JP2015533256A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015533256A5
JP2015533256A5 JP2015535869A JP2015535869A JP2015533256A5 JP 2015533256 A5 JP2015533256 A5 JP 2015533256A5 JP 2015535869 A JP2015535869 A JP 2015535869A JP 2015535869 A JP2015535869 A JP 2015535869A JP 2015533256 A5 JP2015533256 A5 JP 2015533256A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
interest
feature
angle
sample
ion beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015535869A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6199979B2 (ja
JP2015533256A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2013/063704 external-priority patent/WO2014055982A1/en
Publication of JP2015533256A publication Critical patent/JP2015533256A/ja
Publication of JP2015533256A5 publication Critical patent/JP2015533256A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6199979B2 publication Critical patent/JP6199979B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (20)

  1. 試料中の関心の特徴部分を露出させるため、荷電粒子ビームを使用する方法であって、
    前記試料の表面で前記関心の特徴部分に隣接した位置にトレンチをミリングすること、
    ビーム誘起付着を使用して前記トレンチに材料を充填すること、
    前記関心の特徴部分を露出させるために、付着させた前記材料を通してミリングする必要がある角度から、イオン・ビームを導くことであって、前記角度は、前記表面と前記イオン・ビームの間の45度以下の角度であること、および
    露出させた前記関心の特徴部分を観察すること
    を含む方法。
  2. ビーム誘起付着を使用して前記トレンチに材料を充填することが、前記関心の特徴部分に隣接した位置に材料を付着させ、前記関心の特徴部分の上には材料を付着させないことを含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記角度は、前記表面と前記イオン・ビームの間の10度以下の角度である、請求項1または請求項2に記載の方法。
  4. 充填された前記トレンチがバルクヘッドを含み、
    前記バルクヘッドが、前記関心の特徴部分に最も近い近位縁を有し、
    前記バルクヘッドが、前記関心の特徴部分を露出させるためにイオン・ビームを導くことによって前記近位縁上のそれぞれの点が異なる深さにミリングされるように構成された、
    請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記関心の特徴部分が同一の複数の特徴部分を含み、イオン・ビームを導くことが、前記バルクヘッドに隣接した複数の関心の特徴部分を、露出させた1つの面内の異なる深さのところに露出させる、請求項4に記載の方法。
  6. 前記関心の特徴部分を露出させるために、付着させた前記材料を通してミリングする必要がある角度から、イオン・ビームを導くことが、前記関心の特徴部分の側面視を提供するために、ビーム方向に対して平行な垂直面を露出させることを含む、請求項1または請求項2に記載の方法。
  7. 前記関心の特徴部分を露出させるために、付着させた前記材料を通してミリングする必要がある角度から、イオン・ビームを導くことが、前記関心の特徴部分のほぼ上面視を提供するために、水平から10度未満でかつビーム方向に対して平行な面を露出させることを含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
  8. 元の表面よりも下方の複数の深さにおける前記関心の特徴部分に関する情報を提供するため、前記関心の特徴部分を露出させるために付着させた前記材料を通してミリングする必要がある角度からイオン・ビームを導く前記ステップ、および、露出させた前記関心の特徴部分を観察する前記ステップが繰り返される、請求項7に記載の方法。
  9. 第1の材料を含む試料中の関心の特徴部分を荷電粒子ビームを用いて露出させる方法であって、
    前記試料の表面で前記関心の特徴部分に隣接した位置に穴をミリングすること、
    前記穴に第2の材料を充填すること、および
    前記関心の特徴部分を露出させるために、前記第2の材料を通してミリングする必要がある角度から、イオン・ビームを導くこと
    を含み、
    前記角度は、前記表面と前記イオン・ビームの間の45度以下の角度である、方法。
  10. 前記関心の特徴部分に隣接した位置に穴をミリングすることが、前記表面に対して垂直の方向に前記穴をミリングすることを含む、請求項9に記載の方法。
  11. 前記穴に第2の材料を充填することが、荷電粒子ビーム付着を使用して前記穴に充填することを含む、請求項9または請求項10に記載の方法。
  12. 前記関心の特徴部分を露出させるためにイオン・ビームを導くことが、視射角ミリングを実行することを含む、請求項9から11のいずれか一項に記載の方法。
  13. 前記視射角ミリングを実行する前に前記試料の向きを再調整すること、および
    走査電子顕微鏡を用いて前記試料を画像化すること
    をさらに含む、請求項12に記載の方法。
  14. 前記穴に充填するのに使用される前記第2の材料が、前記第1の材料のエッチング速度の30%以内のエッチング速度を有する、請求項9から13のいずれか一項に記載の方法。
  15. 前記関心の特徴部分が高アスペクト比構造体である、請求項9から14のいずれか一項に記載の方法。
