとえば適した(ポリマー)材料からなることにより、検知部材Dによって概ね検知可能な光を実質的に通さない。透明部分tの各々は、光をガイドするためのパッシブ光学部品L、または特定的な例として、レンズ部材Lを含む。レンズ部材Lは、たとえば、図1に示されるように、透明要素6に密着する2つのレンズ要素5を含む。透明要素6は、遮断部分bを形成する光学部材Oと同じ縦寸法を有し得て、遮断部分bを形成する光学部材Oと透明要素6とにより、(完全に近い(close-to-perfect))固体板形状が作られる。レンズ要素5(図1を参照)は、屈折および/または回折によって光の方向を変える。たとえば、レンズ要素は、(図1に示されるように)全てが概ね凸面形状からなるが、レンズ要素5の1つ以上は、たとえば全体的または部分的に凹面になるなど、異なる形状を有し得る。
バッフル部材Bは、望ましくない光、特に所望の角度でモジュール1を出る光またはモジュール1に入射する光を防護し得る。バッフル部材Bは、開口として形成される、または透明な材料によって形成される、2つの別個の透明領域3を有し得る。透明領域3の外側において、バッフル部材Bは、検知部材によって概ね検知可能な光を実質的に減衰または遮断する材料からなり得る、またはこのような特性を有するコーティングが設けられ得る。しかしながら、後者の製造はより複雑であり得る。バッフル部材Bの形状、より正確には透明領域3の形状は、図1および図2に示されるものとは異なるものであり得る(たとえば、円錐状の形状または頂部の切り取られたピラミッド)。
透明領域3の横形状のみならず、透明部分tおよび開口4の横形状も円形である必要はなく、たとえば角の丸まった多角形または矩形など、他の形状を有してもよい。
モジュール1は、パッケージ化された光電子部品である。モジュール1の縦側壁は、部品P,S,O,Bによって形成される。底壁は、基板Pによって形成され、上壁は、バッフル部材B、またはバッフル部材Bと光学部材Oとを合わせたものによって形成される。
図2に見られるように、ハウジング部品ともいう4つの部品P,S,O,Bの各々は、他のハウジング部品と実質的に同じ横形状および横寸法を有する。これにより、図3および図4を参照して以下により詳細に記載されるようなモジュール1を非常に効率的な方法で製造することが容易となる。ハウジング部品P,S,O,Bの各々は、概ねブロック形状もしくは板状の形状、またはより概略的には直方体形状を有し、(バッフル部材Bおよび分離部材Sが有するような)穴もしくは開口または(光学部材Oが有するような)突起を有し得る。
一部の施行例において、モジュール1は近接センサである。このようなモジュール1により、たとえば検知部材Dによって生成される光電流から判定するなどにより、対象物がモジュールから所定の距離内に位置するか否かを検知することができ、放出部材Eは、たとえば光パルスの形態で発光する。たとえば、放出部材E、光学部材O、および検知部材Dは、光学部材Oの所定の距離内または距離範囲内に位置する、光を反射することが可能な表面により、放出部材Eから放出されてこの表面で反射される十分に強度の高い光を検知部材Dが検知できるように配置され得る。これ故に、放出部材Eから放出されて、光学部材Oからさらに離れて所定の距離の外側に位置するような表面で反射される光は、検知部材Dによる十分に高い光強度の検知を引き起こさない。
さらに、上述のものと同じ原理に従って設計されるが、検知部材Dに加えて、追加の光検知器などの1つ以上の追加の電子部品、または1つ以上の集積回路、または2つ以上の光源を含む、モジュールを提供することができる。
モジュール1におけるアクティブ電子部品(図1の例における放出部材Eおよび検知部材Dなど)は、パッケージ化された電子部品またはパッケージ化されていない電子部品であり得る。基板Pとの接触には、ワイヤボンディングもしくはフリップチップ技術などの技術、または従来のスルーホール技術のような任意の他の公知の表面実装技術が使用され得る。
図3は、図1に示されるような複数のモジュールを製造するためのウエハスタックを形成するためのウエハを示す概略断面図である。概して、ウエハは、実質的にディスク形状または板形状の部品をいい、その一方向(z方向または縦方向)への伸長は、他の2つの方向(xおよびy方向、または横方向)への伸長に対して小さい。(非ブランク(non-blank))のウエハ上において、たとえば矩形のグリッド上に、複数の同様の構造または部品が配置され得る、または設けられ得る。ウエハは、開口または穴を有し得る。一部の場合において、ウエハはその横領域の大部分に材料が無い状態となり得る。施行例に応じて、ウエハは、たとえば、半導体材料、ポリマー材料、金属とポリマーとを含む複合材料、またはポリマーとガラス材料とを含む複合材料からなり得る。特に、ウエハは、熱硬化ポリマーまたはUV硬化ポリマーなどの硬化することが可能な材料を含み得る。一部の施行例において、ウエハの直径は、5cmと40cmとの間であり、たとえば、10cmと31cmとの間であり得る。ウエハは、たとえば、2、4、6、8、または12インチの直径を有する円筒状であり得て、1インチは約2.54cmである。ウエハの厚さは、たとえば、0.2mmと10mmとの間であり得て、一部の場合においては、0.4mmと6mmとの間である。
図3および図4は、3つのモジュール1を設けた場合を示すものであるが、一部の施行例においては、1つのウエハスタックにおいて各横方向に少なくとも10個のモジュールが設けられ得て、一部の場合において各方向に少なくとも30個または50個以上のモジュールが設けられ得る。ウエハの各々の寸法の例は、横方向に少なくとも5cmまたは10cmであり、30cmもしくは40cmまたは50cmに達し、縦方向に(基板ウエハPW上に部品が何も無い状態で測定)少なくとも0.2mmもしくは0.4mmまたは1mmであり、6mmもしくは10mmまたは20mmに達する。
一部の施行例において、図1に示されるような複数のモジュールを製造するためのウエハスタックを作成するために4つのウエハが使用され得る。図4に示されるように、スタックは、基板ウエハPWと、スペーサウエハSWと、光学ウエハOWと、バッフルウエハBWとを含む。各ウエハは、対応するモジュール1(図1および図2を参照)に含まれる多数の対応する部材を含み、これらの部材はたとえば矩形の格子上に配置され、後続の分離ステップを容易にするために互いに小さな距離が空けられている。
