JP2011522420A5 - 加工済みフィーチャの断層像をつくる方法および１または複数の加工済みフィーチャの画像を生成する方法 - Google Patents
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Claims (22)
- 加工済みフィーチャの断層像をつくる方法であって、
前記加工済みフィーチャに近接する表面をミリングする工程であって、前記表面は、前記フィーチャが位置する層と実質的に平行にミリングされる工程と、
前記ミリングされた表面と実質的に垂直な方向の位置から前記加工済みフィーチャを画像化し、複数の断面画像の内の第１の断面画像を生成する工程と
を備える方法。 - 請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記フィーチャの高さ全体に沿って、前記ミリング工程および画像化工程を繰り返す工程と、
前記複数の断面画像の各々を、前記加工済みフィーチャの表現に再構成する工程と
を備える方法。 - 請求項２に記載の方法であって、さらに、前記加工済みフィーチャを二次元表現として再構成する工程を備える方法。
- 請求項２に記載の方法であって、さらに、前記加工済みフィーチャを三次元表現として再構成する工程を備える方法。
- 請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、集束イオンビーム装置によって前記ミリング工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
- 請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、レーザアブレーション装置によって前記ミリング工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
- 請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、走査型電子顕微鏡によって前記画像化工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
- 請求項７に記載の方法であって、さらに、前記走査型電子顕微鏡として、側長トップダウン走査型電子顕微鏡を選択する工程を備える方法。
- 請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、光散乱装置によって前記画像化工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
- 請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、プロファイリング装置によって前記画像化工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
- 請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、前記フィーチャの任意の開口部を、前記フィーチャが加工された前記層を構成する材料と異なる材料で満たすことによって、前記加工済みフィーチャを保護する工程を備える方法。
- １または複数の加工済みフィーチャの画像を生成する方法であって、
前記１または複数のフィーチャの断面を繰り返し生成する工程であって、前記１または複数の加工済みフィーチャに近接する表面をイオンミリングする工程を含み、前記表面は、前記フィーチャが位置する層と実質的に平行にミリングされる工程と、
前記１または複数の加工済みフィーチャのトップダウン画像化を実行し、複数の断面画像を生成する工程と
を備える方法。 - 請求項１２に記載の方法であって、さらに、前記複数の断面画像の各々を、前記加工済みフィーチャの表現に再構成する工程を備える方法。
- 請求項１２または１３に記載の方法であって、さらに、走査型電子顕微鏡によって前記画像化工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
- 請求項１４に記載の方法であって、さらに、前記走査型電子顕微鏡として、側長走査型電子顕微鏡を選択する工程を備える方法。
- 請求項１２または１３に記載の方法であって、さらに、光散乱装置によって前記画像化工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
- 請求項１２または１３に記載の方法であって、さらに、プロファイリング装置によって前記画像化工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
- 請求項１２ないし１７のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、前記フィーチャの任意の開口部を、前記フィーチャが加工された前記層を構成する材料と異なる材料で満たすことによって、前記加工済みフィーチャを保護する工程を備える方法。
- １または複数の加工済みフィーチャの画像を生成する方法であって、
前記１または複数のフィーチャの断面を繰り返し生成する工程であって、前記１または複数の加工済みフィーチャに近接する表面をイオンミリングする工程を含み、前記表面は、前記フィーチャが位置する層と実質的に平行にミリングされる工程と、
走査型電子顕微鏡を用いて前記１または複数の加工済みフィーチャのトップダウン画像化を実行し、複数の断面画像を生成する工程と、
前記複数の断面画像の各々を、前記加工済みフィーチャの表現に再構成する工程と
を備える方法。 - 請求項１９に記載の方法であって、さらに、前記加工済みフィーチャを三次元表現として再構成する工程を備える方法。
- 請求項２０の方法であって、前記三次元表現は回転可能である方法。
- 請求項１９に記載の方法であって、さらに、前記フィーチャの任意の開口部を、前記フィーチャが加工された前記層を構成する材料と異なる材料で満たすことによって、前記加工済みフィーチャを保護する工程を備える方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/128,420 US20090296073A1 (en) | 2008-05-28 | 2008-05-28 | Method to create three-dimensional images of semiconductor structures using a focused ion beam device and a scanning electron microscope |
| US12/128,420 | 2008-05-28 | ||
| PCT/US2009/045271 WO2009154975A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-05-27 | Method to create three-dimensional images of semiconductor structures using a focused ion beam device and a scanning electron microscope |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011522420A JP2011522420A (ja) | 2011-07-28 |
| JP2011522420A5 true JP2011522420A5 (ja) | 2012-06-28 |
| JP5647603B2 JP5647603B2 (ja) | 2015-01-07 |
Family
ID=41379372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011511771A Active JP5647603B2 (ja) | 2008-05-28 | 2009-05-27 | 加工済みフィーチャの断層像をつくる方法および１または複数の加工済みフィーチャの画像を生成する方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090296073A1 (ja) |