  16. 前記穴に充填するのに使用される前記第2の材料がタングステン、白金または酸化物を含む、請求項9から15のいずれか一項に記載の方法。
  17. 視射角ミリングを実行する前記ステップおよび走査電子顕微鏡を用いて前記試料を画像化する前記ステップを少なくとも一度繰り返すことをさらに含む、請求項13に記載の方法。
  18. 前記試料の3次元情報を生成するために、前記試料を画像化することによって得られた情報が結合される、請求項17に記載の方法。
  19. 前記関心の特徴部分に隣接した位置に穴をミリングすることが、前記関心の特徴部分に対して斜めの近位縁を有する前記穴をミリングすることを含む、請求項9に記載の方法。
  20. 試料中の関心の特徴部分を露出させるシステムであって、
    集束イオン・ビームを供給するイオン光学カラムと、
    集束電子ビームを供給する電子光学カラムと、
    前記試料から放出された2次粒子を検出する粒子検出器と、
    コンピュータ・メモリと通信するコントローラと
    を備え、前記コンピュータ・メモリが、
    前記試料の表面で前記関心の特徴部分に隣接した位置に穴をミリングする命令、
    荷電粒子ビーム付着を使用して前記穴に第2の材料を充填する命令、
    前記関心の特徴部分を露出させるために、付着させた前記第2の材料を通してミリングする必要がある角度から、イオン・ビームを導く命令であり、前記角度は、前記表面と前記イオン・ビームの間の角度であり、付着させた前記第2の材料を通してミリングすることが、視射角ミリングを実行すること、および前記視射角ミリングを実行する前に前記試料の向きを再調整することを含む命令、ならびに
    走査電子顕微鏡を使用して前記試料を画像化する命令
    を記憶している
    システム。
JP2015535869A 2012-10-05 2013-10-07 傾斜ミリング保護のためのバルク付着 Active JP6199979B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261710376P 2012-10-05 2012-10-05
US61/710,376 2012-10-05
PCT/US2013/063704 WO2014055982A1 (en) 2012-10-05 2013-10-07 Bulk deposition for tilted mill protection

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015533256A JP2015533256A (ja) 2015-11-19
JP2015533256A5 true JP2015533256A5 (ja) 2016-12-01
JP6199979B2 JP6199979B2 (ja) 2017-09-20

Family

ID=50435506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015535869A Active JP6199979B2 (ja) 2012-10-05 2013-10-07 傾斜ミリング保護のためのバルク付着

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9412560B2 (ja)
EP (1) EP2903773B1 (ja)
JP (1) JP6199979B2 (ja)
KR (1) KR102039528B1 (ja)
CN (1) CN104822482B (ja)
TW (1) TWI607498B (ja)
WO (1) WO2014055982A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI628702B (zh) 2012-10-05 2018-07-01 Fei公司 高「高寬比」結構之分析
CN104822482B (zh) * 2012-10-05 2017-12-05 Fei 公司 用于倾斜铣削保护的体沉积
KR20200011611A (ko) 2012-10-05 2020-02-03 에프이아이 컴파니 하전 입자 빔 샘플 준비과정에서 커트닝을 감소하기 위한 방법 및 시스템
US10026590B2 (en) 2012-12-31 2018-07-17 Fei Company Fiducial design for tilted or glancing mill operations with a charged particle beam
US9564291B1 (en) * 2014-01-27 2017-02-07 Mochii, Inc. Hybrid charged-particle beam and light beam microscopy
CN105300754B (zh) * 2015-09-11 2019-06-28 上海华力微电子有限公司 一种防止tem芯片样品破裂的方法
US9625398B1 (en) 2016-01-11 2017-04-18 International Business Machines Corporation Cross sectional depth composition generation utilizing scanning electron microscopy
US10242842B2 (en) * 2016-03-25 2019-03-26 Hitachi High-Tech Science Corporation Method for cross-section processing and observation and apparatus therefor
US10324049B2 (en) 2017-02-15 2019-06-18 Saudi Arabian Oil Company Rock sample preparation method by using focused ion beam for minimizing curtain effect
US10546719B2 (en) * 2017-06-02 2020-01-28 Fei Company Face-on, gas-assisted etching for plan-view lamellae preparation