基板ウエハPWは、たとえば、標準的なPCB材料からなるPCBを含むPCBアセンブリであり得て、一方側にはんだボール7が設けられ、他方側にはんだ付けされたアクティブ光学部品(たとえば、部材EおよびD)が設けられる。後者は、たとえば標準的なピックアンドプレイスマシンを使用したピックアンドプレイスによって基板ウエハPWの上に配置され得る。
スペーサウエハSWは、基板ウエハPWおよび光学ウエハOWを実質的に互いに一定の距離を空けて維持することを補助し得る。したがって、スペーサウエハSWをウエハスタックに組み込むことにより、高い撮像性能および複雑性を可能とすることができる。スタックウエハは、その後にさいの目に切られて個別のマイクロ光学構造とされ得て、ウエハごとに複数の(たとえば、数千)の構造が得られる。
望ましくない光の検知からの保護を最大とするために、ウエハPW,SW,OW,BWの各々は、透明部分tおよび透明領域3などの透明領域を除き、検知部材Dによって検知可能な光を実質的に通さない材料から実質的になり得る。
たとえば、一部の施行例において、スペーサウエハSWは、カーボンブラックまたは他の暗い色素を含有するUV硬化エポキシまたは熱硬化エポキシ(または他のポリマー)からなり得る。一部の施行例において、カーボンブラックはエポキシ(または他のポリマー)に埋め込まれる。エポキシまたは他のポリマー材料中のカーボンブラックの量は、特定の用途に依存し得て、たとえば、スペーサウエハSWの所望の光学特性または必要な光学特性に依存し得る。したがって、一部の施行例においては、光の相互干渉または検知部材Dによる他の望ましくない光の検知を減少させるために、スペーサウエハSWは、少なくとも0.7%のカーボンブラックを含有するUV硬化もしくは熱硬化エポキシまたは他のポリマー材料からなり得る。しかしながら、一部の施行例においては、より少ない量のカーボンブラックで十分となり得る。スペーサウエハSWのためのエポキシまたは他のポリマー材料中の最適または所望のカーボンブラックの割合は、たとえば、壁12の横方向の厚さに応じて調整され得る。たとえば、一部の施行例において、壁の厚さは約200μmであり、エポキシまたは他のポリマー材料は、少なくとも約0.8%のカーボンブラックを含有する。800nmの波長を有する光については、前述の組成により、約0.0295/μmの吸収係数(α)が得られる。概して、厚さdを有する壁部分12については、伝達T=10−α*dとなる。したがって、前述の例において、壁部分12の伝達(T)は、0.00015%未満であり、約5.8の吸収率または光学的密度に対応する。吸収率は、材料に対する放射の量の材料を通って伝達される放射の量に対する対数比率を表わす。一部の適用例において、カーボンブラックの量は十分に高く、放出部材Eによって放出される光の波長で壁部分12を通る光の伝達(T)は0.1%以下である。同様に、一部の適用例において、カーボンブラックの量は十分に高く、放出部材Eによって放出される光の波長での壁部分12の吸収率または光学的密度は少なくとも3となる。一部の施行例において、分離部材Sは、壁12の厚さが200μmの場合は、発光素子によって放出される光の波長において少なくとも0.015/μmの吸収係数(α)を有する。
様々なポリマー材料(たとえば、エポキシ樹脂、アクリレート、ポリウレタン、またはシリコーン材料)がスペーサウエハSWの基材として使用され得て、1つ以上の色素または他の接着剤が加えられ、対象となる波長(すなわち、LEDまたは他の放出部材Eによって放出される光の波長)でのスペーサウエハの光伝達特性が減少する。スペーサウエハSWのための基材の例としては、Electronic Materials, Inc.から入手可能なEMCAST(たとえば、23xx、24xx、25xx、および2600シリーズ)、Master Bond Inc.から入手可能なMASTERBOND(商標)(たとえば、UV15-7DC、UVIODCTK)、DELO Industrial Adhesivesから入手可能なDELO-DUALBOND(商標)(たとえば、AD VE 80342)、Addison Clear Waveから入手可能なAC A1449、Epoxy Technology, Inc.から入手可能なEPOTEK OG198-54、およびLOCTITE 334、392、5091のうちの1つ以上が含まれる。前述の材料の一部は、デュアルキュア型である(すなわち、UV光および熱によって硬化させることができる)。対象となる波長においてスペーサーウエハSWの光伝達特性を減少させるために、カーボンブラックまたは他の色素が基材に加えられ得る。たとえば、カーボンブラックまたは他の色素は、放出部材Eによって放出される光の波長において壁部分12を通過する光の伝達(T)が0.1%以下となるように十分に大きな量で基礎ポリマー材料に加えられ得る。同様に、一部の適用例において、色素の量は、放出部材Eによって放出される光の波長において壁部分12の吸収率または光学的密度が少なくとも3となるように十分に大きい。
スペーサウエハSWおよびバッフルウエハBW、ならびに光学ウエハOWの少なくとも一部は、たとえば複製により作製され得る。複製は、たとえばエッチング、エンボス加工、モールド成形、または真空注入など、所与の構造またはそのネガを再現する技術をいう。複製工程の特定の例において、構造化された表面が、液体材料、粘性材料、または塑性変形可能材料にエンボス加工され、紫外放射または加熱を用いた硬化によって材料が硬化され、構造化された表面が取り除かれる。したがって、構造化された表面を有する複製物(この場合においては、ネガ複製物)が得られる。複製に適した材料は、たとえば、硬化させることができる(たとえば、硬化可能な)ポリマー材料または他の複製材料、すなわち硬化させるステップまたは凝固ステップ(たとえば、硬化ステップ)において液体、粘性、または組成変形可能な状態から個体の状態へ変化させることができる材料である。
したがって、たとえば、用途特定液体ポリマーの液滴をウエハ上に正確に投与することにより、ウエハレベルの複製工程が実施され得る。そして、モールドを用いてポリマーにエンボス加工が施され、紫外光を用いてポリマーを硬化させることによってウエハ上でポリマーが硬化する。そして、ウエハがモールドから分離される。この工程は、マイクロメートル単位の配列精度を伴ってウエハの他方側で繰り返され得る。一部の施行例において、複製材料は、引用によりここに援用される米国特許出願第7,704,418号に記載されるようにツールと基板の表面との間に収容され得る。
