JP5805301B2 - 光電子装置 - Google Patents

Description

本出願は、光電子装置に関する。

放射源から放射され目標対象物において反射されたビームを検出する近接センサでは、散乱放射が測定結果のエラーにつながる。

本出願の課題は、散乱放射の影響が低減された簡単でかつ安価な光電子装置を提供することである。

前記課題は、請求項１に記載された本発明によって解決される。有利な改善構成は、従属請求項に記載されている。

本発明の実施形態による光電子装置は、光電子素子を有しており、この光電子素子は、ビームの受信又は発生のために設けられ、主放射貫通面を含んでいる。またこの素子にはアパーチャが割り当てられており、このアパーチャは、主放射貫通面を通過するビームの放射円錐を定めている。このアパーチャは、主放射貫通面から離れながら傾斜する領域を伴った内面を有している。

この主放射貫通面から離れながら傾斜するとは、この関係において次のようなことを意味している。すなわち、主放射貫通面に対して垂直に延在する鉛直線方向で、傾斜領域の前記主放射貫通面からの間隔が、前記鉛直線に対して垂直方向に延在する横方向で増加している前記主放射貫通面からの傾斜領域の離間距離と共に増加することを意味する。

有利な実施形態によれば、前記主放射貫通面と傾斜領域とが相互に次のように配置されている。すなわち主放射貫通面と傾斜領域との間に直接的なビームパスが生じないように配置される。

換言すれば、前記主放射貫通面と前記傾斜領域との間のビームパスが、直接的なビームパスから開放されている。

２つの箇所の間若しくは２つの領域の間の直接的なビームパスとは、ここでは光電子装置の内外において、ビームが向きを変えることなく一方の箇所からもう一方の箇所へ直線的に到達し、そこからまたもとの箇所へ直線的に戻るような関係であることを理解されたい。

側面の傾斜領域に配向されるか若しくは拡散的に反射されたビームは、事前に偏向された場合には主放射貫通面にのみ入射する。同じように主放射貫通面を通って放射されたビームは前記傾斜領域に直接入射するのではなく、予め偏向された後でのみ入射する。

放出ないし反射された全ビームにおける、アパーチャ内面での反射によって放出ないし反射されたビーム成分は、低コストな方法で簡単に低減できる。

放射円錐の概念とは、一般に、次のような領域を意味する。すなわち、例えばビーム検出器の場合には、そこからビームがアパーチャを貫通して主放射貫通面に入射し、ビーム放出器の場合には、ビームが主放射貫通面からアパーチャを貫通して放射されるような領域である。前記アパーチャの前記主放射貫通面とは反対側では、この放射円錐が断面において、主放射貫通面からの離間距離の増加と共に増大し得る。この放射円錐の断面は、円形、楕円形、又は多角形の形状を有し得る。

本発明の有利な実施形態によれば、前記傾斜領域は、主放射貫通面に対して垂直方向に延在する方向において、主放射貫通面から離間している。

別の有利な実施形態によれば、前記アパーチャは光電子素子に向いた、傾斜領域の境界面を用いて形成される。つまりこの傾斜領域の境界面は、領域毎に、前記放射円錐を定めている。そのため前記アパーチャの内面に起因する散乱ビーム成分は簡単な方法で低減できる。

さらに別の有利な実施形態によれば、前記傾斜領域の延長線が、傾斜領域とは反対側の主放射貫通面を通過する。それにより、任意の角度で傾斜領域において反射されたビームが前記主放射貫通面に直接的に入射しなくなる。同じように前記主放射貫通面から出射したビームも前記傾斜領域に直接的に入射しなくなる。

さらに別の有利な実施形態によれば、前記アパーチャの内面は、前記傾斜領域の、前記光電子素子に向いている側に、アンダーカット領域を有している。つまりこのアンダーカット領域は、横方向において、少なくとも領域毎に前記傾斜領域よりもさらに光電子素子から離れている。

有利な実施形態によれば、前記傾斜領域と前記アンダーカット領域を有する前記内面が次のように形成されている。すなわち垂直方向に対して最大角度で前記アパーチャを貫通するビームの入射点が前記アンダーカット領域において、垂直方向で、少なくとも前記主放射貫通面と同じように前記アパーチャから、とりわけ前記傾斜領域の境界面から十分に離れるように形成される。アパーチャを通って前記アンダーカット領域に直接入射し、そこで拡散若しくは方向付けられる反射ビームは、前記アンダーカット領域から主放射貫通面へ直接入射することはできない。同様に、主放射貫通面から放射され、アンダーカット領域に直接入射するビームも当該アンダーカット領域から直接前記アパーチャを通って出射することはできない。