DE102017212020B3 (de) * 2017-07-13 2018-05-30 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zur In-situ-Präparation und zum Transfer mikroskopischer Proben, Computerprogrammprodukt sowie mikroskopische Probe
KR102537699B1 (ko) * 2017-12-26 2023-05-26 삼성전자주식회사 반도체 장치의 검사 방법
WO2019157068A1 (en) * 2018-02-06 2019-08-15 Howard Hughes Medical Institute Volume scanning electron microscopy of serial thick tissue sections with gas cluster milling
US10811219B2 (en) * 2018-08-07 2020-10-20 Applied Materials Israel Ltd. Method for evaluating a region of an object
DE102018120630B3 (de) * 2018-08-23 2019-10-31 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Bearbeiten eines Objekts und Programm zur Steuerung eines Partikelstrahlsystems
JP7305422B2 (ja) * 2019-05-13 2023-07-10 株式会社日立ハイテク パターン評価システム及びパターン評価方法
US11501951B1 (en) 2021-05-14 2022-11-15 Applied Materials Israel Ltd. X-ray imaging in cross-section using un-cut lamella with background material
US20230196189A1 (en) * 2021-12-20 2023-06-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Measurement method and apparatus for semiconductor features with increased throughput

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5435850A (en) 1993-09-17 1995-07-25 Fei Company Gas injection system
US5851413A (en) 1996-06-19 1998-12-22 Micrion Corporation Gas delivery systems for particle beam processing
US6268608B1 (en) 1998-10-09 2001-07-31 Fei Company Method and apparatus for selective in-situ etching of inter dielectric layers
US6373070B1 (en) 1999-10-12 2002-04-16 Fei Company Method apparatus for a coaxial optical microscope with focused ion beam
US6905623B2 (en) * 2000-12-15 2005-06-14 Credence Systems Corporation Precise, in-situ endpoint detection for charged particle beam processing
US6621081B2 (en) * 2001-01-10 2003-09-16 International Business Machines Corporation Method of pole tip sample preparation using FIB
US6911832B2 (en) * 2003-07-16 2005-06-28 Texas Instruments Incorporated Focused ion beam endpoint detection using charge pulse detection electronics
US7611610B2 (en) * 2003-11-18 2009-11-03 Fei Company Method and apparatus for controlling topographical variation on a milled cross-section of a structure
JP2006228593A (ja) * 2005-02-18 2006-08-31 Seiko Epson Corp 断面観察方法
US7442924B2 (en) * 2005-02-23 2008-10-28 Fei, Company Repetitive circumferential milling for sample preparation
JP2006331847A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Hitachi High-Technologies Corp イオンビーム加工・観察装置及び方法
JP4685627B2 (ja) * 2005-12-28 2011-05-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料加工方法
JP5873227B2 (ja) 2007-12-06 2016-03-01 エフ・イ−・アイ・カンパニー デコレーションを用いたスライス・アンド・ビュー
DE102009001910A1 (de) * 2009-03-26 2010-09-30 Carl Zeiss Nts Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung dreidimensionaler Bilddaten
US8350237B2 (en) * 2010-03-31 2013-01-08 Fei Company Automated slice milling for viewing a feature