スペーサウエハSWを作製するのに適した複製技術が、たとえば、米国特許出願公開第2011/0039048号A1および米国仮出願第61/746,347号に開示されており、これら両方は引用によりここに援用される。スペーサウエハSWは、縁部における厚さが縁部まわりの表面箇所におけるスペーサウエハの厚さを超えるように作製され得る。この方法により、縁部がスペーサの平均厚さと比して上昇する。たとえば、スペーサウエハSW自体が概して100から1500ミクロン(μm)の厚さを有する場合、縁部が囲う表面に対する縁部の上昇は約1から10μmであり得る。
一部の施行例において、ウエハレベルの硬化工程を通過する複製要素(たとえば、スペーサウエハSW、光学ウエハOW、および基板ウエハPW)は、熱的に安定し、たとえば温度が約260℃に達し得るリフロー工程などの加熱工程に耐え得る。熱的に安定した要素は、実質的にその全体的な形状を維持し、相対的に高い動作温度において分解されることはない。複製要素のこの特性は、概して「リフロー性」という。熱的に安定した要素を作製するために使用される材料は、たとえば、熱硬化性ポリマーまたは熱可塑性ポリマーを含み得る。
このような作製技術により、たとえば携帯電話または他の電子製品へのモジュールの組み込みが容易となる。なぜなら、モジュールを組み立てライン工程に直接的に組み込むことができるからである。一部の施行例において、リフロー可能要素は、−40℃と+85℃との間での1000時間の熱サイクル、および+85℃の温度および85%の相対湿度での1000時間の熱サイクルを含むGR−468CORE環境試験を満たす。
たとえば、上に記載したように、スペーサウエハSWは、エポキシ樹脂および硬化剤から形成される熱硬化エポキシであり得て、一部の施行例においてはカーボンブラックも含有する。このようなエポキシ化合物の熱的安定性は、主にエポキシ樹脂の化学構造および硬化剤のタイプに依存する。たとえば、熱可塑性エポキシ化合物については、エポキシ化合物のガラス遷移温度は、約100℃から270℃の範囲内で異なり得る。
また、複製要素は、熱的に安定した、紫外(UV)硬化エポキシまたは他のポリマー材料から形成され得る。一部の施行例において、複製要素は、「デュアルキュア型」の材料を用いて形成され得る。すなわち、材料は、2つの硬化法のうちいずれが採用されるかに応じて、熱(熱硬化)または紫外光(UV硬化)のいずれかを用いて硬化され得る。熱的に安定した硬化ポリマーに使用され得る材料の例としては、Electronic Materials, Inc.から入手可能なEMCAST(商標)(たとえば、23xx、24xx、25xx、および2600シリーズ)、Master Bond Inc.から入手可能なMASTERBOND(商標)エポキシ(たとえば、UV15-7DCおよびUVIODCTK)、DELO Industrial Adhesivesから入手可能なDELO-DUALBOND(商標)(たとえば、AD VE 80342)材料、Addison Clear Waveから入手可能なAC A 1449、Epoxy Technology, Inc.から入手可能なEPOTEK OG 198-54エポキシ、および/またはLOCTITE 334、392、および5091シリーズ材料のうち1つ以上が含まれる。
他の材料の例としては、機能性アミノシランとアミノプロピルメチルシロキサンのコポリマーとを定められた比率で有するエポキシが含まれる。硬化エポキシにおいてシリコン化合物を使用することにより、一部の施行例において、エポキシの熱的安定性、化学的耐性、および腐食耐性が向上し、トリメトキシ基を有するシランを使用することにより、接着特性がより良好となり得る。
代替的に、または加えて、硬化エポキシまたは他のポリマーの熱的安定性は、環状化合物を硬化剤として使用することによって向上し得る。たとえば、ビスフェノールAからなるエポキシ樹脂の熱的安定性は、とりわけ芳香族アミンおよび無水物、ノボラック、ビスマレイミド(たとえば、ジ(p−マレイミドフェニル)メタン)、ならびにイミダゾール誘導体を使用することによって向上し得る。追加の樹脂および硬化剤の組み合わせも、熱的安定性を向上させるために使用され得る。
レンズLのための材料も、適したリフロー可能な材料からなり得て、このリフロー可能な材料は、検知部材Dによって検知可能な光を透過する。スペーサウエハ要素と同様に、レンズLに適した材料としては、たとえば、硬化することができる(たとえば、硬化可能)ポリマー材料、または硬化する(たとえば、硬化)ステップにおいて液体、粘性、または塑性変形可能な状態から個体の状態へ変態する材料が含まれ得る。一部の施行例において、レンズ材料の硬化は、熱、UV光、または化学添加剤をポリマー材料に加えることによって実現される。スペーサウエハSW、光学ウエハOW、または基板ウエハPWを作製するために使用されるものと同じポリマー材料が、カーボンブラックを除き、レンズ材料として使用され得る。レンズを形成するために使用され得る他のポリマー材料としては、たとえば、ThreeBond Co., Ltd.から入手可能なTHREEBOND(商標)3078A、3078B、もしくは3078Cシリーズのエポキシ、DELO Industrial Adhesivesから各々が入手可能なDELO-KATIOBOND(商標)AD VE 18499エポキシおよびDELO-PHOTOBOND(商標)エポキシ(たとえば、GB368および19923シリーズ)、EPOTEK(商標)エポキシ(たとえば、90-172-4、90-174-3、100-24-3、もしくはOG142-13シリーズのエポキシ)、Kyoritsu Chemical & Co., Ltd.から入手可能なKyoritsu XLM-C5もしくはXRC 9-2シリーズのエポキシ、Micro Resist Technology GmbHから入手可能なMRT Ormocomp(商標)US-S4エポキシ、Showa Denko K.K.から入手可能なShowa Denko(商標)SAS008L-Pエポキシ、ならびに/またはWellomer Adhesive Technologyから入手可能なWELLOMER(商標)エポキシDUV 764エポキシのうちの1つ以上が含まれる。