別の有利な実施形態によれば、前記アパーチャの傾斜領域は、前記アパーチャの内面のさらなる領域よりも、前記光電素子から遠く離れて傾斜している。とりわけこのさらなる領域は、前記アパーチャの、前記傾斜領域に対向している側に配置されていてもよい。また前記内面のさらなる領域は、垂直方向に延在することも可能である。

前記光電子素子は、有利には支持体に固定される。この支持体として、例えばプリント基板（printed Circuit Board; PCB）のような回路基板が好適である。

さらに有利には、前記アパーチャがフレームによって形成される。特にこのフレーム内では、前記アパーチャを形成する凹部を形成することも可能である。このようなフレームは有利には前記支持体上に配置され、さらに好ましくはそこに固定される。

有利な実施形態によれば、前記フレームは、受光すべきビーム若しくは発光すべきビームに対して所期の吸収率を備えて形成される。ここでの「所期の吸収率」とは、当該フレームが、技術的な理由から避けられない残留吸収分を上回るビーム成分を吸収する能力を備えていることを意味する。この場合有利には、入射ビームの少なくとも６０％、特に有利には、少なくとも８０％が吸収されるとよい。この吸収率が高ければ高いほど、フレームにおいて反射されるビーム成分は少なくなる。

前記フレームは、吸収性材料から製造されるか又はそのような材料を例えばコーティングによって備えている。特に有利には、このフレームは肉眼で見て黒色に形成されてもよい。

有利には前記光電子装置は、さらなる光電子素子を有しており、このさらなる光電子素子は、前記光電子素子と共に、エミッタ−検出器対を形成する。つまり前記光電素子はエミッタとして構成され、前記さらなる光電素子は検出器として構成されてもよい。あるいはその逆で構成することも可能である。

前記光電素子は、有利には半導体素子として実装される。前記エミッタは、有利にはＬＥＤ若しくは発光ダイオードとして構成される。またレーザーダイオードも使用可能である。前記検出器は有利には、ダイオード、フォトトランジスタ又はビーム感応性の集積回路（ＩＣ）として構成され得る。

光電子素子との関係で説明してきた前述の特徴は、さらなる素子に対して用いることが可能である。特にこのさらなる素子には有利にはさらなるアパーチャが関連付けられる。このさらなるアパーチャは、さらなる主放射貫通面を貫通するビームに対する放射円錐を定義付けている。このさらなるアパーチャは、有利には、主放射貫通面から離れるように傾斜するさらなる領域を伴ったさらなる内面を有している。さらに有利には、前記さらなる主放射貫通面と前記さらなる傾斜領域が、当該さらなる主放射貫通面とさらなる傾斜領域との間で直接的なビームパスが何も生じないように相互配置される。

有利な実施形態によれば、前記さらなる傾斜領域は、前記光電子素子から十分に離れているさらなるアパーチャの内面側に形成されている。さらに有利には、前記傾斜領域は、さらなる光電子素子から十分に離れているアパーチャの内面側に形成されている。前記光電子素子からさらなる光電子素子へ到達する散乱ビーム、ないしはさらなる光電子素子から前記光電子素子へ到達する散乱ビームの成分は、このようにして十分に回避される。

前述してきた本発明による光電子装置は、特に小型で安価に製造できるため、多くの用途に適する。この光電子装置は、近接センサとして好適な実施形態に構成されてもよい。具体的には、この光電子装置は、電子機器、例えば移動電話などの携帯機器の近接センサとして適している。

本発明のさらなる特徴、態様および利点は、図面に基づく以下の詳細な説明から明らかとなる。

本発明による光電子装置の第１実施例の概略図 本発明による光電子装置の第２実施例の概略図 本発明による光電子装置の第３実施例の概略図 本発明による光電子装置の第４実施例の概略図

発明を実施するための形態
前記図面中、同一、類似または機能の同じ各要素には同一の符号が付されている。

また図中示されている要素相互間のサイズ比は、必ずしも縮尺通りではない。場合によっては個々の要素は、見やすくする目的、及び／又は、分かりやすくする目的で、拡大して描写されている。

