JP6272487B2 - 荷電粒子線装置、シミュレーション方法およびシミュレーション装置 - Google Patents
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Claims (15)
- 荷電粒子により試料を走査し、前記荷電粒子に起因する電子を検出して走査画像を形成する、荷電粒子線装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に設置された試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子源と、
前記試料からの電子を検出する検出器と、
前記検出器による検出結果に基づき走査画像を生成し、表示する制御部と、
前記試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション画像生成部と、を含み、
前記シミュレーション画像生成部は、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
前記試料の第1入射点に入射した荷電粒子に起因する電子の検出数の計算において、
荷電粒子の照射条件と、前記試料構成情報と、に基づき、前記第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件及び前記侵入長情報に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記第1入射条件、前記侵入範囲における試料構成、及び前記放出電子数情報に基づき、前記第1入射点から放出される電子数を計算し、
前記侵入長情報における前記入射条件は、荷電粒子エネルギと試料材料とを含み、
前記放出電子数情報における前記入射条件は、入射角度、荷電粒子エネルギ、及び試料材料を含む、荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
前記試料における電子の入射条件と反射率との関係を示す反射率情報、をさらに含み、
前記放出電子数情報は、荷電粒子の入射条件と電子放出角度分布との関係、及び、荷電粒子の入射条件と電子エネルギ分布との関係を示し、
前記シミュレーション画像生成部は、
前記第1入射点から第1放出方向に放出される異なるエネルギそれぞれの電子数を、前記放出電子数情報に基づき決定し、
前記第1入射点から前記第1放出方向に放出された電子が前記試料に再入射するか、前記試料構成情報に基づき判定し、
前記第1放出方向における電子が前記試料に再入射する場合、前記第1放出方向における電子の前記試料への入射角度を、前記第1放出方向及び前記試料構成情報に基づき決定し、
前記入射角度及び前記反射率情報に基づき、前記異なるエネルギそれぞれの電子の反射率を決定し、
前記反射率と前記第1放出方向における異なるエネルギそれぞれの電子数とから、前記異なるエネルギそれぞれの電子の反射数を決定する、荷電粒子線装置。 - 荷電粒子により試料を走査し、前記荷電粒子に起因する電子を検出して走査画像を形成する、荷電粒子線装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に設置された試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子源と、
前記試料からの電子を検出する検出器と、
前記検出器による検出結果に基づき走査画像を生成し、表示する制御部と、
前記試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション画像生成部と、を含み、
前記シミュレーション画像生成部は、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
前記試料の第1入射点に入射した荷電粒子に起因する電子の検出数の計算において、
荷電粒子の照射条件と、前記試料構成情報と、に基づき、前記第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件及び前記侵入長情報に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記侵入範囲における異なる構成の部分領域それぞれへの入射条件を、前記照射条件と前記試料構成情報とに基づき決定し、
前記部分領域それぞれへの入射条件と前記放出電子数情報とに基づき、前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数を決定し、
前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数に基づき前記第1入射点から放出される電子数を決定する、荷電粒子線装置。 - 請求項3に記載の荷電粒子線装置であって、
前記シミュレーション画像生成部は、前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数と前記部分領域の表面サイズの比に基づき、前記第1入射点から放出される電子数を決定する、荷電粒子線装置。 - 荷電粒子により試料を走査し、前記荷電粒子に起因する電子を検出して走査画像を形成する、荷電粒子線装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に設置された試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子源と、
前記試料からの電子を検出する検出器と、
前記検出器による検出結果に基づき走査画像を生成し、表示する制御部と、
前記試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション画像生成部と、を含み、
前記シミュレーション画像生成部は、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
所定の入射点での入射条件、前記侵入長情報、前記試料構成情報及び前記放出電子数情報に基づき、前記所定の入射点から放出される電子数を計算し、
異なる照射条件における複数シミュレーション画像を作成し、
前記複数シミュレーション画像それぞれにおいて、前記試料の同一ライン上のラインプロファイルの傾きを計算し、
前記傾きに基づき、前記試料の実際の観測における照射条件を決定する、荷電粒子線装置。 - 荷電粒子により試料を走査し、前記荷電粒子に起因する電子を検出して走査画像を形成する、荷電粒子線装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に設置された試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子源と、
前記試料からの電子を検出する検出器と、
前記検出器による検出結果に基づき走査画像を生成し、表示する制御部と、
前記試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション画像生成部と、を含み、
前記シミュレーション画像生成部は、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
所定の入射点での入射条件、前記侵入長情報、前記試料構成情報及び前記放出電子数情報に基づき、前記所定の入射点から放出される電子数を計算し、
前記試料の実際の走査画像と照射条件が異なる複数のシミュレーション画像との比較結果に基づき、前記侵入長情報と前記放出電子数情報の少なくとも一方を補正する、荷電粒子線装置。 - 請求項6に記載の荷電粒子線装置であって、
前記シミュレーション画像生成部は、
前記実際の走査画像と前記複数のシミュレーション画像それぞれとの間における、前記試料の第1解析点の輝度差に基づき、前記放出電子数情報を補正する、荷電粒子線装置。 - 請求項6に記載の荷電粒子線装置であって、
前記シミュレーション画像生成部は、