光学ウエハOWについては、不透明部分(たとえば、遮断部分b)を得るために複製またはモールド成形が使用され得る。また、穿孔またはエッチングにより、透明部分が設けられる穴を設けることが可能である。続いて、このように得られた前形ウエハには、レンズ部材Lが設けられ、光学ウエハOWがもたらされる。これは、たとえばレンズ部材Lを単一の部品として形成するなど、複製によって達成され得る。しかしながら、レンズ部材Lは、透明領域3が規定される穴の中に透明要素6を含むウエハである半仕上げ部品から製造を始めることができる。これは、レンズ部材Lの各々が少なくとも1つの頂点を有し、これらの頂点が光学ウエハOWの縦断面の外側に位置する場合には特に有用となり得る。このような半仕上げ部品は、透明領域3にウエハを貫通する穴を有さず、実質的に表面の起伏を有さない、もしくは浅い表面の起伏を有する平坦なディスク状のウエハであり得る。このような表面の起伏は通常は凹面である。すなわち、起伏は、遮断部分bのようにウエハ面を超えて延在しない。
このような半仕上げ部品は、透明部分が設けられる穴または開口を有する平坦な前形ウエハ(通常は、1つの材料からなる)から始め、たとえば分注工程を使用して穴を透明材料で満たし、たとえばフリップチップ技術などにおけるアンダーフィル処理に使用される分注器を使用して1つずつ前形ウエハの穴を1つずつ満たす、または、たとえばスキージ処理(たとえば、スクリーン印刷から既知のもの)もしくは材料を出す複数の中空針を有する分注器を使用して一度に複数の穴を満たすことによって得られる。分注時において、ウエハはたとえばシリコーンからなる平坦な支持板の上に置かれ得る。分注された材料における気泡または空洞の形成を防止するよう注意する必要がある。なぜなら、これにより、生産されるレンズ部材Lの光学的性質が劣化し得るためである。たとえば、分注は、ウエハによって形成される縁部および下方の支持板(またはこのような縁部に近い場所)で、たとえば材料を出す中空の針をこのような縁部の近くに適切にガイドすることによって、ウエハ材料のウェッティングを開始するような方法で行うことができる。続いて、分注された材料は、たとえば熱またはUV放射によって硬化され、硬化した透明材料が得られる。
この方法により形成され得る凸状のメニスカスは、研磨によって平坦にされ、これにより、ウエハの厚さに調整された平行面を有する透明要素6が得られる。そして、複製により、レンズ要素5がウエハOWの一方側または両側(上側および底側)に施される。透明要素のメニスカスが凹状の場合、複製がこれらの上で行われ得て、施される複製材料の量はこれに伴って調整され得る。
光学ウエハOWならびにスペーサウエハSWおよび/またはバッフルウエハBWの特徴および機能性を組み込んだ組み合わせ光学ウエハを設けることができる。このような組み合わせ光学ウエハの作成は、特定の前形ウエハと、これをもとに製造される特定の半仕上げ部品とによって達成され得る。このような前形ウエハおよび半仕上げ部品は、それぞれ、少なくとも1つの構造化された表面を有し、この構造化された表面は、通常はそれぞれが前形ウエハに設けられて半仕上げ部品にある透明要素の2つの表面のうち少なくとも1つを超えて縦方向に延在する突起を有する。図5において、1つの構造化された表面を有する半仕上げ部品оw′の例が概略的に示される。半仕上げ部品は、図1に示されるモジュールの製造に使用され得る。図4のウエハOWおよびSW(またはウエハOWおよびBW、またはウエハOWおよびSWおよびBW)を1つの部品として考えることにより、組み合わせ光学ウエハが図1に係るモジュールの製造のために提供される。
ウエハスタック2を形成するために、たとえば、熱硬化および/またはUV硬化エポキシ樹脂を使用して糊付けすることにより、ウエハが配列および接着される。各アクティブ光学部品(基板ウエハPW上の検知部材Dおよび放出部材Eなど)は、十分かつ正確に対応するパッシブ光学部品(光学ウエハOWのレンズ部材Lなど)と整列させる必要がある。一部の施行例において、基板ウエハPWに穴が形成され得て、穴は基板ウエハPWの厚さを貫通して延在し、圧力の蓄積を解放するためにリフロー工程時のガス抜きを提供する。穴は、穿孔またはエッチング処理により、基板ウエハPWに形成され得る。
図4は、図1に示されるような複数のモジュール1を製造するためのウエハスタック2を示す断面図である。細い破線の矩形は、たとえばダイシングソーを使用した分離が行われる場所を示す。
配列ステップの大部分がウエハレベルで行われるという事実により、相対的に簡易かつ迅速な方法で良好な配列(特に部材Lに対する部材DおよびEの配列)を実現することが可能となる。このため、全体的な製造工程が非常に速く正確となり得る。ウエハスケールの製造により、複数のモジュール1を製造するために必要な製造ステップがごく少数となる。
上記のように、一部の施行例において、モジュール1は近接センサモジュールである。上記の技術により、ウエハレベルの製造工程を使用して同時に複数のモジュールを作製することができる。パッケージ化されたモジュール1は、携帯電子装置、手持ち携帯電子装置、パーソナルコンピューティング装置、カメラ、オーディオもしくはビデオ再生装置、ラップトップコンピューター、または携帯情報端末などの幅広い装置に組み込むことができるとともに動作的に接続することができる。
近接センサモジュール1の特定の適用例は、携帯電話10にある(図6を参照)。たとえば、近接センサモジュール1は、ディスプレイが使用されていない時に携帯電話のディスプレイを自動的に暗くする、または非アクティブ化することによって電話の電池の寿命を長くするように、ユーザの耳または顔の横に携帯電話があることを検知するために使用され得る。図7に示されるように、携帯電話10の一部の施行例は、他の部品の中で、プロセッサ52と、メモリ64と、ディスプレイ54などの入出力装置と、通信用インターフェース66と、トランシーバ68とを含む。様々な構成要素は、様々な経路を使用して相互に接続され得て、構成部品のいくつかは、共通の主回路基板の上に、または適切な他の態様で搭載され得る。また、近接センサモジュール1は、装置10の他の構成部品に相互に接続され得て、一部の施行例においては、他の構成部品の一部とともに共通の主回路基板の上に搭載され得る。
いくつかの施行例について記載した。これに関わらず、本発明の主旨および範囲から逸脱することなく、様々な変更がなされ得ることが理解されるであろう。このため、他の施行令は、請求項の範囲内となる。

Claims (12)

  1. 複数の光学式近接センサモジュールの組立方法であって、
    複数の発光素子が取り付けられ複数の光検知器が取り付けられる第1の表面を有する基板ウェハを提供するステップを含み、それぞれの前記発光素子は対応する前記光検知器に隣接して配置され、前記発光素子と前記光検知器は基盤上に整列して取り付けられ、前記発光素子は第1の波長の光を放出するように動作可能であり、前記光検知器は前記第1の波長の光を検知するように動作可能であり、方法はさらに、