図１には、本発明による光電子装置の第１実施例が概略的に断面図で示されている。この実施例では、当該光電子装置が近接センサとして構成されている。

光電子装置１は、光電子素子２１とさらなる光電子素子２２を含んでおり、これらの素子はエミッタ−検出器対を形成している。図示の実施形態では、例示的に最初の素子２１はエミッタとして構成され、さらなる素子２２は検出器として構成されている。これらの素子２１，２２は、例えば、プリント基板などのような回路基板の支持体３上に配置されている。この支持体３とは反対側には、前記素子２１及びさらなる素子２２は、主放射貫通面２１０ないしさらなる主放射貫通面２２０を有している。

支持体３上にはフレーム４が設けられている。このフレーム４内の凹部は、前記光電素子２１のためのアパーチャ５１を形成している。さらなる凹部は、さらなる光電子素子のためのさらなるアパーチャ５２を形成している。前記アパーチャ５１は、図中、破線の境界線で示した、主放射貫通面２１０から放射されたビームに対する放射円錐７１を定めている。この放射円錐内では、ビームがアパーチャを通って直接放射される。相応にさらなるアパーチャ５２は、破線の境界線で示した、さらなる素子２２のさらなる主放射貫通面２２０に直接入射するビームのためのさらなる放射円錐７２を定めている。

傾斜領域６１の前記素子２１とは反対側の境界面５３は、領域毎にアパーチャ５１を形成すると共にこの領域内で放射円錐７１も定めている。前記境界面５３は、前記主放射貫通面２１０に対して垂直に延在する法線方向で前記主放射貫通面２１０から離間されている。相応に前記さらなる傾斜領域６２の前記さらなる素子２２とは反対側の境界面５３は、さらなるアパーチャ５２を形成し、さらなる放射円錐７２を定めている。

前記アパーチャ５１の内面５１０は、主放射貫通面２１０から離れるように傾斜している領域６１を有している。前記アパーチャ５１の傾斜領域６１は、垂直方向において主放射貫通面から離間されている。特に前記傾斜領域６１は、主放射貫通面の放射方向で見て後方に配置されている。前記傾斜領域６１と前記主放射貫通面２１０は、前記主放射貫通面２１０から任意の角度のもとで放射されるビームが前記傾斜領域６１に直接入射できないように相互配置されている。

前記傾斜領域６１は、前記さらなる素子２２から最も離れたアパーチャ５１の側に形成される。この領域において前記内面５１０に入射するビームがさらなる素子２２の方向に偏向される危険性は、それによって十分に回避される。

それに対して前記内面５１０の前記傾斜領域６１に対向しているさらなる領域５１５は、前記主放射貫通面２１０の法線に対して比較的小さな角度のもとで配置されてもよい。なお、図１に示されている実施例とは異なって、前記さらなる領域は、前記主放射貫通面に対して垂直若しくは実質的に垂直に延在していてもよい。

前記アパーチャ５１の内面５１０は、前記境界面５３の、前記素子とは反対側に、アンダーカット領域６３を有している。このアンダーカット領域６３は、当該実施例では、垂直方向に対して平行に若しくは少なくとも実質的に平行に延在し得る。但しこのアンダーカット領域は、垂直方向に対して相対的に傾斜していてもよく、例えば前記素子２１から離れるように傾斜していてもよい。

矢印８１によって表されているように、前記アンダーカット領域６３に入射したビームは、そこから直接ではなく、前記アパーチャ５１の内面のさらなる領域５１５におけるさらなる反射の後でのみ、当該アパーチャから出射される。このビーム成分は、さらなる素子２２から離れるように偏向され、そのため前記さらなる素子２２に入射する散乱ビームの成分は十分に低減されるようになる。

前記素子２１は、窓９を貫通して電磁ビームを放射するために設けられている。この窓は例えば当該の光電子装置１が設けられているハウジング内に形成されてもよい。この窓から出射されるビーム成分は矢印９１によって示されている。また矢印９２によって表されているように、放射された有効ビームの一部は、前記窓９の近傍に存在する対象から当該窓９を通して逆反射され、さらなる光電子素子２２に入射し得る。

さらなるアパーチャ５２は、さらなる傾斜領域６２を有するさらなる内面５２０を有している。エミッタとして構成された前記光電子素子２１との関連で説明したように、前記さらなる傾斜領域６２と前記さらなる主放射貫通面２２０との間で直接のビームパスは生じない。そのため簡単な方法で、傾斜領域６２に入射する、矢印８２で表されたビームは直接ではなく、つまりさらなる反射がなしではない状況のもとで、前記さらなる主放射貫通面２２０に入射することが保証される。そのため、例えば窓９において反射された散乱ビームがさらなる素子２２に直接入射する危険性は十分に低減される。前記アパーチャ５１に関連して説明したように、さらなるアパーチャ５２のさらなる傾斜領域６２は、さらなる内面５２０の当該傾斜領域６２に対向するさらなる領域５２５よりも大きく傾斜している。