前記実際の走査画像と前記複数のシミュレーション画像それぞれとの間における、前記試料の第1領域における第1解析点から前記第1領域と構成が異なる第2領域との境界までのラインプロファイルの差に基づき、前記侵入長情報を補正する、荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線装置において試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算する、シミュレーション方法であって、
荷電粒子源からの荷電粒子の照射条件と、前記試料の構成を示す試料構成情報と、に基づき、前記試料の第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件と、荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける侵入長情報と、に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記第1入射条件と、前記侵入範囲における試料構成と、荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける放出電子数情報とに基づき、前記第1入射点から放出される電子数を決定し、
前記侵入長情報における前記入射条件は、荷電粒子エネルギと試料材料とを含み、
前記放出電子数情報における前記入射条件は、入射角度、荷電粒子エネルギ、及び試料材料を含む、シミュレーション方法。 - 荷電粒子線装置において試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算する、シミュレーション方法であって、
荷電粒子源からの荷電粒子の照射条件と、前記試料の構成を示す試料構成情報と、に基づき、前記試料の第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件と、荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける侵入長情報と、に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記侵入範囲における異なる構成の部分領域それぞれへの入射条件を、前記照射条件と前記試料構成情報とに基づき決定し、
前記部分領域それぞれへの入射条件と、荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける放出電子数情報と、に基づき、前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数を決定し、
前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数に基づき前記第1入射点から放出される電子数を決定する、シミュレーション方法。 - 荷電粒子線装置において試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算する、シミュレーション方法であって、
荷電粒子源からの荷電粒子の照射条件と、前記試料の構成を示す試料構成情報と、に基づき、前記試料の第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件と、荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける侵入長情報と、に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記第1入射条件と、前記侵入範囲における試料構成と、荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける放出電子数情報とに基づき、前記第1入射点から放出される電子数を決定し、
異なる照射条件における複数シミュレーション画像を作成し、
前記複数シミュレーション画像それぞれにおいて、前記試料の同一ライン上のラインプロファイルの傾きを計算し、
前記傾きに基づき、前記試料の実際の観測における照射条件を決定する、シミュレーション方法。 - 荷電粒子線装置において試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算する、シミュレーション方法であって、
荷電粒子源からの荷電粒子の照射条件と、前記試料の構成を示す試料構成情報と、に基づき、前記試料の第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件と、荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける侵入長情報と、に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記第1入射条件と、前記侵入範囲における試料構成と、荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける放出電子数情報とに基づき、前記第1入射点から放出される電子数を決定し、
前記試料の実際の走査画像と照射条件が異なる複数のシミュレーション画像との比較結果に基づき、前記侵入長情報と前記放出電子数情報の少なくとも一方を補正する、シミュレーション方法。 - 試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション装置であって、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
前記試料の第1入射点に入射した荷電粒子に起因する電子の検出数の計算において、
荷電粒子の照射条件と、前記試料構成情報と、に基づき、前記第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件及び前記侵入長情報に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記第1入射条件、前記侵入範囲における試料構成、及び前記放出電子数情報に基づき、前記第1入射点から放出される電子数を計算し、
前記侵入長情報における前記入射条件は、荷電粒子エネルギと試料材料とを含み、
前記放出電子数情報における前記入射条件は、入射角度、荷電粒子エネルギ、及び試料材料を含む、シミュレーション装置。 - 試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション装置であって、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
前記試料の第1入射点に入射した荷電粒子に起因する電子の検出数の計算において、
荷電粒子の照射条件と、前記試料構成情報と、に基づき、前記第1入射点における前記荷電粒子の第1入射条件を決定し、
前記第1入射条件及び前記侵入長情報に基づき、前記第1入射点における侵入範囲を決定し、
前記試料構成情報に基づき、前記侵入範囲における試料構成を特定し、
前記侵入範囲における異なる構成の部分領域それぞれへの入射条件を、前記照射条件と前記試料構成情報とに基づき決定し、
前記部分領域それぞれへの入射条件と前記放出電子数情報とに基づき、前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数を決定し、
前記部分領域それぞれの点から放出され得る電子数に基づき前記第1入射点から放出される電子数を決定する、シミュレーション装置。 - 試料に照射された荷電粒子に起因する電子の検出数をシミュレーションにより計算し、前記試料のシミュレーション画像を生成する、シミュレーション装置であって、
荷電粒子の入射条件と侵入長とを関連づける、侵入長情報と、
試料の構成を示す、試料構成情報と、
荷電粒子の入射条件と放出電子数とを関連づける、放出電子数情報と、を保持し、
所定の入射点での入射条件、前記侵入長情報、前記試料構成情報及び前記放出電子数情報に基づき、前記所定の入射点から放出される電子数を計算し、
異なる照射条件における複数シミュレーション画像を作成し、
前記複数シミュレーション画像それぞれにおいて、前記試料の同一ライン上のラインプロファイルの傾きを計算し、
前記傾きに基づき、前記試料の実際の観測における照射条件を決定する、シミュレーション装置。
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