    カーボンブラックを含む非透過性ポリマー素材で構成されたスペーサウェハを提供するステップを含み、前記スペーサウェハは基板上ウェハの前記発光素子および前記光検知器の配列に実質的に対応して並んだ開口部を有し、方法はさらに、
    前記第1の波長の入射光を実質的に減衰または遮断する遮断部分を含む光学ウェハを提供するステップを含み、前記光学ウェハはさらに、前記第1の波長の光を透過する第1および第2の透明部分を含み、前記第1および第2の透明部分は前記基板ウェハの前記発光素子および前記光検知器と実質的に対応して並んで配置され、方法はさらに
    前記発光素子と前記光検知器が前記基板ウェハと前記光学ウェハとの間に並べられるよう前記スペーサウェハが前記基板ウェハと前記光学ウェハとの間に配置されるウェハスタックを準備するステップを含み、前記発光素子および前記光検知器は前記スペーサウェハのそれぞれの部分で取り囲まれ、前記スペーサウェハのそれぞれの部分は特定の前記発光素子を対応する前記光検知器から分離し、前記光学ウェハのぞれぞれの第1の前記透明部分はそれぞれの前記発光素子の1つの上に並べられ、前記光学ウェハのそれぞれの前記第2の透明部分はそれぞれの前記光検知器の1つの上に並べられ、方法はさらに、
    前記ウェハスタックを複数のモジュールに分離するステップを含み、それぞれの前記モジュールは前記発光素子の1つと前記光検知器の1つを含む、方法。
  2. 前記発光素子は発光ダイオードであり、前記光検知器はフォトダイオードである、請求項1に記載の方法。
  3. 前記スペーサウェハは前記発光素子から発された光を実質的に透過しない、請求項1に記載の方法。
  4. 前記ポリマー素材はエポキシ素材を含み、前記カーボンブラックは、前記ポリマー材料に埋め込まれる、請求項1に記載の方法。
  5. 前記スペーサウェハは熱硬化エポキシ素材で構成される、請求項1に記載の方法。
  6. 前記スペーサウェハの前記ポリマー素材は少なくとも0.7%のカーボンブラックを含む、請求項1に記載の方法。
  7. 前記スペーサウェハの前記ポリマー素材は少なくとも0.8%のカーボンブラックを含み、前記スペーサウェハは前記発光素子から発された光を実質的に透過しない、請求項1に記載の方法。
  8. 前記ポリマー素材中のカーボンブラックの量は十分に大きく、前記発光素子から発された光の波長で前記壁部分を通る光の伝達は0.1%以下である、請求項1に記載の方法。
  9. 前記ポリマー素材中のカーボンブラックの量は十分に大きく、前記発光素子によって放出された光の波長で前記壁部分を通る光の吸収は少なくとも3である、請求項1に記載の方法。
  10. 前記ポリマー素材はアクリレート、ポリウレタン、またはシリコン素材を含む、請求項1に記載の方法。
  11. 前記光学ウェハは、
    前記第1の透明部分に取り付けられる第1のパッシブ光学部品と、
    前記第2の透明部分に取り付けられる第2のパッシブ光学部品とを含む、請求項1に記載の方法。
  12. 前記第1および第2のパッシブ光学部品はそれぞれレンズを含む、請求項1に記載の方法。
JP2017037155A 2012-04-05 2017-02-28 光電子モジュール Pending JP2017152698A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261620605P 2012-04-05 2012-04-05
US61/620,605 2012-04-05
US13/827,264 2013-03-14
US13/827,264 US8791489B2 (en) 2012-04-05 2013-03-14 Opto-electronic module

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015504531A Division JP2015519545A (ja) 2012-04-05 2013-04-03 光電子モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017152698A true JP2017152698A (ja) 2017-08-31

Family

ID=49291595

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015504531A Pending JP2015519545A (ja) 2012-04-05 2013-04-03 光電子モジュール
JP2017037155A Pending JP2017152698A (ja) 2012-04-05 2017-02-28 光電子モジュール

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015504531A Pending JP2015519545A (ja) 2012-04-05 2013-04-03 光電子モジュール

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8791489B2 (ja)
EP (1) EP2834683B1 (ja)
JP (2) JP2015519545A (ja)
KR (1) KR20140147119A (ja)
CN (2) CN104303077B (ja)
SG (2) SG10201508450UA (ja)
TW (2) TWI567954B (ja)
WO (1) WO2013151507A1 (ja)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013020238A1 (en) * 2011-08-10 2013-02-14 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Opto-electronic module and method for manufacturing the same
US9063005B2 (en) * 2012-04-05 2015-06-23 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Reflowable opto-electronic module