さらに前記さらなる内面５２０は、さらなるアンダーカット領域６４を有している。このさらなるアンダーカット領域６４の構成は、図４との関連で説明する。

前記光電子素子２１は、ＬＥＤ、好ましくは発光ダイオードとして構成される。この素子は有利には、近赤外線領域（ＮＩＲ、真空波長が７５０ｎｍ〜１４００ｎｍ）のビームであり、より好ましくは８００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の波長範囲であり得る。

前記さらなる素子２２は、有利にはフォトダイオードとして、あるいはフォトトランジスタとして構成される。また感光性の集積回路、例えば特定用途向けの集積回路（ＡＳＩＣ）を適用することも可能である。

前記さらなる素子は、有利にはケイ素をベースにしている。またこれとは異なって、例えばＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料をベースにしてもよい。

前記フレーム４は、好ましくは前記素子２１によって生成されるビームを所期の量だけ吸収するように構成されている。この場合有利には、入射ビームの少なくとも６０％、特に有利には少なくとも８０％がフレーム４に吸収される。この吸収率が高ければ高いほど、フレームにおいて反射したビームが多重反射の後にさらなる素子２２に入射する危険性が低くなる。

前記フレーム４は、好ましくはプラスチックから形成され、例えば黒色のプラスチックから形成される。またこれとは異なって前記フレーム４は、少なくとも領域毎にビーム吸収性材料でコーティングされていてもよい。

前記フレーム４は、例えば射出成形法（injection molding）、またはトランスファー成形法（transfer molding）により安価に製造可能である。また代替的に前記フレーム４は、また機械的な処理によって、例えばフライス加工などによって製造することも可能である。

前記素子２１及び／又は前記さらなる素子２２は、有利には、チップオンボード技術などで支持体３に固定されてもよい。このことは、これらの素子がハウジングなしで、半導体チップの形態で前記支持体３に実装されることを意味する。

前述の光電子装置１は、特に小型で製造が安価であり、例えば携帯電話などの携帯電子機器における近接センサに適している。

本発明による光電子装置の第２の実施例は、図２に概略的断面図で示されている。この第２実施例は、実質的に、図１に関連して説明してきた前記第１実施例に相当している。この第１実施例との違いは、フレーム４の支持体３とは反対側に、カバー４５が形成されている点である。このカバー４５は、特に前記素子２１，２２の保護のために設けられており、特に前記アパーチャ５１，５２を介したほこりや湿気の侵入からこれらの素子を保護している。有利には前記カバーは、動作中に放出されたビーム又は検出されたビームのために透明または少なくとも半透明である。

前記カバーに対して、例えばチップやフィルムが適している。

また前述してきた実施例とは異なって、前記素子２１，２２は、前記カバーに対して代替的若しくは付加的に、前記素子をその中に埋め込むカプセル化によって保護されてもよい。このカプセル化に対しては、例えば、エポキシドやシリコンが適しており、あるいは少なくとも１つのエポキシドとシリコンからなるハイブリッド材料も適用可能である。

図３に概略的に示されている第３実施例も実質的には前記図１に関連して説明してきた第１実施例に相当している。ここでの第１実施例との相違は、傾斜領域６１ないしはさらなる傾斜領域６２にそれぞれ対向している、アパーチャ５１の内面５１０のさらなる領域５１５、ないしはさらなるアパーチャ５２のさらなる内面５２０のさらなる領域５２５が、直角に形成されている点である。なおこれらのさらなる領域５１５，５２５は、前記図１に関連して説明してきたように構成することも可能である。なお図を見易くするために、図３及び図４では、放射円錐７１，７２については詳細には示していない。これらは図１との関連で説明してきたようにアパーチャ５１，５２によって、とりわけ領域毎に境界面５３によって定められる。

前記素子２１と傾斜領域６１は、相互に次のように配置される。すなわち、傾斜領域の延長線７３が、主放射貫通面の傾斜領域に向いた側で主放射貫通面２１０を通過するように配置される。そのため主放射貫通面２１０から出射したビームが直接には前記傾斜領域６１に入射しないことが、簡単な方法で保証されるようになる。傾斜領域６１の方向に放射されるビームは、アンダーカット領域の方向に偏向されるか（図示の矢印８３参照）、又は、アパーチャの内面における反射なしでアパーチャ５１を通って出射する（図示の矢印８４参照）。