US8859998B2 (en) * 2011-01-28 2014-10-14 Fei Company TEM sample preparation
US8912490B2 (en) * 2011-06-03 2014-12-16 Fei Company Method for preparing samples for imaging
US8822921B2 (en) * 2011-06-03 2014-09-02 Fei Company Method for preparing samples for imaging
EP2749863A3 (en) 2012-12-31 2016-05-04 Fei Company Method for preparing samples for imaging
US8859963B2 (en) * 2011-06-03 2014-10-14 Fei Company Methods for preparing thin samples for TEM imaging
US9941096B2 (en) * 2011-09-12 2018-04-10 Fei Company Glancing angle mill
US9653260B2 (en) 2011-12-01 2017-05-16 Fei Company High throughput TEM preparation processes and hardware for backside thinning of cross-sectional view lamella
US8740209B2 (en) * 2012-02-22 2014-06-03 Expresslo Llc Method and apparatus for ex-situ lift-out specimen preparation
JP6188792B2 (ja) * 2012-05-21 2017-08-30 エフ・イ−・アイ・カンパニー Tem観察用の薄片の調製
US9733164B2 (en) 2012-06-11 2017-08-15 Fei Company Lamella creation method and device using fixed-angle beam and rotating sample stage
KR20200011611A (ko) * 2012-10-05 2020-02-03 에프이아이 컴파니 하전 입자 빔 샘플 준비과정에서 커트닝을 감소하기 위한 방법 및 시스템
CN104822482B (zh) * 2012-10-05 2017-12-05 Fei 公司 用于倾斜铣削保护的体沉积
TWI628702B (zh) * 2012-10-05 2018-07-01 Fei公司 高「高寬比」結構之分析
US9384982B2 (en) * 2012-12-31 2016-07-05 Fei Company Depositing material into high aspect ratio structures
US20150137003A1 (en) * 2013-11-21 2015-05-21 United Microelectronics Corp. Specimen preparation method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015533256A5 (ja)
JP2015533215A5 (ja)
TWI705475B (zh) 圖案量測系統及量測方法
CN105264635B (zh) 用于利用带电粒子束的倾斜或掠射研磨操作的基准设计
WO2014055876A4 (en) High aspect ratio structure analysis
TWI607498B (zh) 使用帶電粒子束曝露樣品中所關注特徵的方法及系統
JP2016503890A5 (ja)
CN103797351B (zh) 掠射角铣削
Black-Schaffer et al. Subsurface impurities and vacancies in a three-dimensional topological insulator
US8816303B2 (en) Method of processing of an object
JP2014048285A5 (ja)
JP2011522420A5 (ja) 加工済みフィーチャの断層像をつくる方法および1または複数の加工済みフィーチャの画像を生成する方法
KR102047166B1 (ko) 높이 측정 장치 및 하전 입자선 장치
US9659743B2 (en) Image creating method and imaging system for performing the same
JP6272487B2 (ja) 荷電粒子線装置、シミュレーション方法およびシミュレーション装置
CN104813459A (zh) 多维结构访问
CN102779713B (zh) 带检测器装置的粒子束仪
CN104344980A (zh) 一种电镜扫描样品制备方法
JP2012255774A5 (ja)
Xia et al. Enhancement of XeF2-assisted gallium ion beam etching of silicon layer and endpoint detection from backside in circuit editing
CN104198241A (zh) 一种制备tem样品的方法
US11532454B2 (en) Imaging method and imaging system
US20170219502A1 (en) Method for characterizing a sample combining an x-ray characterization technique and a secondary ionization mass spectrometry characterization technique
Rajput et al. Application of backscattered electrons in detecting and profiling voids covered by self‐supporting metallic thin film
Jia et al. Atomically Resolved 3D Shape Determination of a MgO Crystal Using a Single Aberration Corrected HRTEM Image