US9164625B2 (en) 2012-10-14 2015-10-20 Neonode Inc. Proximity sensor for determining two-dimensional coordinates of a proximal object
US9921661B2 (en) 2012-10-14 2018-03-20 Neonode Inc. Optical proximity sensor and associated user interface
US9741184B2 (en) 2012-10-14 2017-08-22 Neonode Inc. Door handle with optical proximity sensors
US10324565B2 (en) 2013-05-30 2019-06-18 Neonode Inc. Optical proximity sensor
US10585530B2 (en) 2014-09-23 2020-03-10 Neonode Inc. Optical proximity sensor
US8946620B2 (en) * 2012-10-16 2015-02-03 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Proximity sensor device with internal channeling section
WO2014109711A1 (en) 2013-01-10 2014-07-17 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Opto-electronic modules including features to help reduce stray light and/or optical cross-talk
US10884551B2 (en) 2013-05-16 2021-01-05 Analog Devices, Inc. Integrated gesture sensor module
WO2015030673A1 (en) 2013-09-02 2015-03-05 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Opto-electronic module including a non-transparent separation member between a light emitting element and a light detecting element
EP3072155B1 (en) * 2013-11-22 2019-05-08 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact optoelectronic modules
TWI638465B (zh) * 2013-12-09 2018-10-11 新加坡商海特根微光學公司 具有包括位在光電裝置上方不同高度之光學元件之多個光通道的模組
TWI667767B (zh) * 2014-03-31 2019-08-01 菱生精密工業股份有限公司 Package structure of integrated optical module
TWI634648B (zh) * 2014-06-13 2018-09-01 億光電子工業股份有限公司 光感測器的製造方法
US9356185B2 (en) * 2014-06-20 2016-05-31 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact light sensing modules including reflective surfaces to enhance light collection and/or emission, and methods of fabricating such modules
US9405096B2 (en) * 2014-08-29 2016-08-02 Heptagon Micro Optics Pte, Ltd. Image sensor modules including primary high-resolution and secondary imagers
US9590129B2 (en) * 2014-11-19 2017-03-07 Analog Devices Global Optical sensor module
CN105679753B (zh) * 2014-11-20 2018-05-08 日月光半导体制造股份有限公司 光学模块、其制造方法及电子装置
WO2016085607A1 (en) * 2014-11-28 2016-06-02 Neonode Inc Door handle with optical proximity sensors
KR102436320B1 (ko) 2015-03-02 2022-08-25 엘지이노텍 주식회사 근조도 센서 및 이를 포함하는 휴대용 단말기
JP6560006B2 (ja) * 2015-04-08 2019-08-14 東芝ライフスタイル株式会社 冷蔵庫
US20180302990A1 (en) * 2015-10-07 2018-10-18 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Molded Circuit Substrates
US11143750B2 (en) * 2015-10-22 2021-10-12 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optical crosstalk calibration for ranging systems
CN205450269U (zh) * 2015-12-18 2016-08-10 深圳市金立通信设备有限公司 激光测距装置、摄像装置及其终端
US9911877B2 (en) * 2016-01-14 2018-03-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Electronic device, package structure and method of manufacturing the same