それと同様に、さらなる傾斜領域６２の延長線７３も、当該さらなる領域６２とは反対側においてさらなる素子２２を通過している。そのため、前記さらなる領域６２に入射するビーム（図示の矢印８５参照）が、任意の角度の拡散的反射のもとでも、前記さらなる主放射貫通面２２０に直接入射することはできない。

以下では、図４に示されている第４の実施例に基づいて、アンダーカット領域６３ないしさらなるアンダーカット領域６４を詳細に説明する。

アンダーカット領域６３と傾斜領域６１を有するアパーチャ５１の内面５１０は、次のように構成されている。すなわち垂直方向に対して最大角度で前記アパーチャを貫通して入射するビームの入射点が、当該アンダーカット領域によって、垂直方向で、少なくとも前記アパーチャ５１から十分に離れるように、とりわけ前記主放射貫通面２１０と同じ位に前記傾斜領域６１の境界面５３から離れるように構成されている。このことは、前記主放射貫通面２１０の延長線上に延在する破線によって表されている。

それにより、簡単な方法で、前記素子２１から放射され、アンダーカット領域６３に入射し、任意の角度で拡散又は方向付けされた反射ビームが直接前記アパーチャ５１から出射されないことが保証される。このことは矢印８６及び８７によって表されている。

さらなるアパーチャ５２のさらなるアンダーカット領域６４もこれと同様に構成されている。そのため、当該のアンダーカット領域６４に入射し、任意の角度で拡散又は方向付けされた反射ビームも、直接にはさらなる主放射貫通面２２０に入射できなくなる（矢印８８）。

もちろん前記アパーチャ５１，５２は前述した実施例とは異なって構成することも可能であり、必ずしも同じ様に構成される必要はない。ここでは散乱ビームを抑圧する要求の度合いによっては、前記アパーチャ５１，５２のうちの一方だけが傾斜領域を有するように構成するだけで十分なこともあり得る。

前述したようなアパーチャ５１，５２の構成を用いることによって、簡単かつ安価な方法で全信号に対する不所望な散乱ビームの成分を低減することができる光電子装置が実現される。さらにこの散乱ビーム成分は、同時に、比較的大きなアパーチャを用いることで最小化可能である。

なお前述した実施例とは異なって、エミッタ−検出器対と関連して説明したアパーチャ５１，５２の構成も、１つだけの光電子素子を備えた光電子装置に適している。エミッタの場合には、放出された総放射電力において、前記アパーチャに入射する散乱ビーム成分が低減でき、検出器の場合には、検出された散乱ビーム成分を低減することができる。

本発明は実施例に基づいて前記説明によって限定されるものではない。むしろ本発明はいずれの新規の特徴、ならびに特徴のいずれの組合せも含むものであり、これらの特徴またはこれらの組合せが明示的に特許請求の範囲または実施例に記載されていなくても、とりわけ請求の範囲の特徴のいずれの組合せも含むものである。

Claims (17)