| JP (1) | JP5647603B2 (ja) |
| KR (1) | KR101637332B1 (ja) |
| CN (1) | CN102047405A (ja) |
| SG (1) | SG191580A1 (ja) |
| TW (1) | TWI493167B (ja) |
| WO (1) | WO2009154975A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8097846B1 (en) * | 2009-02-25 | 2012-01-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Metrology and 3D reconstruction of devices in a wafer |
| US9041793B2 (en) * | 2012-05-17 | 2015-05-26 | Fei Company | Scanning microscope having an adaptive scan |
| CZ304824B6 (cs) * | 2013-07-11 | 2014-11-19 | Tescan Orsay Holding, A.S. | Způsob opracovávání vzorku v zařízení se dvěma nebo více částicovými svazky a zařízení k jeho provádění |
| CN103440361B (zh) * | 2013-07-19 | 2016-02-24 | 清华大学 | 一种等离子体刻蚀工艺中刻蚀产额的建模方法 |
| CN103884568B (zh) * | 2014-04-02 | 2016-04-13 | 广西玉柴机器股份有限公司 | 推杆显微组织试样的制备方法 |
| KR102301793B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2021-09-14 | 삼성전자주식회사 | 이미지 생성 방법 및 이를 수행하기 위한 이미징 시스템 |
| CN105590338B (zh) * | 2015-12-07 | 2018-08-10 | 中国科学院微电子研究所 | 一种扫描电子显微图像的三维重构方法 |
| US10157457B2 (en) * | 2016-08-10 | 2018-12-18 | Kla-Tencor Corporation | Optical measurement of opening dimensions in a wafer |
| US10794839B2 (en) | 2019-02-22 | 2020-10-06 | Kla Corporation | Visualization of three-dimensional semiconductor structures |
| WO2019173170A1 (en) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | Kla-Tencor Corporation | Visualization of three-dimensional semiconductor structures |
| US10811219B2 (en) * | 2018-08-07 | 2020-10-20 | Applied Materials Israel Ltd. | Method for evaluating a region of an object |
| US11139142B2 (en) * | 2019-05-23 | 2021-10-05 | Applied Materials, Inc. | High-resolution three-dimensional profiling of features in advanced semiconductor devices in a non-destructive manner using electron beam scanning electron microscopy |
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| KR20210027789A (ko) | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 삼성전자주식회사 | 주사 전자 현미경 장치 및 그의 동작 방법 |
| TWI761016B (zh) * | 2020-01-05 | 2022-04-11 | 捷絡生物科技股份有限公司 | 組織切片的製備方法 |
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| US11321835B2 (en) | 2020-03-17 | 2022-05-03 | Applied Materials Israel Ltd. | Determining three dimensional information |
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| US11728126B2 (en) | 2021-06-24 | 2023-08-15 | Applied Materials Israel Ltd. | 3D metrology from 3D datacube created from stack of registered images obtained during delayering of the sample |
| CN113820578B (zh) * | 2021-09-14 | 2024-02-20 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体器件的量测方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7423263B2 (en) * | 2006-06-23 | 2008-09-09 | Fei Company | Planar view sample preparation |
| JP5371142B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2013-12-18 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | マルチソース型のプラズマ集束イオン・ビーム・システム |
-
2008
- 2008-05-28 US US12/128,420 patent/US20090296073A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-05-27 TW TW098117691A patent/TWI493167B/zh active
- 2009-05-27 JP JP2011511771A patent/JP5647603B2/ja active Active
- 2009-05-27 CN CN2009801202474A patent/CN102047405A/zh active Pending
- 2009-05-27 WO PCT/US2009/045271 patent/WO2009154975A1/en active Application Filing
- 2009-05-27 KR KR1020107026657A patent/KR101637332B1/ko active IP Right Grant
- 2009-05-27 SG SG2013037452A patent/SG191580A1/en unknown
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