US10840396B2 (en) 2016-04-15 2020-11-17 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optoelectronic modules with alignment spacers and methods for assembling the same
US11226402B2 (en) 2016-06-09 2022-01-18 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optical ranging systems including optical cross-talk reducing features
US20180017741A1 (en) * 2016-07-15 2018-01-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
EP3707750A4 (en) * 2017-11-07 2021-09-01 AMS Sensors Singapore Pte. Ltd. OPTOELECTRONIC MODULES CONTAINING LOCKING ASSEMBLIES AND THEIR MANUFACTURING PROCESSES
US10712197B2 (en) 2018-01-11 2020-07-14 Analog Devices Global Unlimited Company Optical sensor package
US11786139B2 (en) * 2019-09-11 2023-10-17 Apple Inc. Opaque splits embedded in transparent media for optical emitter/detector isolation
US11805629B2 (en) 2019-09-11 2023-10-31 Apple Inc. Opaque splits embedded in transparent media for optical emitter/detector isolation
CN111063621B (zh) * 2019-12-30 2021-11-02 江苏大摩半导体科技有限公司 一种光电探测器及其制造方法
WO2021138516A1 (en) 2019-12-31 2021-07-08 Neonode Inc. Contactless touch input system
KR102430150B1 (ko) * 2020-08-25 2022-08-08 서울대학교산학협력단 식생 모니터링을 위한 분광 센서 회로 및 이를 포함하는 스마트 분광 센서
KR20220026864A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 삼성전자주식회사 광 센서 및 이를 포함하는 전자 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043922A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Sunx Ltd ピッキングセンサ
WO2010120651A2 (en) * 2009-04-14 2010-10-21 Intersil Americas Inc. Optical sensors that reduce specular reflections
US7925154B2 (en) * 2008-08-08 2011-04-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Camera module and method of manufacturing the same
JP2011193033A (ja) * 2011-07-07 2011-09-29 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュール
JP2012057979A (ja) * 2010-09-06 2012-03-22 Nec Tokin Corp 焦電型赤外線センサ

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5187361A (en) 1989-04-25 1993-02-16 Copal Company Limited Object detection apparatus of the photoelectric reflection type with sampled data
US5150438A (en) * 1991-07-29 1992-09-22 Motorola, Inc. Optocoupler apparatus with reflective overcoat
JP2001194232A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Sony Corp 光センサ装置及び表示装置
JP2002324916A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
US6710346B2 (en) 2001-08-02 2004-03-23 International Business Machines Corporation Active infrared presence sensor
AU2003255926A1 (en) * 2002-09-09 2004-03-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing such a device
JP4133896B2 (ja) * 2004-03-29 2008-08-13 シャープ株式会社 光ピックアップ装置
JP4948033B2 (ja) 2006-05-16 2012-06-06 ローム株式会社 マイクロ流体回路の製造方法およびその方法により製造したマイクロ流体回路
CN101078771A (zh) * 2006-05-24 2007-11-28 夏普株式会社 光学式测距装置及其制造方法
CH713513B1 (fr) * 2007-02-22 2018-08-31 Em Microelectronic Marin Sa Module optoélectronique muni d'au moins un circuit photorécepteur.