1. 光電子素子（２１）を備えた光電子装置（１）であって、
   前記光電子素子（２１）は、ビームを受信又は生成するために設けられ、主放射貫通面（２１０）を有し、
   前記光電子素子（２１）にアパーチャ（５１）が対応付けられており、前記アパーチャ（５１）は、前記主放射貫通面を貫通するビームのための放射円錐を定めており、
   前記アパーチャ（５１）は、前記主放射貫通面から離れるように傾斜している傾斜領域（６１）を有する内面（５１０）を備えており、
   前記光電子素子は支持体（３）に固定され、前記支持体（３）にはフレーム（４）が固定されており、
   前記フレーム（４）内の凹部が前記アパーチャを形成し、前記アパーチャの内面は、受信すべきビームないしは発生すべきビームを所期のように吸収するように構成され、
   前記主放射貫通面と前記傾斜領域は、前記主放射貫通面と前記傾斜領域との間で直接的なビームパスが生じないように相互に配置されていることを特徴とする、光電子装置（１）。
2. 前記主放射貫通面から放射されたビームが、前記放射円錐において直線的に、かつ光電子装置内部で向きを変えることなく、前記主放射貫通面から直接的に放射されるか、
   または、
   受光すべきビームが、前記放射円錐において直線的に、かつ光電子装置内部で向きを変えることなく、前記主放射貫通面に直接的に入射する、請求項１記載の光電子装置。
3. 前記アパーチャの内面に入射するビームの少なくとも６０％が吸収される、請求項１または２記載の光電子装置。
4. 前記傾斜領域は、前記主放射貫通面に対して垂直に延在する方向で前記主放射貫通面から離間している、請求項１から３いずれか１項記載の光電子装置。
5. 前記傾斜領域の、前記光電子素子に向いている境界面（５３）が領域毎に放射円錐を定めている、請求項４記載の光電子装置。
6. 前記傾斜領域の延長線（７３）は、前記傾斜領域とは反対側の前記主放射貫通面側において前記主放射貫通面を通過している、請求項４又は５記載の光電子装置。
7. 前記アパーチャの内面は、前記傾斜領域の、前記光電子素子に向いている側に、アンダーカット領域（６３）を有している、請求項４から６いずれか１項記載の光電子装置。
8. 前記傾斜領域と前記アンダーカット領域とを有している前記内面は、垂直方向に対する最大角度で前記アパーチャを貫通するビームの入射点（８９）が、前記アンダーカット領域において、垂直方向で、少なくとも前記主放射貫通面と同じように前記アパーチャから十分に離れるように、形成されている、請求項７記載の光電子装置。
9. 前記アパーチャの傾斜領域は、前記アパーチャの内面のさらなる領域（５１５）よりも前記光電素子から遠く離れるように傾斜している、請求項１から８いずれか１項記載の光電子装置。
10. 前記フレーム（４）は、受信すべきビーム若しくは発生すべきビームに対して所期の吸収率を備えて形成される、請求項１から９いずれか１項記載の光電子装置。
11. 前記光電子装置は、さらなる光電子素子（２２）を有しており、前記さらなる光電子素子（２２）は、前記光電子素子と共にエミッタ−検出器対を形成している、請求項１から１０いずれか１項記載の光電子装置。
12. 前記エミッタは、ＬＥＤとして構成されており、前記検出器は、ダイオード、フォトトランジスタ又はビーム感応性ＩＣとして構成されている、請求項１１記載の光電子装置。
13. 前記さらなる光電子素子に対して、さらなる主放射貫通面を貫通するビームのための放射円錐を定める、さらなるアパーチャ（５２）が対応付けられており、
    前記さらなるアパーチャ（５２）は、前記さらなる主放射貫通面から離れるように傾斜しているさらなる傾斜領域（６２）を有するさらなる内面（５２０）を備え、
    前記さらなる主放射貫通面と前記さらなる傾斜領域（６２）は、前記さらなる主放射貫通面と前記さらなる傾斜領域（６２）との間で、直接的なビームパスが何も生じないように、相互に配置されている、請求項１１又は１２記載の光電子装置。
14. 前記傾斜領域は、前記さらなる光電子素子から十分に離れているアパーチャの内面側に形成されている、請求項１１から１３いずれか１項記載の光電子装置。
15. 前記さらなる傾斜領域は、前記光電子素子から十分に離れているさらなるアパーチャのさらなる内面側に形成されている、請求項１４記載の光電子装置。
16. 前記光電子装置は、近接センサとして構成されている、請求項１から１５いずれか１項記載の光電子装置。
17. 前記光電子装置は、さらなる光電子素子（２２）を有しており、前記さらなる光電子素子（２２）は、前記光電子素子と共にエミッタ−検出器対を形成し、
    前記さらなる光電子素子に対して、さらなる主放射貫通面を貫通するビームのための放射円錐を定める、さらなるアパーチャ（５２）が対応付けられており、
    前記さらなるアパーチャ（５２）は、前記主放射貫通面から離れるように傾斜しているさらなる傾斜領域（６２）を有するさらなる内面（５２０）を備え、
    前記傾斜領域は、前記さらなる光電子素子から十分に離れているアパーチャの内面側に形成されており、
    前記さらなる傾斜領域は、前記光電子素子から十分に離れているさらなるアパーチャのさらなる内面側に形成されており、
    前記アパーチャの傾斜領域、および、前記さらなるアパーチャのさらなる傾斜領域は、それぞれ、前記アパーチャの内面のさらなる領域（５１５）ないしは前記さらなるアパーチャのさらなる内面のさらなる領域（５２５）よりも、前記光電素子ないしは前記さらなる光電素子から強く離れるように傾斜している、請求項１記載の光電子装置。

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