US20080290435A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Micron Technology, Inc. Wafer level lens arrays for image sensor packages and the like, image sensor packages, and related methods
US7898738B2 (en) * 2007-09-10 2011-03-01 Oki Data Corporation Lens array, manufacturing method thereof, LED head having lens array, exposure device having LED head, image forming apparatus having exposure device, and reading apparatus
CN101990711B (zh) * 2007-11-27 2017-05-17 新加坡恒立私人有限公司 密封的透镜叠组
US8217482B2 (en) * 2007-12-21 2012-07-10 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared proximity sensor package with reduced crosstalk
KR101353934B1 (ko) * 2007-12-27 2014-01-22 삼성전기주식회사 전기소자를 구비한 이미지센서 모듈 및 그 제조방법
TWI432788B (zh) * 2008-01-16 2014-04-01 Omnivision Tech Inc 膜懸置光學元件與相關方法
WO2009120568A2 (en) * 2008-03-24 2009-10-01 Nanolambda, Inc. Multi-purpose plasmonic ambient light sensor and visual range proximity sensor
US8232541B2 (en) 2009-04-14 2012-07-31 Intersil Americas Inc. Optical sensors that reduce specular reflections
US8779361B2 (en) * 2009-06-30 2014-07-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical proximity sensor package with molded infrared light rejection barrier and infrared pass components
US8143608B2 (en) * 2009-09-10 2012-03-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Package-on-package (POP) optical proximity sensor
US8350216B2 (en) 2009-09-10 2013-01-08 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Miniaturized optical proximity sensor
US8716665B2 (en) * 2009-09-10 2014-05-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Compact optical proximity sensor with ball grid array and windowed substrate
US8232883B2 (en) 2009-12-04 2012-07-31 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical proximity sensor with improved shield and lenses
US20110226952A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Capella Microsystems, Corp. Reflection Sensing System
US8384559B2 (en) 2010-04-13 2013-02-26 Silicon Laboratories Inc. Sensor device with flexible interface and updatable information store
US8558161B2 (en) * 2010-08-10 2013-10-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lens having multiple conic sections for LEDs and proximity sensors
CN103512595B (zh) 2011-07-19 2016-08-10 赫普塔冈微光有限公司 光电模块及其制造方法与包含光电模块的电器及装置
US9366752B2 (en) * 2011-09-23 2016-06-14 Apple Inc. Proximity sensor with asymmetric optical element
TWI567953B (zh) * 2011-12-20 2017-01-21 新加坡恒立私人有限公司 光電模組及包含該模組之裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043922A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Sunx Ltd ピッキングセンサ
US7925154B2 (en) * 2008-08-08 2011-04-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Camera module and method of manufacturing the same
WO2010120651A2 (en) * 2009-04-14 2010-10-21 Intersil Americas Inc. Optical sensors that reduce specular reflections
JP2012057979A (ja) * 2010-09-06 2012-03-22 Nec Tokin Corp 焦電型赤外線センサ
JP2011193033A (ja) * 2011-07-07 2011-09-29 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
TW201349467A (zh) 2013-12-01
SG10201508450UA (en) 2015-11-27
EP2834683A1 (en) 2015-02-11
TW201709491A (zh) 2017-03-01
CN104303077B (zh) 2018-05-29
EP2834683B1 (en) 2020-03-25
US20130264586A1 (en) 2013-10-10
CN108511538B (zh) 2021-09-21
US8975108B2 (en) 2015-03-10
TWI587491B (zh) 2017-06-11
EP2834683A4 (en) 2015-12-30
CN108511538A (zh) 2018-09-07
US8791489B2 (en) 2014-07-29
WO2013151507A1 (en) 2013-10-10
JP2015519545A (ja) 2015-07-09
KR20140147119A (ko) 2014-12-29
SG11201405660VA (en) 2014-11-27
TWI567954B (zh) 2017-01-21
US20140291703A1 (en) 2014-10-02
CN104303077A (zh) 2015-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6328813B2 (ja) リフロー可能な光電子モジュール
JP2017152698A (ja) 光電子モジュール
US11005001B2 (en) Opto-electronic modules and methods of manufacturing the same and appliances and devices comprising the same
US9746349B2 (en) Opto-electronic module including a non-transparent separation member between a light emitting element and a light detecting element

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170719

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170926

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180417